電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）2025年1月在CES展上，存儲大廠紛紛秀肌肉，而他們無一例外地展示了其存儲之于AI應(yīng)用的實(shí)力。SK海力士、三星、美光等廠商帶來了最新的技術(shù)和產(chǎn)品，他們引領(lǐng)著AI存儲
2025-01-13 09:11:13
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探索PCI1520/PCI1520I：PC Card控制器的技術(shù)剖析 在當(dāng)今數(shù)字化的時代，PC Card控制器在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。今天，我們將深入探討德州儀器（TI）的PCI1520
2025-12-29 17:35:06396 探索Renesas RA6T1 CPU Card：助力電機(jī)控制評估新體驗(yàn) 在電子工程師的日常工作中，一款性能卓越、功能豐富的CPU卡往往能為電機(jī)控制評估工作帶來極大的便利。今天，我們就來深入了解一下
2025-12-29 17:05:02370 Infineon SEMPER NOR Flash與HYPERRAM? 2.0 Gen2 Flash+RAM MCP產(chǎn)品解析 引言 在汽車集群和工業(yè)HMI應(yīng)用中，通常會使用NOR Flash來存儲
2025-12-20 16:20:021043 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)韓媒報道，存儲行業(yè)巨頭SK海力士正全力攻克一項(xiàng)全新的性能瓶頸技術(shù)高帶寬存儲HBS。 ? SK海力士研發(fā)的這項(xiàng)HBS技術(shù)采用了創(chuàng)新的芯片堆疊方案。根據(jù)規(guī)劃，該技術(shù)將通過一種名為
2025-11-14 09:11:212446 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，近日，韓國首爾舉行的“SK AI Summit 2025”峰會上，SK海力士CEO郭魯正（Kwak Noh-Jung）正式宣布了公司向 “全線AI存儲創(chuàng)造者”（Full
2025-11-08 10:49:083180 主推芯片 電子價簽推薦使用NRF52832、OM6626這兩款芯片，兩款芯片各有優(yōu)勢。 OM6626優(yōu)勢： 1.超低功耗表現(xiàn)：其睡眠電流、RX/TX峰值電流等關(guān)鍵功耗指標(biāo)非常優(yōu)秀，專為需要數(shù)年超長續(xù)航的設(shè)備（如電子價簽、CGM）而生，能顯著提升終端產(chǎn)品的續(xù)航能
2025-10-22 17:37:10567 
本文將帶來星海SK系列肖特基二極管SMBG、SMBX、SMC三種封裝選型建議，幫助您為項(xiàng)目選擇最合適的器件。SMBG封裝尺寸適中：體積相對較小，適合在空間有限的P
2025-10-16 16:08:09742 
在推廣的過程中，樹莓派生態(tài)客戶反饋希望能提供一種兼容原裝Raspberry PI HAT的M.2 2242的AI Card版本。經(jīng)過國內(nèi)優(yōu)秀的AIOT硬件設(shè)計(jì)公司M5Stack長達(dá)幾個月的反復(fù)設(shè)計(jì)，終于在本周正式上架了LLM?8850?Card，非常和Raspberry PI 5匹配。
2025-10-14 11:25:401412 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，SK海力士宣布，已正式向客戶供應(yīng)其全球率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品ZUFS 4.1。 ? SK海力士通過與客戶的密切合作，于今年6月成功完成了該產(chǎn)品的客戶驗(yàn)證
2025-09-19 09:00:003507 ### 1. 產(chǎn)品簡介（SK3562-VB）SK3562-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET，采用TO220F封裝，專為大功率、高壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具有較高的最大漏源電壓（VDS）為650V，適用于
2025-09-17 15:10:14
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文 / 吳子鵬）近日，SK 海力士宣布全球率先完成第六代高帶寬存儲器（HBM4）的開發(fā)，并同步進(jìn)入量產(chǎn)階段，成為首家向英偉達(dá)等核心客戶交付 HBM4 的存儲廠商。 ? 據(jù)悉，SK
2025-09-17 09:29:085962 在人工智能（AI）技術(shù)迅猛發(fā)展的當(dāng)下，數(shù)據(jù)處理與存儲能力成為制約其進(jìn)一步飛躍的關(guān)鍵因素。2025 年 9 月 12 日，韓國半導(dǎo)體巨頭 SK 海力士宣布，已成功完成面向 AI 的超高性能存儲器新產(chǎn)品
2025-09-16 17:31:141362 NAND Flash是什么？NAND Flash（閃存）是一種非易失性存儲器技術(shù)，主要用于數(shù)據(jù)存儲。與傳統(tǒng)的DRAM或SRAM不同，NAND Flash在斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它通過電荷的存儲與釋放來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲。
2025-09-08 09:51:206270 
（Modulus），是私鑰和公鑰的公共參數(shù)。
sk：私鑰指數(shù)（privateExponent），公式中常寫作d。
pk：公鑰指數(shù)（publicExponent），公式中常寫作e。
當(dāng)創(chuàng)建非對稱密鑰生成器
2025-09-01 07:50:53
據(jù)央視報道；在8月29日，美國商務(wù)部撤銷英特爾半導(dǎo)體（大連）、三星中國半導(dǎo)體及SK海力士半導(dǎo)體（中國）的經(jīng)驗(yàn)證最終用戶授權(quán)。中方商務(wù)部回應(yīng)稱美方此舉系出于一己之私；美方將出口管制工具化，將對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈穩(wěn)定產(chǎn)生重要不利影響，中方對此表示反對。 ?
