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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>豐田通商試銷采用SiO2納米粒子的窗用保溫隔熱薄膜

豐田通商試銷采用SiO2納米粒子的窗用保溫隔熱薄膜

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2025-07-17 17:37:011011

TDK推出適用于大電流汽車應(yīng)用的電源電路薄膜電感器

TDK株式會(huì)社(TSE:6762)進(jìn)一步擴(kuò)大其TFM201612BLEA系列(2.0 x 1.6 x 1.2 毫米 – 長(zhǎng) x 寬 x 高)車載電源電路薄膜電感器,將電流增加至5.6A。兩款新元件的額定電感值分別為0.33μH和0.47μH。該系列產(chǎn)將于2025年7月開始量產(chǎn)。
2025-07-17 16:41:1811648

肖特基二極管四通道混頻器芯片采用薄膜框架 skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()肖特基二極管四通道混頻器芯片采用薄膜框架相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有肖特基二極管四通道混頻器芯片采用薄膜框架的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,肖特基二極管四通
2025-07-15 18:33:03

Molex薄膜電池的技術(shù)原理是什么?-赫聯(lián)電子

和二氧化錳制成。這種材料組合使得電池在處理時(shí)更為方便,同時(shí)也降低了環(huán)境風(fēng)險(xiǎn),因?yàn)闆]有使用重金屬等有害物質(zhì)。   (2)堆疊結(jié)構(gòu):Molex薄膜電池采用堆疊結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)有助于減少陽(yáng)極和陰極之間的距離,進(jìn)而
2025-07-15 17:53:47

氧化硅薄膜和氮化硅薄膜工藝詳解

氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。
2025-06-24 09:15:231746

粒子加速器?——?科技前沿的核心裝置

粒子加速器全稱“荷電粒子加速器”,是一種利用電磁場(chǎng)在高真空環(huán)境中對(duì)帶電粒子(如電子、質(zhì)子、離子)進(jìn)行加速和控制,使其獲得高能量的特種裝置。粒子加速器技術(shù)現(xiàn)已發(fā)展成為集高能物理、核物理、材料科學(xué)
2025-06-19 12:05:003005

Momenta亮相第二屆廣汽豐田科技日

近日,第二屆廣汽豐田科技日在廣州南沙舉辦。廣汽豐田攜手Momenta、華為、小米等“科技朋友圈”,率先開啟合資領(lǐng)域AI生態(tài)布局。Momenta作為廣汽豐田智能輔助駕駛合作伙伴,不斷將先進(jìn)AI技術(shù)與智能方案融入廣汽豐田的造車安全理念之中。
2025-06-16 16:18:13784

華為攜手廣汽豐田塑造智能出行新體驗(yàn)

近日,在廣汽豐田2025科技日活動(dòng)上,華為數(shù)字能源智能電動(dòng)產(chǎn)品線總裁王超發(fā)表了“品質(zhì)為本,駕馭非凡,塑造智能出行新體驗(yàn)”的主題演講。王超表示,華為和廣汽豐田基于“品質(zhì)穩(wěn)定”達(dá)成的高度共識(shí),將持續(xù)在
2025-06-14 11:09:45991

豐田集團(tuán)五家公司攜手成立豐田軟件學(xué)院

近日,豐田集團(tuán)旗下五家公司——株式會(huì)社愛信、株式會(huì)社電裝、豐田通商株式會(huì)社、豐田汽車株式會(huì)社、Woven by Toyota株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱“豐田集團(tuán)五家公司”)聯(lián)合宣布,正式成立“豐田軟件學(xué)院
2025-06-12 14:15:13839

VirtualLab Fusion應(yīng)用:氧化硅膜層的可變角橢圓偏振光譜(VASE)分析

VirtualLab Fusion中的橢圓偏振分析器在二氧化硅(SiO2)涂層上的使用。對(duì)于系統(tǒng)的參數(shù),我們參考Woollam等人的工作 \"可變角度橢圓偏振光譜儀(VASE)概述。I.
2025-06-05 08:46:36

改進(jìn)粒子群算法的永磁同步電機(jī)PID控制器

采用粒子優(yōu)化算法進(jìn)行PID模糊控制訓(xùn)練能提高永磁同步電機(jī)的控制精度,提出一種基于改進(jìn)粒子群算法的永磁同步電機(jī) PID控制方法,構(gòu)建永磁同步電機(jī)PD模糊控制目標(biāo)畫數(shù),選擇電壓、轉(zhuǎn)矩、速度和電磁損耗等
2025-05-28 15:44:44

