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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉積方法

摘要本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫...

2022-02-07 標簽：半導體碳化硅電沉積 1195 0

碳化硅和硅相比有何性能優(yōu)勢

硅早已是大多數(shù)電子應用中的關(guān)鍵半導體材料，但與SiC相比，則顯得效率低下。SiC現(xiàn)在已開始被多種應用采納，特別是電動汽車，以應對開發(fā)高效率和高功率器件所...

2023-02-03 標簽：功率器件 SiC 能源 1193 0

用碳化硅(SiC)重新思考軟開關(guān)效率

從理論上講，碳化硅(SiC)技術(shù)比硅(Si)具有優(yōu)勢，這使得它看起來可以作為電力電子中現(xiàn)有MOSFET的直接替代品。這在一定程度上是正確的，但只要關(guān)注該...

2024-06-19 標簽：電阻 MOSFET SiC 1193 0

有效測量碳化硅信號

SiC器件市場涵蓋廣泛的功率和應用（電動汽車充電，太陽能和風能等能量收集，電源逆變器，工業(yè)電源，數(shù)據(jù)中心）。在低端（1–50 kW），分立式 MOSF...

2023-05-20 標簽：晶體管 SiC 碳化硅 1188 0

SiC MOSFET的短路特性和短路保護方法

在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應用領(lǐng)域中，由第三代半導體材料碳化硅（SiC）制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基（Si）制成的Si IGBT。

2025-03-12 標簽：MOSFET 半導體 SiC 1186 0

SiC MOSFET在光伏逆變器的應用

光伏逆變器是將太陽能光伏電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的關(guān)鍵設備。

2023-11-15 標簽：MOSFET 光伏光伏逆變器 1186 0

淺談新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)的核心技術(shù)

電機動力目前已經(jīng)夠用，壓榨潛力和必要性不大在電驅(qū)最重要的“動力”屬性上，目前大多數(shù)的電車都存在動力過?，F(xiàn)象，以36w+的特斯拉 Model3P 為...

2023-06-26 標簽：電機控制減速器碳化硅 1184 0

納微半導體3.3kV碳化硅MOSFETs如何變革并網(wǎng)儲能方式

電網(wǎng)通過輸電和配電網(wǎng)絡從發(fā)電機向用戶提供電能。在美國，由于儲能成本高昂并且設計和運營經(jīng)驗有限，利用電力儲存來支持和優(yōu)化輸配電一直受到限制。

2023-09-15 標簽：MOSFET 逆變器碳化硅 1183 0

SiC MOSFET的參數(shù)特性

碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導體材料（WBG）的一種，具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫等應用中表現(xiàn)出色。本文將詳細探討...

2025-02-02 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 1180 0

碳化硅的發(fā)展趨勢及其在儲能系統(tǒng)（ESS）中的應用介紹

與傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和其他技術(shù)相比，碳化硅（SiC）技術(shù)具有更多優(yōu)勢

2023-09-12 標簽：電動汽車 IGBT 晶體管 1180 0

SiC功率器件的特點和優(yōu)勢

SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù)，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應用中的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)。Wol...

2024-12-05 標簽：晶體管功率器件 SiC 1170 0

分立3.3 kV SiC MOSFET關(guān)鍵指標的分析

理由相信潮流正在轉(zhuǎn)變。正如TechInsights在不久前發(fā)布的PCIM Europe 2023 -產(chǎn)品公告和亮點博客[4]文章中所討論的那樣，英飛凌宣...

2023-06-03 標簽：SiC 碳化硅 1162 0

碳化硅生產(chǎn)難點是什么

第一代半導體材料以傳統(tǒng)的硅（Si）和鍺（Ge）為代表，是集成電路制造的基礎，廣泛應用于低壓、低頻、低功率的晶體管和探測器中，90%以上的半導體產(chǎn)品是用...

2024-10-16 標簽：集成電路半導體 SiC 1160 0

碳化硅SBD反向恢復特性

SiC（碳化硅）是由硅和碳化物組成的化合物半導體。與硅相比，SiC具有許多優(yōu)勢，包括10倍的擊穿電場強度，3倍的帶隙，以及實現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...

2023-02-03 標簽：SBD SiC 碳化硅 1160 0

碳化硅二極管的特點

碳化硅二極管具有較短的恢復時間、溫度針對電源開關(guān)個人行為的危害較小、規(guī)范操作溫度范疇為-55℃到175℃，那樣更平穩(wěn)，還大幅度降低熱管散熱器的要求。碳化...

2023-02-09 標簽：二極管散熱器碳化硅 1159 0

碳化硅MOSFET可以取代硅IGBT嗎？

雖然將典型 400 V 電池的電壓加倍可為 EV 帶來巨大好處，但對于依賴硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 的 EV 逆變器來說，在更高電壓下的...

2023-03-16 標簽：電動汽車逆變器 IGBT 1154 0

碳化硅升華生長溫度測控研究

摘要：通過調(diào)節(jié)中頻感應線圈的輸出功率來改變碳化硅升華生長坩堝的加熱溫度，并采用 NaCl 和 Al2O3 進行燒結(jié)實驗，觀察不同輸出功率下燒結(jié)后的形貌變...

2024-01-11 標簽：半導體 SiC 碳化硅 1148 0

Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成

寬禁帶半導體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉(zhuǎn)換，射頻功放，以及極端環(huán)境電子應用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢。

2023-08-09 標簽：MOSFET 功率半導體碳化硅 1148 0

電源解決方案跟摩爾定律有何關(guān)系？它如何跟上摩爾定律的步伐？

根據(jù)電源解決方案或與功耗、能源效率或整體能源或碳足跡相關(guān)的分析來對任何系統(tǒng)（或系統(tǒng)集合）進行分析時，將源與負載分開出來能幫助整個過程。

2024-03-28 標簽：摩爾定律晶體管碳化硅 1145 0

國產(chǎn)碳化硅MOS推薦-DCDC轉(zhuǎn)換器

DCDC轉(zhuǎn)換器是一種臨時儲存電能的設備，作用是將直流電從一個電壓水平轉(zhuǎn)換為另一個電壓水平。

2023-11-17 標簽：隔離器直流電 dcdc轉(zhuǎn)換器 1144 0

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