2025-08-31 20:44:16825 OM6626是一款國產(chǎn)高性能低功耗藍(lán)牙SoC芯片，適用于廣泛的低功耗藍(lán)牙和2.4GHz應(yīng)用。集成的電源管理單元（PMU）提供高效電源管理，使其應(yīng)用范圍廣泛，從醫(yī)療健康監(jiān)測設(shè)備到智能穿戴，從Smart
2025-08-29 17:54:581011 在智能尋物設(shè)備市場持續(xù)爆發(fā)式增長的背景下，昂瑞微OM6626系列芯片在兼容Apple Find My Network與Android Find Hub Network雙生態(tài)系統(tǒng)持續(xù)出貨，已經(jīng)在
2025-08-27 16:22:52744 SPI NOR FLASH是什么？ ? SPI NOR FLASH是一種非易失性存儲器，它通過串行接口進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸，具有讀寫速度快、可靠性高、體積小等優(yōu)點(diǎn)。它采用類似SRAM的存儲方式，每個存儲單元
2025-08-21 09:26:001269 串口中斷方式接收會漏接數(shù)據(jù)如串口工具發(fā)送 ：1234567芯片接收到 ：1357硬件是CYTVII-B-E-1M-SK開發(fā)板軟件是SDL v8.3 中的串口例程輪詢模式接收正常，中斷1BYTE模式接收不正常
2025-08-14 07:29:56
2SK543-VB品牌: VBsemi**參數(shù):**- 封裝: SOT23- 溝道類型: N—Channel- 額定電壓: 20V- 額定電流: 6A- RDS(ON): 24mΩ @ VGS
2025-08-09 10:13:33
2SK520-VB，品牌VBsemi，SOT23封裝，P—Channel溝道，-30V，-5.6A，RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V，VGS=20V，Vth=-1V。**詳細(xì)參數(shù)
2025-08-09 10:01:55
產(chǎn)品型號: 2SK3577-T1B-A-VB品牌: VBsemi參數(shù): - 封裝類型: SOT23- 溝道類型: N—Channel- 最大漏極電壓: 30V- 最大漏極電流: 6.5A-
2025-08-09 09:55:02
**2SK3576-T1B-A-VB 詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介:**- **品牌:** VBsemi- **型號:** 2SK3576-T1B-A-VB- **封裝:** SOT23**參數(shù)
2025-08-08 18:00:22
**2SK3408-T2B-A-VB 詳細(xì)參數(shù)說明：**- **品牌：** VBsemi- **封裝：** SOT23- **類型：** N—Channel 溝道 MOSFET- **最大耐壓
2025-08-08 17:54:04
參數(shù)說明：- 型號: 2SK3408-T1B-A-VB- 品牌: VBsemi- 封裝: SOT23- 溝道類型: N—Channel- 最大電壓: 60V- 最大電流: 4A- RDS(ON)（導(dǎo)
2025-08-08 17:46:51
型號：2SK3290BNTL-VB品牌：VBsemi封裝：SOT23參數(shù)：- N-Channel溝道- 額定電壓（VDS）：30V- 額定電流（ID）：6.5A- 開啟電阻（RDS(ON)）：30m
2025-08-08 17:44:30
詳細(xì)參數(shù)說明：- 產(chǎn)品型號: 2SK3000-VB- 品牌：VBsemi- 封裝：SOT23- 類型：N—Channel溝道- 額定電壓：30V- 額定電流：6.5A- 開態(tài)電阻（RDS
2025-08-08 17:41:00
2SK2980ZZ-TR-E-VB 品牌: VBsemi**詳細(xì)參數(shù)說明：**- 封裝類型：SOT23- 溝道類型：N—Channel- 最大漏極電壓：30V- 最大漏極電流：6.5A-
2025-08-08 17:36:41
**詳細(xì)參數(shù)說明：**- **型號：** 2SK2969-VB- **品牌：** VBsemi- **封裝：** SOT23- **溝道類型：** N-Channel- **額定電壓：** 30V-
2025-08-08 17:33:55
**2SK2911-VB 詳細(xì)參數(shù)說明：**- **品牌：** VBsemi- **封裝：** SOT23- **溝道類型：** N-Channel- **最大承受電壓：** 100V- **最大
2025-08-08 17:30:25
