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      標(biāo)簽　>　sk海力士

      sk海力士

      sk海力士

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      SK海力士（Hynix）是一家源自韓國的半導(dǎo)體芯片制造商，主要生產(chǎn)DRAM和NAND閃存等存儲芯片。它是全球最大的半導(dǎo)體公司之一，也是全球DRAM市場的領(lǐng)導(dǎo)者之一。

      文章：981個(gè) 瀏覽：39577次 帖子：1個(gè)

      sk海力士資訊

      SK海力士發(fā)布NAND閃存解決方案，助力端側(cè)AI手機(jī)發(fā)展

      SK海力士指出，“ZUFS 4.0是新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案，具備行業(yè)內(nèi)最高性能且專門針對端側(cè)AI手機(jī)進(jìn)行優(yōu)化?！贝送猓具€強(qiáng)調(diào)，“借助此產(chǎn)品...

      2024-05-09 標(biāo)簽：存儲器NAND閃存SK海力士 750 0

      消息稱SK海力士測試東京電子低溫蝕刻設(shè)備

      SK 海力士正在與東京電子（TEL）展開緊密合作，通過發(fā)送測試晶圓來評估后者的低溫蝕刻設(shè)備。這一舉措旨在為未來的NAND閃存生產(chǎn)導(dǎo)入新技術(shù)。在當(dāng)前，增加...

      2024-05-08 標(biāo)簽：閃存晶圓SK海力士 809 0

      SK海力士稱AI存儲芯片2025年訂單幾乎已滿

      SK海力士CEO郭魯正近日在公開場合表示，AI存儲芯片的市場需求正在迅猛增長，預(yù)計(jì)至2025年的訂單已接近飽和。他強(qiáng)調(diào)，雖然目前AI主要服務(wù)于數(shù)據(jù)中心，...

      2024-05-08 標(biāo)簽：存儲芯片SK海力士 802 0

      SK海力士尋求東電低溫蝕刻設(shè)備，或降低NAND閃存堆棧層數(shù)

      當(dāng)前，3D NAND閃存在通過提高堆棧層數(shù)來增加容量上取得顯著進(jìn)展。然而，在這種趨勢下，閃存顆粒中的垂直通道蝕刻變得愈發(fā)困難且速率減緩。

      2024-05-07 標(biāo)簽：晶圓NAND閃存SK海力士 701 0

      SK海力士第一季度同比扭虧為盈

      韓國知名芯片企業(yè)SK海力士（SK Hynix）近日發(fā)布了其2024年第一季度的業(yè)績報(bào)告，展現(xiàn)出強(qiáng)勁的復(fù)蘇勢頭。初步核實(shí)數(shù)據(jù)顯示，該季度公司營業(yè)利潤達(dá)到2...

      2024-05-07 標(biāo)簽：芯片SK海力士 525 0

      SK海力士明年HBM產(chǎn)能基本售罄

      SK海力士近日宣布，其高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要?dú)w功于人工智能（AI）技術(shù)的蓬勃發(fā)展，極大地推動(dòng)了市場對HBM芯片的需

      2024-05-07 標(biāo)簽：芯片SK海力士HBM 711 0

      SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計(jì)劃至2025年

      SK海力士宣布，計(jì)劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品，而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基...

      2024-05-06 標(biāo)簽：DRAMSK海力士HBM 865 0

      SK海力士考慮新建DRAM工廠

      SK海力士，作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商，正在積極考慮建設(shè)一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現(xiàn)有的龍仁芯片集群投產(chǎn)計(jì)劃的推遲，以及對今年內(nèi)存芯片需求大...

