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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子市場(chǎng)推廣中的核心技術(shù)洞見與溝通策略

國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET比如BASiC基本半導(dǎo)體代理商銷售經(jīng)理在電力電子市場(chǎng)推廣中的核心技術(shù)洞見與溝通策略：國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET比如...

2025-08-25 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.8k 0

碳化硅功率半導(dǎo)體在可再生能源系統(tǒng)中的應(yīng)用

隨著全球推動(dòng)碳中和的步伐加快，可再生能源已成為現(xiàn)代能源轉(zhuǎn)型的基石。太陽(yáng)能光伏發(fā)電（PV）、風(fēng)力渦輪機(jī)和先進(jìn)的儲(chǔ)能系統(tǒng)正以前所未有的規(guī)模得到部署。然而，最...

2025-08-20 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體碳化硅 975 0

碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)突圍：大數(shù)據(jù)平臺(tái)驅(qū)動(dòng)技術(shù)迭代與生態(tài)重構(gòu)，邁向功率半導(dǎo)體新紀(jì)元

當(dāng)SiC從幕后走向舞臺(tái)中央數(shù)十年來，硅材料一直被視為半導(dǎo)體領(lǐng)域的唯一解決方案。當(dāng)全球頂尖晶圓廠專注于硅基芯片研發(fā)時(shí)，化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域早已在悄然突破——從...

2025-08-19 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體碳化硅 638 0

英飛凌CoolSiC? MOSFET Gen2：性能全面升級(jí)，工業(yè)應(yīng)用的理想選擇！

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，英飛凌最新推出的CoolSiCMOSFETGen2系列產(chǎn)品，單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝...

2025-08-19 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET SiC 5k 0

派恩杰第四代碳化硅產(chǎn)品在AI基建的應(yīng)用

在 AI 基建中，碳化硅(SiC)憑借高頻高效、耐高溫、高功率密度等特性，成為解決 “算力飆升與能耗、空間、散熱瓶頸” 矛盾的核心材料。從數(shù)據(jù)中心的電源...

2025-08-18 標(biāo)簽：服務(wù)器 SiC 碳化硅 644 0

SiC+Si，全球8大混碳技術(shù)方案揭秘

-關(guān)于2025上海車展·全球8家混碳技術(shù)方案解讀-文字原創(chuàng)，素材來源：2025上海車展，廠商官網(wǎng)-本篇為知識(shí)星球節(jié)選，完整版報(bào)告與解讀在知識(shí)星球發(fā)布-1...

2025-08-16 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 SiC 碳化硅 1.8k 0

賦能綠色智造：傾佳電子力推碳化硅SiC模塊+驅(qū)動(dòng)板一站式方案，引領(lǐng)感應(yīng)加熱電源變革

賦能綠色智造：傾佳電子力推BASiC基本碳化硅SiC模塊+驅(qū)動(dòng)板一站式方案，引領(lǐng)感應(yīng)加熱電源變革在“雙碳”戰(zhàn)略驅(qū)動(dòng)下，感應(yīng)加熱電源行業(yè)正面臨效率升級(jí)與...

2025-08-18 標(biāo)簽：SiC 驅(qū)動(dòng)板碳化硅 375 0

森國(guó)科推出TOLL封裝1200V/50A SiC二極管KS50120-K2

在功率半導(dǎo)體飛速迭代的進(jìn)程中，碳化硅（SiC）功率器件憑借高頻、高壓、低損耗、耐高溫等優(yōu)異性能，成為高效功率轉(zhuǎn)換的核心器件。而要將這些晶圓級(jí)的性能優(yōu)勢(shì)完...

2025-08-16 標(biāo)簽：二極管封裝 SiC 733 0

森國(guó)科推出1200V/40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品K3M040120-J

SiC MOSFET以其優(yōu)異的耐壓、高開關(guān)頻率和低損耗性能，正持續(xù)推動(dòng)著新能源車、光伏逆變和工業(yè)電源等領(lǐng)域的變革。然而，相比傳統(tǒng)硅基IGBT，大多數(shù)Si...

2025-08-16 標(biāo)簽：MOSFET SiC 森國(guó)科 1.5k 0

森國(guó)科推出2000V SiC分立器件及模塊產(chǎn)品

在如今的科技發(fā)展浪潮中，電力電子器件的性能對(duì)眾多領(lǐng)域的發(fā)展至關(guān)重要。隨著1500V 光儲(chǔ)系統(tǒng)的廣泛應(yīng)用，1000V/800V 新能源汽車架構(gòu)平臺(tái)的蓬勃發(fā)...

