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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)全部測試

安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)全部測試

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AEC-Q101分立半導(dǎo)體器件規(guī)級認(rèn)證可靠性測試

AEC-Q101認(rèn)證試驗廣電計量在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認(rèn)證上具有豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗,為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認(rèn)證服務(wù),同時,我們也開展了間歇工作壽命(IOL)、HAST
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安森美半導(dǎo)體宣布大舉擴(kuò)充通過汽車認(rèn)證的產(chǎn)品陣容

推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)已經(jīng)大幅擴(kuò)充針對嚴(yán)格的汽車應(yīng)用設(shè)計的AEC-Q100和AEC-Q101合格認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)元器件陣容。
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Vishay推出業(yè)內(nèi)首款通過汽車電子元件標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101認(rèn)證的非對稱封裝雙芯片MOSFET

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Vishay推出用于同步降壓的業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的雙片不對稱封裝12V和20V MOSFET

Vishay宣布,推出業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的采用雙片不對稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP,可在汽車應(yīng)用的高效同步降壓
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美高森美的快速恢復(fù)二極管取得了面向汽車市場的AEC-Q101資格

系列現(xiàn)已符合AEC-Q101資格,證明這些電子組件符合用于汽車市場的主要標(biāo)準(zhǔn)。美高森美的DQ二極管取得AEC-Q101資格,意味著汽車原始設(shè)備制造商(OEM)以及一級和其他供應(yīng)商能夠在各種車載應(yīng)用中使用這款產(chǎn)品。
2017-06-19 10:20:29979

AEC-Q101汽車電子基于離散半導(dǎo)體元件應(yīng)力測試認(rèn)證的失效機(jī)理中文標(biāo)準(zhǔn)

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是AEC-Q101基于離散半導(dǎo)體元件應(yīng)力測試認(rèn)證的失效機(jī)理中文標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
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穩(wěn)健的汽車40V 功率MOSFET提高汽車安全性

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ROHM新推基于AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的四款車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

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滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車載用1200V耐壓IGBT“RGS系列”

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2019-05-29 15:15:505922

淺談AEC-Q101認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)

AECQ101主要對汽車分立器件,元器件標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范要求,AECQ101認(rèn)證將會是汽車級半導(dǎo)體企業(yè)的首選。AEC-Q101認(rèn)證包含了離散半導(dǎo)體元件(如晶體管,二極管等)最低應(yīng)力測試要求的定義和參考測試條件,目的是要確定一種器件在應(yīng)用中能夠通過應(yīng)力測試以及被認(rèn)為能夠提供某種級別的品質(zhì)和可靠性。
2021-05-20 11:50:386819

規(guī)電容標(biāo)準(zhǔn)知多少?

用電子主要依據(jù)國際汽車電子協(xié)會(Automotive Electronics Council,簡稱AEC)作為規(guī)驗證標(biāo)準(zhǔn),包括AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(離散組件
2021-04-28 09:33:154126

費(fèi)諾提供單極電源連接器 伏達(dá)率先推出通過規(guī)級認(rèn)證的芯片

伏達(dá)半導(dǎo)體通過AEC-Q100認(rèn)證的是兩顆用于無線充電發(fā)射的智能全橋芯片NU8015Q和NU8040Q,支持15W和40W無線充電輸出。相較驅(qū)動器加獨(dú)立MOS管的方案,伏達(dá)集成功率級不僅具有集成度高
2022-03-11 09:14:542609

瞻芯電子1200V大電流MOSFET規(guī)級認(rèn)證

值得一提的是,這款TO247-4封裝的產(chǎn)品通過AEC-Q101認(rèn)證,同時表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片,也滿足規(guī)級可靠性標(biāo)準(zhǔn)。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金,如下圖,支持雙面散熱封裝,可進(jìn)一步突破傳統(tǒng)單面封裝的功率密度極限。
2022-11-08 14:45:161791

AEC Q102(一文讀懂規(guī)AEC-Q認(rèn)證)

(Automotive Electronics Council,簡稱AEC)作為規(guī)驗證標(biāo)準(zhǔn),包括AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED
2023-01-29 11:04:434122

RGS系列:支持AEC-Q101的車載用1200V耐壓IGBT

ROHM新開發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號,傳導(dǎo)損耗非常低,非常有助于應(yīng)用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:231199

滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的SiC MOSFET又增10個型號,業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容!

ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器,又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET,該系列產(chǎn)品“支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101”,而且共有13款型號,擁有業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容。
2023-02-09 10:19:241521

白皮書:GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性 – 中文(650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認(rèn)證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...

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國產(chǎn)SIC MOSFET功率器件推出1200V大電流MOSFET獲得規(guī)認(rèn)證

2022年11月,上海瞻芯電子開發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101),該產(chǎn)品為TO247-4封裝,最大電流(Ids)可達(dá)111A。
2023-03-22 16:47:333850

AEC-Q102與AEC-Q101有什么區(qū)別?

華碧實(shí)驗室已為數(shù)百家LED封裝器件提供了AEC-Q102測試認(rèn)證,通過執(zhí)行大量的規(guī)測試案例,積累了豐富的認(rèn)證試驗經(jīng)驗,可以提供更專業(yè)、更可靠的測試服務(wù),同時提供LED燈珠、Mini LED
2023-04-27 14:15:001913

什么是AEC-Q101認(rèn)證?——華碧實(shí)驗室

IN AUTOMOTIVE APPLICATIONS:用分立半導(dǎo)體元器件的基于失效機(jī)理的應(yīng)力測試驗證 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的分立半導(dǎo)體元器件的最小工作溫度范圍:-40℃~+125℃ LED的最小工作溫度范圍-40℃~+85
2023-05-16 15:17:012333

功率器件AEC-Q101如何選擇測試項目?認(rèn)證準(zhǔn)備及流程有哪些?

Semiconductors,基于分立半導(dǎo)體應(yīng)力測試認(rèn)證的失效機(jī)理,名字有點(diǎn)長,所以一般就叫“分立半導(dǎo)體的應(yīng)力測試標(biāo)準(zhǔn)”。現(xiàn)在的Rev E版本是2021.03.01剛發(fā)布的最新版。 AEC-Q101認(rèn)證包含了分立半導(dǎo)體
2023-05-31 17:09:086304

CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET:高速開關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力

摘要:CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET,采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力,適用于MB/VGA、POL應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。本文將介紹CMS4070M的特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及關(guān)鍵性能參數(shù)。
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符合AEC-Q101認(rèn)證的規(guī)級瞬態(tài)抑制二極管的特性及應(yīng)用

Semiware推出符合AEC-Q101認(rèn)證的規(guī)級TVS管TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列,防護(hù)產(chǎn)品系列齊全,以滿足高標(biāo)準(zhǔn)的客戶需求.
2021-12-08 11:41:131463

功率半導(dǎo)體器件(IGBT、MOSFET和SiC)設(shè)計企業(yè):上海陸芯獲得第三代IGBT規(guī)AEC-Q101認(rèn)證

級IGBT產(chǎn)品在2019年后再次獲得TV萊茵頒發(fā)的AEC-Q101認(rèn)證證書。AEC-Q101認(rèn)證是半導(dǎo)體分立器件的汽車級測試,包括各類環(huán)境應(yīng)力,可靠性,耐久性,壽
2022-06-21 09:18:392221

什么是規(guī)認(rèn)證?一文讀懂規(guī)AEC-Q認(rèn)證

金鑒方博士:規(guī)AEC-Q102認(rèn)證需要一個強(qiáng)大的LED失效分析實(shí)驗室作基礎(chǔ)支撐AEC-Q系列認(rèn)證是公認(rèn)的規(guī)元器件的通用測試標(biāo)準(zhǔn)。IC設(shè)計企業(yè)想要進(jìn)入汽車電子領(lǐng)域,進(jìn)入汽車電子零部件供應(yīng)鏈
2022-11-22 10:35:072748

