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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注25人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

      文章：2782個(gè) 瀏覽：51753次 帖子：38個(gè)

      碳化硅技術(shù)

      碳化硅（SiC）功率器件探討：未來(lái)的能源解決方案

      碳化硅（SiC）功率器件探討：未來(lái)的能源解決方案

      隨著全球?qū)Ω咝?、更可持續(xù)能源解決方案的需求不斷增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領(lǐng)域的一個(gè)重要進(jìn)展。

      2024-04-15 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻功率器件SiC 1.5k 0

      碳化硅成本何時(shí)下降？超充與換電方案孰優(yōu)孰劣？

      續(xù)航以及補(bǔ)能問(wèn)題一直是困擾電動(dòng)汽車(chē)發(fā)展的因素，當(dāng)前主流電動(dòng)汽車(chē)的電氣系統(tǒng)電壓范圍在230V-480V，在相關(guān)法規(guī)政策明確限定充電樁充電電流的情況下，電動(dòng)...

      2022-09-27 標(biāo)簽：IGBT碳化硅超充 1.5k 0

      [新啟航]碳化硅 TTV 厚度測(cè)量技術(shù)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)與創(chuàng)新方向

      [新啟航]碳化硅 TTV 厚度測(cè)量技術(shù)的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)與創(chuàng)新方向

      一、引言 碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用?？偤穸绕睿═TV）是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指...

      2025-09-22 標(biāo)簽：晶圓厚度測(cè)量碳化硅 1.5k 0

      SIC碳化硅SIC二極管器件的作用與發(fā)展趨勢(shì)

      碳化硅材料以其優(yōu)異的性能被行業(yè)列為第三代半導(dǎo)體材料，其擊穿場(chǎng)強(qiáng)是硅的10倍，熱導(dǎo)率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環(huán)境...

      2023-02-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料碳化硅MOS器件 1.5k 0

      SiC二極管在大功率電源上的應(yīng)用

      SiC（碳化硅）二極管在大功率電源上的應(yīng)用，正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)重要技術(shù)革新。其憑借高能效、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及優(yōu)越的電氣特性，在多個(gè)大功...

      2024-09-10 標(biāo)簽：二極管SiC碳化硅 1.5k 0

      Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成

      Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成

      寬禁帶半導(dǎo)體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉(zhuǎn)換，射頻功放，以及極端環(huán)境電子應(yīng)用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢(shì)。

      2023-08-09 標(biāo)簽：MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 1.5k 0

      晶體制備技術(shù)：碳化硅襯底成本降低的關(guān)鍵路徑

      晶體制備技術(shù)：碳化硅襯底成本降低的關(guān)鍵路徑

      液相法的核心在于使用石墨坩堝作為反應(yīng)器，通過(guò)在熔融純硅中加入助溶劑，提高其對(duì)碳的溶解度。在坩堝靠近壁面的高溫區(qū)域，碳溶解于熔融硅中

      2024-02-20 標(biāo)簽：SiC半導(dǎo)體器件碳化硅 1.5k 0

      國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS推薦-DCDC轉(zhuǎn)換器

      國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS推薦-DCDC轉(zhuǎn)換器

      DCDC轉(zhuǎn)換器是一種臨時(shí)儲(chǔ)存電能的設(shè)備，作用是將直流電從一個(gè)電壓水平轉(zhuǎn)換為另一個(gè)電壓水平。

      2023-11-17 標(biāo)簽：隔離器直流電dcdc轉(zhuǎn)換器 1.5k 0

      國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS推薦-主驅(qū)逆變器

      國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS推薦-主驅(qū)逆變器

      主驅(qū)逆變器是電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力執(zhí)行單元的關(guān)鍵部件，它從VCU獲取扭矩指令，從高壓電池包獲取電能

      2023-11-16 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)逆變器MOS 1.5k 0

      碳化硅二極管的區(qū)別和應(yīng)用市場(chǎng)

      碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件，它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。

      2023-02-15 標(biāo)簽：電源二極管碳化硅 1.5k 0

      電源解決方案跟摩爾定律有何關(guān)系？它如何跟上摩爾定律的步伐？

      電源解決方案跟摩爾定律有何關(guān)系？它如何跟上摩爾定律的步伐？

      根據(jù)電源解決方案或與功耗、能源效率或整體能源或碳足跡相關(guān)的分析來(lái)對(duì)任何系統(tǒng)（或系統(tǒng)集合）進(jìn)行分析時(shí)，將源與負(fù)載分開(kāi)出來(lái)能幫助整個(gè)過(guò)程。

      2024-03-28 標(biāo)簽：摩爾定律晶體管碳化硅 1.5k 0

      碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用！

      電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加，并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用，包括電動(dòng)汽車(chē)、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深...