2025-08-16 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 2.7k 0

SiC+Si混碳融合逆變器 · 從概念到系統(tǒng)方案落地的全景解析

以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-關(guān)于SiC+Si多變量融合逆變器·從概念到系統(tǒng)方案落地的全景解析-原創(chuàng)文章，僅用于SysPro內(nèi)部使...

2025-08-15 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器 SiC 3.1k 0

賦能SiC碳化硅MOSFET電源應(yīng)用：BTD25350MMCWR雙通道隔離型門極驅(qū)動(dòng)器

賦能SiC碳化硅MOSFET電源應(yīng)用：BTD25350MMCWR雙通道隔離型門極驅(qū)動(dòng)器 ——傾佳電子攜手基本半導(dǎo)體，為新能源與工業(yè)電源注入強(qiáng)“芯”動(dòng)力 ...

2025-08-15 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 265 0

安森美榮膺2025人工智能行業(yè)優(yōu)秀創(chuàng)新力產(chǎn)品獎(jiǎng)

近日，在深圳福田會(huì)展中心舉行的維科杯.OFweek 2025 (第十屆)人工智能行業(yè)年度評(píng)選活動(dòng)圓滿落幕。安森美（onsemi）的SiC Combo J...

2025-08-12 標(biāo)簽：安森美 SiC 人工智能 1.5k 0

小米SU7磁性元件供應(yīng)商上半年業(yè)績(jī)表現(xiàn)如何

當(dāng)磁性元件行業(yè)還在為市場(chǎng)波動(dòng)輾轉(zhuǎn)時(shí)，磁性元件企業(yè)可立克用一份超預(yù)期的半年報(bào)交出了答卷。 2025 年上半年，這家深耕磁性元件領(lǐng)域的企業(yè)以26.67 億元...

2025-08-12 標(biāo)簽：SiC 磁性元器件 1.8k 0

新材料與投資邏輯：任重道遠(yuǎn)、星辰大海、精耕細(xì)作

作者：錦匯資本汪建川，版權(quán)歸原作者所有?！恫牧蠀R》歡迎朋友們踴躍投稿正文汪建川是錦匯天成私募基金管理（西安）有限公司投資總監(jiān)，從事私募股權(quán)投資行業(yè)十余年...

2025-08-12 標(biāo)簽：材料 SiC 867 0

新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET 1200V Q-DPAK封裝分立器件產(chǎn)品擴(kuò)展

新品第二代CoolSiCMOSFET1200VQ-DPAK封裝分立器件產(chǎn)品擴(kuò)展CoolSiC1200VMOSFET（頂部散熱Q-DPAK單管封裝）專為工...

2025-08-11 標(biāo)簽：MOSFET 分立器件 SiC 789 0

基于全SiC碳化硅MOSFET功率模塊打造100KW及125KW三相四線制混合式逆變器

光伏混合逆變器（簡(jiǎn)稱“混逆”）在100-125kW功率段主要面向工商業(yè)場(chǎng)景，其設(shè)計(jì)融合了并網(wǎng)發(fā)電與儲(chǔ)能管理能力，綜合優(yōu)勢(shì)顯著。 100–125kW混逆的...

2025-08-10 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率模塊 277 0

兩款SiC MOSFET在智能斷路器中的應(yīng)用分析

以下是B3M010C075Z與B3M013C120Z兩款SiC MOSFET在智能斷路器中的應(yīng)用分析，結(jié)合其技術(shù)特性和實(shí)際場(chǎng)景需求展開：一、器件核心技...

2025-08-10 標(biāo)簽：MOSFET 導(dǎo)通電阻斷路器 977 0

加速落地主驅(qū)逆變器，三安光電1200V 13mΩ SiC MOSFET完成驗(yàn)證

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道近日，三安光電在投資者平臺(tái)上表示，其主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET從1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ，在國(guó)內(nèi)頭...

2025-08-10 標(biāo)簽：SiC 三安光電 SiC MOSFET 7.7k 0

Si、SiC與GaN，誰(shuí)更適合上場(chǎng)？| GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)解析

以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-《功率GaN芯片PCB嵌埋封裝技術(shù)全維解析》三部曲系列-文字原創(chuàng)，素材來源：TMC現(xiàn)場(chǎng)記錄、Ho...

2025-08-07 標(biāo)簽：芯片 SiC GaN 881 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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太陽(yáng)能充電

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PSR

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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