Keithley 6517B在納米材料導(dǎo)電性測(cè)量中的應(yīng)用

一、引言:納米材料導(dǎo)電性測(cè)量的挑戰(zhàn)與需求 納米材料的導(dǎo)電性受尺寸效應(yīng)、表面態(tài)、量子隧穿等因素影響,傳統(tǒng)測(cè)量方法難以滿足其高精度需求。例如,納米薄膜的厚度僅為幾納米,電流可能低至飛安(fA)級(jí)別,且
2025-05-26 17:01:52548

UCC21732-Q1 汽車類 5.7kVrms ±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

。UCC21732-Q1 具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和灌電流。 輸入側(cè)采用 SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)隔離,支持高達(dá) 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 浪涌抗擾度和超過 40 年的隔離柵壽命,并提供低器件間偏斜、>150V/ns 共模噪聲抗擾度 (CMTI)。
2025-05-24 14:20:00505

超聲波指紋模組靈敏度飛升!低溫納米燒結(jié)銀漿立大功

體驗(yàn)。在一些高端智能手機(jī)中,采用了低溫納米燒結(jié)銀漿的醋酸布指紋識(shí)別系統(tǒng),解鎖時(shí)間從傳統(tǒng)的幾百毫秒縮短到了幾十毫秒,幾乎實(shí)現(xiàn)了瞬間解鎖,讓用戶感受到了科技帶來的便捷與高效 。 穩(wěn)固貼合,杜絕 “接觸不良
2025-05-22 10:26:27

UCC21710-Q1 汽車級(jí) 5.7kVrms 10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和灌電流。 輸入側(cè)采用 SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)隔離,支持高達(dá) 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 浪涌抗擾度和超過 40 年的隔離柵壽命,并提供低器件間偏移和 >150V/ns 共模噪聲抗擾度 (CMTI)。
2025-05-17 11:28:261161

UCC21739-Q1 汽車級(jí) 3kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

。UCC21739-Q1 具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和吸收電流。 輸入側(cè)采用 SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)隔離,支持高達(dá) 636VRMS 的工作電壓、6kVPK 浪涌抗擾度基本隔離,隔離柵壽命超過 40 年,并提供低器件間偏移和 >150V/ns 共模噪聲抗擾度 (CMTI)。
2025-05-17 10:27:13691

UCC21732 5.7kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 2 級(jí)關(guān)斷功能,用于 IGBT/SiC FET數(shù)據(jù)手冊(cè)

高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和灌電流。 輸入側(cè)采用 SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)隔離,支持高達(dá) 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 浪涌抗擾度和超過 40 年的隔離柵壽命,并提供低器件間偏斜、>150V/ns 共模噪聲抗擾度 (CMTI)。
2025-05-16 18:00:09807

UCC21759-Q1 汽車級(jí)3.0kVrms,±10A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

。UCC21759-Q1 具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和灌電流。 輸入側(cè)采用 SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)隔離,支持高達(dá) 636VRMS 的工作電壓,隔離柵壽命超過 40 年,6kVPK 浪涌抗擾度,并提供低器件間偏移和 >150V/ns 共模噪聲抗擾度 (CMTI)。
2025-05-16 15:53:35588

UCC21737-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車級(jí) 10A 隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

±10A 的峰值拉電流和灌電流。 輸入側(cè)采用 SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)隔離,支持高達(dá) 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 浪涌抗擾度,隔離柵壽命超過 40 年,并提供低器件間偏移和 >150V/ns 共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)。
2025-05-16 14:34:01780

UCC21755-Q1 具有主動(dòng)保護(hù)和隔離感應(yīng)功能的汽車類 ±10A 隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

。UCC21755-Q1 具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和吸收電流。 輸入側(cè)采用 SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)隔離,支持高達(dá) 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 浪涌抗擾度和超過 40 年的隔離柵壽命,并提供低器件間偏移和 >150V/ns 共模噪聲抗擾度 (CMTI)。
2025-05-16 14:27:31604

UCC21717-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車類 10A 拉/灌單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

具有高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和灌電流。 輸入側(cè)采用 SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)隔離,支持高達(dá) 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 浪涌抗擾度和超過 40 年的隔離柵壽命,并提供低器件間偏移和 >150V/ns 共模噪聲抗擾度 (CMTI)。
2025-05-16 11:07:10697

