chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

探索 onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET:高性能開關(guān)的理想之選

h1654155282.3538 ? 來源:未知 ? 作者:陳翠 ? 2025-11-27 10:55 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

探索 onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET:高性能開關(guān)的理想之選

作為電子工程師,我們一直在尋找性能卓越、能滿足各種復(fù)雜應(yīng)用需求的電子元件。今天要給大家介紹的是 onsemi 的 NTH4L023N065M3S 碳化硅(SiC)MOSFET,它屬于 EliteSiC 系列,具備 23 毫歐導(dǎo)通電阻、650V 耐壓,采用 M3S 技術(shù)和 TO - 247 - 4L 封裝,在快速開關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出色。

文件下載:onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET.pdf

產(chǎn)品概述

NTH4L023N065M3S 是 onsemi 推出的一款 650V M3S 平面碳化硅(SiC)MOSFET,專為快速開關(guān)應(yīng)用而優(yōu)化。它采用平面技術(shù),在負(fù)柵極電壓驅(qū)動和柵極關(guān)斷尖峰情況下能可靠工作。該器件在 18V 柵極驅(qū)動時性能最佳,但在 15V 柵極驅(qū)動下也能良好工作。

產(chǎn)品特性

  1. 封裝與配置:采用 TO - 247 - 4L 封裝,并具備 Kelvin 源極配置。這種配置有助于減少源極電感,降低開關(guān)損耗,提高開關(guān)速度,從而提升整體性能。
  2. 優(yōu)值系數(shù)(FOM)出色:具有優(yōu)秀的 FOM(FOM = Rdson * Eoss),這意味著在導(dǎo)通電阻(Rdson)和輸出電容儲能(Eoss)之間達(dá)到了良好的平衡,能有效降低功率損耗,提高能源效率。
  3. 超低柵極電荷:柵極總電荷(QG(tot))僅為 69nC,超低的柵極電荷使得在開關(guān)過程中對柵極的充電和放電時間更短,從而實(shí)現(xiàn)高速開關(guān),降低開關(guān)損耗。
  4. 低電容高速開關(guān):輸出電容(Coss)為 153pF,低電容特性使得開關(guān)過程中的充放電時間減少,進(jìn)一步提高了開關(guān)速度,同時也有助于降低電磁干擾(EMI)。
  5. 寬范圍柵極驅(qū)動:支持 15V 至 18V 的柵極驅(qū)動電壓,為工程師在設(shè)計(jì)電路時提供了更大的靈活性,可以根據(jù)具體應(yīng)用需求選擇合適的柵極驅(qū)動電壓。
  6. 新型 M3S 技術(shù):運(yùn)用新的 M3S 技術(shù),導(dǎo)通電阻(RDS(ON))低至 23 毫歐,并且具有低的開通損耗(Eon)和關(guān)斷損耗(Eoff),能顯著提高系統(tǒng)效率。
  7. 雪崩測試合格:經(jīng)過 100% 雪崩測試,這表明該器件在承受雪崩能量時具有較高的可靠性和穩(wěn)定性,能夠在惡劣的工作條件下正常工作。
  8. 環(huán)保合規(guī):符合無鹵和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求,有助于工程師設(shè)計(jì)出符合環(huán)保法規(guī)的產(chǎn)品。

應(yīng)用領(lǐng)域

該 SiC MOSFET 在多個領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用:

  1. 工業(yè)領(lǐng)域:在工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動等設(shè)備中,其高速開關(guān)和低損耗特性可以提高系統(tǒng)效率,減少發(fā)熱,延長設(shè)備使用壽命。
  2. 云系統(tǒng):在云數(shù)據(jù)中心電源模塊中,能夠提高電源轉(zhuǎn)換效率,降低能耗,滿足云系統(tǒng)對高效、穩(wěn)定電源的需求。
  3. 終端產(chǎn)品
    • UPS/ESS 太陽能:在不間斷電源(UPS)和儲能系統(tǒng)(ESS)以及太陽能逆變器中,可提高能量轉(zhuǎn)換效率,增強(qiáng)系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。
    • EV 充電器:在電動汽車充電器中,其快速開關(guān)能力可以實(shí)現(xiàn)更高的充電效率,縮短充電時間。
    • AI 數(shù)據(jù)中心:為 AI 數(shù)據(jù)中心的電源系統(tǒng)提供高效、穩(wěn)定的電力支持,確保數(shù)據(jù)中心的正常運(yùn)行。

