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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

文章:2771 瀏覽:51732 帖子:38

碳化硅技術(shù)

如何利用 AI 算法優(yōu)化碳化硅襯底 TTV 厚度測量數(shù)據(jù)處理

如何利用 AI 算法優(yōu)化碳化硅襯底 TTV 厚度測量數(shù)據(jù)處理

摘要 本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度測量數(shù)據(jù)處理環(huán)節(jié),針對傳統(tǒng)方法的局限性,探討 AI 算法在數(shù)據(jù)降噪、誤差校正、特征提取等方面的應(yīng)用,為提升數(shù)據(jù)處理...

2025-08-25 標(biāo)簽:晶圓測量碳化硅 496 0

【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優(yōu)化研究

【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優(yōu)化研究

一、引言 玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié),對玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 。總厚度偏差(T...

2025-10-09 標(biāo)簽:晶圓光刻碳化硅 481 0

【新啟航】探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

【新啟航】探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

摘要 本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀,系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實用技巧,通過規(guī)范測量流程、分享操作要點(diǎn),旨在提高測量準(zhǔn)確性與效率,為半導(dǎo)體制造...

2025-08-20 標(biāo)簽:晶圓測量儀碳化硅 480 0

安森美SiC MOSFET NTBG025N065SC1:高效能與可靠性的完美結(jié)合

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作為電子工程師,我們在設(shè)計中常常追求高性能、高可靠性的電子元件。今天,我將為大家詳細(xì)介紹安森美(onsemi)的一款碳化硅(SiC)MOSFET——NT...

2025-12-05 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 477 0

如何搭配碳化硅電源管理解決方案

綠色倡議持續(xù)推動工業(yè)、航空航天和國防應(yīng)用,尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計轉(zhuǎn)型。碳化硅(SiC)是引領(lǐng)這一趨勢的核心技術(shù),可提供多種新功能不斷推動各種車...

2023-02-03 標(biāo)簽:SiC飛機(jī)碳化硅 475 0

超薄晶圓切割:振動控制與厚度均勻性保障

超薄晶圓切割:振動控制與厚度均勻性保障

超薄晶圓因其厚度極薄,在切割時對振動更為敏感,易影響厚度均勻性。我將從分析振動對超薄晶圓切割的影響出發(fā),探討針對性的振動控制技術(shù)和厚度均勻性保障策略。 ...

2025-07-09 標(biāo)簽:晶圓切割碳化硅 473 0

基于進(jìn)給量梯度調(diào)節(jié)的碳化硅襯底切割厚度均勻性提升技術(shù)

基于進(jìn)給量梯度調(diào)節(jié)的碳化硅襯底切割厚度均勻性提升技術(shù)

碳化硅襯底切割過程中,厚度不均勻問題嚴(yán)重影響其后續(xù)應(yīng)用性能。傳統(tǒng)固定進(jìn)給量切割方式難以適應(yīng)材料特性與切割工況變化,基于進(jìn)給量梯度調(diào)節(jié)的方法為提升切割厚度...

2025-06-13 標(biāo)簽:碳化硅晶圓厚度TTV厚度 465 0

如何采用碳化硅設(shè)計高效可再生能源系統(tǒng)呢?

太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在促使能源網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)現(xiàn)代化,以提高其韌性,滿足全球能源需求并減少總體碳排放量。

2023-09-11 標(biāo)簽:二極管MOSFETPCB布局 465 0

切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對晶圓 TTV 厚度均勻性的影響機(jī)制與參數(shù)設(shè)計

切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對晶圓 TTV 厚度均勻性的影響機(jī)制與參數(shù)設(shè)計

摘要:本文聚焦切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對晶圓 TTV 厚度均勻性的影響。深入剖析切割液冷卻、潤滑、排屑等性能影響晶圓 TTV 的內(nèi)在機(jī)制,探索實現(xiàn)多性能協(xié)同...

2025-07-24 標(biāo)簽:晶圓碳化硅 455 0

浮思特 | 為什么新能源離不開碳化硅?聊聊至信微的 SiC MOSFET 模塊

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大家可能經(jīng)常聽到這樣一句話:“碳化硅(SiC)正在改變電力電子行業(yè)。”那么,為什么一塊小小的半導(dǎo)體器件,能讓電動車跑得更遠(yuǎn),光伏逆變器更高效,甚至讓充電...

