瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時(shí)的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:02
1660 英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)（Super Junction）構(gòu)造的功率MOSFET“CoolMOS系列產(chǎn)品”，由奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)。
2013-02-25 08:53:002072 更高密度的低功率SMPS設(shè)計(jì)需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件。
2018-08-27 14:15:536744 本文簡述功率在轉(zhuǎn)換器電路中的轉(zhuǎn)換傳輸過程，針對開關(guān)器件MOSFET在導(dǎo)通和關(guān)斷瞬間，產(chǎn)生電壓和電流尖峰的問題，進(jìn)而產(chǎn)生電磁干擾現(xiàn)象，通過對比傳統(tǒng)平面MOSFET與超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和參數(shù)，尋找使用超結(jié)MOSFET產(chǎn)生更差電磁干擾的原因，進(jìn)行分析和改善。
2023-08-29 14:14:251322 
Limited?（AOS,?納斯達(dá)克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結(jié)高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺(tái)，旨在滿足服務(wù)器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:151402 
超結(jié)MOSFET（Super-Junction MOSFET，簡稱SJ-MOS）是一種在高壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中突破傳統(tǒng)性能限制的關(guān)鍵器件。它通過在器件結(jié)構(gòu)中引入交替分布的P型與N型柱區(qū)，實(shí)現(xiàn)了在高耐壓下仍保持低導(dǎo)通電阻的特性，顯著提升了功率轉(zhuǎn)換效率與功率密度。
2026-01-04 15:01:461619 
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)
2021-02-25 06:05:27
同時(shí)抑制EMI干擾。5：保護(hù)柵極，防止異常高壓條件下柵極擊穿。6：增加驅(qū)動(dòng)能力，在較小的信號下，可以驅(qū)動(dòng)MOSFET。
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2025-05-06 17:13:58
分享功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃?b class="flag-6" style="color: red">電路（1）：等效電路（2）：說明功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動(dòng)電壓升高，該電阻
2021-09-05 07:00:00
一、功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃?b class="flag-6" style="color: red">電路1）等效電路：2）說明：功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動(dòng)電壓升高，該電阻
2021-08-29 18:34:54
信號。SIM_CARD_I/O輸出高電平5V時(shí)，功率MOSFET管寄生體二極管截止，信號SIM_DATA上拉到3.3V，接收高電平信號。
問題16：超結(jié)高壓功率MOSFET管的UIS雪崩能力為什么比
2025-11-19 06:35:56
不同，對測量結(jié)果的影響非常大。IAR和EAR的測試電路和單脈沖雪崩電流以及單脈沖雪崩能量一樣，中、低功率MOSFET使用去耦測量電路，高壓功率MOSFET使用非去耦測量電路，只是在測試過程中使用多個(gè)重復(fù)
2017-09-22 11:44:39
晶圓工藝:
采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超結(jié)工藝 ，更少的光罩層數(shù)，生產(chǎn)周期更短，更具成本優(yōu)勢
低內(nèi)阻:
特殊的超結(jié)結(jié)構(gòu)讓高壓超結(jié)MOS內(nèi)阻在同樣面積情況下降低到VDMOS的1
2025-12-02 08:02:07
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關(guān)電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結(jié)功率MOSFET技術(shù)白皮書資料來自網(wǎng)絡(luò)
2019-06-26 20:37:17
請問：驅(qū)動(dòng)功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
