電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用SOT-23封裝的高亮度白光LED驅(qū)動器TPS61165-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 09:40:23
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用WSON和SOT-23封裝的TPS61165高亮度白光LED驅(qū)動器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 09:39:140 放大機(jī)構(gòu)，對壓電疊堆的輸出位移進(jìn)行放大，同時該結(jié)構(gòu)采用交替驅(qū)動的方式以提高驅(qū)動器定子的驅(qū)動效率。使用方波信號作為激勵信號，定子驅(qū)動足通過摩擦力驅(qū)動導(dǎo)軌運(yùn)動，對該電機(jī)的輸出性能進(jìn)行測試，同時得到激勵電機(jī)
2024-03-08 17:38:14
為了在空間受限的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效、實(shí)時的嵌入式電機(jī)控制系統(tǒng)，MicrochipTechnologyInc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC數(shù)字信號控制器（DSC）的新型集成電機(jī)驅(qū)動器系列。該系列器件
2024-03-08 08:22:30
114 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TFT-LCD雙高壓掃描驅(qū)動器TPS65193數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-07 13:35:440 Microchip近日宣布推出一款創(chuàng)新的3.3 kV XIFM即插即用mSiC?柵極驅(qū)動器，該驅(qū)動器采用了Augmented Switching?專利技術(shù)，進(jìn)一步擴(kuò)展了其mSiC解決方案系列，為高壓SiC電源模塊的快速采用提供了有力支持。
2024-03-07 11:31:32313 這款高度集成的 3.3 kV XIFM 即插即用數(shù)字柵極驅(qū)動器可與基于SiC的高壓電源模塊搭配使用，從而簡化并加快系統(tǒng)集成 ? 萬物電氣化推動了碳化硅 （SiC）技術(shù)在交通、電網(wǎng)和重型汽車等中高壓
2024-03-01 16:57:54318 慧能泰特別推出了HP3000雙通道低側(cè)驅(qū)動器，采用2 mm x 2 mm DFN-8L的超小型封裝形式，支持高達(dá)35 V的供電耐壓。
2024-02-21 09:23:00329 
TOSHIBA（東芝）TPD4163K是一款采用高壓PWM控制的直流無刷電機(jī)驅(qū)動器。它采用高壓SOI工藝制造。它是用于電流傳感的三分流電阻電路。它包含電平移位高側(cè)驅(qū)動器、低側(cè)驅(qū)動器、IGBT輸出
2024-01-31 11:41:34113 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《封裝外形圖34引線功率四平面無引線（PQFN）塑料封裝介紹.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-31 10:04:170 特性
? 用于變壓器的推挽式驅(qū)動器? 寬輸入電壓范圍：2.25V 至36 V
? 高輸出驅(qū)動：5V 電源時可達(dá)1.5A
? 低 RON，4.5V 電源時的最大值為 0.25Ω
? 超低 EMI
2024-01-29 17:15:55
特性
? 用于變壓器的推挽式驅(qū)動器? 寬輸入電壓范圍：2.25V 至36 V
? 高輸出驅(qū)動：5V 電源時可達(dá)1.5A
? 低 RON，4.5V 電源時的最大值為 0.25Ω
? 超低 EMI
2024-01-12 16:08:17
必易微新推出的柵極驅(qū)動器 KP85402，專為家用電器和工業(yè)新能源等應(yīng)用場景而設(shè)計(jì)。這款產(chǎn)品旨在為客戶提供一個高可靠性、低成本的解決方案，以滿足各種柵極驅(qū)動需求。
2024-01-08 15:33:25390 請問什么是長線驅(qū)動器，它的原理是什么，信號傳輸時采用什么方式，推挽單端還是差分？常見的常見驅(qū)動器廠家推薦
2024-01-06 17:35:42
2104全橋驅(qū)動電路原理 IR2104是一種高速、低成本的高和低電平電荷泵驅(qū)動器。它可通過邏輯輸入信號控制兩個N溝MOSFET或IGBT的驅(qū)動信號，實(shí)現(xiàn)全橋輸出。IR2104內(nèi)部集成了一個高壓引發(fā)電荷泵、邏輯電平和電流檢測電路。其主要包括低側(cè)和高側(cè)驅(qū)動器。 低側(cè)驅(qū)動器：
2024-01-05 16:11:041106 特性
? 用于變壓器的推挽式驅(qū)動器? 寬輸入電壓范圍：2.25V 至36 V
? 高輸出驅(qū)動：5V 電源時可達(dá)1.5A
? 低 RON，4.5V 電源時的最大值為 0.25Ω
? 超低 EMI
2024-01-04 17:37:19
上電時mos源-地電壓
inp低電平時mos源-地電壓
inp高電平時mos源-地電壓
開關(guān)部分原理圖
問題：1.請問這4v左右的電壓是否正常？是否柵級驅(qū)動器已經(jīng)損壞？（換用多個均是這種
2024-01-04 06:44:25
。 ? OptiMOS 7 功率MOSFET ? 該半導(dǎo)體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標(biāo)準(zhǔn)門級和門級居中
