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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

蘋果派和電源轉(zhuǎn)換器效率

蘋果派和電源轉(zhuǎn)換器效率

以“母性和蘋果派”的陳述開始博客總是很誘人的,比如更好的功率轉(zhuǎn)換效率的好處列表。更高顯然是一個(gè)優(yōu)勢(shì),但有時(shí)凈收益被錯(cuò)誤地陳述了——家用電子產(chǎn)品的一點(diǎn)熱量...

2023-02-20 標(biāo)簽:MOSFET晶體管碳化硅 346 0

超薄晶圓切割:振動(dòng)控制與厚度均勻性保障

超薄晶圓切割:振動(dòng)控制與厚度均勻性保障

超薄晶圓因其厚度極薄,在切割時(shí)對(duì)振動(dòng)更為敏感,易影響厚度均勻性。我將從分析振動(dòng)對(duì)超薄晶圓切割的影響出發(fā),探討針對(duì)性的振動(dòng)控制技術(shù)和厚度均勻性保障策略。 ...

2025-07-09 標(biāo)簽:晶圓切割碳化硅 342 0

真正實(shí)現(xiàn)碳化硅的汽車資質(zhì)

真正實(shí)現(xiàn)碳化硅的汽車資質(zhì)

車載充電器 (OBC)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器都受益于 SiC,正在進(jìn)行的工藝和架構(gòu)改進(jìn)肯定會(huì)增加其已經(jīng)相當(dāng)可觀的吸引力。這種增強(qiáng)將擴(kuò)大這種寬帶...

2023-02-21 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET碳化硅 341 0

浮思特 | 為什么新能源離不開碳化硅?聊聊至信微的 SiC MOSFET 模塊

浮思特 | 為什么新能源離不開碳化硅?聊聊至信微的 SiC MOSFET 模塊

大家可能經(jīng)常聽到這樣一句話:“碳化硅(SiC)正在改變電力電子行業(yè)?!蹦敲?,為什么一塊小小的半導(dǎo)體器件,能讓電動(dòng)車跑得更遠(yuǎn),光伏逆變器更高效,甚至讓充電...

2025-08-29 標(biāo)簽:SiC碳化硅SiC MOSFET 341 0

切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的影響機(jī)制與參數(shù)設(shè)計(jì)

切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的影響機(jī)制與參數(shù)設(shè)計(jì)

摘要:本文聚焦切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的影響。深入剖析切割液冷卻、潤(rùn)滑、排屑等性能影響晶圓 TTV 的內(nèi)在機(jī)制,探索實(shí)現(xiàn)多性能協(xié)同...

2025-07-24 標(biāo)簽:晶圓碳化硅 340 0

淺切多道切割工藝對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

淺切多道切割工藝對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)之一,直接影響芯片制造的良品率與性能。傳統(tǒng)切割工藝在加工過程中,易因單次切割...

2025-07-11 標(biāo)簽:晶圓碳化硅新啟航 324 0

碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型

一、引言 碳化硅(SiC)襯底憑借優(yōu)異性能在半導(dǎo)體領(lǐng)域地位關(guān)鍵,其切割加工精度和效率影響產(chǎn)業(yè)發(fā)展。自動(dòng)對(duì)刀系統(tǒng)決定切割起始位置準(zhǔn)確性,進(jìn)給參數(shù)控制切割過...

2025-07-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 316 0

【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優(yōu)化研究

【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優(yōu)化研究

一、引言 玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié),對(duì)玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 ??偤穸绕睿═...

2025-10-09 標(biāo)簽:晶圓光刻碳化硅 315 0

【新啟航】大尺寸碳化硅(150mm+)TTV 厚度均勻性提升技術(shù)

【新啟航】大尺寸碳化硅(150mm+)TTV 厚度均勻性提升技術(shù)

一、引言 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展,碳化硅(SiC)作為關(guān)鍵的寬禁帶半導(dǎo)體材料,其應(yīng)用愈發(fā)廣泛。大尺寸碳化硅(150mm+)晶圓在提高芯片生產(chǎn)效率、降...

2025-09-20 標(biāo)簽:晶圓SiC碳化硅 305 0

切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償技術(shù)對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償技術(shù)對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

一、引言 在晶圓制造過程中,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響芯片制造的良品率與性能。切割過程中,受切削力、振動(dòng)、刀具磨損等因素...

2025-07-17 標(biāo)簽:晶圓碳化硅新啟 285 0

晶圓切割中淺切多道工藝與切削熱分布的耦合效應(yīng)對(duì) TTV 的影響

晶圓切割中淺切多道工藝與切削熱分布的耦合效應(yīng)對(duì) TTV 的影響

一、引言 在半導(dǎo)體晶圓制造領(lǐng)域,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響芯片制造的良品率與性能。淺切多道工藝通過分層切削降低單次切削力...