針對采用單片集成功率 MOSFET 的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器解決方案上，探討使用控制器驅(qū)動(dòng)分立式高、低側(cè)功率 MOSFET 對的 DC/DC 穩(wěn)壓器電路適用的 EMI 的抑制技術(shù)，到底有哪些具體要求？
2019-09-10 15:18:08
具有廣泛的保護(hù)功能，可增強(qiáng)系統(tǒng)的安全性和可靠性。當(dāng)驅(qū)動(dòng)器溫度高于內(nèi)置熱折返保護(hù)觸發(fā)點(diǎn)時(shí)，AL1697開始降低輸出電流。
特性
兩種內(nèi)部高壓MOSFET選項(xiàng)：用于超級結(jié)的RDSON 4Ω和1.8
2023-10-12 15:09:18
概述 FM7318A是內(nèi)置高壓功率MOSFET的電流模式PWM控制芯片，適用于全電壓18W離線式反激開關(guān)電源，具有高性能、低待機(jī)功耗、低成本的優(yōu)點(diǎn)?！ 榱吮ＷC芯片正常工作，F(xiàn)M7318A針對
2020-07-06 10:57:25
模塊電源的開關(guān)頻率來降低驅(qū)動(dòng)損耗，從而進(jìn)一步提高輕負(fù)載條件下的效率，使得系統(tǒng)在待機(jī)工作下，更節(jié)能，進(jìn)一步提高蓄電池供電系統(tǒng)的工作時(shí)間，并且還能夠降低EMI的輻射問題;2.通過降低、來減少MOSFET
2019-09-25 07:00:00
N+區(qū)，作為功率MOSFET導(dǎo)通時(shí)的電流通路，也就是將反向阻斷電壓與導(dǎo)通電阻功能分開，分別設(shè)計(jì)在不同的區(qū)域，就可以實(shí)現(xiàn)上述的要求?；?b class="flag-6" style="color: red">超結(jié)SuperJunction的內(nèi)建橫向電場的高壓功率MOSFET
2017-08-09 17:45:55
程中導(dǎo)致開關(guān)電流升高?！ ”M管超結(jié)MOSFET開關(guān)管優(yōu)化過的體硅二極管大幅降低了能耗，但I(xiàn)GBT還是能夠利用共同封裝的超快速二極管降低導(dǎo)通能耗。 在低功率壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)，意法半導(dǎo)體最新超結(jié)MOSFET
2018-11-20 10:52:44
時(shí)，考慮了激光調(diào)整，以防止激光熱量的注入影響整個(gè)晶體管的工作。應(yīng)用混合信號制造技術(shù)而不影響可制造性成本。總結(jié)在批量生產(chǎn)中使用激光修整已經(jīng)進(jìn)行了多年。在高壓超結(jié)功率MOSFET的情況下，采用這種制造技術(shù)是獨(dú)特且開創(chuàng)性的。它不僅為設(shè)計(jì)人員追求電路優(yōu)化開辟了許多新方法，而且這種微調(diào)選項(xiàng)可用于大批量生產(chǎn)。
2023-02-27 10:02:15
測量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個(gè)不可或缺的過程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
問題：如何通過驅(qū)動(dòng)高功率LED降低EMI？
2019-03-05 14:33:29
HiperLCS是一款集成了多功能控制器、高壓端和低壓端柵極驅(qū)動(dòng)以及兩個(gè)功率MOSFET的LLC半橋功率級。圖1（上）所示為采用HiperLCS器件的功率級結(jié)構(gòu)簡圖，其中LLC諧振電感集成在變壓器中
2019-03-07 14:39:44
設(shè)計(jì)角度，討論如何降低電路 EMI。為提高開關(guān)電源的功率密度，電源工程師首先想到的辦法是選擇開關(guān)頻率更高的 MOSFET,通過提高開關(guān)速度可以顯著地減小輸出濾波器體積，從而在單位體積內(nèi)可實(shí)現(xiàn)更高的功率
2020-10-10 08:31:31
能力。這使其能輕松驅(qū)動(dòng)多個(gè)大功率MOSFET并聯(lián)或Qg較大的IGBT，滿足高功率需求，提升系統(tǒng)功率等級。
超快開關(guān)： 9ns的上升/下降時(shí)間堪稱業(yè)界領(lǐng)先水平。
低傳播延遲： 170ns的開通/關(guān)斷傳播延遲
2025-07-03 08:45:22
摘要：針對橋式拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">功率MOSFET因柵極驅(qū)動(dòng)信號振蕩產(chǎn)生的橋臂直通問題，給出了計(jì)及各寄生參數(shù)的驅(qū)動(dòng)電路等效模型，對柵極驅(qū)動(dòng)信號振蕩的機(jī)理進(jìn)行了深入研究，分析了驅(qū)動(dòng)電路各參數(shù)與振蕩的關(guān)系，并以此為依據(jù)
2018-08-27 16:00:08
的寄生電容和以下的因素相關(guān)：? 溝道的寬度和溝槽的寬度? G極氧化層的厚度和一致性? 溝槽的深度和形狀? S極體-EPI層的摻雜輪廓? 體二極管PN結(jié)的面積和摻雜輪廓高壓平面功率MOSFET的Crss由
2016-12-23 14:34:52
功率MOSFET來說，通常連續(xù)漏極電流是一個(gè)計(jì)算值。當(dāng)器件的封裝和芯片的大小一定時(shí)，如對于底部有裸露銅皮的封裝TO220，D2PAK，DFN5*6，DPAK等，那么器件的結(jié)到裸露銅皮的熱阻RqJC是一