2023-12-12 18:04:37494 
ADC驅(qū)動器用于調(diào)理輸入信號，并充當(dāng)信號源與SAR ADC開關(guān)電容輸入之間的低阻抗緩沖器。ADAQ798x的ADC驅(qū)動器采用“兩全其美”的辦法，不僅具備信號鏈集成優(yōu)勢，而且提供設(shè)計(jì)靈活性，支持很多
2023-12-11 07:50:39
Littelfuse 推出FDA117光隔離光伏驅(qū)動器，可產(chǎn)生浮動電源，是各行各業(yè)隔離開關(guān)應(yīng)用的絕佳選擇。
2023-12-05 16:39:01475 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高壓隔離柵極驅(qū)動器ADuM4121/ADuM4121-1數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-28 10:52:480 上工作，必須使用專用的驅(qū)動器。步進(jìn)驅(qū)動器的原理是采用單極性直流電源供電，只要對步進(jìn)電機(jī)的各相繞組按合適的時序通電，就能使步進(jìn)電機(jī)步進(jìn)轉(zhuǎn)動。步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器一般需要接脈
2023-11-14 08:07:32926 
伺服電機(jī)控制一個排線收卷裝置，不知道是不是排線交接地方帶電的原因，操作工說一到交接的地方伺服電機(jī)就會馬上停止下來，而伺服驅(qū)動器是直接斷電了，伺服驅(qū)動器也接地了，不知道怎么解決，想問一下大家
2023-11-14 07:02:16
。初始分析是對的，即保險一再熔斷，驅(qū)動器肯定存在某一不正常的大電流，并檢查出一功率管損壞。但對該管的作用沒有弄清楚。實(shí)際上該管為步進(jìn)電機(jī)電源驅(qū)動管，步進(jìn)電機(jī)為高壓起動，因而要承受高壓大電流。靜態(tài)檢查
2023-11-09 07:50:35
可以通過串口直接控制步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器嗎
2023-10-18 07:20:07
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 具有廣泛的保護(hù)功能，可增強(qiáng)系統(tǒng)的安全性和可靠性。當(dāng)驅(qū)動器溫度高于內(nèi)置熱折返保護(hù)觸發(fā)點(diǎn)時，AL1697開始降低輸出電流。
特性
兩種內(nèi)部高壓MOSFET選項(xiàng)：用于超級結(jié)的RDSON 4Ω和1.8
2023-10-12 15:09:18
大部分驅(qū)動器都是脈沖控制，怎么通過電壓控制驅(qū)動器
2023-10-12 06:00:22
步進(jìn)電機(jī)的半步驅(qū)動是由驅(qū)動器來設(shè)置的嗎
2023-10-11 06:52:18
超低功耗STM32L011x3/4系列包括7種不同封裝類型的設(shè)備從14到32個引腳。以下描述概述了該家族中提出的外圍設(shè)備。
這些功能使超低功耗STM32L011x3/4微控制器適用于
廣泛
2023-10-09 07:06:47
伺服驅(qū)動器中可以集成多少種電機(jī)驅(qū)動控制電路？
2023-10-08 07:07:48
51單片機(jī)和2H45B驅(qū)動器線連接 怎么連接是直接驅(qū)動器的脈沖、方向、使能與51單片機(jī)的I/O連接嗎
新手求學(xué)謝謝大家
2023-10-07 06:30:04
一：概述
根據(jù)市場需求，開發(fā)一款 16 路高壓 NMOS 漂移柵開漏輸出，降低成本，適用于 LED 流星燈裝飾領(lǐng)域。
二：特點(diǎn)
★CMOS 5V 工作
★封裝形式兼容 DM134
★NMOS 漂移柵開漏輸出，耐壓 20V，輸出電流 40mA
★內(nèi)置流星燈模式,無需外控,實(shí)現(xiàn)流星燈效果
★內(nèi)置穩(wěn)壓管
2023-09-25 06:45:08
在很多地方都會用到驅(qū)動器，但是驅(qū)動器是個整體的概念，簡單的說驅(qū)動器是驅(qū)動某類設(shè)備的驅(qū)動硬件。比如說電腦以及其他的工業(yè)設(shè)備或者是工具上，都會用到驅(qū)動器。本文重點(diǎn)介紹下驅(qū)動器是什么，以及電機(jī)驅(qū)動器是什么。
2023-09-18 10:00:291439 本技術(shù)筆記為采用 HLGA 表面貼裝封裝的 MEMS 傳感器產(chǎn)品提供 PCB設(shè)計(jì)和焊接工藝的通用指南。
2023-09-13 08:03:50
驅(qū)動器類應(yīng)用場景，特別是高壓場景，通常使用輸出濾波器來達(dá)到現(xiàn)場應(yīng)用需求。
2023-09-08 16:17:43683 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431202 
關(guān)節(jié)模組伺服驅(qū)動基于STM32G4解決方案的優(yōu)勢 ? STM32G4芯片體積9X9 mm ? 內(nèi)嵌MOS管前級驅(qū)動，省去外部3個驅(qū)動芯片PCB布局 ? 完全滿足高性能伺服驅(qū)動控制主芯片資源 ? 低成本
2023-09-06 08:06:24
本技術(shù)筆記為采用 HLGA 表面貼裝封裝的 MEMS 傳感器產(chǎn)品提供 PCB 設(shè)計(jì)和焊接工藝的通用指南。
2023-09-05 08:27:53
本技術(shù)筆記為采用 LGA 表面貼裝封裝的 MEMS 傳感器產(chǎn)品提供通用焊接指南。