**產(chǎn)品型號：** 2SK2910-VB**品牌：** VBsemi**參數(shù)：**- 封裝：SOT23- 溝道類型：N—Channel- 最大電壓：20V- 最大電流：6A- 導(dǎo)通電阻：RDS
2025-08-08 17:28:21
2SK2909-VB是VBsemi品牌的N-Channel溝道MOSFET，采用SOT23封裝。主要參數(shù)包括工作電壓20V、電流承受能力6A、導(dǎo)通電阻RDS(ON)=24mΩ（在VGS=4.5V
2025-08-08 17:26:11
**2SK2731T146-VB參數(shù)：**- 額定電壓（VDS）：30V- 額定電流（ID）：6.5A- 靜態(tài)漏極-源極電阻（RDS(ON)）：30mΩ（VGS=10V，VGS=20V）- 閾值電壓
2025-08-08 17:23:39
**VBsemi 2SK209-VB MOSFET****詳細(xì)參數(shù)說明：**- 品牌: VBsemi- 產(chǎn)品型號: 2SK209-VB- 封裝: SOT23- 極性: P—Channel- 最大漏極
2025-08-08 17:17:33
VBsemi 2SK2009-VB是一款N-Channel溝道MOSFET，以下是詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介：- **電壓規(guī)格：** 30V- **電流規(guī)格：** 6.5A- **導(dǎo)通電阻（RDS
2025-08-08 17:15:20
**2SK1849-VB 詳細(xì)參數(shù)說明：**- **品牌：** VBsemi- **型號：** 2SK1849-VB- **封裝：** SOT23- **溝道類型：** N-Channel-
2025-08-08 17:13:07
**2SK1848-VB**- **品牌：** VBsemi- **參數(shù)：** - 封裝：SOT23 - 溝道類型：N—Channel - 最大承受
2025-08-08 17:10:38
**VBsemi 2SK1847-VB 詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介：****產(chǎn)品型號：** 2SK1847-VB**品牌：** VBsemi**參數(shù)：**- **封裝類型：** SOT23- **溝道
2025-08-08 17:08:22
產(chǎn)品型號: 2SK1657-VB品牌: VBsemi參數(shù): - 封裝類型: SOT23- 溝道類型: N—Channel- 最大漏極電壓: 30V- 最大漏極電流: 6.5A- 開啟電阻
2025-08-08 17:05:16
VBsemi 2SK1582-VB 參數(shù)：- 封裝：SOT23- 類型：N-通道MOSFET- 漏極-源極電壓（Vds）：30V- 連續(xù)漏極電流（Id）：6.5A- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：在
2025-08-08 17:02:46
2SK1215-VB是VBsemi品牌的SOT23封裝N-Channel溝道場效應(yīng)晶體管。以下是詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡介：**詳細(xì)參數(shù)：**- 封裝：SOT23- 極性：N-Channel- 額定電壓
2025-08-08 16:59:42
Sandisk閃迪公司（NASDAQ：SNDK）正式宣布與SK海力士簽署具有里程碑意義的諒解備忘錄（Memorandum of Understanding，MOU），雙方將攜手制定高帶寬閃存
2025-08-08 13:37:381847 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，SK海力士截至2025年6月30日的2025財年第二季度財務(wù)報告顯示，公司2025財年第二季度營業(yè)收入為22.232萬億韓元，營業(yè)利潤為9.2129萬億韓元，凈利潤為
2025-08-07 09:30:066211 [ARG_sk9822_dat].u_int, FUNC_GPIOHS0 + SK9822_DAT_GPIONUM);
fpioa_set_function(args[ARG_sk9822_clk].u_int
2025-08-05 07:26:18
請問一下誰有這個OB6625的Pspice模型
2025-08-04 15:18:51
