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IR推出采用PQFN4x4封裝的高壓柵級驅(qū)動器

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2025-06-04 09:43:35941

UCC21541 5.7kVrms 1.5A/2.5A 雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列,具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流,可驅(qū)動功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用 DWK 封裝的 UCC2154x 還提
2025-05-24 16:00:00638

UCC21530 5.7kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21530 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動高達(dá) 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET。 輸入側(cè)
2025-05-24 15:47:00684

UCC21530-Q1 汽車、4A、6A、5.7kVRMS、隔離式雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21530-Q1 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動高達(dá) 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET
2025-05-24 15:41:00581

UCC20225-Q1 汽車2.5kVrms 4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC20225-Q1 系列是單輸入、雙輸出隔離式柵極驅(qū)動器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流,采用 5mm x 5mm LGA-13 封裝。它旨在驅(qū)動高達(dá) 5MHz 的功率晶體管,具有
2025-05-24 14:51:00446

UCC21540A 5.7kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列,具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流,可驅(qū)動功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用 DWK 封裝的 UCC2154x 還提
2025-05-24 14:00:00604

UCC21540 5.7kVrms 4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列,具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流,可驅(qū)動功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用 DWK 封裝的 UCC2154x 還提供 3.3mm 的最小通道間距,從而實(shí)現(xiàn)更高的總線電壓。
2025-05-24 10:10:00653

意法半導(dǎo)體電隔離車規(guī)柵極驅(qū)動器STGAP4S提升電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)可擴(kuò)展性和性能

功能,確保電驅(qū)系統(tǒng)通過ISO 26262 ASIL D認(rèn)證 。STGAP4S驅(qū)動器集成模數(shù)轉(zhuǎn)換(ADC)和反激式電源控制,功能豐富,取得了功能安全標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,適用于設(shè)計(jì)可擴(kuò)展的電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)。?? STGAP4S的設(shè)計(jì)靈活性歸功于輸出電路,該電路允許將高壓功率連接到外部MOSFET的推挽式緩沖電路
2025-05-23 10:42:511581

FZH1625 14×4 LCD驅(qū)動器中文手冊

FZH1625 是深圳市方中禾科技有限公司(Premier Chip Limited)推出的一款 14×4 LCD 驅(qū)動器,專為低功耗、多功能的顯示應(yīng)用設(shè)計(jì)。以下是其核心特性與使用要點(diǎn):關(guān)鍵特性
2025-05-23 10:22:330

UCC27324 同相 4A/4A 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC2732x 和 UCC3732x 系列高速雙 MOSFET 驅(qū)動器可提供 4A 拉電流和 4A 灌電流峰值電流,可在米勒高原地區(qū)最需要的地方有效驅(qū)動 MOSFET。獨(dú)特的雙極和 MOSFET
2025-05-22 09:56:351009

UCC37324 具有同相輸入的 4A/4A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC2732x 和 UCC3732x 系列高速雙 MOSFET 驅(qū)動器可提供 4A 拉電流和 4A 灌電流峰值電流,可在米勒高原地區(qū)最需要的地方有效驅(qū)動 MOSFET。獨(dú)特的雙極和 MOSFET
2025-05-22 09:49:50661

UCC37325 4A/4A 雙通道柵極驅(qū)動器,具有 1 個反相、1 個同相輸入數(shù)據(jù)手冊

UCC2732x 和 UCC3732x 系列高速雙 MOSFET 驅(qū)動器可提供 4A 拉電流和 4A 灌電流峰值電流,可在米勒高原地區(qū)最需要的地方有效驅(qū)動 MOSFET。獨(dú)特的雙極和 MOSFET
2025-05-22 09:42:41675

LM5110系列 具有 4V UVLO、專用輸入接地和關(guān)斷輸入的 5A/3A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