AEC Q101中文版及內(nèi)容解讀(正文部分)

是FAILUREMECHANISMBASEDSTRESSTESTQUALIFICATIONFORDISCRETESEMICONDUCTORSINAUTOMOTIVEAPPLICATIONS翻譯過來是基于失效機(jī)制對汽車領(lǐng)域應(yīng)用中分立半導(dǎo)體器件的認(rèn)證測試AEC-Q101最新的版本是Rev_E,發(fā)布于2021年3月
2023-01-13 10:00:294638

AEC-Q101的認(rèn)證對象和測試項目

USAEC-Q101認(rèn)證的概念AEC-Q101用分立半導(dǎo)體元器件的基于失效機(jī)理的應(yīng)力測試驗證。半導(dǎo)體分立器件被廣泛應(yīng)用到消費(fèi)電子、計算機(jī)及外設(shè)、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子、LED顯示屏等領(lǐng)域,而汽車領(lǐng)域
2023-01-13 10:02:032195

規(guī)級究竟有什么奇特之處

AEC-Q系列標(biāo)準(zhǔn)。AEC-Q100適用于芯片,AEC-Q101適用于分立半導(dǎo)體器件,AEC-Q102適用于分立光電子器件,AEC-Q103適用于MEMS器件,AEC
2023-01-16 11:30:002094

汽車電子“規(guī)級”的要求

(AutomotiveElectronicsCouncil,簡稱AEC)作為規(guī)驗證標(biāo)準(zhǔn),包括AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(
2023-02-02 11:14:082249

一文讀懂規(guī)AEC-Q認(rèn)證

點(diǎn)擊藍(lán)字關(guān)注我們SUBSCRIBEtoUS金鑒方博士:規(guī)AEC-Q102認(rèn)證需要一個強(qiáng)大的LED失效分析實(shí)驗室作基礎(chǔ)支撐AEC-Q系列認(rèn)證是公認(rèn)的規(guī)元器件的通用測試標(biāo)準(zhǔn)。IC設(shè)計企業(yè)想要進(jìn)入汽車
2023-06-13 10:46:442324

瞻芯電子TO263-7封裝SiC MOSFET量產(chǎn),助力高密高效功率變換

瞻芯電子正式量產(chǎn)了一款TO263-7封裝的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV1Q12160D7Z),該產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的規(guī)級可靠性測試認(rèn)證(AEC-Q101)。
2023-06-27 11:29:487870

英飛凌推出OptiMOS 7技術(shù)的40V規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列

采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列,進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON,或者說在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:121765

規(guī)芯片的AEC-Q100測試標(biāo)準(zhǔn)

AEC其實(shí)是Automotive Electronics Council汽車電子協(xié)會的簡稱,并且AECQ標(biāo)準(zhǔn)包括以下幾個領(lǐng)域,對于不同領(lǐng)域的電子器件,適用于不同的標(biāo)準(zhǔn)。目前見到的比較多的是AEC-Q100、AEC-Q101AEC-Q200。
2023-07-05 11:30:169221

AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)之TC解讀

AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)之TC解讀TC(TemperatureCycling)高溫循環(huán)測試意義在于證實(shí)極高溫度,極低溫度和高溫與低溫交替作用時,機(jī)械應(yīng)力對于器件焊接性能的作用,標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101-E中
2023-08-30 08:27:504157

AEC-Q101功率循環(huán)測試 簡介

功率循環(huán)測試-簡介功率循環(huán)測試是一種功率半導(dǎo)體器件的可靠性測試方法,被列為AEC-Q101與AQG-324等規(guī)測試標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)的必測項目。相對于溫度循環(huán)測試,功率循環(huán)通過在器件內(nèi)運(yùn)行的芯片發(fā)熱使器件
2023-09-10 08:27:592842

MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn) 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn) 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 15:36:081

國星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101規(guī)級認(rèn)證

AEC-Q101規(guī)級認(rèn)證并通過高壓960V H3TRB (HV-H3TRB)可靠性考核,使公司成為國內(nèi)少數(shù)SiC功率分立器件產(chǎn)品通過雙重考核的廠商之一。 ? 創(chuàng)新突破,無懼極限考驗 AEC-Q101
2023-10-24 15:52:321851

國星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101規(guī)級認(rèn)證

繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101規(guī)級認(rèn)證后
2023-10-25 18:28:101484

度亙核芯VCSEL產(chǎn)品-東方紅通過AEC-Q102規(guī)認(rèn)證

經(jīng)過數(shù)月的嚴(yán)苛測試與審核,2023年11月20日,度亙核芯VCSEL芯片系列產(chǎn)品-東方紅順利通過AEC-Q102規(guī)認(rèn)證。同時,度亙天元公司也于本月通過了IATF16949質(zhì)量體系認(rèn)證
2023-11-29 08:28:092588

瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源

11月27日,瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω,
2023-11-30 09:39:183074

武漢芯源半導(dǎo)體首款規(guī)級MCU,CW32A030C8T7通過AEC-Q100測試考核

。 CW32A030C8T7通過 AEC-Q100 規(guī)可靠性測試 作為武漢芯源半導(dǎo)體首款規(guī)級MCU產(chǎn)品,CW32A030C8T7產(chǎn)品順利通過AEC-Q100(Grade2)規(guī)級可靠性測試,符合
2023-11-30 16:46:071784

武漢芯源半導(dǎo)體首款規(guī)級MCU,CW32A030C8T7通過AEC-Q100測試考核

。CW32A030C8T7通過AEC-Q100規(guī)可靠性測試作為武漢芯源半導(dǎo)體首款規(guī)級MCU產(chǎn)品,CW32A030C8T7產(chǎn)品順利通過AEC-Q100(Grade2
2023-11-30 15:48:351190

芯塔電子SiC MOSFET通過規(guī)級認(rèn)證, 成功進(jìn)入新能源汽車供應(yīng)鏈!

近日,芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩTO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權(quán)威檢測機(jī)構(gòu)(廣電計量)全套AEC-Q101規(guī)級可靠性認(rèn)證。包括之前通過測試認(rèn)證的650V
2023-12-06 14:04:491019

武漢芯源半導(dǎo)體首款規(guī)級MCU通過AEC-Q100測試考核

近日,武漢芯源半導(dǎo)體正式發(fā)布基于Cortex?-M0+內(nèi)核的CW32A030C8T7規(guī)級MCU,這是武漢芯源半導(dǎo)體首款通過AEC-Q100 (Grade 2)規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的主流通用型規(guī)MCU產(chǎn)品。
2023-12-08 14:29:501614

規(guī)MOSFET產(chǎn)品組合答疑回顧

11 月 28 日,半導(dǎo)體 BG MOS 產(chǎn)品線高級應(yīng)用經(jīng)理方舟先生,為廣大工程師帶來了《Nexperia規(guī)MOSFET - 提升 EV 驅(qū)動能效的絕佳選擇》的網(wǎng)絡(luò)研討會,重點(diǎn)介紹了半導(dǎo)體最新車規(guī)MOSFET 產(chǎn)品,及其在新能源汽車車身和底盤中的應(yīng)用。
2023-12-15 10:35:312150

適用于24V電源系統(tǒng)的車載網(wǎng)絡(luò)ESD保護(hù)產(chǎn)品組合

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(半導(dǎo)體)近日推出符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品組合
2023-12-24 09:32:021493

英諾賽科發(fā)布100V規(guī)級GaN推進(jìn)汽車激光雷達(dá)市場

英諾賽科宣布推出100V規(guī)級氮化鎵器件INN100W135A-Q,該器件已通過AEC-Q101 認(rèn)證,適用于自動駕駛及其他先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)應(yīng)用中的規(guī)級激光雷達(dá)、高功率密度DC-DC變換器、D類音頻。
2023-12-29 16:00:341856

