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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

安森美10A、1200V碳化硅肖特基二極管NDSH10120C-F155解析

作為電子工程師，我們在電源設(shè)計領(lǐng)域總是不斷追求更高的效率、更快的頻率和更小的體積。碳化硅（SiC）肖特基二極管的出現(xiàn)，為我們帶來了新的解決方案。今天就來...

2025-12-01 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 碳化硅 77 0

解析 onsemi NDSH20120CDN：SiC 肖特基二極管的卓越性能

在電力電子領(lǐng)域，不斷追求更高的效率、更快的開關(guān)速度和更小的系統(tǒng)尺寸，碳化硅（SiC）肖特基二極管正逐漸成為新一代功率半導(dǎo)體的首選。今天，我們將深入探討 ...

2025-12-01 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 碳化硅 74 0

碳化硅肖特基二極管：NDSH20120C-F155的技術(shù)剖析

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）肖特基二極管正憑借其卓越性能逐漸成為主流。今天我要和大家分享安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH2...

2025-12-01 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 碳化硅 60 0

探索 onsemi NVHL015N065SC1 SiC MOSFET：高效能與可靠性的完美結(jié)合

在電子工程領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能對系統(tǒng)的效率、可靠性和成本有著至關(guān)重要的影響。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NVHL015N065SC1 ...

2025-11-28 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率半導(dǎo)體 435 0

探索 onsemi NDSH40120C-F155 SiC 肖特基二極管：高效與可靠的完美結(jié)合

在當(dāng)今電子設(shè)備不斷追求高性能、高可靠性和小型化的時代，功率半導(dǎo)體器件的性能提升至關(guān)重要。碳化硅（SiC）肖特基二極管作為新一代功率半導(dǎo)體，憑借其卓越的性...

2025-11-28 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 碳化硅 99 0

探索 onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET：高性能開關(guān)的理想之選

作為電子工程師，我們一直在尋找性能卓越、能滿足各種復(fù)雜應(yīng)用需求的電子元件。今天要給大家介紹的是 onsemi 的 NTH4L023N065M3S 碳化硅...

2025-11-27 標(biāo)簽：MOSFET SiC 高性能 144 0

Onsemi碳化硅MOSFET NTH4L018N075SC1：高效能與可靠性的完美結(jié)合

在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天，我們就來深入了解Onsemi推出的一款優(yōu)秀的碳...

2025-11-27 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 143 0

探索 onsemi NTBG023N065M3S SiC MOSFET 的卓越性能

在電子工程師的設(shè)計工具箱中，功率半導(dǎo)體器件的選擇至關(guān)重要。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NTBG023N065M3S 碳化硅（SiC）MOSF...

2025-11-27 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 124 0

解析 onsemi NVVR26A120M1WSB SiC 功率模塊：電動車牽引逆變器的理想之選

在當(dāng)今電動車和混合動力車蓬勃發(fā)展的時代，牽引逆變器作為核心部件，對功率模塊的性能和可靠性提出了極高要求。onsemi 的 NVVR26A120M1WSB...

2025-11-27 標(biāo)簽：SiC 功率模塊牽引逆變器 155 0

onsemi UF3N120007K4S SiC JFET晶體管的特性與應(yīng)用解析

在電子工程領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件的性能對電路設(shè)計和系統(tǒng)性能有著至關(guān)重要的影響。今天，我們來詳細探討一下安森美（onsemi）的UF3N120007K4S碳...

2025-11-26 標(biāo)簽：JFET 晶體管 SiC 170 0

?安森美NTBL032N065M3S碳化硅MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

onsemi NTBL032N065M3S碳化矽（SiC）MOSFET專為快速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計，在負柵極電壓驅(qū)動和關(guān)斷尖峰時性能可靠。onsemi NTB...

2025-11-24 標(biāo)簽：MOSFET SiC 柵極電壓 201 0

基于onsemi NVH4L050N170M1碳化硅MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析與應(yīng)用指南

onsemi NVH4L050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET性能卓越，在V~GS~ = 20V時，典型R~DS(on)~ 為53mΩ。onse...

2025-11-24 標(biāo)簽：MOSFET SiC 柵極驅(qū)動 169 0

基于onsemi EVBUM2897G-EVB評估板的雙脈沖測試技術(shù)詳解

onsemi EVBUM2897G-EVB評估板設(shè)計用于比較測量各種分立封裝的Elite SiC MOSFET和IGBT。Onsemi EVBUM289...

2025-11-24 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 727 0

onsemi NVBG050N170M1 碳化矽 MOSFET 技術(shù)解析與應(yīng)用指南

安森美 (onsemi) NVBG050N170M1碳化矽（SiCSiC）MOSFET是1700V M1平面SiC MOSFET系列的一部分，該系列專為...

2025-11-22 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化矽 1.7k 0

onsemi NXH015F120M3F1PTG 碳化硅功率模塊技術(shù)解析

安森美 (onsemi) NXH015F120M3F1PTG碳化硅 (SiC) 模塊采用15mΩ/1200V M3S碳化硅 (SiC) MOSFET全橋...

2025-11-22 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.5k 0

解析可編程輸出隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢

為應(yīng)對 Si、SiC 和GaN 等不斷發(fā)展的技術(shù)，優(yōu)化功率驅(qū)動設(shè)計需要適應(yīng)性強的柵極驅(qū)動解決方案。本文重點介紹了可編程輸出的隔離型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的...

2025-11-18 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器晶體管 SiC 2.7k 0

使用安森美SiC JFET優(yōu)化固態(tài)斷路器設(shè)計

斷路器是一種用于保護電路免受過電流、過載及短路損壞的器件。機電式斷路器 (EMB) 作為業(yè)界公認的標(biāo)準(zhǔn)器件，包含兩個獨立觸發(fā)裝置：一個是雙金屬片，響應(yīng)速...

2025-11-14 標(biāo)簽：安森美 JFET 斷路器 6.6k 0

如何為EliteSiC匹配柵極驅(qū)動器

為EliteSiC匹配柵極驅(qū)動器指南旨在針對各類高功率主流應(yīng)用，提供為 SiC MOSFET匹配柵極驅(qū)動器的專業(yè)指導(dǎo)，同時探索減少導(dǎo)通損耗與功率損耗的有...

2025-11-13 標(biāo)簽：MOSFET SiC 柵極驅(qū)動器 240 0

基于安森美產(chǎn)品的氫電解器系統(tǒng)解決方案

氫電解器旨在利用多種能源(電網(wǎng)、太陽能、風(fēng)能或電池儲能系統(tǒng))通過水電解生產(chǎn)氫氣。當(dāng)以可再生能源為動力時，這些系統(tǒng)旨在以環(huán)保方式生產(chǎn)氫氣，減少對化石燃料的...

2025-11-13 標(biāo)簽：安森美 SiC 功率模塊 4.3k 0

基于JEDEC JEP183A標(biāo)準(zhǔn)的SiC MOSFET閾值電壓精確測量方法

閾值電壓 (Vth) 是 MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體) 的一種基本的電學(xué)參數(shù)。閾值電壓 (Vth) 為施加到柵極的最小電壓，以建立MOSFET漏極...

2025-11-08 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 6.8k 0

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快充技術(shù)

快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

+關(guān)注

　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

+關(guān)注

無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

寧德時代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機快充

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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太陽能充電

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PSR

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
USB-PD

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PWM信號

PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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