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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有...
2023-12-29 標(biāo)簽:肖特基二極管碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 1.6k 0
碳化硅功率器件的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高導(dǎo)...
onsemi NXH015F120M3F1PTG 碳化硅功率模塊技術(shù)解析
安森美 (onsemi) NXH015F120M3F1PTG碳化硅 (SiC) 模塊采用15mΩ/1200V M3S碳化硅 (SiC) MOSFET全橋...
【新啟航】碳化硅 TTV 厚度測量中的各向異性效應(yīng)及其修正算法
一、引言 碳化硅(SiC)憑借優(yōu)異的物理化學(xué)性能,成為功率半導(dǎo)體器件的核心材料??偤穸绕睿═TV)作為衡量 SiC 襯底質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),其精確測量對器...
分立3.3 kV SiC MOSFET關(guān)鍵指標(biāo)的分析
理由相信潮流正在轉(zhuǎn)變。正如TechInsights在不久前發(fā)布的PCIM Europe 2023 -產(chǎn)品公告和亮點博客[4]文章中所討論的那樣,英飛凌宣...
空調(diào)壓縮機是熱泵空調(diào)系統(tǒng)的核心,選擇合適的功率器件可以提高其控制器的工作效率,從而提髙整個系統(tǒng)的效率?這里使用了雙脈沖測試電路,對1200V的碳化硅MO...
使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅(qū)動器的能源效率
兩種元件都已經(jīng)利用雙脈波測試,從動態(tài)的角度加以分析。兩者的比較是以應(yīng)用為基礎(chǔ),例如600 V匯流排直流電壓,開啟和關(guān)閉的dv/dt均設(shè)定為5 V/ns。
2020-06-04 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅工業(yè)驅(qū)動器 1.5k 0
功率半導(dǎo)體器件是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。近年來,我國功率半導(dǎo)體器件制造企業(yè)通過持續(xù)的引進消化吸收再創(chuàng)新以及自主創(chuàng)新,產(chǎn)品技術(shù)含量及性能水平...
2024-09-12 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體碳化硅 1.5k 0
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