看到了其前景并提前布局。AI推理也使得存儲HBM不再是唯一熱門，更多存儲芯片與AI推理芯片結(jié)合，擁有了市場機(jī)會。 ? 已經(jīng)有不少AI推理芯片、存算一體芯片將SRAM替代DRAM，從而獲得更快的訪問速度、更低的刷新延遲等。 ? 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（Static
2025-03-03 08:51:57
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藝的 1 - Mbit 非易失性存儲器，邏輯上組織為 128K × 8。它結(jié)合了鐵電隨機(jī)存取存儲器（F - RAM）的優(yōu)勢，既具備非易失性，又能像 RAM 一樣快
2026-01-04 17:25:09367 ——FM24V05，它是一款512 - Kbit（64 K × 8）的串行（I2C）F - RAM（鐵電隨機(jī)存取存儲器），具備諸多優(yōu)秀特性，非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應(yīng)用場景。 文件下載
2025-12-31 16:40:23727 ——FM25L04B 4-Kbit串行F-RAM。 文件下載： FM25L04B-GTR.pdf 產(chǎn)品概述 FM25L04B是一款由Cypress（現(xiàn)屬英飛凌）開發(fā)的4-Kbit非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器
2025-12-31 16:05:1885 探索Broadcom HLPT-B3x0-00000硅NPN光電晶體管的卓越性能 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，選擇合適的光電晶體管至關(guān)重要。今天，我們來深入了解一下Broadcom
2025-12-30 11:40:07194 在存儲技術(shù)快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機(jī)存取存儲器）以其獨(dú)特的性能，逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來存儲數(shù)據(jù)，兼具高速、耐用與非易失性特點(diǎn)。
2025-12-15 14:39:04242 鐵電工藝的4 - Kbit非易失性存儲器。鐵電隨機(jī)存取存儲器（F - RAM）具有非易失性，讀寫操作類似于RAM，能提供長達(dá)151年的數(shù)據(jù)保留時
2025-12-10 17:15:021626 
在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中，存儲器扮演著數(shù)據(jù)臨時存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中，DDR SDRAM（雙數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品，更憑借其高效傳輸機(jī)制，廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44293 在電子電路設(shè)計(jì)中，晶體管的合理選擇和應(yīng)用對于電路性能起著關(guān)鍵作用。今天，我們就來深入探討ON Semiconductor推出的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3這一系列數(shù)字晶體管。
2025-12-02 15:46:03252 
在內(nèi)存技術(shù)持續(xù)革新的今天，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）和DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）依然是計(jì)算系統(tǒng)中最核心的存儲組件。盡管出現(xiàn)了MRAM、ReRAM等新興存儲方案，但二者憑借成熟的設(shè)計(jì)與明確
2025-12-02 13:50:46867 2022年11月的蓉城，金秋送爽。第二屆“雷達(dá)與未來”全球峰會成功舉辦，這是一次雷達(dá)行業(yè)盛會，行業(yè)大咖云集，探索雷達(dá)未來發(fā)展；各廠商均展出自己最先進(jìn)的產(chǎn)品，此次展會將促進(jìn)雷達(dá)未來的發(fā)展。 隨著現(xiàn)代
2025-12-02 10:24:14450 
在當(dāng)今高速發(fā)展的3C領(lǐng)域（計(jì)算機(jī)外設(shè)、通信及消費(fèi)電子），對存儲器的性能與功耗提出了更高要求。DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器作為核心存儲部件，其性能表現(xiàn)直接影響設(shè)備整體效能。Etron憑借其活緩沖DRAM
2025-12-01 13:42:00253 在各類存儲設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì)，在高帶寬和多任務(wù)場景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44272 電阻器。MUN5136數(shù)字晶體管具有簡化電路設(shè)計(jì)、減少電路板空間和元件數(shù)量的特點(diǎn)。這些數(shù)字晶體管的工作結(jié)溫和存儲溫度范圍為-55°C至150°C。