白皮書：如何燒寫Flash——不同場景不同需求下的選擇認(rèn)識Flash?NAND vs. NOR如何燒寫/編程不同方案比較
2025-07-28 16:05:52
0 Texas Instruments適用于AM64x Sitara?處理器的SK-AM64B入門套件是一個獨(dú)立的測試和開發(fā)平臺，是加速設(shè)計(jì)原型階段的理想選擇。AM64x處理器由一個雙核64位ARM
2025-07-28 10:20:08576 
近日，SK集團(tuán)旗下在錫三家ICT企業(yè)，SK海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司，英普賽信息技術(shù)（無錫）有限公司，愛思開希恩希系統(tǒng)（北京）有限公司在旺莊街道建發(fā)社區(qū)籌建組社區(qū)黨群服務(wù)中心舉行SK海力士幸福未來教育成長中心2號店啟動儀式。
2025-07-24 11:38:17838 本文聚焦于 國科安芯推出的AS32X601 芯片的 Flash 擦寫調(diào)試工作，深入剖析其片內(nèi) Flash 存儲器架構(gòu)，詳述 Flash 控制器功能與運(yùn)作機(jī)制。通過對 Flash 指令集的解讀，梳理
2025-07-22 13:47:38591 
1969年，40萬名科技工作者憑借堅(jiān)韌不拔的協(xié)作精神，成功完成登月計(jì)劃“阿波羅11號任務(wù)”，開啟了人類探索宇宙的新紀(jì)元。2003年，來自6個國家20多家研究機(jī)構(gòu)的科學(xué)家，歷經(jīng)13年通力合作，完成了“人類基因組計(jì)劃”，重塑了現(xiàn)代醫(yī)學(xué)格局。當(dāng)人類團(tuán)結(jié)一心，便能夠不斷創(chuàng)造新的輝煌。
2025-07-21 15:57:13742 SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新，在NAND閃存（NAND Flash，以下簡稱NAND
2025-07-10 11:37:591508 SK海力士的成功神話背后，離不開眾多核心技術(shù)的支撐，其中最令人矚目的便是“微細(xì)工藝”。通過對肉眼難以辨識的微細(xì)電路進(jìn)行更為精細(xì)化的處理，SK海力士憑借壓倒性的技術(shù)實(shí)力，引領(lǐng)著全球半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。這一切的基礎(chǔ)正源于“一個團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神（One-Team Spirit）。
2025-07-03 12:29:501591 SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地位方面，HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領(lǐng)先地位，這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神（One Team Spirit）。
2025-06-18 15:31:021665 SK海力士于5月20日至23日舉辦的2025年臺北國際電腦展（COMPUTEX Taipei 2025，以下簡稱COMPUTEX）上，展示了其涵蓋AI服務(wù)器、個人電腦和移動設(shè)備等多個領(lǐng)域的豐富
2025-06-05 14:13:561805 
SK海力士宣布，5月19日于首爾COEX麻谷會展中心舉行的“第60屆發(fā)明日紀(jì)念儀式”上，來自HBM開發(fā)部門的宋清基TL榮庸銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
2025-06-03 09:36:481001 近日，SK海力士向無錫市首個應(yīng)急救援驛站（山水城（雪浪街道）石塘社區(qū)）捐贈自動體外除顫儀（AED）設(shè)備，助力提升基層應(yīng)急救援能力，為居民生命健康筑起堅(jiān)實(shí)屏障。
2025-05-28 15:36:51761 14FLASHFLASH的工作原理與應(yīng)用OWEIS1什么是FLASH?Flash閃存是一種非易失性半導(dǎo)體存儲器，它結(jié)合了ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機(jī)訪問存儲器）的優(yōu)點(diǎn)，具有電子可擦除和可編程
2025-05-27 13:10:411721 