2025-08-29 標(biāo)簽:SiC碳化硅SiC MOSFET 446 0

分立SIC器件在電驅(qū)系統(tǒng)中的應(yīng)用

更高的效率,省電池,省電費(fèi) 碳化硅控制器具有更高的能量轉(zhuǎn)換效率,在不同的應(yīng)用工況下可使能耗降低3%~6% -同樣的電池容量,增加續(xù)航里程 -同樣的...

2023-02-20 標(biāo)簽:控制器SiC碳化硅 436 0

【新啟航】大尺寸碳化硅(150mm+)TTV 厚度均勻性提升技術(shù)

【新啟航】大尺寸碳化硅(150mm+)TTV 厚度均勻性提升技術(shù)

一、引言 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,碳化硅(SiC)作為關(guān)鍵的寬禁帶半導(dǎo)體材料,其應(yīng)用愈發(fā)廣泛。大尺寸碳化硅(150mm+)晶圓在提高芯片生產(chǎn)效率、降...

2025-09-20 標(biāo)簽:晶圓SiC碳化硅 431 0

淺切多道切割工藝對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

淺切多道切割工藝對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)之一,直接影響芯片制造的良品率與性能。傳統(tǒng)切割工藝在加工過程中,易因單次切割...

2025-07-11 標(biāo)簽:晶圓碳化硅新啟航 413 0

高效可再生能源系統(tǒng)的碳化硅設(shè)計方案

高效可再生能源系統(tǒng)的碳化硅設(shè)計方案

SiC MOSFET和散熱器之間的適當(dāng)爬電距離至關(guān)重要。在太陽能應(yīng)用中,散熱器很大,并且通過機(jī)械固定在機(jī)箱上,因此水平安裝往往很常見,在這種情況下,隔離...

2023-11-01 標(biāo)簽:太陽能逆變器SiC 409 0

深入解析 onsemi NTHL045N065SC1 SiC MOSFET

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在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天我們就來詳細(xì)解析 onsemi 的 NTHL045N065S...

2025-12-08 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 408 0

【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度測量數(shù)據(jù)異常的快速定位與解決方案

【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度測量數(shù)據(jù)異常的快速定位與解決方案

一、引言 玻璃晶圓總厚度偏差(TTV)測量數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性,對半導(dǎo)體器件、微流控芯片等產(chǎn)品的質(zhì)量把控至關(guān)重要 。在實際測量過程中,數(shù)據(jù)異常情況時有發(fā)生,不...

2025-09-29 標(biāo)簽:晶圓厚度測量碳化硅 408 0

基于淺切多道的晶圓切割 TTV 均勻性控制與應(yīng)力釋放技術(shù)

基于淺切多道的晶圓切割 TTV 均勻性控制與應(yīng)力釋放技術(shù)

一、引言 在半導(dǎo)體制造中,晶圓總厚度變化(TTV)均勻性是決定芯片性能與良品率的關(guān)鍵因素,而切割過程產(chǎn)生的應(yīng)力會導(dǎo)致晶圓變形,進(jìn)一步惡化 TTV 均勻性...

2025-07-14 標(biāo)簽:晶圓碳化硅新啟航 407 0

碳化硅襯底切割自動對刀系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

碳化硅襯底切割自動對刀系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

一、引言 碳化硅(SiC)襯底憑借優(yōu)異性能在半導(dǎo)體領(lǐng)域地位關(guān)鍵,其切割加工精度和效率影響產(chǎn)業(yè)發(fā)展。自動對刀系統(tǒng)決定切割起始位置準(zhǔn)確性,進(jìn)給參數(shù)控制切割過...

2025-07-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 403 0

中國SiC碳化硅器件行業(yè)技術(shù)情況研究報告

公司在IGBT的技術(shù)基礎(chǔ)上不斷發(fā)展以SiC和主的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件關(guān)鍵技術(shù)。斯達(dá)作為國內(nèi)車規(guī)級SiC模塊的重要供應(yīng)商,車規(guī)級SiC模塊已獲得了國內(nèi)外多...

2023-02-17 標(biāo)簽:SiC碳化硅 390 0

蘋果派和電源轉(zhuǎn)換器效率

蘋果派和電源轉(zhuǎn)換器效率

以“母性和蘋果派”的陳述開始博客總是很誘人的,比如更好的功率轉(zhuǎn)換效率的好處列表。更高顯然是一個優(yōu)勢,但有時凈收益被錯誤地陳述了——家用電子產(chǎn)品的一點(diǎn)熱量...

2023-02-20 標(biāo)簽:MOSFET晶體管碳化硅 382 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力,將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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    超級本
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
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