美國(guó)科研人員開發(fā)出新型量子傳感器,提升粒子探測(cè)時(shí)空精度

同步高精度追蹤。 ▲ SMSPD 可以精確地探測(cè)單個(gè)粒子。圖片來源:美國(guó)費(fèi)米實(shí)驗(yàn)室 SMSPD 與超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器相似,后者在量子網(wǎng)絡(luò)和天文學(xué)實(shí)驗(yàn)中已有應(yīng)用。然而,SMSPD 具有更大的表面積,能收集更多粒子噴流,更適合用于粒子物理實(shí)驗(yàn)。在測(cè)試中,研
2025-05-11 16:25:13431

中國(guó)重汽與豐田汽車達(dá)成戰(zhàn)略合作

近日,中國(guó)重汽與豐田汽車在日本名古屋豐田總部簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。山東重工集團(tuán)黨委書記、董事長(zhǎng)滿慎剛,豐田汽車副社長(zhǎng)宮崎洋一出席簽約活動(dòng)并進(jìn)行座談交流。山東重工集團(tuán)黨委委員、副總經(jīng)理馬常海,豐田汽車氫能工廠總經(jīng)理山形光正參加活動(dòng)。
2025-04-29 16:16:22627

豐田押寶上海獨(dú)資工廠 豐田獨(dú)資新能源項(xiàng)目落地上海

據(jù)新華社報(bào)道,4月22日,上海市人民政府與豐田汽車公司在滬簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。本次協(xié)議的簽署,標(biāo)志著豐田獨(dú)資的雷克薩斯新能源汽車項(xiàng)目落地取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展。據(jù)悉豐田將在上海總投資146億元,雙方將在新能源
2025-04-23 16:11:58823

薄膜穿刺測(cè)試:不同類型薄膜材料在模擬汽車使用環(huán)境下的穿刺性能

在汽車行業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下,薄膜材料在汽車制造中的應(yīng)用愈發(fā)廣泛,從精致的內(nèi)飾裝飾薄膜,到關(guān)乎生命安全的安全氣囊薄膜,其性能優(yōu)劣直接左右著汽車的品質(zhì)與安全。而薄膜穿刺測(cè)試,作為衡量薄膜可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)
2025-04-23 09:42:36793

優(yōu)可測(cè)白光干涉儀和薄膜厚度測(cè)量?jī)x:如何把控ITO薄膜的“黃金參數(shù)”

ITO薄膜的表面粗糙度與厚度影響著其產(chǎn)品性能與成本控制。優(yōu)可測(cè)亞納米級(jí)檢測(cè)ITO薄膜黃金參數(shù),幫助廠家優(yōu)化產(chǎn)品性能,實(shí)現(xiàn)降本增效。
2025-04-16 12:03:19824

皮秒脈沖激光技術(shù)在AS32S601單粒子效應(yīng)評(píng)估中的應(yīng)用

在現(xiàn)代電子技術(shù)領(lǐng)域,隨著集成電路的不斷發(fā)展和應(yīng)用范圍的日益擴(kuò)大,其在復(fù)雜環(huán)境下的可靠性問題愈發(fā)受到關(guān)注。單粒子效應(yīng)(Single Event Effect, SEE)是影響微電子器件在輻射環(huán)境中
2025-04-03 17:05:121085

【「芯片通識(shí)課:一本書讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗(yàn)】芯片怎樣制造

個(gè)SiO2薄層。 接下來進(jìn)行光刻。第一步是在SiO2薄層上均勻涂布正性光刻膠層;第二步是隔著光掩膜版向下面的正性光刻膠層曝光;第三步是對(duì)光刻膠層進(jìn)行定影和后烘固化;第四步是顯影,即腐蝕溶解掉感光區(qū)域
2025-04-02 15:59:44

【「芯片通識(shí)課:一本書讀懂芯片技術(shù)」閱讀體驗(yàn)】了解芯片怎樣制造

工藝:光刻膠除膠,蝕刻未被保護(hù)的SiO2,顯影,除膠。 材料:晶圓,研磨拋光材料,光按模板材料。光刻膠,電子化學(xué)品。工業(yè)氣體,靶材,封裝材料 硅片制造:單晶硅棒拉制,硅棒切片,硅片研磨拋光,硅片氧化
2025-03-27 16:38:20

永磁同步直線電機(jī)的粒子群PID空間矢量控制

PID 控制器,并通過 MAT- LAB/Simulink 對(duì)永磁同步直線電機(jī)和其空間矢量控制系統(tǒng)進(jìn)行建模和仿真實(shí)驗(yàn)。仿真結(jié)果表明,采用粒子群優(yōu)化算法的 PID控制系統(tǒng)在指定速度 1 m/s 和加
2025-03-27 12:07:00

全球芯片產(chǎn)業(yè)進(jìn)入2納米競(jìng)爭(zhēng)階段:臺(tái)積電率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)!