      2022-11-23 標(biāo)簽：IGBT功率器件SiC 1.5k 0

      一文解析SMPD封裝設(shè)計(jì)的優(yōu)勢(shì)

      表面貼裝功率器件(SMPD) 封裝提供了功率能力、功耗以及易于布局和組裝的最佳組合，可幫助設(shè)計(jì)人員在不顯著增加所構(gòu)建系統(tǒng)的尺寸和重量的情況下增加輸出功率。

      2022-09-29 標(biāo)簽：MOSFET充電器碳化硅 1.5k 0

      車(chē)載充電器材料選擇比較

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      車(chē)載充電器 (OBC) 解決了電動(dòng)汽車(chē) (EV) 的一個(gè)重要問(wèn)題。它們將來(lái)自電網(wǎng)的交流電轉(zhuǎn)換為適合電池充電的直流電，從而實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車(chē)充電。隨著每年上市的...

      2024-11-07 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)IGBT碳化硅 1.4k 0

      分享一種碳化硅器件功率循環(huán)測(cè)試解決方案

      分享一種碳化硅器件功率循環(huán)測(cè)試解決方案

      以碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作，同時(shí)消耗電力更少，持久性和可靠性更強(qiáng)，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、...

      2023-06-12 標(biāo)簽：MOSFET電力電子器件SiC 1.4k 0

      SiC功率元器件特征有哪些

      碳化硅（SiC）功率元器件是一種半導(dǎo)體器件，具有許多獨(dú)特的特性，使其在高性能電力電子應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)。以下是SiC功率元器件的一些主要特征： 碳化硅（Si...

      2024-02-04 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1.4k 0

      碳化硅功率器件的技術(shù)、應(yīng)用與發(fā)展簡(jiǎn)析

      碳化硅（SiC）是一種具有優(yōu)異物理特性的半導(dǎo)體材料，其高電子飽和遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高電子飽和遷移率等特點(diǎn)使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

      2023-12-19 標(biāo)簽：二極管MOSFETSBD 1.4k 0

      電驅(qū)逆變器模塊連續(xù)工作測(cè)溫系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)步驟和過(guò)程

      電驅(qū)逆變器模塊連續(xù)工作測(cè)溫系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)步驟和過(guò)程

      摘要 本文提出一個(gè)用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問(wèn)題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測(cè)量每顆...

      2024-06-04 標(biāo)簽：模塊逆變器IGBT 1.4k 0

      碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用

      隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境問(wèn)題的日益突出，高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點(diǎn)。在這一領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)...

      2024-02-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1.4k 0

      碳化硅（SiC）在汽車(chē)電子中的應(yīng)用

      熱設(shè)計(jì)在電力電子系統(tǒng)中起著決定性的作用，以便設(shè)計(jì)高功率密度，從而設(shè)計(jì)緊湊的系統(tǒng)。

      2023-02-22 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)SiC碳化硅 1.4k 0

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        +關(guān)注
        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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        從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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        村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車(chē)相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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        TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷(xiāo)售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶(hù)、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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        　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車(chē)駕駛員輔助以及工廠(chǎng)自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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      • 驍龍
        驍龍
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        驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱(chēng)。
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        Cortex-A
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        　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
      • Mobileye
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        Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS） 的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶(hù)端功能，例如車(chē)道偏離警告 （LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車(chē)輛探測(cè)、前部碰撞警告 （FCW）、車(chē)距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制 （IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別 （TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制 （ACC） 等。
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        STM32F4
        +關(guān)注
        STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開(kāi)發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
      • PFM
        PFM
        +關(guān)注
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      • 超級(jí)本
        超級(jí)本
        +關(guān)注
        超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類(lèi)筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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      jf_87116849 jf_67264171 五星之光 jf_61424177 jf_84414472 jf_35884078 Ward_Elmos asdfdA RobinDong jf_59050084 jf_51964073 jf_44626178

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