使用開爾文連接提高SiC FET的開關效率

碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實現(xiàn)能夠保持高功率密度的晶體管，但需要使用低熱阻封裝，比如 TO-247。然而，此類封裝的連接往往會導致較高的電感。閱...

2023-06-12 標簽：開關FETSiC 1.7k 0

碳化硅技術壁壘是什么？碳化硅技術壁壘有哪些？

SiC 生產(chǎn)過程分為 SiC 單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟，對應的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組四大環(huán)節(jié)。 主流制造襯底的方式首先以物理氣相升...

2023-08-04 標簽：SiC碳化硅 1.7k 0

碳化硅MOSFET的可靠有效控制

對基于碳化硅 (SiC) 的系統(tǒng)的需求持續(xù)快速增長，以最大限度地提高效率并減小尺寸和重量，從而使工程師能夠創(chuàng)建創(chuàng)新的電源解決方案。利用 SiC 技術的應...

2022-08-08 標簽：MOSFETSiC碳化硅 1.7k 0

晶圓封裝過程缺陷解析

在半導體制造流程中，晶圓測試是確保產(chǎn)品質量和性能的關鍵環(huán)節(jié)。與此同時封裝過程中的缺陷對半導體器件的性能和可靠性具有重要影響，本文就上述兩個方面進行介紹。

2024-11-04 標簽：半導體晶圓碳化硅 1.7k 0

碳化硅 (SiC) MOSFET 短路保護隔離驅動 IC 研究報告：基于兩級關斷 (2LTO) 機制的競品分析與技術對比

碳化硅 (SiC) MOSFET 短路保護隔離驅動 IC 研究報告：基于兩級關斷 (2LTO) 機制的競品分析與技術對比 傾佳電子（Changer Te...

2025-12-14 標簽：MOSFET碳化硅隔離驅動 1.7k 0

用碳化硅(SiC)重新思考軟開關效率

從理論上講，碳化硅(SiC)技術比硅(Si)具有優(yōu)勢，這使得它看起來可以作為電力電子中現(xiàn)有MOSFET的直接替代品。這在一定程度上是正確的，但只要關注該...

2024-06-19 標簽：電阻MOSFETSiC 1.7k 0

SiC MOSFET發(fā)展趨勢與解決方案

毫無疑問，所謂的第三代寬禁帶半導體碳化硅正在發(fā)揮其眾所周知的潛力，在過去五年中，汽車行業(yè)一直是該材料的公開試驗場?；?SiC 的傳動系統(tǒng)逆變器——將來...

2022-07-29 標簽：MOSFET功率器件碳化硅 1.7k 0

碳化硅生產(chǎn)難點是什么

第一代半導體材料以傳統(tǒng)的硅（Si）和鍺（Ge）為代表，是集成電路制造的基礎，廣泛應用于低壓、低頻、低功率的晶體管和探測器中，90%以上的半導體產(chǎn)品 是用...

2024-10-16 標簽：集成電路半導體SiC 1.7k 0

碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢

碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅半導體材料的電力電子器件，近年來在功率電子領域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件相比，碳化硅器件具有更高的...

2024-09-11 標簽：半導體功率器件碳化硅 1.7k 0

碳化硅功率器件在儲能領域的應用示例

碳化硅功率器件目前被廣泛用于電源、用于電池充電和牽引驅動的電池電動汽車（BEV）電源轉換、工業(yè)電機驅動以及太陽能和風力發(fā)電逆變器等可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等應...

2023-12-03 標簽：太陽能功率器件SiC 1.7k 0

碳化硅 (SiC) MOSFET：為汽車電氣化的未來提供動力

隨著人們更加注重可持續(xù)性發(fā)展的經(jīng)濟新模式，我們的居住方式、工作狀態(tài)以及使用車輛的通勤和休閑方式都在發(fā)生相應的變化。尤其是在交通運輸領域的變革，因為我們需...

2024-04-24 標簽：MOSFET碳化硅汽車 1.7k 0

碳化硅功率器件的優(yōu)點和應用

碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）功率器件是近年來電力電子領域的一項革命性技術。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率器件在性能和效率方面...

2024-09-11 標簽：半導體功率器件碳化硅 1.7k 0