      2024-05-06 標(biāo)簽：DRAMSK海力士 771 0

      SK海力士計(jì)劃斥資約20萬億韓元新建存儲芯片產(chǎn)能

      SK海力士計(jì)劃斥資約20萬億韓元（約146億美元）在韓國新建存儲芯片產(chǎn)能，以滿足快速增長的人工智能開發(fā)需求。

      2024-04-29 標(biāo)簽：人工智能存儲芯片SK海力士 969 0

      SK海力士：預(yù)計(jì)其HBM銷售額今年有望超過20億美元！

      SK海力士：預(yù)計(jì)其HBM銷售額今年有望超過20億美元！

      SK海力士最近透露，預(yù)計(jì)其HBM銷售額今年將“占其DRAM芯片銷售額的兩位數(shù)百分比”。

      2024-04-29 標(biāo)簽：加速器DRAM芯片人工智能 922 0

      SK海力士考慮在美國或其他地區(qū)建立新內(nèi)存工廠

      據(jù)了解，由于龍仁芯片集群的投產(chǎn)延遲，預(yù)計(jì)今年內(nèi)存市場需求將顯著上升。一位不愿具名的半導(dǎo)體高管表示，“我們得知，SK海力士不僅愿意在韓國設(shè)立新廠，同時(shí)也在...

      2024-04-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMSK海力士 540 0

      晶圓代工產(chǎn)業(yè)遭遇需求停滯與產(chǎn)能過剩挑戰(zhàn)

      三星公司近日作出重大決策，決定將泰勒廠的運(yùn)營時(shí)間延長至2026年，原計(jì)劃為2024年底。這一調(diào)整似乎是為了更靈活地應(yīng)對代工市場的變化，以優(yōu)化投資節(jié)奏。

      2024-04-25 標(biāo)簽：晶圓代工AI人工智能 686 0

      SK海力士：12Hi HBM3E于Q3完成，下半年內(nèi)存或供應(yīng)不足

      韓國 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度財(cái)報(bào)電話會議上，他們承諾第三季度能夠成功研發(fā)出 12 層堆疊的 HBM3E 系列芯片，然而由于供應(yīng)壓力，可...

      2024-04-25 標(biāo)簽：三星電子SK海力士HBM3E 782 0

      SK海力士年內(nèi)推1bnm 32Gb DDR5內(nèi)存顆粒

      新款32Gb顆粒不僅支持消費(fèi)級UDIMM和SODIMM 64GB單條容量，更能讓企業(yè)級RDIMM在無需硅通孔工藝3D堆疊的條件下，實(shí)現(xiàn)單模組128GB，...

      2024-04-25 標(biāo)簽：服務(wù)器內(nèi)存SK海力士 958 0

      SK海力士發(fā)布2024財(cái)年第1季度財(cái)報(bào)，創(chuàng)歷史同期新高

      本季度，SK海力士實(shí)現(xiàn)了歷史最高的收入水平，同時(shí)營業(yè)利潤也刷新了自 2018 年以來的同期次高紀(jì)錄。公司認(rèn)為這標(biāo)志著長期低迷后的全面復(fù)蘇。

      2024-04-25 標(biāo)簽：DRAMSK海力士HBM3 894 0

      SK海力士擴(kuò)充AI基礎(chǔ)設(shè)施DRAM產(chǎn)能

      SK海力士將于本月底啟動(dòng)建設(shè)工程，預(yù)計(jì)2025年11月完工并開始量產(chǎn)。此外，公司還將逐步增加設(shè)備投資，預(yù)計(jì)向M15X投資超過20萬億韓元，以進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)能。

      2024-04-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMSK海力士 1066 0

      SK海力士提升AI基建產(chǎn)能，助力韓國成為AI半導(dǎo)體強(qiáng)國

      SK海力士計(jì)劃在本月底啟動(dòng)建設(shè)，預(yù)計(jì)到2025年11月完工并正式投產(chǎn)。此外，公司還將逐步增加設(shè)備投資，預(yù)計(jì)在M15X的總投資額將超過20萬億韓元，以此來...

