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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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晶體制備技術(shù):碳化硅襯底成本降低的關(guān)鍵路徑
液相法的核心在于使用石墨坩堝作為反應(yīng)器,通過在熔融純硅中加入助溶劑,提高其對碳的溶解度。在坩堝靠近壁面的高溫區(qū)域,碳溶解于熔融硅中
2024-02-20 標(biāo)簽:SiC半導(dǎo)體器件碳化硅 1.4k 0
熱設(shè)計在電力電子系統(tǒng)中起著決定性的作用,以便設(shè)計高功率密度,從而設(shè)計緊湊的系統(tǒng)。
碳化硅的發(fā)展趨勢及其在儲能系統(tǒng)(ESS)中的應(yīng)用介紹
與傳統(tǒng)的硅(Si)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和其他技術(shù)相比,碳化硅(SiC)技術(shù)具有更多優(yōu)勢
隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境問題的日益突出,高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點(diǎn)。在這一領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)...
SiC(碳化硅)二極管在大功率電源上的應(yīng)用,正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)重要技術(shù)革新。其憑借高能效、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及優(yōu)越的電氣特性,在多個大功...
在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢
碳化硅CoolSiC? 器件的體二極管正向電壓(VF)是硅CoolMOS?器件的四倍。如果不對電路進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整,很有機(jī)會在諧振LLC轉(zhuǎn)換器上在輕負(fù)載時效...
2020-12-14 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源轉(zhuǎn)換器 1.3k 0
碳化硅功率器件的技術(shù)、應(yīng)用與發(fā)展簡析
碳化硅(SiC)是一種具有優(yōu)異物理特性的半導(dǎo)體材料,其高電子飽和遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)和高電子飽和遷移率等特點(diǎn)使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料,具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能,尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比,碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...
淺談新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)的核心技術(shù)
電機(jī)動力目前已經(jīng)夠用,壓榨潛力和必要性不大 在電驅(qū)最重要的“動力”屬性上,目前大多數(shù)的電車都存在動力過?,F(xiàn)象,以36w+的特斯拉 Model3P 為...
[新啟航]碳化硅 TTV 厚度測量技術(shù)的未來發(fā)展趨勢與創(chuàng)新方向
一、引言 碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用??偤穸绕睿═TV)是衡量碳化硅襯底及外延片質(zhì)量的重要指...
SiC器件市場涵蓋廣泛的功率和應(yīng)用(電動汽車充電,太陽能和風(fēng)能等能量收集,電源逆變器,工業(yè)電源,數(shù)據(jù)中心)。在低端 (1–50 kW),分立式 MOSF...
SiC(碳化硅)是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比,SiC具有許多優(yōu)勢,包括10倍的擊穿電場強(qiáng)度,3倍的帶隙,以及實(shí)現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...
碳化硅(SiC)功率元器件是一種半導(dǎo)體器件,具有許多獨(dú)特的特性,使其在高性能電力電子應(yīng)用中具有優(yōu)勢。以下是SiC功率元器件的一些主要特征: 碳化硅(Si...
碳化硅(SiC)是一種由硅和碳組成的半導(dǎo)體材料,用于制造電動汽車(EV)、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)...
近日,中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院固體物理研究所研究員劉曉迪等與中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授李傳鋒、教授許金時、研究員王俊峰(現(xiàn)四川大學(xué))等合作,在國際上首次實(shí)現(xiàn)了...
使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無底板封裝的碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)升級
本文探討了全新的 Wolfspeed WolfPACK 系列無碳化硅無基板功率模塊,并展示了這種多功能且可擴(kuò)展的模塊方法如何實(shí)現(xiàn)當(dāng)前硅 (Si) 設(shè)計的...
雖然將典型 400 V 電池的電壓加倍可為 EV 帶來巨大好處,但對于依賴硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 的 EV 逆變器來說,在更高電壓下的...
功率半導(dǎo)體器件是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。近年來,我國功率半導(dǎo)體器件制造企業(yè)通過持續(xù)的引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新以及自主創(chuàng)新,產(chǎn)品技術(shù)含量及性能水平...
2024-09-12 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體碳化硅 1.3k 0
硅早已是大多數(shù)電子應(yīng)用中的關(guān)鍵半導(dǎo)體材料,但與SiC相比,則顯得效率低下。SiC現(xiàn)在已開始被多種應(yīng)用采納,特別是電動汽車,以應(yīng)對開發(fā)高效率和高功率器件所...
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