近年來，SK海力士屢獲創(chuàng)新成果，這些成就皆得益于“一個團(tuán)隊(duì)”協(xié)作精神（One Team Spirit）”。無論是創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績、開發(fā)出全球領(lǐng)先產(chǎn)品，還是躍升成為全球頂級面向AI的存儲器供應(yīng)商，這些
2025-05-23 13:54:361014 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，SK海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存的移動端解決方案產(chǎn)品UFS 4.1
2025-05-23 01:04:008530 近日，SK海力士宣布，在首爾江南區(qū)韓國科學(xué)技術(shù)會館舉行的“2025年科學(xué)?信息通訊日紀(jì)念儀式”上，公司數(shù)字化轉(zhuǎn)型組織的都承勇副社長榮獲了科學(xué)技術(shù)信息通信部頒發(fā)的銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
2025-05-09 10:29:10969 ? ? MCU片上Flash是微控制器內(nèi)部集成的非易失性存儲器，主要用于存儲程序代碼、常量數(shù)據(jù)及系統(tǒng)配置信息。其核心特性與功能如下： 一、定義與類型? 片上Flash采用浮柵晶體管技術(shù)，具備斷電數(shù)據(jù)
2025-05-06 14:26:55970 得益于AI需求的有力推動；高帶寬內(nèi)存(HBM)需求持續(xù)暴漲，這帶動了英偉達(dá)供應(yīng)商SK海力士盈利大增158%。 據(jù)SK海力士公布的財務(wù)業(yè)績數(shù)據(jù)顯示，在2025年第一季度SK海力士的營收增長42%；達(dá)到
2025-04-24 10:44:261231 最近在搞SK6812燈珠的控制，選擇了PWM+DMA的方式，在執(zhí)行HAL_TIM_PWM_Start_DMA的時候能看到長度和數(shù)據(jù)都是我配置的值：
但是輸出的波形就是不對：
DMA循環(huán)單次都試過
2025-04-23 07:44:27
隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，作為其核心支撐技術(shù)的高帶寬存儲器（以下簡稱HBM）實(shí)現(xiàn)了顯著的增長，為SK海力士在去年實(shí)創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績做出了不可或缺的重要貢獻(xiàn)。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，SK海力士的成長不僅體現(xiàn)在銷售額的大幅提升上，更彰顯了其在引領(lǐng)AI時代技術(shù)變革方面所發(fā)揮的重要作用。
2025-04-18 09:25:59991 客戶對HBM的要求為增加帶寬、提高功率效率、提高集成度?；旌湘I合就是可以滿足此類需求的技術(shù)。 ? 混合鍵合技術(shù)預(yù)計(jì)不僅可應(yīng)用于HBM，還可應(yīng)用于3D DRAM和NAND Flash。SK海力士副總裁姜志浩（音譯）表示，“目前的做法是分別創(chuàng)建DRAM單元區(qū)域和外圍區(qū)域，
2025-04-17 00:05:001060 前言文檔內(nèi)容適配技術(shù)問題說明：1.MES2L676-100HP開發(fā)板如何固化到兩顆flash；2.MES2L676-100HP開發(fā)板如何加快上電后flash加載速度（SPIX8模式）01簡介
2025-04-14 09:52:29942 
= \"simple-audio-card\";simple-audio-card,name = \"wm8524-audio\";simple-audio-card
2025-04-07 08:16:29
3 月 28 日消息，根據(jù) SK 海力士向韓國金融監(jiān)管機(jī)構(gòu) FSS 披露的文件，該企業(yè)已在當(dāng)?shù)貢r間今日完成了收購英特爾 NAND 閃存及 SSD 業(yè)務(wù)案的第二階段，交易正式完成。 這筆交易
2025-03-28 19:27:581227 
1. 250 億韓元！ SK Keyfoundry 收購碳化硅廠商 SK Powertech ? SK Keyfoundry宣布決定以250億韓元的價格從SK Inc.收購SK Powertech