2016-08-15 14:31:59
控雙極性晶體管IGBTIGBT晶體管是集GP與MOSFET二者優(yōu)點(diǎn)于一體的復(fù)合器件，既有MOSFET輸入阻抗高、速度快、開關(guān)損耗小、驅(qū)動(dòng)電路簡單、要求驅(qū)動(dòng)功率小、極限工作溫度高、易驅(qū)動(dòng)的特點(diǎn)穩(wěn)定運(yùn)行直流
2018-11-27 11:04:24
供電，其中輸入電壓V在直接來自總線電壓。這可能會(huì)有很大的電壓變化，包括由于應(yīng)用環(huán)境而導(dǎo)致的高壓尖峰。耗盡型MOSFET可用于在線性穩(wěn)壓器電路中實(shí)現(xiàn)浪涌保護(hù)，如圖5所示。MOSFET 以源極跟隨器配置連接
2023-02-21 15:46:31
晶圓工藝: 采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超結(jié)工藝，更少的光罩層數(shù)，生產(chǎn)周期更短，更具成本優(yōu)勢
低內(nèi)阻：特殊的超結(jié)結(jié)構(gòu)讓高壓超結(jié)MO S內(nèi)阻在同樣面積情況下降低到VDMOS的1
2025-12-29 07:54:43
采用的是超級結(jié)工藝。超級結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高M(jìn)OS管開關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
設(shè)計(jì)角度，討論如何降低電路EMI。為提高開關(guān)電源的功率密度，電源工程師首先想到的辦法是選擇開關(guān)頻率更高的MOSFET,通過提高開關(guān)速度可以顯著地減小輸出濾波器體積，從而在單位體積內(nèi)可實(shí)現(xiàn)更高的功率等級
2020-10-21 07:13:24
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
等級，同時(shí)，在器件導(dǎo)通時(shí)，形成一個(gè)高摻雜N+區(qū)，作為功率MOSFET導(dǎo)通時(shí)的電流通路，也就是將反向阻斷電壓與導(dǎo)通電阻功能分開，分別設(shè)計(jì)在不同的區(qū)域，就可以實(shí)現(xiàn)上述的要求?；?b class="flag-6" style="color: red">超結(jié)
2018-10-17 16:43:26
極電流，驅(qū)動(dòng)電路簡單，需要的驅(qū)動(dòng)功率小，開關(guān)速度快，工作頻率高，熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR， 但其電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">功率MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理 功率
2023-02-27 11:52:38
摘 要： 對超結(jié)理論的產(chǎn)生背景及其發(fā)展過程進(jìn)行了介紹。以應(yīng)用超結(jié)理論的COOLMOSTM 器件為例，介紹了超結(jié)器件的工作原理、存在的缺點(diǎn)以及提出的改進(jìn)方法；并對其他基于超結(jié)
2008-11-14 15:32:10
0 本文分析了功率MOSFET 對驅(qū)動(dòng)電路的要求，對電路中的正弦波發(fā)生電路，信號放大電路和兩路隔離輸出變壓器進(jìn)行了設(shè)計(jì)。仿真和試驗(yàn)結(jié)果證明了所設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路的可行性。關(guān)
2009-06-18 08:37:1559 超結(jié)理論的產(chǎn)生與發(fā)展及其對高壓MOSFET器件設(shè)計(jì)的影響:對超結(jié)理論的產(chǎn)生背景及其發(fā)展過程進(jìn)行了介紹。以應(yīng)用超結(jié)理論的COOLMOSTM 器件為例，介紹了超結(jié)器件的工作原理、存在的缺
2009-12-13 19:57:2731 功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路分析:針對功率MOSFET的特點(diǎn)，介紹由多個(gè)—概管組成的組臺(tái)式驅(qū)動(dòng)電路．在逆變焊接電源上做了實(shí)驗(yàn)．驗(yàn)證了該方法的合理性。關(guān)鍵詞：功率MOSFET，半橋式電路，
2010-04-12 08:36:5470 摘要：介紹了一種用于功率MOSFET的諧振柵極驅(qū)動(dòng)電路。該電路通過循環(huán)儲(chǔ)存在柵極電容中的能量來實(shí)現(xiàn)減少驅(qū)動(dòng)功率損耗的目的，從而保證了此驅(qū)動(dòng)電路可以在較高的頻率下工作。
2010-05-04 08:38:1253 本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和在動(dòng)態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動(dòng)態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對驅(qū)動(dòng)電路的要求，
