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標(biāo)簽 > 封裝技術(shù)
所謂“封裝技術(shù)”是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)。以CPU為例,實(shí)際看到的體積和外觀并不是真正的CPU內(nèi)核的大小和面貌,而是CPU內(nèi)核等元件經(jīng)過(guò)封裝后的產(chǎn)品。
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晶片鍵合是指通過(guò)一系列物理過(guò)程將兩個(gè)或多個(gè)基板或晶片相互連接和化學(xué)過(guò)程。晶片鍵合用于各種技術(shù),如MEMS器件制造,其中傳感器組件封裝在應(yīng)用程序中。其他應(yīng)...
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展,先進(jìn)封裝技術(shù)成為了提升芯片性能和功能密度的關(guān)鍵。近年來(lái),作為2.5D和3D封裝技術(shù)之間的一種結(jié)合方案,3.5D封裝技術(shù)逐漸走向前臺(tái)。
據(jù)傳,業(yè)界公認(rèn)的臺(tái)積電獨(dú)吞蘋果訂單的關(guān)鍵利器就是CoWoS封裝技術(shù)。這幾年,先進(jìn)封裝技術(shù)不斷涌現(xiàn),目前可以列出的估計(jì)有幾十種,讓人眼花繚亂。主流的封裝技...
2023 LED顯示熱詞:關(guān)于MIP技術(shù)的新進(jìn)展
該器件是通過(guò)巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)選擇性地排列好目標(biāo)芯片陣列,利用重布線工藝實(shí)現(xiàn)芯片電極引腳放大,最后切割出單像素的分立器件。依托半導(dǎo)體的封裝工藝技術(shù),透明襯底M...
CSP的內(nèi)部布線長(zhǎng)度(僅為0.8~1.O mm)比QFP或BGA的布線長(zhǎng)度短得多,寄生引線電容、引線電阻及引線電感均很小,從而使信號(hào)傳輸延遲大為縮短。C...
長(zhǎng)電科技針對(duì)QFN后道可以采用沖壓或封裝成品切割方式。沖壓分離是在封裝流程的最后把塑封過(guò)的封裝體通過(guò)沖壓的方式從整條框架上分離出來(lái),而以陣列式排布的封裝...
僅根據(jù)數(shù)據(jù)表中的內(nèi)容為您的設(shè)計(jì)選擇IC是不夠的。您將需要選擇正確的包裝,并注意最終系統(tǒng)的制造和組裝需求。以下是出色的教程,著重強(qiáng)調(diào)了總體架構(gòu)設(shè)計(jì)考慮因素...
一種新型RDL PoP扇出晶圓級(jí)封裝工藝芯片到晶圓鍵合技術(shù)
扇出型晶圓級(jí)中介層封裝( FOWLP)以及封裝堆疊(Package-on-Package, PoP)設(shè)計(jì)在移動(dòng)應(yīng)用中具有許多優(yōu)勢(shì),例如低功耗、短信號(hào)路徑...
FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列)的封裝方式多種多樣,以下列舉了一些常見的封裝技術(shù)。
高功率半導(dǎo)體激光器過(guò)渡熱沉封裝技術(shù)研究
摘要:近些年,在市場(chǎng)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下,半導(dǎo)體激光器的輸出功率越來(lái)越高,器件產(chǎn)生的熱量也在增加,同時(shí)封裝結(jié)構(gòu)要求也更加緊湊,這對(duì)半導(dǎo)體激光器的熱管理提出了更高的...
QFN封裝技術(shù)采用無(wú)引腳外露的設(shè)計(jì),通過(guò)將芯片引腳連接到底部并覆蓋保護(hù)層,實(shí)現(xiàn)了更小的封裝尺寸和更高的引腳密度。這種緊湊的封裝方式廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、消...
在半導(dǎo)體工藝中,“鍵合”是指將晶圓芯片連接到襯底上。粘接可分為兩種類型,即傳統(tǒng)方法和先進(jìn)方法。傳統(tǒng)的方法包括晶片連接(或晶片連接)和電線連接,而先進(jìn)的方...
半導(dǎo)體封裝技術(shù)是將半導(dǎo)體集成電路芯片用特定的外殼進(jìn)行封裝,以保護(hù)芯片、增強(qiáng)導(dǎo)熱性能,并實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部與外部電路的連接和通信。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,封裝...
探秘半導(dǎo)體制造全流程:從晶圓加工到封裝測(cè)試
前一個(gè)步驟完成后,需要用金剛石鋸切掉鑄錠的兩端,再將其切割成一定厚度的薄片。錠薄片直徑?jīng)Q定了晶圓的尺寸,更大更薄的晶圓能被分割成更多的可用單元,有助于降...
碳化硅 ( SiC )具有禁帶寬、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、熱導(dǎo)率高、高壓、高溫、高頻等優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)用于硅基器件的傳統(tǒng)封裝方式寄生電感參數(shù)較大,難以匹配 SiC 器件...
2023-12-27 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)封裝技術(shù)SiC 3104 0
封裝材料大致可分為原材料和輔助材料。原材料是構(gòu)成封裝本身的一部分,直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。而輔助材料則不屬于產(chǎn)品的本身構(gòu)成部分,它們僅在封裝過(guò)程中...
射頻芯片和基帶芯片的關(guān)系 發(fā)射電路的結(jié)構(gòu)和工作原理
射頻芯片封裝方面,5G射頻芯片一方面頻率升高導(dǎo)致電路中連接線的對(duì)電路性能影響更大,封裝時(shí)需要減小信號(hào)連接線的長(zhǎng)度。
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