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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

什么是800V高壓架構(gòu)?800V高壓架構(gòu)的多種方案

越來越多的車企向800V高壓平臺(tái)進(jìn)軍。那么800V高壓僅僅是指快充系統(tǒng)么?它到底為何能成為車企技術(shù)中的“香餑餑”?400V和800V的電動(dòng)車在用車體驗(yàn)上...

2024-01-06 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 2250 0

高性能SiC JFET SJEP120R100A的操作和性能

高性能SiC JFET SJEP120R100A的操作和性能

本文分析了 JFET SJEP120R100A 的操作和性能。這種 SiC JFET 適用于任何需要高功率和快速開關(guān)速度的應(yīng)用。然而,它特別適合用于音頻...

2022-07-25 標(biāo)簽:JFETSiC碳化硅 2249 0

SiC外延片制備技術(shù)解析

SiC外延片制備技術(shù)解析

碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,不能直接制作在碳化硅單晶材料上,必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料,并在外延層上制造各類器件。

2023-08-15 標(biāo)簽:晶圓功率器件SiC 2249 0

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

摘 要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性,傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對(duì)碳化硅單晶襯底加工技術(shù),本文綜述了碳化硅單晶切...

2023-01-11 標(biāo)簽:單晶襯底加工技術(shù) 2220 0

碳化硅的5大優(yōu)勢(shì)

碳化硅的5大優(yōu)勢(shì)

碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。

2023-12-12 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 2196 0

柵極驅(qū)動(dòng)器以及SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)

柵極驅(qū)動(dòng)器以及SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)

碳化硅(SiC)MOSFET 的使用促使了多個(gè)應(yīng)用的高效率電力輸送,比如電動(dòng)車快速充電、電源、可再生能源以及電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。

2023-05-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 2195 0

如何提高碳化硅器件的效率

如何提高碳化硅器件的效率

高效率當(dāng)然是一個(gè)優(yōu)點(diǎn),但有時(shí)“高”的說法并不準(zhǔn)確,例如:家用電子設(shè)備散發(fā)出“較高”的熱量,可以減輕您的中央供暖工作在寒冷氣候中的工作量,或許能從能源使用...

2022-03-31 標(biāo)簽:碳化硅GaN器件SiCMOSFET 2184 0

碳化硅和IGBT器件的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢(shì)

本文探討了碳化硅和IGBT器件在未來的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢(shì),以及如何通過技術(shù)創(chuàng)新和優(yōu)化來滿足不同應(yīng)用的需求。其中,英飛凌作為國(guó)際品牌的代表,其第四代產(chǎn)品已...

2023-10-28 標(biāo)簽:IGBT功率器件工業(yè)電源 2177 0

第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用

第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢(shì)引領(lǐng)功率器件新變革。

2023-09-19 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體IGBT 2137 0

碳化硅逆變器是什么 功能介紹

碳化硅逆變器是一種基于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料的功率電子設(shè)備,主要用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅逆變器具有許多優(yōu)越性能,如...

2024-01-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體逆變器碳化硅 2131 0

碳化硅MOSFET在新能源行業(yè)有怎樣的應(yīng)用和發(fā)展

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在碳化硅電力電子器件的研究中,SiC-MOSFET是最受關(guān)注的器件。在Si材料接近理論性能極限的今天,SiC功率器件由于具有耐壓高、損耗低、效率高等特點(diǎn)...

2023-09-27 標(biāo)簽:新能源MOSFETMOS 2123 0

工程師兩難之氮化鎵GaN還是碳化硅SiC?到底該pick誰?

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作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕,氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界,特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導(dǎo)體,是因?yàn)?..

2023-06-07 標(biāo)簽:SiC氮化鎵碳化硅 2121 0

碳化硅原理及應(yīng)用

碳化硅是一種半導(dǎo)體材料,它具有優(yōu)異的電子特性,可以用于制造電子器件。它是由碳原子和硅原子組成的,具有高熔點(diǎn)、高熱穩(wěn)定性和高電阻率等特性。

2023-02-14 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料碳化硅 2118 0

碳化硅襯底市場(chǎng)群雄逐鹿 碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)流程

全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié),已成為兵家必爭(zhēng)之地。

2023-03-23 標(biāo)簽:晶體碳化硅第三代半導(dǎo)體 2107 0

SiC功率器件和模塊!

SiC(碳化硅)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。表1-1顯示了每種半導(dǎo)體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)(擊穿場(chǎng))和帶隙...

2022-11-22 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 2103 0

車載充電機(jī)在新能源汽車拆解應(yīng)用分析

車載充電機(jī)在新能源汽車拆解應(yīng)用分析

車載充電機(jī)OBC(On-Board Charger)屬于安裝在新能源電動(dòng)車內(nèi)的零部件,它將交流充電樁輸出的交流電轉(zhuǎn)化為高壓直流電,給整車高壓動(dòng)力電池充電。

2023-09-21 標(biāo)簽:英飛凌功率半導(dǎo)體碳化硅 2094 0

碳化硅(SiC)二極管的種類及優(yōu)勢(shì)

以碳化硅(silicon carbide,SiC)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件,受到了廣泛的關(guān)注。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系),它們的物性值也各不相...

2023-02-04 標(biāo)簽:SiC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 2086 0

提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性

提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性

SiC器件的市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將在未來幾年加速增長(zhǎng),主要推動(dòng)因素是運(yùn)輸行業(yè)的電氣化。SiC管芯將成為車載充電器和動(dòng)力傳動(dòng)牽引系統(tǒng)等應(yīng)用的模塊中的基本構(gòu)件。

2020-08-17 標(biāo)簽:MOSFET肖特基二極管碳化硅 2081 0

研究碳化硅襯底和外延的實(shí)驗(yàn)報(bào)告

研究碳化硅襯底和外延的實(shí)驗(yàn)報(bào)告

摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯(cuò)缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠,和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠,該單晶碳化硅含有濃...

2022-02-15 標(biāo)簽:晶圓襯底鍍膜 2078 0

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