2025-11-24 16:27:15579 
在存儲技術(shù)快速演進(jìn)的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲器）的新型非易失存儲器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過“自旋電流”技術(shù)實(shí)現(xiàn)了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35244 電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期
以前發(fā)表過關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章，這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示：
當(dāng)輸入電壓Vin等于電壓選擇晶體管QS的柵極控制電壓時，三極管Q
2025-11-17 07:42:37
晶體管是一種以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的電子元件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓和信號調(diào)制等多種功能?。其核心是通過控制輸入電流或電壓來調(diào)節(jié)輸出電流，實(shí)現(xiàn)信號放大或電路開關(guān)功能?。 基本定義 晶體管泛指
2025-10-24 12:20:23349 
QSPI PSRAM是一種集成了QSPI接口與PSRAM存儲功能的高效芯片。QSPI（四線串行外設(shè)接口）是一種高速串行通信接口，用于連接外部設(shè)備；而PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器）則結(jié)合了快速隨機(jī)訪問與動態(tài)存儲的特性。
2025-10-23 15:40:17379 描述:OCT10XX 是一種光電耦合器，由發(fā)光二極管和光電晶體管組成。它采用 4 引腳 LSOP 4?封裝。特性:??當(dāng)前傳輸比（CTR：IF=5mA，VCE=5V時，最小50%）（CTR
2025-10-16 17:57:47
0 本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN（氮化鎵高電子遷移率晶體管）和 OptiMOS 6（硅基場效應(yīng)晶體管），在極端短路條件下的表現(xiàn)。通過一系列嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y試，我們將揭示
2025-10-07 11:55:002980 
nRF54LM20A 以高存儲版本拓展了 nRF54L 系列產(chǎn)品線，其搭載 2MB 非易失性存儲器（NVM）與 512KB 隨機(jī)存取存儲器（RAM）；同時，該芯片保留了系列一致的微控制器（MCU）核心
2025-09-29 01:20:31
隨著集成電路科學(xué)與工程的持續(xù)發(fā)展，當(dāng)前集成電路已涵蓋二極管、晶體管、非易失性存儲器件、功率器件、光子器件、電阻與電容器件、傳感器件共 7 個大族，衍生出 100 多種不同類型的器件，推動集成電路技術(shù)
2025-09-22 10:53:481310 
HBM通過使用3D堆疊技術(shù)，將多個DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）芯片堆疊在一起，并通過硅通孔（TSV，Through-Silicon Via）進(jìn)行連接，從而實(shí)現(xiàn)高帶寬和低功耗的特點(diǎn)。HBM的應(yīng)用中，CowoS（Chip on Wafer on Substrate）封裝技術(shù)是其中一個關(guān)鍵的實(shí)現(xiàn)手段。
2025-09-22 10:47:471611 ，還請大家海涵，如有需要可看文尾聯(lián)系方式，當(dāng)前在網(wǎng)絡(luò)平臺上均以“ 愛在七夕時 ”的昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 一提到“存儲器”，相信很多朋友都會想到計(jì)算機(jī)。是的，在計(jì)算機(jī)的組成結(jié)構(gòu)中，有一個很重要的部分，就是
2025-09-19 11:04:071435 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，0.45-6.0
2025-09-18 18:33:55
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計(jì)了一款多值電場型電壓選擇晶體管?？刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路，實(shí)際上是對電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
2025-09-15 15:31:09
，成功研制出新一代高性能UV減粘膠。 ? 該產(chǎn)品創(chuàng)新性地采用獨(dú)特的多重固化-減粘機(jī)制，從根本上解決了精密制程，尤其是半導(dǎo)體制造中的剝離難題。據(jù)透露，目前，三沃化學(xué)公司這款UV減粘膠已在晶圓、UTG玻璃、PCB/FPC的精密切割保護(hù)等多個
