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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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Nexperia推出行業(yè)領(lǐng)先的D2PAK-7封裝車規(guī)級(jí)1200 V碳化硅MOSFET
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC) MOSFET,其RDS(on)值分別...
2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 258 0
圣邦微電子推出30V單N溝道功率MOSFET SGMNQ36430
圣邦微電子推出 SGMNQ36430,一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、D...
近日,基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品,產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升,封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ...
2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 204 0
龍騰半導(dǎo)體榮膺陜西省半導(dǎo)體協(xié)會(huì)20周年突出貢獻(xiàn)單位
此前,4月27日至28日,2025西部半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展論壇暨陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)成立20周年大會(huì)在西安盛大召開,龍騰半導(dǎo)體受邀參會(huì)。
AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET,專為高功率應(yīng)用能效優(yōu)化而生
日前,集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售為一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商 Alpha and Omega Semiconductor Limited(...
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用
傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET...
AI人工智能崛起:高性能MOSFET如何重塑能效架構(gòu)
本文將聚焦AI對(duì)數(shù)據(jù)中心架構(gòu)的影響,以及這些變化對(duì)服務(wù)器和機(jī)架技術(shù)的意義。具體而言,我們將探討轉(zhuǎn)向48V架構(gòu)如何提升數(shù)據(jù)中心能效,以及高性能硅基MOSF...
新潔能Gen.4超結(jié)MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹
超結(jié)MOS采用垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),在漂移區(qū)內(nèi)交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū),形成“超級(jí)結(jié)”單元,通過(guò)電荷補(bǔ)償技術(shù)突破傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體“硅極限”的高壓器件,其核...
2025-05-06 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體新潔能 211 0
SiC碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的限制源于柵氧可靠性與器件性能之間的權(quán)衡
碳化硅(SiC)MOSFET的Vgs正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓限制的根本原因源于其柵氧化層(通常為SiO?)的電場(chǎng)耐受能力和界面特性,需在柵氧可靠性與器件性能之間進(jìn)行...
基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì): 傾佳電子(Changer Tech...
B3M040120Z SiC MOSFET在充電樁中的應(yīng)用:低關(guān)斷損耗與高柵氧可靠性的技術(shù)優(yōu)勢(shì)
B3M040120Z SiC MOSFET在充電樁中的應(yīng)用:低關(guān)斷損耗與高柵氧可靠性的技術(shù)優(yōu)勢(shì) 引言 隨著新能源汽車的快速發(fā)展,充電樁對(duì)功率器件的效率、...
引領(lǐng)高電壓驅(qū)動(dòng)新紀(jì)元——10P0635Vxx IGBT門極驅(qū)動(dòng)器賦能高效電力系統(tǒng)
引領(lǐng)高電壓驅(qū)動(dòng)新紀(jì)元——10P0635Vxx IGBT門極驅(qū)動(dòng)器賦能高效電力系統(tǒng) 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(Si...
2025-05-06 標(biāo)簽:MOSFET電力系統(tǒng)IGBT驅(qū)動(dòng)器 88 0
破浪前行 追光而上——向國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動(dòng)者致敬
破浪前行 追光而上——向國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動(dòng)者致敬 值此五一勞動(dòng)節(jié)之際,我們向奮戰(zhàn)在國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)業(yè)一線的科研人員、...
碳化硅(SiC)MOSFET橋式電路應(yīng)用中米勒鉗位功能的重要性
在碳化硅(SiC)MOSFET橋式電路應(yīng)用中,米勒鉗位功能至關(guān)重要,主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面: 在SiC MOSFET橋式電路(如充電樁LLC拓?fù)洹⒐夥?..
SiC(碳化硅)模塊設(shè)計(jì)方案在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)行業(yè)迅速普及
SiC(碳化硅)模塊設(shè)計(jì)方案在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)行業(yè)迅速普及,主要得益于以下幾方面的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)因素: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳...
2025-04-30 標(biāo)簽:MOSFET儲(chǔ)能變流器 104 0
瞻芯電子榮獲2024年度電子元器件行業(yè)優(yōu)秀功率器件國(guó)產(chǎn)品牌企業(yè)
2025年4月,上海瞻芯電子科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“瞻芯電子”)在華強(qiáng)電子網(wǎng)舉辦的“2024年度電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國(guó)產(chǎn)品牌評(píng)選”中脫穎而出,榮獲最具...
芯導(dǎo)科技受邀參加NEPCON China 2025
NEPCON China 2025中國(guó)國(guó)際電子生產(chǎn)設(shè)備暨微電子工業(yè)展覽會(huì)(nepcon電子展)于4月22日-24日在上海世博展覽館盛大開幕。館內(nèi)人潮川流...
此前,2025年4月15日至17日,全球半導(dǎo)體行業(yè)矚目的盛會(huì)——?慕尼黑上海電子展(Electronica China)?在上海新國(guó)際博覽中心盛大啟幕。...
2025-04-22 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體慕尼黑上海電子展 290 0
在新能源汽車、太陽(yáng)能逆變器、工業(yè)電源等領(lǐng)域的核心系統(tǒng)中,東芝SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器TLP5814H如同“核心樞紐”,默默守護(hù)著高效與穩(wěn)定...
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