2010-11-11 15:34:22201 功率MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)電路
2009-04-02 23:36:182475 
IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用及原理
通過對功率器件IGBT的工作特性分析、驅(qū)動(dòng)要求和保護(hù)方法等討
2009-10-09 09:56:012996 
IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用研究
IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET
2009-11-13 15:43:501064 
MOSFET與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路原理及應(yīng)用
下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的
2009-12-29 10:41:0910322 本內(nèi)容提供了功率MOSFET與高壓集成電路的知識(shí)概括。眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f具有理想開關(guān)的特性。其主要缺點(diǎn)是開
2011-07-22 11:28:47239 本文介紹了專用驅(qū)動(dòng)芯片組UC3724的主要特點(diǎn)和原理, 并對其構(gòu)成的功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行了分析和實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明, 該集成驅(qū)動(dòng)電路具有開關(guān)速度快, 且能滿足驅(qū)動(dòng)所需的功率, 是一種
2011-09-14 17:34:39118 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:005529 
分析了對功率MOSFET器件的設(shè)計(jì)要求；設(shè)計(jì)了基于EXB841驅(qū)動(dòng)模塊的功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡單，實(shí)用性強(qiáng)，響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。在電渦流測功機(jī)勵(lì)磁線圈驅(qū)動(dòng)電路中的實(shí)
2012-03-14 14:23:48221 眾所周知，超級結(jié)MOSFET的高開關(guān)速度自然有利于減少開關(guān)損耗，但它也帶來了負(fù)面影響，例如增加了EMI、柵極振蕩、高峰值漏源電壓。在柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中，一個(gè)關(guān)鍵的控制參數(shù)就是外部串聯(lián)柵電阻（Rg）。這會(huì)抑制峰值漏-源電壓，并防止由功率MOSFET的引線電感和寄生電容引起的柵極振鈴。
2013-02-25 09:01:443841 
功率MOSFET驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路，以及其的相關(guān)應(yīng)用。
2016-04-26 16:01:469 集成的LLC控制器、高壓功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)，感興趣的可以看看。
2016-05-11 18:00:0830 IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用及原理，感興趣的小伙伴們可以看看。
2016-07-26 11:11:0026 LCS700-708 HiperLCS?產(chǎn)品系列集成的LLC控制器、高壓功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)器
2016-11-23 11:00:160 高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路：
2017-10-19 16:02:3723 基于超級結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS（on），同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前
2017-11-10 15:40:039 東芝宣布推出新一代超結(jié)功率MOSFET，新器件進(jìn)一步提高電源效率。在這個(gè)連小學(xué)生做作業(yè)都講求高效率的年代，還有什么是高效率不能解決的呢？
2018-09-13 15:54:155921 大功率LED高壓驅(qū)動(dòng)電路,LED driver
關(guān)鍵字：大功率LED高壓驅(qū)動(dòng)電路
本電路可驅(qū)動(dòng)5~12只大功率LED，可用于照明場合。該
2018-09-20 19:50:173378 功率MOSFET通常由PWM或其它模式的控制器IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)源來驅(qū)動(dòng)，為了提高關(guān)斷的速度，實(shí)現(xiàn)快速的關(guān)斷降低關(guān)斷損耗提高系統(tǒng)效率，在很多ACDC電源、手機(jī)充電器以及適配器的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中，通常使用圖