      2024-04-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMSK海力士 862 0

      SK海力士將采用臺積電7nm制程生產(chǎn)HBM4內(nèi)存基片

      HBM內(nèi)存基礎(chǔ)裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議，首要任務(wù)便是提升HBM基礎(chǔ)邏輯芯片性能。

      2024-04-23 標(biāo)簽：DRAMSK海力士HBM 1101 0

      鎧俠欲重啟與西部數(shù)據(jù)的合并計(jì)劃，SK海力士明確反對

      據(jù)悉，鎧俠的主要投資者貝恩資本已經(jīng)將上市審查傳達(dá)給了其債權(quán)銀行，并預(yù)計(jì)最早將于今秋在東京證券交易所實(shí)現(xiàn)首次公開募股（IPO）。

      2024-04-23 標(biāo)簽：NAND閃存SK海力士鎧俠 653 0

      SK海力士和臺積電簽署諒解備忘錄 目標(biāo)2026年投產(chǎn)HBM4

      4 月 19 日消息，SK 海力士宣布和臺積電簽署諒解備忘錄（MOU），推進(jìn) HBM4 研發(fā)和下一代封裝技術(shù)，目標(biāo)在 2026 年投產(chǎn) HBM4。 根據(jù)...

      2024-04-20 標(biāo)簽：臺積電SK海力士CoWoS 270 0

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      • 電池
        電池
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        電池（Battery）指盛有電解質(zhì)溶液和金屬電極以產(chǎn)生電流的杯、槽或其他容器或復(fù)合容器的部分空間，能將化學(xué)能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。具有正極、負(fù)極之分。隨著科技的進(jìn)步，電池泛指能產(chǎn)生電能的小型裝置。如太陽能電池。電池的性能參數(shù)主要有電動(dòng)勢、容量、比能量和電阻。
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        Arrow
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        Arrow Electronics 是向工業(yè)和商業(yè)電子元器件和企業(yè)運(yùn)算解決方案用戶提供產(chǎn)品、服務(wù)和解決方案的全球供應(yīng)商，2016 年銷售額達(dá) 23.8 億美元。Arrow 作為供應(yīng)渠道合作伙伴，通過遍布全球 90 多個(gè)國家和地區(qū)的 465 多個(gè)地點(diǎn)構(gòu)成的全球網(wǎng)絡(luò)，為超過 125,000 家原始設(shè)備制造商、合約制造商和商業(yè)客戶提供服務(wù)。
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        e絡(luò)盟是電子元器件分銷商，授權(quán)經(jīng)銷3500余家半導(dǎo)體、連接器、光電和顯示產(chǎn)品、無源、電源和機(jī)電產(chǎn)品、軟件等產(chǎn)品，為電子行業(yè)的設(shè)計(jì)工程師和采購專員提供服務(wù)。
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        西部數(shù)據(jù)公司（Western Digital Corp）是一家全球知名的硬盤廠商，成立于1970年，目前總部位于美國加州，在世界各地設(shè)有分公司或辦事處，為全球五大洲用戶提供存儲器產(chǎn)品。
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        All Programmable
        +關(guān)注
        　　隨著Vivado 設(shè)計(jì)套件通用版本的發(fā)布，賽靈思還針對All Programmable 7系列 FPGA和Zynq？-7000 EPP SoC器件推出Vivado高層次綜合（HLS）工具，繼續(xù)延續(xù)其在電子系統(tǒng)級（ESL）設(shè)計(jì)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
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        +關(guān)注
        MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory） 是一種非易失性（Non-Volatile）的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
      • 便攜醫(yī)療
        便攜醫(yī)療
        +關(guān)注
        受惠于中國政府醫(yī)療改革以及居民對健康保健的重視，未來3年，中國便攜醫(yī)療電子市場年復(fù)合增長率將超過30％！其市場規(guī)模從2006年的80億元迅速擴(kuò)大到2011的280億元！
      • 任正非
        任正非
        +關(guān)注
        任正非是華為技術(shù)有限公司主要?jiǎng)?chuàng)始人、總裁。
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