(IN_REF) 為基準(zhǔn)。柵極驅(qū)動器 輸出擺幅從 V 開始~抄送~到輸出接地 V~EE 系列~哪 相對于 IN_REF 可以是負(fù)數(shù)。欠壓鎖定保護(hù)和關(guān)斷輸入引腳 。驅(qū)動器可以在輸入和輸出連接到 驅(qū)動電流能力翻倍。該器件采用 SOIC-8 封裝,采用 熱增強(qiáng)型 WSON-10 封裝
2025-05-21 17:40:12806

UCC27423 具有 5V UVLO、使能和反相輸入的 4A/4A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC2742x 系列高速雙通道 MOSFET 驅(qū)動器可向電容性負(fù)載提供較大的峰值電流。提供三種標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng) – 雙反相、雙同相以及單相和單同相驅(qū)動器。熱增強(qiáng)型 8 引腳 PowerPAD
2025-05-21 17:20:43727

UCC27425 4A/4A 雙通道柵極驅(qū)動器,帶使能和反相/同相輸入數(shù)據(jù)手冊

UCC2742x 系列高速雙通道 MOSFET 驅(qū)動器可向電容性負(fù)載提供較大的峰值電流。提供三種標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng) – 雙反相、雙同相以及單相和單同相驅(qū)動器。熱增強(qiáng)型 8 引腳 PowerPAD
2025-05-21 17:11:01665

新品 | EiceDRIVER? 650 V +/- 4 A高壓側(cè)柵極驅(qū)動器 1ED21x7 系列

新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A柵極驅(qū)動器IC與其他產(chǎn)品相比,提供了一種更穩(wěn)健、更具
2025-05-21 17:07:11602

LM5101系列 高壓高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

LM5100/LM5101 高壓柵極驅(qū)動器旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá) 100V 的電源電壓下工作。輸出由 CMOS 輸入閾值
2025-05-21 17:04:58887

UCC27324-Q1 汽車非反相 4A/4A 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC27324-Q1 高速雙 MOSFET 驅(qū)動器可向容性負(fù)載提供大峰值電流。這些驅(qū)動器采用一種本質(zhì)上將擊穿電流降至最低的設(shè)計(jì),在 MOSFET 開關(guān)轉(zhuǎn)換期間,在米勒高原區(qū)域提供 4 A 的電流。獨(dú)特的雙極和 MOSFET 混合并聯(lián)輸出還允許在低電源電壓下實(shí)現(xiàn)高效的電流源和吸收。
2025-05-21 09:43:11898

UCC27425-Q1 具有反相/同相輸入的汽車類 4A/4A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC2742x-Q1 系列器件是高速雙通道 MOSFET 驅(qū)動器,能夠向容性負(fù)載提供較大的峰值電流。提供兩種標(biāo)準(zhǔn)邏輯選項(xiàng):雙反相和雙同相驅(qū)動器。它們采用標(biāo)準(zhǔn) 8 引腳 SOIC (D) 封裝。熱
2025-05-21 09:29:55522

UCC27516 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動器,采用 SON 封裝數(shù)據(jù)手冊

UCC27516 和 UCC27517 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可以 有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流、UCC27516 和 UCC27517 可以
2025-05-20 14:39:15826

UCC21520 5.7kVRMS 4A/6A 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器,具有雙輸入和禁用引腳數(shù)據(jù)手冊

UCC21520 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計(jì)用于驅(qū)動高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。 輸入側(cè)通過
2025-05-19 15:34:431495

UCC21521 5.7kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21521 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它旨在驅(qū)動高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的傳播延遲和脈
2025-05-19 14:27:00788

UCC20520 5.7-kVrms, 4-A/6-A雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC20520 是一款隔離式單輸入、雙通道柵極驅(qū)動器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它旨在驅(qū)動高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的傳播
2025-05-19 14:21:04568

UCC20225 2.5kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC20225 是一款隔離式單輸入、雙輸出柵極驅(qū)動器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流,采用 5mm x 5mm LGA-13 封裝。它旨在驅(qū)動高達(dá) 5MHz 的功率晶體管,具有一流
2025-05-19 13:50:53693