2023-09-05 07:45:30
用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD，采用意法半導(dǎo)體新型6kV電流隔離技術(shù)，以及SO-36W寬體封裝。瞬態(tài)抗擾度為±100V/ns，可防止電噪音工作條件
2023-09-05 06:59:59
（Ta=25°C）：70W(Tc) 類型：N溝道 N溝道 600V 4A。應(yīng)用場景：適用于高效率開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動器和照明應(yīng)用等，可用于電源因數(shù)校正（PFC）電路中
2023-08-21 10:49:56
% 負(fù)載
集成兩個8mΩ 功率 MOSFET
使用 PWM 信號或模擬信號動態(tài)編程輸出電流和輸出電壓
可調(diào)開關(guān)頻率
使用電阻頻率抖動
良好的 EMI 性能
集成2A MOSFET 門驅(qū)動器
綜合保護(hù)功能
2023-08-16 11:33:09
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于背光AP3156高壓實(shí)現(xiàn)發(fā)光二極管驅(qū)動器應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-26 15:49:180 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DGD2101高壓柵極驅(qū)動器IC.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 15:55:430 LED驅(qū)動器將電源更改為特定電壓電流以驅(qū)動LED電壓轉(zhuǎn)換器。一般來說，LED驅(qū)動器的輸入包括高壓工頻交流電（即城市用電）、低壓直流電、高壓直流電、低壓直流電和高頻交流電（如電子變壓器的輸出
2023-07-04 16:38:263213 納芯微全新推出120V半橋驅(qū)動NSD1224系列產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品具備3A/-4A的峰值驅(qū)動電流能力，集成 高壓自舉二極管 ，提供使能、互鎖、欠壓保護(hù)不同版本，有SOP8、HSOP8、DFN10
2023-06-27 15:14:07
采用了GaNSense?技術(shù)的NV6169 PQFN 8×8 GaNFast?功率IC，適用于更高功率的應(yīng)用
2023-06-16 11:12:02
大部分從事后端設(shè)計(jì)的同行應(yīng)該沒有接觸過帶封裝的IR Drop分析（模塊級別的IR分析不需要考慮封裝），一般只有PA工程師、后端項(xiàng)目經(jīng)理、封裝同事等才會接觸這一部分內(nèi)容。
2023-06-16 10:05:18674 
。PI不斷推出各種新產(chǎn)品，持續(xù)滿足風(fēng)能、光伏以及高壓直流輸電、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域的碳中和需求。 ▋?yōu)樾履茉磻?yīng)用量身定制的并聯(lián)門極驅(qū)動器 王皓介紹說，PI的
2023-06-02 16:12:06887 
常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、
2023-05-12 16:16:38
常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IG
2023-05-12 15:46:12
電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換
2023-05-12 15:40:44
配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 S
2023-05-12 15:34:44
常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT
2023-05-12 15:29:06
常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT
2023-05-12 15:22:37
配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 S
2023-05-12 15:16:27
封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 SiC MOSFET 時需要
2023-05-12 10:47:32
Qorvo 的 UJ4SC075009K4S 是一款 750 V、9 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-12 10:31:25
MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 SiC MOS
2023-05-12 10:14:25
MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 SiC MOSFE
2023-05-12 09:41:31
Qorvo 的 UJ4C075044K4S 是一款 750 V、44 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-12 09:28:29
Qorvo 的 UJ4C075033K4S 是一款 750 V、33 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-12 09:20:45