2025-03-10 11:15:49749 3 月 6 日消息，綜合韓聯(lián)社、ZDNet Korea、MK 等多家韓媒報道，SK 海力士今日在內(nèi)部宣布將關(guān)閉其 CIS（CMOS 圖像傳感器）部門， 該團(tuán)隊(duì)的員工將轉(zhuǎn)崗至 AI 存儲器領(lǐng)域 。SK
2025-03-06 18:26:161078 本文詳細(xì)介紹了 SK hynix 公司生產(chǎn)的 LPDDR4 16Gb（x16，2 Channel，1 CS）內(nèi)存芯片 H9HCNNNBKUMLXR 的技術(shù)規(guī)格書。該文檔提供了芯片的詳細(xì)參數(shù)、功能描述
2025-03-03 14:07:05
據(jù)韓媒報道，SK海力士計(jì)劃于今年3月向其位于韓國的M15X晶圓廠派遣大量工程師，為該廠投產(chǎn)高頻寬內(nèi)存（HBM）做最后準(zhǔn)備。這一舉措標(biāo)志著M15X晶圓廠投產(chǎn)的準(zhǔn)備工作已進(jìn)入沖刺階段，預(yù)計(jì)將于2025年第四季度正式投產(chǎn)。
2025-02-18 14:46:031275 據(jù)最新報道，SK 海力士為滿足市場對高帶寬存儲器(HBM)的旺盛需求，正緊鑼密鼓地為M15X晶圓廠的投產(chǎn)做全面準(zhǔn)備。公司計(jì)劃于今年3月向M15X工廠派遣工程師團(tuán)隊(duì)，以確保工廠能夠順利啟動并投入生產(chǎn)
2025-02-18 11:16:58884 據(jù)韓國媒體報道，SK海力士已啟動對中國半導(dǎo)體電子設(shè)計(jì)自動化(EDA)軟件的緊急審查程序。此舉被視為對美國特朗普政府針對中國實(shí)施額外制裁的回應(yīng)。 分析指出，近期中國EDA公司華大九天的韓國分公司被美國
2025-02-18 10:51:541079 據(jù)韓國媒體報道，韓國半導(dǎo)體行業(yè)的巨頭SK海力士，為應(yīng)對美國可能出臺的新政策，已開始對其所使用的中國半導(dǎo)體電子設(shè)計(jì)自動化(EDA)軟件進(jìn)行緊急審查。這一舉措反映了全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在地緣政治緊張局勢下
2025-02-18 09:47:04827 APTGT150SK60T1G型號簡介 APTGT150SK60T1G是Microchip推出的一款功率模塊，這款功率模塊宛如一位技藝高超的舞者
2025-02-12 15:25:53
據(jù)外媒最新報道，為了應(yīng)對NAND閃存市場的供應(yīng)過剩問題，三星電子與SK海力士兩大半導(dǎo)體巨頭已悄然采取措施，通過工藝轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)“自然減產(chǎn)”。 據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露，自去年年底以來，三星電子和SK海力士正積極
2025-02-12 10:38:13856 APTGT75SK120TG型號簡介 APTGT75SK120TG是Microchip推出的一款功率模塊，這款功率模塊它如同一位優(yōu)雅
2025-02-10 16:36:36
APTGT100SK170TG型號簡介 APTGT100SK170TG是Microchip推出的一款功率模塊，這款功率模塊猶如精密的時鐘，確保了
2025-02-08 17:44:28
SK 海力士近日正式公布了截至2024年12月31日的2024財年及第四季度財務(wù)報告，數(shù)據(jù)顯示，該公司在過去一年中取得了令人矚目的業(yè)績。 2024年全年，SK 海力士營收達(dá)到了661929億韓元(約
2025-02-08 16:22:381657 APTGT600SK60G型號簡介 APTGT600SK60G是Microchip推出的一款功率模塊，這款功率模塊如同一位英雄，揮舞著利劍，劈開
2025-02-08 09:26:02
近日，SK海力士發(fā)布了其截至2024年12月31日的2024財年及第四季度財務(wù)報告，業(yè)績表現(xiàn)出色。 數(shù)據(jù)顯示，SK海力士在2024年全年?duì)I收達(dá)到了661929億韓元(當(dāng)前約合3346.71億元
2025-01-24 14:00:261054 挑戰(zhàn)傳統(tǒng)，打破限制，勇攀高峰，打破常規(guī)者們在尋求開創(chuàng)性解決方案的過程中重塑規(guī)則。繼SK海力士品牌短片《誰是打破常規(guī)者》播出后，將推出一系列文章，展示公司在重塑技術(shù)、重新定義行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)方面采取的各種“打破常規(guī)”的創(chuàng)新舉措。本系列第七篇文章將深入探討SK海力士在CXL技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)進(jìn)展。