HPD2606X 600V半橋柵極驅(qū)動器技術(shù)手冊:高壓高速M(fèi)OSFET和IGBT驅(qū)動設(shè)計(jì)

內(nèi)容概要:HPD2606X是一款600V半橋柵極驅(qū)動器采用專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù),能夠穩(wěn)定驅(qū)動高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設(shè)計(jì)、抗dV/dt瞬態(tài)負(fù)電壓能力、寬門
2025-05-19 11:33:300

UCC20225A-Q1 汽車 2.5kVrms、4A/6A 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC20225-Q1 系列是單輸入、雙輸出隔離式柵極驅(qū)動器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流,采用 5mm x 5mm LGA-13 封裝。它旨在驅(qū)動高達(dá) 5MHz 的功率晶體管,具有
2025-05-17 11:49:38697

UCC21542 5.7kVrms,4A/6A 雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC2154x 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列,具有高達(dá) 4A/6A 的峰值拉/灌電流,可驅(qū)動功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用 DWK 封裝的 UCC2154x 還提
2025-05-16 15:45:33765

UCC21551-Q1 汽車 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

。 UCC21551x-Q1 可配置為兩個低側(cè)驅(qū)動器、兩個高側(cè)驅(qū)動器或一個半橋驅(qū)動器。輸入側(cè)通過 5kVRMS 隔離與兩個輸出驅(qū)動器隔離,具有最小 125V/ns 的共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)。DFJ28 封裝提供 >5.3mm CH 到 CH 爬電距離,以支持高壓系統(tǒng)。
2025-05-16 11:38:18691

UCC21551 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21551x 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),用于驅(qū)動功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶體管
2025-05-16 09:51:30554

UCC21550-Q1 汽車類 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器,具有用于IGBT的DIS和DT引腳數(shù)據(jù)手冊

UCC21550-Q1 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列,具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管
2025-05-16 09:30:59664

UCC21550 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21550 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管
2025-05-16 09:17:06914

UCC21330-Q1 汽車 3kVRMS 4A/6A 雙通道柵極驅(qū)動器,具有禁用邏輯和可編程死區(qū)時間數(shù)據(jù)手冊

UCC21330-Q1 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列,具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管
2025-05-15 17:43:58718

UCC21331 3kVRMS 4A/6A 雙通道柵極驅(qū)動器,帶使能邏輯和可編程死區(qū)時間數(shù)據(jù)手冊

UCC21331 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),用于驅(qū)動功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶體管
2025-05-15 16:14:49607

UCC21331-Q1 汽車 3kVRMS 4A/6A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21331-Q1 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列,具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶體管
2025-05-15 16:09:14592

UCC21231 具有 4A 拉電流和 6A 灌電流的高速雙通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21231 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動器系列。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。UCC21231 采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì),以
2025-05-15 14:38:21643

TPS4811-Q1 汽車 3.5V 至 100V 高壓側(cè)驅(qū)動器,具有保護(hù)和診斷功能數(shù)據(jù)手冊

TPS4811x-Q1 系列是一款具有保護(hù)和診斷功能的 100V 智能高壓側(cè)驅(qū)動器。該器件具有 3.5V–80V 的寬工作電壓范圍,適用于 12V、24V 和 48V 系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 它具有強(qiáng)大
2025-05-07 16:11:271127

HMC997LC4模擬可變增益放大器,采用SMT封裝,17-27GHz技術(shù)手冊

HMC997LC4是一款GaAs MMIC PHEMT模擬可變增益放大器和/或驅(qū)動器放大器,工作頻率范圍為17至27 GHz。 該放大器提供高達(dá)20.5 dB增益、高達(dá)+24 dBm P1dB以及
2025-04-19 15:44:22748

HMC6187LP4E可變增益放大器,采用SMT封裝,27-31.5GHz技術(shù)手冊

HMC6187LP4E是一款GaAs MMIC pHEMT模擬可變增益放大器和/或驅(qū)動器放大器,工作頻率范圍為27至31.5 GHz,適合用于微波無線電應(yīng)用。 該放大器最高可提供19 dB增益
2025-04-19 15:14:00813