2025-09-08 03:20:007177 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《CTMICRO直流輸入4針長迷你平面光電晶體管光耦數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-08-29 16:13:210 ZPT134B是一種高速、高靈敏度的 NPN 硅光電晶體管，在標(biāo)準(zhǔn)的φ3 毫米封裝中成型。 由于其黑色環(huán)氧，該裝置對可見光和近紅外輻射敏感。
2025-08-08 14:29:09954 
據(jù)科技日報(bào)報(bào)道，我國微型稀土永磁電機(jī)領(lǐng)域再創(chuàng)輝煌，據(jù)內(nèi)蒙古包頭市的稀土新材料技術(shù)創(chuàng)新中心消息顯示，厚度只有6毫米的稀土永磁軸向磁通電機(jī)研制成功。 據(jù)悉，功率只有3瓦； 但是有著每分鐘4500
2025-08-06 14:47:421129 HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）。其核心設(shè)計(jì)是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122949 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封高速晶體管雙通道光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有密封高速晶體管雙通道光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，密封高速晶體管雙通道光耦合器真值表，密封高速晶體管雙通道光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-08 18:33:02
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2025-07-08 18:29:59
芯片制程從微米級進(jìn)入2納米時代，晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化，更是一次次對物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET，每一次架構(gòu)演進(jìn)到底解決了哪些物理瓶頸呢？
2025-07-08 16:28:022045 
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2025-07-07 18:33:28
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2025-07-04 18:35:19
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2025-07-04 18:31:58
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2025-07-03 18:31:17
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2025-07-03 18:30:00
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2025-07-02 18:35:21
據(jù)報(bào)道，東京大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)近日成功開發(fā)出一種基于摻鎵氧化銦(InGaOx)晶體材料的新型晶體管。這一創(chuàng)新在微電子技術(shù)領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注，標(biāo)志著微電子器件性能提升的重要突破。該研究團(tuán)隊(duì)的環(huán)繞式金屬
2025-07-02 09:52:45827 
，是信息時代的基石。
2. 核心分類：斷電后數(shù)據(jù)還在嗎？
這是最根本的分類依據(jù)：
易失性存儲器：斷電后數(shù)據(jù)立刻消失。
特點(diǎn)：速度快，通常用作系統(tǒng)運(yùn)行的“工作臺”。
代表：DRAM (動態(tài)隨機(jī)存取存儲器
2025-06-24 09:09:39
晶體管光耦（PhotoTransistorCoupler）是一種將發(fā)光器件和光敏器件組合在一起的半導(dǎo)體器件，用于實(shí)現(xiàn)電路之間的電氣隔離，同時傳遞信號或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電效應(yīng)和半導(dǎo)體
2025-06-20 15:15:49730 
工藝的持續(xù)發(fā)展提供了新的方向。
根據(jù)imec的一篇最新論文，imec的研究人員引入了一種名為“外壁叉片”（outer wall forksheet）的新型晶體管布局，預(yù)計(jì)該布局將從A10代（1納米
2025-06-20 10:40:07
CSS1604S 是凱芯（Cascadeteq Inc）推出的16Mb Quad-SPI偽靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（PSRAM），專為高性能、低功耗和小型化設(shè)備設(shè)計(jì)。
核心特性包括：
接口與性能：支持
2025-05-22 15:00:09