2025-01-24 10:25:271219 
SK海力士近日發(fā)布了截至2024年12月31日的2024財年及第四季度財務(wù)報告，數(shù)據(jù)顯示公司再創(chuàng)佳績。2024財年，SK海力士的營業(yè)收入高達(dá)66.1930萬億韓元，營業(yè)利潤達(dá)到23.4673萬億韓元，凈利潤更是攀升至19.7969萬億韓元，這一成績刷新了公司歷史上的最佳年度業(yè)績記錄。
2025-01-23 15:49:102056 產(chǎn)品價格。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計(jì)劃后，全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉，SK海力士計(jì)劃將上半年NAND Flash存儲器的產(chǎn)量削減10%。這一決定無疑將對市場產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。 根據(jù)機(jī)構(gòu)先前發(fā)布的報告，SK海力士在NAND Flash存儲器領(lǐng)
2025-01-20 14:43:551095 OM6626是一款功耗優(yōu)化的真正片上系統(tǒng)(SOC)解決方案，適用于低功耗藍(lán)牙和專有2.4GHz應(yīng)用。它集成了高性能、低功耗射頻收發(fā)器和藍(lán)牙基帶以及豐富的外設(shè)IO擴(kuò)展。OM6626還集成了電源管理單元
2025-01-20 13:37:07
APTGT50SK170TG型號簡介 APTGT50SK170TG是Microchip推出的一款功率模塊，這款功率模塊具有低電壓降和低尾電流的優(yōu)勢
2025-01-15 15:21:31
深圳鴻合智遠(yuǎn)｜DSO753SK/DSO753SJ/DSO753SD：表面貼裝差分輸出晶體振蕩器
2025-01-15 09:55:201047 
APTGT50SK120TG型號簡介 APTGT50SK120TG是Microchip推出的一款功率模塊，這款功率模塊采用先進(jìn)的快速溝槽 + 場
2025-01-14 16:05:04
深圳鴻合智遠(yuǎn)｜DSO533SK/DSO533SJ：表面貼裝差分輸出晶體振蕩器
2025-01-14 10:53:57809 
在此次更新中，昂寶電子（OnBright）推出的數(shù)模混合芯片OB6625VK已被昂科的燒寫工具脫機(jī)編程器AP8000所支持。昂科技術(shù)自主研發(fā)的AP8000萬用燒錄器，支持包括一拖一及一拖八配置的在線
2025-01-13 15:48:35953 
深圳鴻合智遠(yuǎn)｜DSO223SK/DSO323SK/DSO223SJ/DSO323SJ/DSO223SD/DSO323SD：表面貼裝差分輸出晶體振蕩器
2025-01-11 10:12:421008 
SK海力士今年計(jì)劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存（HBM）的DRAM產(chǎn)能，目標(biāo)是將每月產(chǎn)能從去年的10萬片增加至17萬片，這一增幅達(dá)到了70%。此舉被視為該公司對除最大客戶英偉達(dá)外，其他領(lǐng)先人工智能（AI）芯片公司需求激增的積極回應(yīng)。
2025-01-07 16:39:091301 SK海力士重返拉斯維加斯，參加2025年國際消費(fèi)類電子產(chǎn)品展覽會（Consumer Electronics Show，以下簡稱“CES”），并展示其顛覆行業(yè)的面向人工智能的存儲創(chuàng)新技術(shù)。CES 2025于1月7日至10日舉行，匯聚了全球領(lǐng)先科技公司的頂尖人才與突破性技術(shù)，共同引領(lǐng)未來科技的發(fā)展潮流。
2025-01-07 16:20:461440 近期，NAND Flash市場再次迎來重要變動。據(jù)媒體報道，繼鎧俠、美光相繼宣布減產(chǎn)后，市場又傳出三星、SK海力士兩大韓廠也將減產(chǎn)消費(fèi)級NAND Flash的消息。這標(biāo)志著首次有韓國廠商加入減產(chǎn)行列
2025-01-07 14:04:06835
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