半導(dǎo)體推出全新150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺

半導(dǎo)體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺,平臺采用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計,提供了卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻,從而實(shí)現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作,不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:491736

瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過規(guī)級可靠性認(rèn)證

3月8日,瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101 Qualified)。
2024-03-11 09:24:381469

瞻芯電子第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過規(guī)級可靠性認(rèn)證

近日,瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴(yán)格的AEC-Q101規(guī)級可靠性認(rèn)證,這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:241748

蓉矽半導(dǎo)體1200V SiC MOSFET通過規(guī)級可靠性認(rèn)證

蓉矽半導(dǎo)體近日宣布,其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101規(guī)測試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯
2024-03-12 11:06:301587

蓉矽半導(dǎo)體SiC MOSFET通過AEC-Q101規(guī)級考核和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性驗證

蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101規(guī)測試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核,同時通過了新能源行業(yè)頭部廠商的導(dǎo)入測試并量產(chǎn)交付。
2024-03-12 17:18:212547

瞻芯電子推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品

瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品,這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101 Qualified),還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出,標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:131664

SGS為芯電子、半導(dǎo)體頒發(fā)了AEC-Q101認(rèn)證證書

2024年3月22日, 國際公認(rèn)的測試、檢測和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS為芯電子科技股份有限公司(以下簡稱“芯電子”)及其子公司安徽半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“半導(dǎo)體”)頒發(fā)了AEC-Q101認(rèn)證證書。
2024-03-22 18:21:552151

SGS為華微電子頒發(fā)AEC-Q101認(rèn)證證書

近日,國際公認(rèn)的測試、檢驗和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS(以下簡稱為“SGS”)為吉林華微電子股份有限公司(以下簡稱為“華微電子”)頒發(fā)AEC-Q101認(rèn)證證書。
2024-03-22 18:25:561834

瞻芯電子推出一款規(guī)級1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z

近日,瞻芯電子正式推出一款規(guī)級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z,該模塊產(chǎn)品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101規(guī)級可靠性認(rèn)證。
2024-04-07 11:37:323562

芯弦半導(dǎo)體高性能規(guī)MCU系列獲AEC-Q100規(guī)級認(rèn)證證書

近日,芯弦半導(dǎo)體高性能規(guī)MCU系列獲得第三方權(quán)威檢測機(jī)構(gòu)-閎康技術(shù)檢測(上海)有限公司(以下簡稱"閎康科技")頒發(fā)的AEC-Q100規(guī)級認(rèn)證證書,標(biāo)志著芯弦規(guī)級MCU在性能與可靠性等指標(biāo)上符合國際規(guī)芯片標(biāo)準(zhǔn),產(chǎn)品質(zhì)量獲得權(quán)威認(rèn)證機(jī)構(gòu)的認(rèn)可。
2024-04-29 09:33:051624

比亞迪半導(dǎo)體規(guī)級LED光源產(chǎn)品順利通過SGS AEC-Q102認(rèn)證

近日,比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡稱“比亞迪半導(dǎo)體”),憑借其自主研發(fā)的四大系列車規(guī)級LED光源,順利通過國際公認(rèn)測試、檢驗與認(rèn)證權(quán)威機(jī)構(gòu)SGS(Société Générale de Surveillance)的AEC-Q102認(rèn)證。
2024-05-08 14:17:002239

雷卯解析AEC-Q101AEC-Q200

雷卯解析AEC-Q101AEC-Q200
2024-06-12 08:02:582253

瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過規(guī)級可靠性測試認(rèn)證

近日,上海瞻芯電子科技股份有限公司(簡稱“瞻芯電子”)基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品(IV3Q12013T4Z)通過規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試
2024-06-24 09:13:201944