隨著科技的不斷進(jìn)步,全球芯片產(chǎn)業(yè)正在進(jìn)入一個(gè)全新的競(jìng)爭(zhēng)階段,2納米制程技術(shù)的研發(fā)和量產(chǎn)成為了各大芯片制造商的主要目標(biāo)。近期,臺(tái)積電、三星、英特爾以及日本的Rapidus等公司紛紛加快了在2納米
2025-03-25 11:25:481285

Molex薄膜電池有什么?-赫聯(lián)電子

  Molex 的薄膜電池由鋅和二氧化錳制成,讓最終用戶更容易處置電池。大多數(shù)發(fā)達(dá)國(guó)家都有處置規(guī)定;這使得最終用戶處置帶有鋰電池的產(chǎn)品既昂貴又不便。消費(fèi)者和醫(yī)療制造商需要穿著舒適且輕便的解決方案
2025-03-21 11:52:17

常見的幾種薄膜外延技術(shù)介紹

薄膜外延生長(zhǎng)是一種關(guān)鍵的材料制備方法,其廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件、光電子學(xué)和納米技術(shù)領(lǐng)域。
2025-03-19 11:12:232317

Techwiz LCD 1D應(yīng)用:光學(xué)薄膜設(shè)計(jì)與分析

偏光片是二向色染料染色聚乙烯醇基薄膜,然后拉伸制成的。然后,TAC(三乙酰纖維素)附著在偏光片的頂部作為保護(hù)膜。PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)作為TAC薄膜的替代品,雖然性價(jià)比高,但它存在嚴(yán)重
2025-03-14 08:47:25

虹科免拆案例 | 2023款豐田雷凌汽油版車行駛中偶爾出現(xiàn)通信故障

2023款豐田雷凌汽油版車行駛中偶爾出現(xiàn)通信故障廣汽豐田汽車有限公司莫大巍故障現(xiàn)象故障診斷故障排除一輛2023款豐田雷凌汽油版車,搭載1.5L發(fā)動(dòng)機(jī),累計(jì)行駛里程約為4700km。車主反映,行駛中
2025-03-05 11:34:39795

芯片制造中薄膜厚度量測(cè)的重要性

本文論述了芯片制造中薄膜厚度量測(cè)的重要性,介紹了量測(cè)納米級(jí)薄膜的原理,并介紹了如何在制造過程中融入薄膜量測(cè)技術(shù)。
2025-02-26 17:30:092660

CMT8120N0雙向數(shù)字隔離器的技術(shù)特性及應(yīng)用解析

內(nèi)容概要:本文詳細(xì)介紹了CMT8120N0系列雙向數(shù)字隔離器的技術(shù)特點(diǎn)和應(yīng)用案例。該隔離器采用SiO2絕緣柵,支持高達(dá)5kVrms隔離電壓。文章涵蓋了產(chǎn)品特性,包括增強(qiáng)的電磁兼容性(EMC),系統(tǒng)
2025-02-21 09:34:430

廣汽豐田蒞臨中汽中心座談交流

近日,廣汽豐田汽車有限公司(以下簡(jiǎn)稱“廣汽豐田”)副總經(jīng)理望軍一行到訪中汽中心,與中汽中心黨委委員、副總經(jīng)理周華進(jìn)行座談交流。
2025-02-20 10:29:47868

保溫磚導(dǎo)熱系數(shù)的測(cè)定方法

在建筑領(lǐng)域,保溫磚憑借其優(yōu)良的保溫隔熱性能,成為建筑圍護(hù)結(jié)構(gòu)的重要材料。導(dǎo)熱系數(shù)作為衡量保溫磚性能的核心參數(shù),直接影響著建筑的能耗與室內(nèi)熱環(huán)境質(zhì)量。但如何去準(zhǔn)確測(cè)定保溫磚的導(dǎo)熱系數(shù),對(duì)建筑節(jié)能
2025-02-10 16:04:231167

PECVD中影響薄膜應(yīng)力的因素

本文介紹了PECVD中影響薄膜應(yīng)力的因素。 影響PECVD 薄膜應(yīng)力的因素有哪些?各有什么優(yōu)缺點(diǎn)? 以SiH4+NH3/N2生成SiNx薄膜,SiH4+NH3+NO2生成SiON薄膜為例,我這邊歸納
2025-02-10 10:27:001660

