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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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方正微1200V Easy2B碳化硅模塊在135kW PCS中的應(yīng)用
隨著全球能源需求不斷上升,我國“雙碳”戰(zhàn)略的逐步推進和新能源行業(yè)的快速發(fā)展,近年來光伏儲能充電系統(tǒng)(PCS-Photovoltaic Storage C...
安森美SiC Combo JFET的靜態(tài)特性和動態(tài)特性
安森美推出了具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用,如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系...
SiC碳化硅第三代半導體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案
碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類,無論是作為單晶還是陶瓷,碳化硅材料目前已成為半導體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵材料之一。圖片來源:Pixa...
安森美SiC Combo JFET技術(shù)概覽和產(chǎn)品介紹
安森美推出了具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用,如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系...
對碳化硅技術(shù)進行商業(yè)化應(yīng)用時,需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實用知識,幫助了解碳化硅如何為功率半導...
本文將介紹如何根據(jù)開關(guān)波形計算使用了SiC MOSFET的開關(guān)電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線性近似的有效范圍內(nèi)對開關(guān)波形進行分割,并使...
2025-06-12 標簽:開關(guān)電路MOSFET波形 1137 0
亞非拉市場工商業(yè)儲能破局之道:基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新 傾佳電子楊茜致力于推動...
半導體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件,廣泛應(yīng)用于集成電路、消費電子及工業(yè)設(shè)備等場景,其性能直接影響智能終端與裝備的運行效能。以氮化鎵(GaN)和碳化硅(...
碳化硅MOS驅(qū)動電壓選擇15V還是18V,是電力電子設(shè)計中的關(guān)鍵權(quán)衡問題。這兩種電壓對器件的導通損耗、開關(guān)特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。
功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以SiC與IGBT為例
隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展,碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝...
-回答星友xuu的提問,關(guān)于SiC功率器件在純電動卡車中的應(yīng)用解析-文字原創(chuàng),素材來源:各廠商,網(wǎng)絡(luò)-本篇為知識星球節(jié)選,完整版報告與解讀在知識星球發(fā)布...
SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動態(tài)均流問題
在電力電子領(lǐng)域,當多個SiC MOSFET模塊并聯(lián)時,受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響,會出現(xiàn)動態(tài)電流不均的問題,制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MO...
ADuM4177具有擺率控制和BIST功能的40 A拉電流和30 A灌電流SiC隔離式柵極驅(qū)動器技術(shù)手冊
ADuM4177是一款高性能隔離式柵極驅(qū)動器,采用ADI公司的*i*Coupler ^?^ 技術(shù),提供5.7 kV RMS隔離。ADuM4177采用28...
SiC MOSFET并聯(lián)運行實現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和注意事項
通過并聯(lián)SiC MOSFET功率器件,可以獲得更高輸出電流,滿足更大功率系統(tǒng)的要求。本章節(jié)主要介紹了SiC MOSFET并聯(lián)運行實現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和...
UCC5390-Q1 汽車級 17-A 5kv RMS 單通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC5390-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動器,具有 10A 拉電流和 10A 灌電流峰值電流,設(shè)計用于驅(qū)動 MOSFET、IGBT 和 SiC M...
UCC21739-Q1 汽車級 3kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC21739-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器,專為高達 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計,具有先進的保護...
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