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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

國(guó)內(nèi)外碳化硅裝備發(fā)展?fàn)顩r SiC產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)及關(guān)鍵裝備

SiC器件產(chǎn)業(yè)鏈與傳統(tǒng)半導(dǎo)體類似，一般分為單晶襯底、外延、芯片、封裝、模組及應(yīng)用環(huán)節(jié)，SiC單晶襯底環(huán)節(jié)通常涉及到高純碳化硅粉體制備、單晶生長(zhǎng)、晶體切割...

2023-04-25 標(biāo)簽：ASIC芯片碳化硅第三代半導(dǎo)體 2.5k 0

碳化硅功率器件在OBC中的應(yīng)用

對(duì)于多數(shù)電動(dòng)汽車用戶來說，在家或是在公司進(jìn)行目的地充電應(yīng)該是更常用，也是更理想的方式，這樣可以免去頻繁跑直流充電站的煩惱。而車載充電機(jī) OBC(On-b...

2022-09-20 標(biāo)簽：新能源汽車碳化硅 OBC 2.5k 0

一文探究SiC MOSFET的短路魯棒性

SiC MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、反向阻斷特性好、熱導(dǎo)率高、開關(guān)速度快等優(yōu)勢(shì)，在高功率、高頻率應(yīng)用領(lǐng)域中占有重要地位。然而，SiC MOSFET面臨的...

2025-08-04 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 2.5k 0

汽車碳化硅技術(shù)的性能和優(yōu)缺點(diǎn)

　　汽車碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制造出的汽車零部件，它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。碳化硅材料是由碳原子和硅原子組成的復(fù)合材料，具有良好...

2023-02-15 標(biāo)簽：電源電感器碳化硅 2.5k 0

碳化硅電力電子器件的發(fā)展現(xiàn)狀分析

SiC電力電子器件中，SiC二極管最先實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。2001年德國(guó)Infineon公司率先推出SiC二極管產(chǎn)品，美國(guó)Cree和意法半導(dǎo)體等廠商也緊隨其后推...

2016-08-22 標(biāo)簽：碳化硅 2.5k 0

具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)

北京工業(yè)大學(xué)和中國(guó)北京大學(xué)報(bào)道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）的性能

2024-02-19 標(biāo)簽：SBD SiC GaN 2.4k 0

碳化硅和IGBT器件的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢(shì)

本文探討了碳化硅和IGBT器件在未來的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢(shì)，以及如何通過技術(shù)創(chuàng)新和優(yōu)化來滿足不同應(yīng)用的需求。其中，英飛凌作為國(guó)際品牌的代表，其第四代產(chǎn)品已...

2023-10-28 標(biāo)簽：IGBT 功率器件工業(yè)電源 2.4k 0

淺析現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料

半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心，它是制造電子和計(jì)算機(jī)芯片的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體材料的種類繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)...

2023-11-29 標(biāo)簽：集成電路 MOSFET 半導(dǎo)體材料 2.4k 0

碳化硅逆變器是什么功能介紹

碳化硅逆變器是一種基于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料的功率電子設(shè)備，主要用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅逆變器具有許多優(yōu)越性能，如...

2024-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體逆變器碳化硅 2.4k 0

一文解析SiC功率器件互連技術(shù)

和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶...

2024-03-07 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件互連技術(shù) 2.4k 0

探訪三亞FE現(xiàn)場(chǎng)，揭秘文圖瑞車隊(duì)精彩逆變

歷經(jīng)Formula E三季的磨礪，羅姆SiC功率元器件與文圖瑞車隊(duì)一同走過了怎樣的歷程？在香港站文圖瑞車隊(duì)勇奪冠軍，這背后離不開技術(shù)人員的默默付出。

2019-04-04 標(biāo)簽：SiC 碳化硅羅姆 2.4k 0

氮化鎵和碳化硅MOSFET應(yīng)用建議以及碳化硅二極管應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能，尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比，碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...

2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件碳化硅寬禁帶 2.4k 0

研究碳化硅襯底和外延的實(shí)驗(yàn)報(bào)告

摘要本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯(cuò)缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃...

2022-02-15 標(biāo)簽：晶圓襯底鍍膜 2.4k 0

使用碳化硅SiC進(jìn)行雙向充電機(jī)OBC設(shè)計(jì)

電動(dòng)汽車車載充電機(jī)（On Board Charger，OBC）可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式，充電功率從微型電動(dòng)汽車應(yīng)用中的2KW，到高端電動(dòng)汽車中...

2023-12-13 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 SiC 碳化硅 2.4k 0

碳化硅襯底市場(chǎng)群雄逐鹿碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)流程

全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購(gòu)兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)，已成為兵家必爭(zhēng)之地。

2023-03-23 標(biāo)簽：晶體碳化硅第三代半導(dǎo)體 2.4k 0

安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)？粉末純度、SiC晶錠一致性

硅通常是半導(dǎo)體技術(shù)的基石。然而，硅也有局限性，尤其在電力電子領(lǐng)域，設(shè)計(jì)人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導(dǎo)體。本文為白皮...

2025-01-05 標(biāo)簽：安森美 SiC GaN 2.4k 0

碳化硅(SiC)功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來越重要的作用。然而，隨著電力電子設(shè)備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發(fā)展，傳統(tǒng)...

2023-12-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 2.4k 0

碳化硅MOSFET在新能源行業(yè)有怎樣的應(yīng)用和發(fā)展

在碳化硅電力電子器件的研究中，SiC-MOSFET是最受關(guān)注的器件。在Si材料接近理論性能極限的今天，SiC功率器件由于具有耐壓高、損耗低、效率高等特點(diǎn)...

2023-09-27 標(biāo)簽：新能源 MOSFET MOS 2.4k 0

碳化硅功率器件可靠性測(cè)試方法詳解

可靠性，是指產(chǎn)品在規(guī)定時(shí)間內(nèi)和條件下完成規(guī)定功能的能力，是產(chǎn)品質(zhì)量的重要指標(biāo)，如果在規(guī)定時(shí)間內(nèi)和條件下產(chǎn)品失去了規(guī)定的功能，則稱之為產(chǎn)品失效或出現(xiàn)了故障...

2023-07-21 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件可靠性測(cè)試 2.4k 0

碳化硅(SiC)功率器件特性及應(yīng)用

碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，相比于傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的熱導(dǎo)率、更大的電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度和更高的載流子遷移率等特點(diǎn)。

2024-04-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件 SiC 2.3k 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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