豐田宣布重大投資計(jì)劃

近期,豐田汽車公司對(duì)外宣布了一系列旨在推動(dòng)電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車發(fā)展的關(guān)鍵舉措。 一方面,豐田汽車公司與上海市政府達(dá)成了合作意向。根據(jù)這一意向,豐田將在上海金山區(qū)獨(dú)資設(shè)立一家專注于雷克薩斯純電動(dòng)汽車
2025-02-08 14:23:561137

LPCVD氮化硅薄膜生長(zhǎng)的機(jī)理

可以看出, SiH4提供的是Si源,N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應(yīng)溫度較高,氫原子往往從氮化硅薄膜中去除,因此反應(yīng)物中氫的含量較低。氮化硅中主要由硅和氮元素組成。而PECVD反應(yīng)
2025-02-07 09:44:141232

光刻機(jī)納米位移系統(tǒng)設(shè)計(jì)

光刻機(jī)納米位移系統(tǒng)設(shè)計(jì)
2025-02-06 09:38:031028

VirtualLab Fusion應(yīng)用:氧化硅膜層的可變角橢圓偏振光譜(VASE)分析

VirtualLab Fusion中的橢圓偏振分析器在二氧化硅(SiO2)涂層上的使用。對(duì)于系統(tǒng)的參數(shù),我們參考Woollam等人的工作 \"可變角度橢圓偏振光譜儀(VASE)概述。I.
2025-02-05 09:35:38

?塵埃粒子計(jì)數(shù)器有什么特點(diǎn)

在當(dāng)今對(duì)空氣質(zhì)量要求日益嚴(yán)苛的時(shí)代,塵埃粒子計(jì)數(shù)器作為一種高效、準(zhǔn)確的檢測(cè)工具,正逐漸成為眾多領(lǐng)域重要的得力助手。它采用激光散射原理,以穩(wěn)定的氣流流速對(duì)空氣進(jìn)行采樣,當(dāng)空氣中的微粒通過內(nèi)部光敏
2025-01-24 11:44:24756

制作金屬電極的過程

在完成選擇性氧化制程后,通常會(huì)將蝕刻后殘留在磊晶片表面繼續(xù)作為氧化制程保護(hù)層的?SiO2或?SiNx以RIE?蝕刻去除,然后再將樣品放入?PECVD?重新成長(zhǎng)??SiO2或?SiNx表面披覆
2025-01-24 10:59:291320

加州理工學(xué)院:研究一種無(wú)創(chuàng)監(jiān)測(cè)女性激素的可穿戴生物傳感器

誘導(dǎo)鏈置換反應(yīng)的可穿戴適配體納米 生物傳感器 ,通過原位汗液分析實(shí)現(xiàn)雌二醇的自動(dòng)和非侵入式監(jiān)測(cè)。 該無(wú)試劑、無(wú)擴(kuò)增的“信號(hào)開啟”檢測(cè)方法結(jié)合基于金納米粒子-MXene的檢測(cè)電極,提供了優(yōu)異的靈敏度,檢測(cè)限低至0.14?pM。該完全集成
2025-01-22 09:22:372481

Jcmsuite應(yīng)用:光場(chǎng)遇到納米球的散射與吸收

這個(gè)教程的例子模擬光散射到襯底上的球面粒子。粒子被S偏振和p偏振的斜射平面波照射。JCMsuite計(jì)算近場(chǎng)解。后處理用于計(jì)算吸收和衍射截面,并導(dǎo)出場(chǎng)輪廓。 近場(chǎng)強(qiáng)度(偽色,對(duì)數(shù)尺度)在兩個(gè)截面
2025-01-22 08:57:00

臺(tái)階薄膜測(cè)厚儀

NS系列臺(tái)階薄膜測(cè)厚儀是一款超精密接觸式微觀輪廓測(cè)量?jī)x器。采用線性可變差動(dòng)電容傳感器(LVDC),具有亞埃級(jí)分辨率,13μm量程下可達(dá)0.01埃。高信噪比和低線性誤差,使得產(chǎn)品能掃描到幾納米至幾百
2025-01-20 17:21:10