2020-06-07 12:01:326038 測量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個(gè)不可或缺的過程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2020-11-23 14:53:005 逐漸成為新的市場需求。 為了滿足這種新需求，亞成微推出了新型高壓超結(jié)MOSFET-RMX65R系列，該系列采用業(yè)內(nèi)先進(jìn)的多層外延工藝，全面提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性，比導(dǎo)通電阻（Ronsp）和柵極電荷（Qg）更低，開關(guān)速度更快，
2021-05-27 17:06:182505 功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)論文
2021-11-22 15:57:37112 其中，高壓超級結(jié) MOSFET，是一種可以廣泛應(yīng)用于模擬與數(shù)字電路的基礎(chǔ)微電子元器件，具有高頻、驅(qū)動(dòng)簡單、抗擊穿性好等特點(diǎn)；其中，高壓MOSFET 功率器件通常指工作電壓為 400V 以上的 MOSFET 功率器件。
2022-05-18 14:04:583464 ST超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷（Qrr）和超快快恢復(fù)時(shí)間（trr），以及出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS（on）x Qg），能夠?yàn)橐髧?yán)苛的橋式拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率和功率水平，適用于工業(yè)和汽車應(yīng)用。
2022-05-24 16:02:012335 超級結(jié)又稱超結(jié)，是制造功率場效應(yīng)晶體管的一種技術(shù)，其名稱最早岀現(xiàn)于1993年。傳統(tǒng)高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區(qū)形成的pn結(jié)耗盡區(qū)的耐壓決定，又因p型體區(qū)摻雜濃度較高，耗盡區(qū)承壓主要在外延n-層。
2022-09-13 14:38:579199 本文介紹了三個(gè)驅(qū)動(dòng)MOSFET工作時(shí)的功率計(jì)算 以及通過實(shí)例進(jìn)行計(jì)算 輔助MOSFET電路的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中電流的計(jì)算 不是mosfet導(dǎo)通電流 是mosfet柵極驅(qū)動(dòng)電流計(jì)算和驅(qū)動(dòng)功耗計(jì)算
2022-11-11 17:33:0352 維安高壓超結(jié)MOSFET，輕松解決LED電源浪涌
2022-12-30 17:07:221505 
WAYON維安高壓超結(jié)MOSFET，輕松解決LED電源浪涌
2023-01-06 13:04:511315 
新一代的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET中有一些在關(guān)斷的過程中溝道具有提前關(guān)斷的特性，因此，它們的關(guān)斷的特性不受柵極驅(qū)動(dòng)電阻的控制，但是，并不是所有的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET都具有這樣的特性，和它們內(nèi)部結(jié)構(gòu)、單元尺寸以及電壓額定等多個(gè)因素相關(guān)。
2023-02-16 10:39:361600 
功率MOSFET在開通的過程中，當(dāng)VGS的驅(qū)動(dòng)電壓從VTH上升到米勒平臺(tái)VGP時(shí)間段t1-t2，漏極電流ID從0增加系統(tǒng)的最大的電流，VGS和ID保持由跨導(dǎo)GFS所限制的傳輸特性曲線的關(guān)系，而VDS
2023-02-16 10:45:042430 
功率MOSFET的輸出電容Coss會(huì)隨著外加電壓VDS的變化而變化，表現(xiàn)出非線性的特性，超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓功率MOSFET采用橫向電場的電荷平衡技術(shù)
2023-02-16 10:52:421544 
新型硅基快速恢復(fù)體二極管超結(jié) MOSFET系列為全橋相移ZVS拓?fù)涮峁├硐氲男屎涂煽啃?? ST超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷(Qrr)和超快快恢復(fù)時(shí)間(trr)，以及出色
2023-02-22 15:26:581508 安森德歷經(jīng)多年的技術(shù)積累，攻克了多層外延超結(jié)（SJ）MOSFET技術(shù)，成功研發(fā)出具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的超結(jié)（SJ）MOSFET系列產(chǎn)品
2023-06-02 10:23:101909 
