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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：2519個(gè) 瀏覽：50268次 帖子：38個(gè)

      碳化硅技術(shù)

      未來的重點(diǎn)方向：Sic和IGBT

      IGBT、MCU、以及SIC會(huì)是接下來新能源汽車智能化比較長期的需求點(diǎn)，根據(jù)特斯拉Model3的車型用量來看，單車使用IGBT是84顆，或者48顆Sic...

      2023-03-24 標(biāo)簽：IGBT晶體管碳化硅 1077 0

      SiC功率元器件特征有哪些

      碳化硅（SiC）功率元器件是一種半導(dǎo)體器件，具有許多獨(dú)特的特性，使其在高性能電力電子應(yīng)用中具有優(yōu)勢。以下是SiC功率元器件的一些主要特征： 碳化硅（Si...

      2024-02-04 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1077 0

      探討蔚來全域900V高壓架構(gòu)的技術(shù)儲(chǔ)備

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      新一代900V高性能電驅(qū)平臺(tái)采用自研面向900V的碳化硅電驅(qū)平臺(tái)，雙電機(jī)冗余設(shè)計(jì)保證了在惡劣天氣和濕滑路面上的穩(wěn)定行駛，后永磁同步電機(jī)在體積更小的情況下...

      2023-12-26 標(biāo)簽：永磁同步電機(jī)DC-DC碳化硅 1076 0

      MACE工藝制備黑硅的表面形態(tài)學(xué)和光學(xué)性能研究

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      本文研究了用兩步金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)工藝制備的黑硅（b-Si）的表面形態(tài)學(xué)和光學(xué)性能，研究了銀膜低溫退火和碳硅片蝕刻時(shí)間短的兩步MACE法制備硼...

      2022-03-29 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 1075 0

      碳化硅VJFET的動(dòng)態(tài)電路模型設(shè)計(jì)

      碳化硅VJFET的動(dòng)態(tài)電路模型設(shè)計(jì)

      在電子儀器行業(yè)中，寬帶隙半導(dǎo)體已被證明比傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體更有利可圖和有效。寬帶隙碳化硅（SiC）半導(dǎo)體是市場上最先進(jìn)的半導(dǎo)體之一。

      2023-08-29 標(biāo)簽：電容器SCRVHDL語言 1074 0

      如何測試SiC MOSFET柵氧可靠性

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      隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）因其優(yōu)異的性能，如高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高工作溫度，逐漸成為高...

      2025-03-24 標(biāo)簽：MOSFET晶體管SiC 1069 0

      淺析5G系統(tǒng)對(duì)蜂窩無線的功率放大器設(shè)計(jì)

      盡管 5G 提升了帶寬，但其更高的頻率更容易造成信號(hào)衰減。由于更高的帶寬會(huì)導(dǎo)致更低的信噪比（SNR），增加帶寬并不會(huì)導(dǎo)致容量的線性增加。解決這一問題的一...

      2022-10-17 標(biāo)簽：功率放大器碳化硅5G 1062 0

      碳化硅在半導(dǎo)體中有什么好處？

      來幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品，設(shè)計(jì)師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。

      2023-02-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBTSiC 1061 0

      碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用現(xiàn)狀

      　　隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件...

      2023-12-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1057 0

      氮化鎵外延為何不生長在氮化鎵襯底上？

      第三代半導(dǎo)體材料擁有硅材料無法比擬的材料性能優(yōu)勢，從決定器件性能的禁帶寬度、熱導(dǎo)率、擊穿電場等特性來看，第三代半導(dǎo)體均比硅材料優(yōu)秀，因此，第3代半導(dǎo)體的...

      2023-08-18 標(biāo)簽：led半導(dǎo)體氮化鎵 1054 0

      碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢及應(yīng)用前景

      隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)管理和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅（SiC）作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料，具有高頻...

      2024-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1051 0

      碳化硅MOSFET的使用方法和效率高的原因

      　　碳化硅MOSFET器件是一種半導(dǎo)體器件，它可以用于控制電流和電壓，以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù)，以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFE...

      2023-02-15 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體碳化硅 1049 0

      碳化硅功率器件的應(yīng)用與市場前景

      碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿場強(qiáng)、高電子飽和漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。本文將對(duì)碳化硅功...

      2024-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1046 0

      為您的設(shè)計(jì)選擇最佳選項(xiàng)：碳化硅MOSFET相對(duì)于IGBT的優(yōu)勢！

      GBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）用于許多不同類型的電源應(yīng)用，包括可再生能源、航空航天、汽車和運(yùn)輸、測試和測量以及...

      2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 1043 0

      碳化硅：成功的純電動(dòng)汽車動(dòng)力總成的基礎(chǔ)

      碳化硅更高的開關(guān)頻率和更低的固有損耗提高了系統(tǒng)效率。在雙向板載充電器中，SiC 支持使用圖騰柱 PFC 拓?fù)?，與基于 Si 的器件相比，該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)非常高...

      2023-05-24 標(biāo)簽：充電器PFC碳化硅 1043 0

      為什么選擇SiC作為下一個(gè)雙向板載充電器設(shè)計(jì)呢？

      硅（Si）基電力電子器件長期以來一直主導(dǎo)著電力電子行業(yè)，因?yàn)樗鼈兊募夹g(shù)成熟度和相對(duì)容易獲得。

      2023-03-07 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器充電器 1042 0

      碳化硅器件“上車”加快，800V高壓平臺(tái)蓄勢待發(fā)

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      根據(jù)研究和規(guī)?；瘧?yīng)用的時(shí)間先后順序，業(yè)內(nèi)將半導(dǎo)體材料劃分為三代。常見的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵...

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      在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓測試是確保產(chǎn)品質(zhì)量和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。與此同時(shí)封裝過程中的缺陷對(duì)半導(dǎo)體器件的性能和可靠性具有重要影響，本文就上述兩個(gè)方面進(jìn)行介紹。

      2024-11-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 1021 0

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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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