CVD薄膜質(zhì)量的影響因素及故障排除

本文介紹了CVD薄膜質(zhì)量的影響因素及故障排除。 CVD薄膜質(zhì)量影響因素 以下將以PECVD技術(shù)沉積薄膜作為案例,闡述影響薄膜品質(zhì)的幾個(gè)核心要素。 PECVD工藝質(zhì)量主要受氣壓、射頻能量、襯底溫度
2025-01-20 09:46:473313

RIGOL高能粒子物理實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的應(yīng)用案例

在高能物理實(shí)驗(yàn)中,PMT作為粒子探測(cè)器的重要組成部分,廣泛應(yīng)用于各種實(shí)驗(yàn)裝置中。例如,PMT可以用于測(cè)量帶電粒子的軌跡和能量,通過精確測(cè)量粒子在磁場(chǎng)中的飛行時(shí)間和偏轉(zhuǎn)角度,可以推算出粒子的質(zhì)量、電荷
2025-01-17 16:40:001076

納米晶體技術(shù)介紹

本文旨在介紹人類祖先曾經(jīng)使用過納米晶體的應(yīng)用領(lǐng)域。 ? 納米技術(shù)/材料在現(xiàn)代社會(huì)中的應(yīng)用與日俱增。納米晶體,這一類獨(dú)特的納米材料,預(yù)計(jì)將在液晶顯示器、發(fā)光二極管、激光器等新一代設(shè)備中發(fā)揮關(guān)鍵作用
2025-01-13 09:10:191505

Rapidus攜手博通推進(jìn)2納米芯片量產(chǎn)

近日,據(jù)日媒報(bào)道,日本半導(dǎo)體新興企業(yè)Rapidus正與全球知名芯片制造商博通(Broadcom)展開合作,共同致力于2納米尖端芯片的量產(chǎn)。Rapidus計(jì)劃在今年6月向博通提供試產(chǎn)芯片,以驗(yàn)證其技術(shù)
2025-01-10 15:22:001051

Rapidus或攜手博通,6月提供2納米芯片原型

半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者,一直致力于推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展。此次與博通的合作,將使得Rapidus能夠借助博通在半導(dǎo)體市場(chǎng)的廣泛影響力,進(jìn)一步拓展其業(yè)務(wù)范圍。 據(jù)悉,Rapidus的2納米制程芯片原型將采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝,具有出色的性能和功耗表現(xiàn)。通過與博通的合
2025-01-09 13:38:21936

豐田汽車一行到訪中汽中心

近日,豐田汽車株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱“豐田”)車輛開發(fā)中心中心長(zhǎng)御沓悟司一行到訪中汽中心,與中汽中心黨委委員、副總經(jīng)理李洧進(jìn)行了座談交流。
2025-01-09 10:56:55788

OptiFDTD應(yīng)用:納米盤型諧振腔等離子體波導(dǎo)濾波器

)等離子波導(dǎo)相比,金屬-絕緣體-金屬(MIM)波導(dǎo)具有很強(qiáng)的光約束,對(duì)SPPs來說,其傳播距離可接受。 ?有許多種類的納米波導(dǎo)濾波器:齒形等離子體波導(dǎo)[2],盤型諧振腔Channel drop濾波器,矩形
2025-01-09 08:52:57

豐田、Aurora和大陸集團(tuán)加入NVIDIA合作伙伴行列

NVIDIA 宣布,豐田、Aurora 和大陸集團(tuán)已加入全球移動(dòng)出行領(lǐng)導(dǎo)者行列,利用 NVIDIA 加速計(jì)算和 AI 開發(fā)構(gòu)建乘與商用車型。
2025-01-08 10:50:31978

OptiFDTD應(yīng)用:用于光纖入波導(dǎo)耦合的硅納米錐仿真

介紹 在高約束芯片上與亞微米波導(dǎo)上耦合光的兩種主要方法是光柵或錐形耦合器。[1] 耦合器由高折射率比材料組成,是基于具有納米尺寸尖端的短錐形。[2] 錐形耦合器實(shí)際上是光纖和亞微米波導(dǎo)之間的緊湊模式
2025-01-08 08:51:53

英偉達(dá)、高通或轉(zhuǎn)單三星2納米工藝

近日,據(jù)SamMobile的最新消息,英偉達(dá)和高通兩大芯片巨頭正在考慮對(duì)其2納米工藝芯片的生產(chǎn)策略進(jìn)行調(diào)整。具體來說,這兩家公司正在評(píng)估將部分原計(jì)劃在臺(tái)積電生產(chǎn)的2納米工藝訂單轉(zhuǎn)移至三星的可能性
2025-01-06 10:47:24694

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