HMC577LC4B x2有源倍頻采用SMT封裝技術(shù)手冊

HMC577LC4B是一款x2有源寬帶倍頻,使用GaAs PHEMT技術(shù),采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無引腳SMT封裝。 由+5 dBm信號驅(qū)動時,該倍頻提供+20 dBm的典型輸出功率,在27至31 GHz的頻率下工作。 在29 GHz頻率下的Fo和3Fo隔離為>55 dBc。
2025-04-18 11:40:42770

HMC575LP4/575LP4E x2有源倍頻,采用SMT封裝技術(shù)手冊

HMC575LP4(E)是一款x2有源寬帶倍頻,使用GaAs PHEMT技術(shù),采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無引腳SMT封裝。 由3 dBm信號驅(qū)動時,該倍頻提供+17 dBm的典型輸出功率,在6至9 GHz的頻率下工作。 相對于輸出信號電平,F(xiàn)o和3Fo隔離為15 dBc。
2025-04-18 11:19:41918

HMC444LP4/444LP4E有源x8倍頻,采用SMT封裝技術(shù)手冊

HMC444LP4(E)是一款有源微型x8倍頻,使用InGaP GaAs HBT技術(shù),采用4x4 mm無引腳表面貼封裝。 功率輸出為+6 dBm(典型值),電源電壓為5V,在不同的輸入功率、溫度和電源電壓下變化很小。
2025-04-17 17:03:10999

HMC443LP4/443LP4E x4有源倍頻,采用SMT封裝技術(shù)手冊

HMC443LP4(E)是一款有源微型x4倍頻,使用InGaP GaAs HBT技術(shù),采用4x4 mm無引腳表面貼封裝。 功率輸出為+4 dBm(典型值),電源電壓為5V,在不同的輸入功率、溫度
2025-04-17 16:42:19796

ULN2003 7通道SOP16封裝達(dá)林頓晶體管驅(qū)動器英文手冊

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ULN2003 7通道SOP16封裝達(dá)林頓晶體管驅(qū)動器英文手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-04-17 16:11:571

HMC370LP4/370LP4E x4有源倍頻SMT技術(shù)手冊

HMC370LP4(E)是一款利用InGaP GaAs HBT技術(shù)制造而成的有源微型x4倍頻采用4x4 mm無鉛表面貼封裝。 在5V電源電壓下,功率輸出為0 dBm(典型值)且相對輸入功率
2025-04-17 11:30:11775

HMC368LP4/368LP4E x2有源倍頻SMT技術(shù)手冊

HMC368LP4(E)是一款利用GaAs PHEMT技術(shù)制造而成的微型放大器倍頻,采用4x4 mm無鉛表面貼封裝。 由+2 dBm信號驅(qū)動時,該倍頻在9至16 GHz范圍內(nèi)提供+15 dBm
2025-04-17 11:15:55836

AM625SIP 通用系統(tǒng)封裝,采用 Arm? Cortex-A53? 和集成 LPDDR4數(shù)據(jù)手冊

AM625SIP 是 ALW 封裝的 AM6254 器件的系統(tǒng)封裝 (SIP) 衍生產(chǎn)品,增加了集成的 LPDDR4 SDRAM。本文檔僅定義了 AM62x Sitara 處理數(shù)據(jù)表 (修訂版
2025-04-15 09:22:071300

STP4CMP 具有電荷泵的低壓4通道恒定電流LED驅(qū)動器技術(shù)手冊

STP4CMP 是一款基于電荷泵的 4 通道 LED 驅(qū)動器,專為 RGB 照明或 LCD 顯示屏背光而設(shè)計(jì)。STP4CMP 使用輸入電壓在 2.7 V 和 5.5 V 之間的電池供電。該器件可產(chǎn)生
2025-04-14 17:42:55982