SICMOSFET作為第三代半導(dǎo)體器件，以其卓越的高頻高壓高結(jié)溫低阻特性，已經(jīng)越來越多的應(yīng)用于功率變換電路。那么，如何用最有效的方式驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET，發(fā)揮SICMOSFET的優(yōu)勢，盡可能
2022-11-30 15:28:285428 
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:162414 
SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結(jié)MOS，由于MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領(lǐng)域，普通MOSFET導(dǎo)通阻抗大，難以滿足實(shí)際應(yīng)用需要。超結(jié)
2023-08-18 08:32:562019 
超結(jié)VDMOS是一種發(fā)展迅速、應(yīng)用廣泛的新型功率半導(dǎo)體器件。
2023-09-18 10:15:008919 
作者：Pete Bartolik 投稿人：DigiKey 北美編輯 2024-06-12 長期以來，超結(jié)功率 MOSFET 在高電壓開關(guān)應(yīng)用中一直占據(jù)主導(dǎo)地位，以至于人們很容易認(rèn)為一定有更好的替代
2024-10-02 17:51:001664 
在我們進(jìn)入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前，我們先了解一些背景知識(shí)。
2024-10-15 14:47:482578 
高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，可能會(huì)產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動(dòng)集成電路（HVIC）是專為半橋開關(guān)
2024-11-11 17:21:201608 
超結(jié)MOSFET體二極管性能優(yōu)化 ? ? ? ? ? ? ? ? ? END ?
2024-11-28 10:33:16885 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件
2025-01-23 16:27:431780 
在橋式電路中，國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET（如BASiC基本股份）替換超結(jié)（SJ）MOSFET具有顯著優(yōu)勢，但也需注意技術(shù)細(xì)節(jié)。傾佳電子楊茜從性能優(yōu)勢和技術(shù)注意事項(xiàng)兩方面進(jìn)行深度分析： 傾佳電子
2025-02-11 22:27:58833 
隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶從超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析。
2025-03-01 08:53:441054 
MOSFET的開關(guān)頻率（如B3M040065H的開關(guān)時(shí)間低至14ns）遠(yuǎn)超SJ 超結(jié)MOSFET，可減少電源系統(tǒng)中的磁性元件體積，提升功率密度（如數(shù)據(jù)手冊中提到的“開關(guān)能量降低至160μJ”）。 高溫可靠性
2025-03-02 11:57:01899 
電壓的平衡。另超結(jié)MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻和更優(yōu)化的電荷分布，因此其開關(guān)速度通常比普通MOSFET更快，有助于減少電路中的開關(guān)損耗。由于其出色的高壓性能和能效比，超結(jié)MOSFET更適合于高壓、大功率的應(yīng)用場景。
2025-05-06 15:05:381499 
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，突破硅材料的物理極限一直是工程師們的終極挑戰(zhàn)。隨著電力電子設(shè)備向高壓、高效方向快速發(fā)展，傳統(tǒng)MOSFET結(jié)構(gòu)已逐漸觸及性能天花板。本文將深入解析超結(jié)MOSFET技術(shù)如何通過創(chuàng)新
2025-06-25 10:26:291701 
新品650VCoolMOS8超結(jié)(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領(lǐng)全球高壓超結(jié)SJMOSFET技術(shù)，為行業(yè)技術(shù)和性價(jià)比樹立了全球標(biāo)準(zhǔn)。該系列為高功率應(yīng)用提供了額外的50V
2025-07-04 17:09:031017 
龍騰半導(dǎo)體最新推出650V/40A/99mΩ超結(jié)MOSFET，其內(nèi)置FRD，適應(yīng)LLC應(yīng)用，并適合多管應(yīng)用，具有更快的開關(guān)速度，更低的導(dǎo)通損耗；極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統(tǒng)效率和優(yōu)異的EMI性能。
2025-09-26 17:39:511274 
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