2025-07-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓碳化硅 276 0

【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中表面粗糙度對(duì)結(jié)果的影響研究

【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中表面粗糙度對(duì)結(jié)果的影響研究

摘要 本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量過程,深入探究表面粗糙度對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響機(jī)制,通過理論分析與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,揭示表面粗糙度與測(cè)量誤差的關(guān)聯(lián),為優(yōu)化碳...

2025-08-18 標(biāo)簽:測(cè)量碳化硅碳化 269 0

基于納米流體強(qiáng)化的切割液性能提升與晶圓 TTV 均勻性控制

基于納米流體強(qiáng)化的切割液性能提升與晶圓 TTV 均勻性控制

摘要:本文圍繞基于納米流體強(qiáng)化的切割液性能提升及對(duì)晶圓 TTV 均勻性的控制展開研究。探討納米流體強(qiáng)化切割液在冷卻、潤(rùn)滑、排屑等性能方面的提升機(jī)制,分析...

2025-07-25 標(biāo)簽:晶圓碳化硅新啟航 269 0

聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案

聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案

第二項(xiàng)關(guān)鍵測(cè)試是短路耐受時(shí)間 (SCWT),或者說軌到軌短路條件下設(shè)備發(fā)生故障前的最長(zhǎng)耐受時(shí)間。測(cè)試結(jié)果應(yīng)接近功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用的IGBT,其中大多數(shù)擁...

2023-02-15 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器碳化硅 268 0

【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度測(cè)量數(shù)據(jù)異常的快速定位與解決方案

【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度測(cè)量數(shù)據(jù)異常的快速定位與解決方案

一、引言 玻璃晶圓總厚度偏差(TTV)測(cè)量數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性,對(duì)半導(dǎo)體器件、微流控芯片等產(chǎn)品的質(zhì)量把控至關(guān)重要 。在實(shí)際測(cè)量過程中,數(shù)據(jù)異常情況時(shí)有發(fā)生,不...

2025-09-29 標(biāo)簽:晶圓厚度測(cè)量碳化硅 260 0

切割液性能智能調(diào)控系統(tǒng)與晶圓 TTV 預(yù)測(cè)模型的協(xié)同構(gòu)建

切割液性能智能調(diào)控系統(tǒng)與晶圓 TTV 預(yù)測(cè)模型的協(xié)同構(gòu)建

摘要 本論文圍繞超薄晶圓切割工藝,探討切割液性能智能調(diào)控系統(tǒng)與晶圓 TTV 預(yù)測(cè)模型的協(xié)同構(gòu)建,闡述兩者協(xié)同在保障晶圓切割質(zhì)量、提升 TTV 均勻性方面...

2025-07-31 標(biāo)簽:晶圓調(diào)控系統(tǒng)碳化硅 254 0

切割液性能 - 切削區(qū)多物理場(chǎng)耦合對(duì)晶圓 TTV 均勻性的影響及調(diào)控

切割液性能 - 切削區(qū)多物理場(chǎng)耦合對(duì)晶圓 TTV 均勻性的影響及調(diào)控

摘要:本文針對(duì)晶圓切割過程,研究切割液性能與切削區(qū)多物理場(chǎng)耦合作用對(duì)晶圓 TTV 均勻性的影響機(jī)制,并探索相應(yīng)調(diào)控策略。通過分析切割液性能在熱、力、流等...

2025-07-29 標(biāo)簽:晶圓碳化硅新啟航 228 0

是時(shí)候從Si切換到SiC了嗎?

是時(shí)候從Si切換到SiC了嗎?

在過去的幾年里,碳化硅(SiC)開關(guān)器件,特別是SiC MOSFET,已經(jīng)從一個(gè)研究課題演變成一個(gè)重要的商業(yè)化產(chǎn)品。

2023-05-25 標(biāo)簽:MOSFET逆變器SiC 206 0

【新啟航】深度學(xué)習(xí)在玻璃晶圓 TTV 厚度數(shù)據(jù)智能分析中的應(yīng)用

【新啟航】深度學(xué)習(xí)在玻璃晶圓 TTV 厚度數(shù)據(jù)智能分析中的應(yīng)用

一、引言 玻璃晶圓總厚度偏差(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),其精確分析對(duì)半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域至關(guān)重要 。傳統(tǒng) TTV 厚度數(shù)據(jù)分析方法依賴...

2025-10-11 標(biāo)簽:晶圓碳化硅深度學(xué)習(xí) 113 0

碳化硅雙極退化:材料的本征局限還是工藝難題?

碳化硅雙極退化:材料的本征局限還是工藝難題?

在功率電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)器件以其優(yōu)異的性能正逐漸取代傳統(tǒng)硅基器件。然而,SiCMOSFET和SiC二極管在實(shí)際應(yīng)用中卻面臨一種特殊的可靠性挑戰(zhàn)—...

2025-10-15 標(biāo)簽:材料SiC碳化硅 69 0

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