HMC264LM3次諧波混頻,采用SMT封裝技術(shù)手冊

放大器采用單偏置(+3V至+4V)雙設(shè)計(jì),僅需-4 dBm的驅(qū)動。 所有數(shù)據(jù)均通過安裝在50 ?測試夾具中的非密封型、環(huán)氧樹脂密封LM3封裝器件獲取。 采用HMC264LM3即無需線焊,從而為客戶提供一致的接口。
2025-04-01 14:43:12784

HMC633LC4驅(qū)動放大器,采用SMT封裝,5.5-17GHz技術(shù)手冊

HMC633LC4是一款GaAs PHEMT MMIC驅(qū)動放大器,采用無鉛4x4 mm表貼陶瓷封裝,工作頻率范圍為5.5至17 GHz。 該放大器提供高達(dá)30 dB的增益、+30 dBm輸出IP3及+23 dBm的輸出功率(1 dB增益壓縮時),功耗為180 mA(+5V電源)。
2025-03-21 09:28:32803

HMC519LC4低噪聲放大器,采用SMT封裝,18-31GHz技術(shù)手冊

、3.5 dB的噪聲系數(shù)、+23 dBm的輸出IP3,采用+3V單電源時功耗僅為75 mA。 +11 dBm的P1dB輸出功率使LNA可用作許多平衡、I/Q或鏡像抑制混頻的LO驅(qū)動器。 HMC519LC4還具有隔直的I/O,內(nèi)部匹配50 Ohms,因而非常適合微波無線電和VSAT應(yīng)用。
2025-03-20 14:45:25786

HMC383LC4中等功率放大器,12-30GHz技術(shù)手冊

內(nèi)具有一致的增益和輸出功率,因而可以在多個無線電頻段使用一個通用的驅(qū)動器/LO放大器。 隔直RF I/O匹配至50 Ω,使用方便。 HMC383LC4采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無引腳4x4 mm 封裝,兼容表面貼制造技術(shù)。
2025-03-20 10:55:39699

HMC342LC4低噪聲放大器,采用SMT封裝,13-25GHz技術(shù)手冊

HMC342LC4是一款GaAs PHEMT MMIC低噪音放大器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無引腳4x4 mm SMT封裝。 該放大器的工作頻率范圍為13至25 GHz,采用+3V單電源時提供22
2025-03-20 09:21:54786

新品 | EiceDRIVER? 650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動器1ED21x7系列

新品EiceDRIVER650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動器1ED21x7系列英飛凌的新一代EiceDRIVER1ED21x7x650V、+/-4A柵極驅(qū)動器IC與其他產(chǎn)品相比,提供了一種更穩(wěn)健、更具
2025-03-18 17:04:16877

HMC596 CMOS 4x2開關(guān)矩陣,采用SMT封裝技術(shù)手冊

HMC596LP4(E)是一款低成本4x2開關(guān)矩陣產(chǎn)品,采用無引腳QFN 4x4 mm表貼封裝,可用于衛(wèi)星/DBS、LNB和200 MHz至3000 MHz的多路開關(guān)。 開關(guān)上集成由正電壓控制的4位解碼。 該開關(guān)可用于75 Ω或50 Ω系統(tǒng)。
2025-03-07 16:50:271511

應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率熱性能總結(jié)

德州儀器(TI)提供的一種新的驅(qū)動器集成氮化鎵(GaN)功率產(chǎn)品系列已在一個低成本、緊湊的四扁平無引腳(QFN)封裝中實(shí)現(xiàn),該封裝尺寸為12mm x 12mm。這種擴(kuò)大的QFN封裝可以從GaN
2025-02-25 10:36:391037

上新?|?HPM6E80高壓伺服EtherCAT驅(qū)動器方案

求遠(yuǎn)電子基于先楫半導(dǎo)體HPM6E80推出的HPM6E00_EtherCAT_MDR高壓伺服EtherCAT從站驅(qū)動器方案,提供完善的軟硬件參考,可極大的降低產(chǎn)品開發(fā)難度,縮短產(chǎn)品上市時間
2025-02-08 13:38:261083

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