電氣規(guī)格

產(chǎn)品 狀態(tài) 合規(guī)性 系列 阻斷電壓(V) Rdson(mohm) Qg(nC) 輸出電容(pF) TMax(°C) 封裝類型 外殼輪廓 MSL 類型 MSL 溫度(°C) 容器類型 容器數(shù)量
NTH4L023N065M3S Active, New - M3S 650 23 69 153 175 TO - 247 - 4L - NA 0 TUB 450

總結(jié)

onsemi 的 NTH4L023N065M3S SiC MOSFET 憑借其出色的性能特點(diǎn)和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,為電子工程師在設(shè)計(jì)高性能、高效率的開關(guān)電路時提供了一個優(yōu)秀的選擇。其先進(jìn)的 M3S 技術(shù)、低損耗特性以及環(huán)保合規(guī)性,使其在當(dāng)前對能源效率和環(huán)保要求日益提高的市場環(huán)境中具有很強(qiáng)的競爭力。各位工程師在實(shí)際應(yīng)用中,不妨考慮這款器件,看看它能為您的設(shè)計(jì)帶來怎樣的提升呢?

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    151

    文章

    9565

    瀏覽量

    231790
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3622

    瀏覽量

    68807
  • 高性能
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    448

    瀏覽量

    21333
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    ?安森美NTBL032N065M3S碳化硅MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    onsemi NTBL032N065M3S碳化矽(SiCMOSFET專為快速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì),在負(fù)柵極電壓驅(qū)動和關(guān)斷尖峰時
    的頭像 發(fā)表于 11-24 15:24 ?426次閱讀
    ?安森美NTBL032<b class='flag-5'>N065M3S</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    探索 onsemi NTBG023N065M3S SiC MOSFET 的卓越性能

    在電子工程師的設(shè)計(jì)工具箱中,功率半導(dǎo)體器件的選擇至關(guān)重要。今天,我們將深入探討 onsemi 的 NTBG023N065M3S 碳化硅(SiCMOSFET,這款器件以其出色的
    的頭像 發(fā)表于 11-27 10:18 ?261次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b> <b class='flag-5'>onsemi</b> NTBG<b class='flag-5'>023N065M3S</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的卓越<b class='flag-5'>性能</b>

    探索 onsemi NVHL025N065SC1:碳化硅 MOSFET 的卓越

    在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,選擇合適的功率器件至關(guān)重要。今天,我們將深入探討 onsemi 的 NVHL025N065SC1 碳化硅(SiC)功率 MOSFET,這是一款專為
    的頭像 發(fā)表于 12-01 09:58 ?286次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b> <b class='flag-5'>onsemi</b> NVHL025<b class='flag-5'>N065</b>SC1:碳化硅 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的卓越<b class='flag-5'>之</b><b class='flag-5'>選</b>

    onsemi NVH4L095N065SC1碳化硅MOSFET:汽車電子應(yīng)用的理想

    在汽車電子領(lǐng)域,隨著電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)的快速發(fā)展,對功率半導(dǎo)體器件的性能和可靠性提出了更高的要求。碳化硅(SiCMOSFET憑借其優(yōu)異的性能,成為了汽車電源系統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 12-03 14:02 ?409次閱讀
    <b class='flag-5'>onsemi</b> NVH<b class='flag-5'>4L095N065</b>SC1碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>:汽車電子應(yīng)用的<b class='flag-5'>理想</b><b class='flag-5'>之</b><b class='flag-5'>選</b>

    安森美SiC MOSFET NVBG025N065SC1:汽車電子應(yīng)用的理想

    在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時代,碳化硅(SiCMOSFET憑借其卓越的性能,在眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。今天,我們就來深入了解一下安森美(onsemi)推出的一款
    的頭像 發(fā)表于 12-04 13:34 ?398次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> NVBG025<b class='flag-5'>N065</b>SC1:汽車電子應(yīng)用的<b class='flag-5'>理想</b><b class='flag-5'>之</b><b class='flag-5'>選</b>

    探索 onsemi NTHL075N065SC1 SiC MOSFET 的卓越性能

    在電力電子領(lǐng)域,SiC(碳化硅)MOSFET 正憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天,我們就來深入了解 onsemi 推出的 NTHL075N065SC1
    的頭像 發(fā)表于 12-04 14:05 ?398次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b> <b class='flag-5'>onsemi</b> NTHL075<b class='flag-5'>N065</b>SC1 <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的卓越<b class='flag-5'>性能</b>