我們正在使用 PTN38007 評估板/DFP，我將發(fā)生器連接到轉(zhuǎn)接驅(qū)動器的 TX1 引腳，將示波器連接到 RX1 引腳，但示波器中沒有信號。我已將操作模式更改為 USB3 等，但沒有用。
我
2023-05-12 06:47:03
Qorvo 的 UJ4C075023K4S 是一款 750 V、23 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:47:24
Qorvo 的 UJ4C075018K4S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:37:32
MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 SiC M
2023-05-11 16:51:03
與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或
2023-05-11 16:46:09
MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關(guān) SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅(qū)動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結(jié)器件或 SiC MO
2023-05-11 16:44:08
高速風(fēng)筒專用電機(jī)驅(qū)動芯片是一款高壓、高速功率
MOSFET 高低側(cè)驅(qū)動芯片。具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)參
考輸出通道。高速風(fēng)筒專用電機(jī)驅(qū)動芯片采用高低壓
兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動電路可以單芯片集成
2023-05-10 10:05:20
我有 LS1046AFRWY 板的克隆。高速公路板使用 MT40A512M16JY-083E:B（商業(yè)級DDR4）。我的克隆使用 MT40A512M16JY-083E IT:B（工業(yè)級 DDR4
2023-04-24 08:08:20
大部分從事后端設(shè)計(jì)的同行應(yīng)該沒有接觸過帶封裝的IR Drop分析（模塊級別的IR分析不需要考慮封裝），一般只有PA工程師、后端項(xiàng)目經(jīng)理、封裝同事等才會接觸這一部分內(nèi)容。
2023-04-21 09:31:091573 CMD291P4產(chǎn)品簡介Qorvo 的 CMD291P4 是一款寬帶 GaAs MMIC 驅(qū)動放大器，采用無引線 4x4 毫米表面貼裝封裝。該寬帶設(shè)備的工作頻率范圍為 16 至 24 GHz，非常
2023-04-20 11:47:12
ADuM4135是一款單通道柵極驅(qū)動器，專門針對驅(qū)動絕緣柵雙極晶體管(IGBT)進(jìn)行了優(yōu)化。ADI公司的iCoupler?技術(shù)在輸入信號與輸出柵極驅(qū)動器之間實(shí)現(xiàn)隔離。ADuM4135提供米勒箝位
2023-04-19 16:13:20
MASWCC0010GaAs 吸收式，單電源MACOM 的 MASWCC0010 是一款帶有集成 TTL 驅(qū)動器的 SP4T 吸收式 pHEMT 開關(guān)。該器件采用 MLP 塑料表面貼裝封裝。該開關(guān)
2023-04-17 13:48:58
4月12日，上海——納芯微電子（以下簡稱“納芯微”，科創(chuàng)板股票代碼688052）今日宣布推出單通道MLVDS收發(fā)器NLC530x系列，包括NLC5301/2/3/4共四款器件。其中NLC5301
2023-04-13 15:22:28
CMD169P4產(chǎn)品簡介Qorvo 的 CMD169P4 是一款射頻/微波 GaAs MMIC 驅(qū)動放大器，采用無引線 4x4 毫米塑料表面貼裝 (SMT) 封裝。CMD169P4 非常適合小尺寸
2023-04-13 13:23:38
半橋驅(qū)動器
2023-03-28 18:24:31
半橋驅(qū)動器
2023-03-28 18:24:31
高速、高壓、高壓側(cè)柵極驅(qū)動器
2023-03-28 18:24:31
單通道驅(qū)動器
2023-03-28 18:24:30
三相橋式驅(qū)動器
2023-03-28 18:24:30
自振蕩半橋驅(qū)動器
2023-03-28 18:24:30
半橋驅(qū)動器
2023-03-28 18:24:29
8路高壓源極驅(qū)動器
2023-03-28 15:13:06
IR21814類似的驅(qū)動芯片直接驅(qū)動MOS管，該電路具有驅(qū)動簡單，成本低，PCB占用面積小等優(yōu)點(diǎn)，在我司產(chǎn)品中得到廣泛的應(yīng)用。但是，所采用的LLC諧振拓?fù)鋪碚f，驅(qū)動頻率在195K~360K之間變化
2023-03-28 11:42:481746 
半橋驅(qū)動器
2023-03-24 14:48:53
過沖和瞬時過電壓對IGBT的影響?！ ”粍有狗烹娮瑁很囕v在下高壓后，為了保證安全，需要通過泄放電阻把電機(jī)控制器內(nèi)電容的電量放掉?！ °~排：銅排在電機(jī)驅(qū)動器內(nèi)部分為直流和交流銅排，直流銅排是連接直流高壓
2023-03-23 15:45:33
半橋驅(qū)動器
2023-03-23 04:51:18
自振蕩半橋驅(qū)動器
2023-03-23 04:51:18
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