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2025-05-19 18:33:42
2010年，愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結(jié)場效應(yīng)晶體管，器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此，半導(dǎo)體界興起了一股研究無結(jié)場效應(yīng)晶體管的熱潮，每年的國際
2025-05-19 16:08:13777 
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成：雙極結(jié)型晶體管（BJT）包含兩個背靠背的PN 結(jié)，MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET） 垂直于溝道方向有一個 PN結(jié)，隧道穿透
2025-05-16 17:32:071122 
晶體管（Transistor）是一種?半導(dǎo)體器件?，用于?放大電信號?、?控制電流?或作為?電子開關(guān)?。它是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，幾乎所有電子設(shè)備（從手機(jī)到超級計(jì)算機(jī)）都依賴晶體管實(shí)現(xiàn)功能。以下
2025-05-16 10:02:183876
我的理解晶體管的cb be都是有固定壓降的，加在發(fā)射極上那么大電壓還不連電阻。
2025-05-15 09:20:48
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()耐輻射光電晶體管非密封表面貼裝光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有耐輻射光電晶體管非密封表面貼裝光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，耐輻射光電晶體管非密封
2025-05-12 18:34:41
處理器和微控制器單元 (MCU) 子系統(tǒng)。ADuCM300 具有 128 kB 程序閃存/EE、4 kB 數(shù)據(jù)閃存/EE 和 6 kB 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (SRAM)。
2025-05-08 14:26:44809 
多軸控制器可使用國產(chǎn)鐵電存儲器SF25C20（MB85RS2MT）
2025-05-06 09:47:26585 
MCU片上RAM是微控制單元（MCU）中集成于芯片內(nèi)部的隨機(jī)存取存儲器，主要用于程序運(yùn)行時的數(shù)據(jù)存儲與高速讀寫操作。以下是其核心要點(diǎn)： 一、定義與分類 ?片上RAM是MCU內(nèi)部存儲單元的一部分
2025-04-30 14:47:081123 多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計(jì)了一款多值電場型電壓選擇晶體管。控制二進(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路，實(shí)際上是對電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
2025-04-15 10:24:55
晶體管，F(xiàn)ET和IC，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計(jì)，源極跟隨器電路設(shè)計(jì)，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作，柵極接地放大電路的設(shè)計(jì)，電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作，進(jìn)晶體管
2025-04-14 17:24:55
晶體管和FET的工作原理，觀察放大電路的波形，放大電路的設(shè)計(jì)，放大電路的性能，共發(fā)射極應(yīng)用，觀察射極跟隨器的波形，增強(qiáng)輸出電路的設(shè)計(jì)，射極跟隨器的性能和應(yīng)用電路，小型功率放大器的設(shè)計(jì)和制作
2025-04-14 16:07:46
便攜式醫(yī)療鐵電存儲器SF25C20(FM25V20A)的替換方案
2025-04-07 09:46:03626 
總體描述DA14531 是一款超低功耗片上系統(tǒng)（SoC），集成了 2.4GHz 收發(fā)器以及帶有 48KB 隨機(jī)存取存儲器（RAM）的 Arm? Cortex-M0 + 微控制器，還有 32KB
2025-04-03 14:57:10
人工智能與高性能計(jì)算（HPC）正以空前的速度發(fā)展，將動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時代日益增長的需求，業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)存儲技術(shù)的新興存儲技術(shù)。
2025-04-03 09:40:411709 替換FM25V20A醫(yī)療物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備可使用鐵電存儲器SF25C20
2025-03-28 10:31:41716 
兼容FM25V20A/MB85RS2MT，國產(chǎn)鐵電存儲器SF25C20助聽器應(yīng)用方案
