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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
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碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些...
碳化硅成本何時(shí)下降？超充與換電方案孰優(yōu)孰劣？
續(xù)航以及補(bǔ)能問題一直是困擾電動(dòng)汽車發(fā)展的因素，當(dāng)前主流電動(dòng)汽車的電氣系統(tǒng)電壓范圍在230V-480V，在相關(guān)法規(guī)政策明確限定充電樁充電電流的情況下，電動(dòng)...
碳化硅材料以其優(yōu)異的性能被行業(yè)列為第三代半導(dǎo)體材料，其擊穿場強(qiáng)是硅的10倍，熱導(dǎo)率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環(huán)境...
2023-02-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料碳化硅MOS器件 1.4k 0
在高功率應(yīng)用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢。其中包括更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗以及更好的高溫性能。
碳化硅VJFET的動(dòng)態(tài)電路模型設(shè)計(jì)
在電子儀器行業(yè)中，寬帶隙半導(dǎo)體已被證明比傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體更有利可圖和有效。寬帶隙碳化硅（SiC）半導(dǎo)體是市場上最先進(jìn)的半導(dǎo)體之一。
光伏逆變器是將太陽能光伏電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的關(guān)鍵設(shè)備。
碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件，它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。
分立3.3 kV SiC MOSFET關(guān)鍵指標(biāo)的分析
理由相信潮流正在轉(zhuǎn)變。正如TechInsights在不久前發(fā)布的PCIM Europe 2023 -產(chǎn)品公告和亮點(diǎn)博客[4]文章中所討論的那樣，英飛凌宣...
碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有...
2023-12-29 標(biāo)簽：肖特基二極管碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 1.4k 0
表面貼裝功率器件(SMPD) 封裝提供了功率能力、功耗以及易于布局和組裝的最佳組合，可幫助設(shè)計(jì)人員在不顯著增加所構(gòu)建系統(tǒng)的尺寸和重量的情況下增加輸出功率。
使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅(qū)動(dòng)器的能源效率
兩種元件都已經(jīng)利用雙脈波測試，從動(dòng)態(tài)的角度加以分析。兩者的比較是以應(yīng)用為基礎(chǔ)，例如600 V匯流排直流電壓，開啟和關(guān)閉的dv/dt均設(shè)定為5 V/ns。
2020-06-04 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅工業(yè)驅(qū)動(dòng)器 1.4k 0
目前常用的高導(dǎo)熱陶瓷粉體原料有氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化鈹（BeO）等。隨著國家大力發(fā)展綠色環(huán)...
以碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作，同時(shí)消耗電力更少，持久性和可靠性更強(qiáng)，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、...
在SiC晶體的擴(kuò)徑生長上比較困難，比如我們有了4英寸的晶體，想把晶體直徑擴(kuò)展到6英寸或者8英寸上，需要花費(fèi)的周期特別長。
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因...
碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用！
電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加，并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用，包括電動(dòng)汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深...
寬禁帶半導(dǎo)體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉(zhuǎn)換，射頻功放，以及極端環(huán)境電子應(yīng)用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢。
2023-08-09 標(biāo)簽：MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 1.4k 0
隨著全球?qū)Ω咝А⒏沙掷m(xù)能源解決方案的需求不斷增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領(lǐng)域的一個(gè)重要進(jìn)展。
國產(chǎn)碳化硅MOS推薦-DCDC轉(zhuǎn)換器
DCDC轉(zhuǎn)換器是一種臨時(shí)儲(chǔ)存電能的設(shè)備，作用是將直流電從一個(gè)電壓水平轉(zhuǎn)換為另一個(gè)電壓水平。
2023-11-17 標(biāo)簽：隔離器直流電dcdc轉(zhuǎn)換器 1.4k 0
電源解決方案跟摩爾定律有何關(guān)系？它如何跟上摩爾定律的步伐？
根據(jù)電源解決方案或與功耗、能源效率或整體能源或碳足跡相關(guān)的分析來對(duì)任何系統(tǒng)（或系統(tǒng)集合）進(jìn)行分析時(shí)，將源與負(fù)載分開出來能幫助整個(gè)過程。
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