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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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電源解決方案跟摩爾定律有何關(guān)系?它如何跟上摩爾定律的步伐?
根據(jù)電源解決方案或與功耗、能源效率或整體能源或碳足跡相關(guān)的分析來對任何系統(tǒng)(或系統(tǒng)集合)進(jìn)行分析時,將源與負(fù)載分開出來能幫助整個過程。
碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,在新能源汽車、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。與目前應(yīng)用廣泛的4H-...
隨著全球能源危機和環(huán)境問題的日益突出,高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點。在這一領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)...
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。 不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)...
晶體制備技術(shù):碳化硅襯底成本降低的關(guān)鍵路徑
液相法的核心在于使用石墨坩堝作為反應(yīng)器,通過在熔融純硅中加入助溶劑,提高其對碳的溶解度。在坩堝靠近壁面的高溫區(qū)域,碳溶解于熔融硅中
2024-02-20 標(biāo)簽:SiC半導(dǎo)體器件碳化硅 1140 0
使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無底板封裝的碳化硅技術(shù)實現(xiàn)系統(tǒng)升級
本文探討了全新的 Wolfspeed WolfPACK 系列無碳化硅無基板功率模塊,并展示了這種多功能且可擴展的模塊方法如何實現(xiàn)當(dāng)前硅 (Si) 設(shè)計的...
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)因其優(yōu)異的性能,如高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高工作溫度,逐漸成為高...
全球氧化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況及對我國有何啟示
寬禁帶半導(dǎo)體往往具備高的擊穿場強、高的電子飽和速度和強的抗輻射等特性,在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博弈加劇的背景下,近年來持續(xù)受到產(chǎn)業(yè)界的高度關(guān)注。
碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有...
2023-12-29 標(biāo)簽:肖特基二極管碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 1118 0
電裝和三菱電機將在碳化硅業(yè)務(wù)上合計投資10億美元
市場估計表明,SiC總潛在市場將從2022年的30億美元增長到2030年的210億美元,復(fù)合年增長率為28%。 相干公司宣布,電裝和三菱電機將在其碳化硅...
碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個方面。
碳化硅功率器件的技術(shù)、應(yīng)用與發(fā)展簡析
碳化硅(SiC)是一種具有優(yōu)異物理特性的半導(dǎo)體材料,其高電子飽和遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強和高電子飽和遷移率等特點使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
毛里齊奧·迪·保羅·埃米利奧:好的。所以今天,我們就來聊聊SiC,下一波SiC在制造、供應(yīng)鏈、成本等方面。
2023-02-09 標(biāo)簽:碳化硅 1096 0
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