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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術

汽車直流充電樁設計圖

傳統(tǒng)汽車行業(yè)的智能化、電動化趨勢帶來了充電樁產(chǎn)品的爆發(fā)式增長，但同時大功率化、雙向充電以及更高更寬的輸出電壓范圍也成了充電樁的技術挑戰(zhàn)。

2023-11-13 標簽：MOSFET 元器件 MOS 1259 0

碳化硅功率器件的基本原理、應用領域及發(fā)展前景

隨著電力電子技術的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導體材料，逐漸在電力電子領域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高導...

2023-12-21 標簽：半導體功率器件 SiC 1255 0

碳化硅二極管的區(qū)別和應用市場

碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導體器件，它具有較高的強度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。

2023-02-15 標簽：電源二極管碳化硅 1251 0

全新沉積技術SPARC實現(xiàn)先進邏輯和DRAM集成設計

使用 SPARC 或單個前驅體活化自由基腔室技術制造的碳化硅氧化物 (SiCO) 薄膜具備密度大、堅固耐用、介電常數(shù)低 ~ 3.5-4.9、泄漏率低、厚...

2022-09-29 標簽：DRAM SPARC 碳化硅 1251 0

分享一種碳化硅器件功率循環(huán)測試解決方案

以碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導體，可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作，同時消耗電力更少，持久性和可靠性更強，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、...

2023-06-12 標簽：MOSFET 電力電子器件 SiC 1249 0

TechInsights對于“碳化硅JFETs原子探針層析成像”的探討

去年，TechInsights通過一系列博客展示了電氣特性的力量，對于揭示碳化硅器件規(guī)格書遠遠不能提供的碳化硅器件特性。

2023-07-11 標簽：半導體器件碳化硅 TechInsights 1245 0

碳化硅MOSFET在電動汽車熱管理系統(tǒng)中的研究

空調(diào)壓縮機是熱泵空調(diào)系統(tǒng)的核心,選擇合適的功率器件可以提高其控制器的工作效率,從而提髙整個系統(tǒng)的效率?這里使用了雙脈沖測試電路,對1200V的碳化硅MO...

2023-04-17 標簽：電動汽車 MOSFET 控制器 1245 0

如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢？

在高功率應用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項優(yōu)勢。其中包括更低的傳導和開關損耗以及更好的高溫性能。

2023-09-11 標簽：MOSFET IGBT 寄生電容 1241 0

碳化硅（SiC）在汽車電子中的應用

熱設計在電力電子系統(tǒng)中起著決定性的作用，以便設計高功率密度，從而設計緊湊的系統(tǒng)。

2023-02-22 標簽：電動汽車 SiC 碳化硅 1237 0

在開關電源轉換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢

碳化硅CoolSiC? 器件的體二極管正向電壓（VF）是硅CoolMOS?器件的四倍。如果不對電路進行相應調(diào)整，很有機會在諧振LLC轉換器上在輕負載時效...

2020-12-14 標簽：MOSFET 開關電源電源轉換器 1236 0

使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅動器的能源效率

兩種元件都已經(jīng)利用雙脈波測試，從動態(tài)的角度加以分析。兩者的比較是以應用為基礎，例如600 V匯流排直流電壓，開啟和關閉的dv/dt均設定為5 V/ns。

2020-06-04 標簽：MOSFET 碳化硅工業(yè)驅動器 1232 0

碳化硅在車用逆變器的妙用

碳化硅作為寬禁帶化合物半導體材料，具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能，尤其是用于功率轉換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比，碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...

2023-02-03 標簽：硅材料碳化硅寬禁帶 1221 0

陶瓷基板制備工藝研究進展

目前常用的高導熱陶瓷粉體原料有氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化鈹（BeO）等。隨著國家大力發(fā)展綠色環(huán)...

2023-06-27 標簽：pcb 印制電路板功率器件 1220 0

山大與南砂晶圓團隊在8英寸SiC襯底位錯缺陷控制方面的突破

碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料, 具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導率、強化學穩(wěn)定性等優(yōu)良特性

2023-08-31 標簽：電動汽車 SiC 碳化硅 1217 0

碳化硅特色工藝模塊簡介

碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點。由于這些優(yōu)異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光...

2024-01-11 標簽：半導體 SiC 碳化硅 1212 0

碳化硅SIC器件在工業(yè)應用中的重要作用！

電力電子轉換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關重要的作用。它們的應用正在增加，并且在眾多新技術中發(fā)揮著核心作用，包括電動汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務、深...

2022-11-23 標簽：IGBT 功率器件 SiC 1205 0

一文解析SMPD封裝設計的優(yōu)勢

表面貼裝功率器件(SMPD) 封裝提供了功率能力、功耗以及易于布局和組裝的最佳組合，可幫助設計人員在不顯著增加所構建系統(tǒng)的尺寸和重量的情況下增加輸出功率。

2022-09-29 標簽：MOSFET 充電器碳化硅 1201 0

碳化硅功率器件的工作原理和應用

碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領域取得了顯著的關注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點，使其在高效能、高頻率和高溫...

2024-09-13 標簽：半導體功率器件 SiC 1201 0

淺談碳化硅功率器件的封裝技術

SiC作為第三代半導體材料具有優(yōu)越的性能，相比于前兩代半導體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、熱導率高、電子飽和速率高以及抗輻射能力強等特點，...

2023-06-28 標簽：封裝功率器件 SiC 1195 0

碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉積方法

摘要本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫...

2022-02-07 標簽：半導體碳化硅電沉積 1195 0

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