瞻芯電子SiC MOSFET技術(shù)新突破,規(guī)產(chǎn)品正式量產(chǎn)

Ω SiC MOSFET產(chǎn)品(IV3Q12013T4Z)成功通過規(guī)級可靠性(AEC-Q101測試認(rèn)證,這一里程碑式的成果標(biāo)志著瞻芯電子在SiC MOSFET領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力達(dá)到了新的高度。
2024-06-24 10:05:431444

基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過規(guī)級認(rèn)證,為汽車電子注入新動力

近日,中國半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者——基本半導(dǎo)體公司,再次在科技領(lǐng)域邁出堅實(shí)步伐。該公司自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120H成功通過AEC-Q101規(guī)級可靠性認(rèn)證
2024-06-26 17:58:541640

傅里葉半導(dǎo)體榮獲季豐電子AEC-Q100與AEC-Q006證書

傅里葉半導(dǎo)體規(guī)級音頻功放產(chǎn)品FS5024E在季豐電子可靠性實(shí)驗室的助力下,成功通過AEC-Q100與AEC-Q006認(rèn)證測試,榮獲AEC-Q100與AEC-Q006證書。
2024-08-02 14:31:092904

除了IATF16949體系認(rèn)證 AEC-Q200產(chǎn)品測試 規(guī)級電感還需滿足哪些標(biāo)準(zhǔn)要求

。那么,磁性元件供應(yīng)商通過了IATF16949體系認(rèn)證,且產(chǎn)品通過AEC-Q200測試,向客戶提供的一定是規(guī)品嗎?
2024-09-10 15:26:561591

基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101規(guī)級認(rèn)證

近日,基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101規(guī)級可靠性認(rèn)證,產(chǎn)品性能和可靠性滿足汽車電子元器件在極端環(huán)境下的嚴(yán)苛要求,至此公司獲規(guī)級認(rèn)證的碳化硅功率器件產(chǎn)品家族再添一員。
2024-09-13 10:20:191572

功率半導(dǎo)體器件功率循環(huán)測試與控制策略

功率循環(huán)測試是一種功率半導(dǎo)體器件的可靠性測試方法,被列為AEC-Q101與AQG-324等規(guī)測試標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)的必測項目。與溫度循環(huán)測試相比,功率循環(huán)是通過器件內(nèi)部工作的芯片產(chǎn)生熱量,使得器件達(dá)到既定的溫度;而溫度循環(huán)則是通過外部環(huán)境強(qiáng)制被測試器件達(dá)到測試溫度。
2024-10-09 18:11:471596

新聲半導(dǎo)體多款濾波器獲AEC-Q200規(guī)認(rèn)證

近日,新聲半導(dǎo)體傳來喜訊,其TC-SAW和BAW系列多款濾波器產(chǎn)品成功通過AEC-Q200規(guī)認(rèn)證。這一成就不僅彰顯了新聲半導(dǎo)體在濾波器領(lǐng)域的卓越技術(shù)實(shí)力,更標(biāo)志著其成為國內(nèi)首家通過規(guī)測試認(rèn)證的濾波器企業(yè)。
2024-10-16 16:55:301425

半導(dǎo)體持續(xù)擴(kuò)充中高壓MOSFET產(chǎn)品平臺

半導(dǎo)體 (JSAB) 繼年初推出業(yè)界領(lǐng)先的150V SGT MOSFET 產(chǎn)品平臺,同年已將中高壓平臺擴(kuò)充至120V 及200V,平臺沿用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計,提供了卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻,實(shí)現(xiàn)
2024-11-12 14:00:301535

用多芯片組件AEC-Q104規(guī)范

)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q200(被動組件)。而AEC-Q102(離散光電LED)、AEC-Q104(多芯片組件)為近期較新的汽車電子規(guī)范。AEC測試條件雖然
2024-11-21 16:41:561792

AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)下的分立半導(dǎo)體器件認(rèn)證

電子部件標(biāo)準(zhǔn),其成員包括全球的汽車制造商、電子模塊生產(chǎn)商和元器件供應(yīng)商。AECQ101標(biāo)準(zhǔn)簡述AECQ101標(biāo)準(zhǔn)是一套針對汽車用離散半導(dǎo)體元件的可靠性測試和認(rèn)證標(biāo)
2024-12-23 17:29:481190

AEC-Q101——HAST試驗介紹

,為汽車電子器件提供了一套全面的測試和驗證框架,確保這些器件能夠在惡劣的汽車環(huán)境中穩(wěn)定工作。AEC-Q101-2021標(biāo)準(zhǔn)的核心目標(biāo)AEC-Q101-2021標(biāo)準(zhǔn)
2025-01-09 11:04:301467

士模微電子ADC芯片通過AEC-Q100規(guī)級認(rèn)證

近日,士模微電子高性能ADC芯片CM1103、CM1106成功通過AEC-Q100規(guī)級認(rèn)證,芯片性能及可靠性等指標(biāo)符合國際規(guī)芯片標(biāo)準(zhǔn),產(chǎn)品質(zhì)量獲得權(quán)威認(rèn)證機(jī)構(gòu)的認(rèn)可和肯定。關(guān)于
2025-03-11 15:04:431239

納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過規(guī)認(rèn)證

日訊——納微半導(dǎo)體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過 AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項規(guī)認(rèn)證,這標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在電動汽車市場的應(yīng)用正式邁入了全新階段。 ? 納微半導(dǎo)體的高功率旗艦——第四代GaNSafe產(chǎn)品家族, 集成了控制、驅(qū)動、感測以及關(guān)鍵的保護(hù)功能
2025-04-17 15:09:264301

新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品

,構(gòu)建全場景解決方案。其中40V Gen.3 SGT MOSFET系列憑借革命性的性能升級,為消費(fèi)級、工業(yè)級以及規(guī)級應(yīng)用領(lǐng)域樹立新標(biāo)桿。
2025-06-11 08:59:592502

蘇試宜特助力精控集成半導(dǎo)體完成AEC-Q規(guī)認(rèn)證

近期,在蘇試宜特汽車可靠性驗證中心的支持下,深圳精控集成半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“精控集成半導(dǎo)體”)的一款高性能高可靠性16通道規(guī)級BMS AFE——PI21116芯片,成功通過AEC-Q100 Grade1可靠性質(zhì)量驗證規(guī)范的認(rèn)可。
2025-07-16 17:25:001052

卡倫測控:規(guī)級電子元器件AEC-Q認(rèn)證測試

規(guī)級電子元器件AEC-Q認(rèn)證測試汽車電子委員會由Chrysler/Ford/GM發(fā)起并創(chuàng)立于1994年,目前會員遍及全球各大汽車廠與汽車電子和半導(dǎo)體廠商。用電子主要依據(jù)AEC作為規(guī)驗證標(biāo)準(zhǔn)
2025-08-20 16:37:082283

新聲半導(dǎo)體榮獲季豐電子AEC-Q200認(rèn)證證書

近日,新聲半導(dǎo)體SAW規(guī)產(chǎn)品在季豐電子可靠性實(shí)驗室的助力下,成功通過AEC-Q200認(rèn)證測試,榮獲AEC-Q200證書。
2025-09-05 11:18:321035

Nexperia推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100V MOSFET

Nexperia(半導(dǎo)體)近日宣布推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100 V MOSFET,采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導(dǎo)通損耗,導(dǎo)通電
2025-09-18 18:19:141112

規(guī)級二極管 以AEC-Q101為基石 可靠性的“通行證”

的汽車電子平臺。 選擇東沃規(guī)級二極管,就是選擇: · 以AEC-Q101為起點(diǎn)的絕對可靠 · 征服極端環(huán)境的卓越性能 · 年長效運(yùn)行的品質(zhì)承諾 · 助力產(chǎn)品
2025-10-16 10:22:10257

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