    安森美1200V碳化硅MOSFETNTH4L013N120M3S的特性與應(yīng)用分析

    在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiCMOSFET憑借其卓越的性能,正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天,我們就來深入探討安森美(onsemi)推出的一款1200V碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 12-04 15:19 ?468次閱讀
    安森美1200V碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>:<b class='flag-5'>NTH4L013N120M3S</b>的特性與應(yīng)用分析

    探索 onsemi NTH4L022N120M3S碳化硅MOSFET的卓越性能

    在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiCMOSFET憑借其出色的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天,我們就來深入探討 onsemiNTH4L022N12
    的頭像 發(fā)表于 12-04 15:33 ?375次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b> <b class='flag-5'>onsemi</b> <b class='flag-5'>NTH4L022N120M3S</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>的卓越<b class='flag-5'>性能</b>

    onsemi碳化硅MOSFET NTH4L014N120M3P:高效電力轉(zhuǎn)換的理想

    在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiCMOSFET憑借其卓越的性能,正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選器件。今天,我們就來深入了解一下安森美(onsemi)的一款1200V碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 12-05 10:31 ?402次閱讀
    <b class='flag-5'>onsemi</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>NTH4L014N120M3</b>P:高效電力轉(zhuǎn)換的<b class='flag-5'>理想</b><b class='flag-5'>之</b><b class='flag-5'>選</b>

    探索 onsemi NTH4L020N090SC1:高性能碳化硅 MOSFET 的卓越特性與應(yīng)用潛力

    在電子工程領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能對整個系統(tǒng)的效率、可靠性和成本有著至關(guān)重要的影響。近年來,碳化硅(SiCMOSFET 憑借其優(yōu)異的性能逐漸成為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的首選。今天,我們就來深
    的頭像 發(fā)表于 12-05 10:59 ?264次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b> <b class='flag-5'>onsemi</b> <b class='flag-5'>NTH4L020N</b>090SC1:<b class='flag-5'>高性能</b>碳化硅 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 的卓越特性與應(yīng)用潛力

    安森美650V碳化硅MOSFETNTH4L075N065SC1的技術(shù)剖析

    在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiCMOSFET以其出色的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天,我們就來深入剖析安森美(onsemi)的一款碳化硅MOSFE
    的頭像 發(fā)表于 12-05 16:54 ?941次閱讀
    安森美650V碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>:<b class='flag-5'>NTH4L075N065</b>SC1的技術(shù)剖析

    onsemi碳化硅MOSFET NTH4L075N065SC1:高效功率轉(zhuǎn)換的理想

    在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiCMOSFET憑借其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天,我們就來深入了解一下onsemi推出的一款650V、57
    的頭像 發(fā)表于 12-08 09:33 ?486次閱讀
    <b class='flag-5'>onsemi</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>NTH4L075N065</b>SC1:高效功率轉(zhuǎn)換的<b class='flag-5'>理想</b><b class='flag-5'>之</b><b class='flag-5'>選</b>

    探索 onsemi NTBG022N120M3S SiC MOSFET高性能與應(yīng)用潛力

    作為電子工程師,我們總是在尋找那些能為設(shè)計(jì)帶來突破的組件。今天,我將深入探討 onsemi 的 NTBG022N120M3S SiC MOSFET,一款在功率應(yīng)用領(lǐng)域極具潛力的器件。
    的頭像 發(fā)表于 12-08 09:40 ?473次閱讀
    <b class='flag-5'>探索</b> <b class='flag-5'>onsemi</b> NTBG022<b class='flag-5'>N120M3S</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>:<b class='flag-5'>高性能</b>與應(yīng)用潛力

    onsemi NTH4L060N065SC1 SiC MOSFET深度解析

    在電子工程領(lǐng)域,功率MOSFET一直是電源設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵元件。今天要給大家詳細(xì)介紹的是安森美(onsemi)的NTH4L060N065SC1,一款650V、44mΩ、47A的
    的頭像 發(fā)表于 12-08 15:02 ?402次閱讀
    <b class='flag-5'>onsemi</b> <b class='flag-5'>NTH4L060N065</b>SC1 <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>深度解析

    深入解析 onsemi NTHL045N065SC1 SiC MOSFET

    在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,碳化硅(SiCMOSFET 憑借其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天我們就來詳細(xì)解析 onsemi 的 NTHL045N06
    的頭像 發(fā)表于 12-08 16:55 ?692次閱讀
    深入解析 <b class='flag-5'>onsemi</b> NTHL045<b class='flag-5'>N065</b>SC1 <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>