2025-03-20 09:55:16675 
特性64 千比特鐵電隨機(jī)存取存儲器（F - RAM），邏輯上組織為 8K×8高達(dá) 100 萬億次（\(10^{14}\)）讀 / 寫耐久性151 年的數(shù)據(jù)保存期限（詳見 “數(shù)據(jù)保存期限和耐久性表
2025-03-19 11:35:49
鐵電存儲器SF25C20/SF25C512在人工智能邊緣計(jì)算中應(yīng)用
2025-03-13 09:46:30772 
由無錫貝塔醫(yī)藥科技有限公司聯(lián)合西北師范大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)研制的國內(nèi)首款C-14核電池“燭龍一號”工程樣機(jī)的誕生這意味著我國首款碳14核電池研制成功，這也是微型核電池領(lǐng)域的重大突破成果。 據(jù)悉，C-14核電
2025-03-12 15:08:141350 RZ/A1M 系列微處理器單元（MPU）功能齊全，配備運(yùn)行頻率為 400MHz 的 Arm? Cortex?-A9 內(nèi)核以及 5MB的片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）。憑借 5MB 的片上
2025-03-11 15:04:111127 
在當(dāng)今電子工業(yè)中，對更快、更高效組件的需求巨大，以滿足現(xiàn)代計(jì)算的需要。傳統(tǒng)晶體管正逐漸達(dá)到其物理和操作極限，它們在數(shù)據(jù)中心中消耗大量能源和空間，尤其是在需要數(shù)十億個晶體管來存儲和處理數(shù)據(jù)的場景下
2025-03-11 11:34:02724 
RZ/A1L 系列微處理器（MPU）采用了運(yùn)行頻率達(dá) 400MHz 的 Arm? Cortex? - A9 內(nèi)核，并配備 3MB的片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）。憑借這 3MB 的片上 SRAM
2025-03-10 16:14:20977 
隨機(jī)存取存儲器的“寫入”周期。AD7524 采用先進(jìn)的基于 CMOS 的薄膜制造工藝，可提供 1/8LSB 的精度，典型功耗小于 10 毫瓦。新改進(jìn)的設(shè)計(jì)消除了肖特基
2025-03-10 11:05:42
本書主要介紹了晶體管，F(xiàn)ET和Ic，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計(jì)，源極跟隨電路的設(shè)計(jì)，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)和制作，柵極接地放大電路的設(shè)計(jì)，電流反饋行型op放大器的設(shè)計(jì)與制作
2025-03-07 13:55:19
本書主要介紹了晶體管和FET的工作原理，放大電路的工作，增強(qiáng)輸出的電路，小型功率放大器的設(shè)計(jì)與制作，功率放大器的設(shè)計(jì)與制作，拓寬頻率特性，視頻選擇器的設(shè)計(jì)和制作，渥爾曼電路的設(shè)計(jì)，負(fù)反饋放大電路的設(shè)計(jì)，直流穩(wěn)定電源的設(shè)計(jì)與制作，差動放大電路的設(shè)計(jì)，op放大器電路的設(shè)計(jì)與制作等
2025-03-07 13:46:06
性鐵電存儲器SF24C64/FM24C64/MB85RC64性能及應(yīng)用介紹
2025-03-06 10:06:581473 
鐵電存儲器SF24C64對標(biāo)FM24C64性能、應(yīng)用和成本分析
2025-03-03 10:25:451304 氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)總結(jié) 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì).pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場景 ?：并聯(lián)開關(guān)管廣泛應(yīng)用于大功率場合，如牽引逆變器、可回收能源系統(tǒng)等
2025-02-27 18:26:311103 這本書介紹了晶體管的基本特性，單管電路的設(shè)計(jì)與制作， 雙管電路的設(shè)計(jì)與制作，3~5管電路的設(shè)計(jì)與制作，6管以上電路的設(shè)計(jì)與制作。書中具體內(nèi)容有：直流工作解析，交流工作解析，接地形式，單管反相放大器，雙管反相放大器，厄利效應(yīng)，雙管射極跟隨器等內(nèi)容。
2025-02-26 19:55:46
鐵電存儲器SF24C64對標(biāo)MB85RC64性能、應(yīng)用深度分析
2025-02-25 09:40:591103 旋轉(zhuǎn)編碼器選用國產(chǎn)鐵電存儲器(?SF24C512)的5個理由
2025-02-20 09:42:03906 概述 DescriptionAT101X是一款由一個GaAs發(fā)光二極管和一個NPN光電晶體管組成的光電耦合器。The AT101X is a photoelectric coupler
2025-02-18 10:28:000 AT3H4X是一款由發(fā)光二極管和光電晶體管組成的光電耦合器。 四引腳封裝 ( SSOP4) 。The AT3H4X is a photoelectric coupler composed
2025-02-18 10:26:340 CTMICRO兆龍科技推出直流輸入4針長小型平面光電晶體管光耦
2025-02-17 16:49:070 ? 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的核心組件，廣泛應(yīng)用于個人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、移動設(shè)備及高性能計(jì)算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本工作原理、存儲單元結(jié)構(gòu)及制造工藝演進(jìn)，并分析
2025-02-14 10:24:401442 
近日，物理學(xué)家組織網(wǎng)報(bào)道稱，一個由日本研究團(tuán)隊(duì)(包括東京大學(xué))成功研制出全球首臺體積小巧、性能穩(wěn)定且精度極高的光晶格鐘。這款光晶格鐘的體積僅為250立方分米，刷新了同類產(chǎn)品的體積記錄。 光晶格
2025-02-14 10:13:30728 MT48LC4M32B2P-6A:L是一款高性能的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM），由MICRON制造，專為滿足各種電子設(shè)備的內(nèi)存需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和穩(wěn)定性，適用于多種應(yīng)用場景。目前
2025-02-14 07:28:17
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20：替換FM25V20A/MB85RS2MT
2025-02-13 10:29:091167 產(chǎn)品概述 Korchip DCS5R5334H 是一款高性能的低功耗 SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器），專為高速數(shù)據(jù)存儲和處理而設(shè)計(jì)。該器件具有快速的訪問時間和較高的數(shù)據(jù)傳輸速率，廣泛應(yīng)用
2025-02-09 22:38:10
鐵電存儲器SF24C512替換MB85RS512/FM25V512優(yōu)勢顯著
2025-02-07 09:29:33907 
在數(shù)字存儲技術(shù)的快速發(fā)展中，閃速存儲器（Flash Memory）以其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了連接隨機(jī)存取存儲器（RAM）與只讀存儲器（ROM）之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:001683 隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限，傳統(tǒng)的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）從平面晶體管到FinFET的演變，乃至全環(huán)繞柵或圍柵（GAA
2025-01-24 10:03:514437 
隨著AI技術(shù)的快速發(fā)展，特別是大規(guī)模語言模型（如ChatGPT和Sora）的出現(xiàn)，對數(shù)據(jù)處理能力和存儲技術(shù)提出了全新的需求。傳統(tǒng)存儲器架構(gòu)在能效比和計(jì)算效率上的限制，逐漸成為瓶頸。如何實(shí)現(xiàn)更高
2025-01-23 17:30:312078 
劉新宇、湯益丹團(tuán)隊(duì)和中國科學(xué)院空間應(yīng)用工程與技術(shù)中心劉彥民團(tuán)隊(duì)等開展合作，共同研制出首款國產(chǎn)高壓抗輻射碳化硅(SiC)功率器件及其電源系統(tǒng)，已成功通過太空第一階段驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)其在電源系統(tǒng)中的在軌應(yīng)用。 劉新宇表示，合
2025-01-23 11:51:48638 
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20能否替換賽普拉斯FM25V20A
2025-01-23 09:03:29953 特點(diǎn)16-Kbit 鐵電隨機(jī)存取存儲器 (F-RAM)為 2 K × 8 ? 高耐久性 100 萬億次（1014）讀/寫 ? 151 年數(shù)據(jù)保留期（請參閱數(shù)據(jù)保留期
2025-01-16 14:14:37
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換FM25V20A參數(shù)分析及應(yīng)用
2025-01-16 10:17:061232 
舜銘存儲鐵電存儲器SF25C20替換MB85RS2MT性能及應(yīng)用優(yōu)勢有哪些？
2025-01-10 09:12:15901 
。 MPU控制器的組成 MPU控制器通常包括以下幾個主要部分： 中央處理單元（CPU） ：執(zhí)行程序指令和處理數(shù)據(jù)。 存儲器 ：包括隨機(jī)存取存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM），用于存儲程序和數(shù)據(jù)。 輸入/輸出（I/O）接口 ：允許MPU控制器與其他硬
2025-01-08 09:23:041480
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