Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:44
1436 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241488 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現(xiàn)在4.5V柵極驅動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403486 Vishay具有業(yè)內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。
2024-04-02 14:27:302758 
在公共漏極和參考GND之間的電機，使用雙電源簡單地連接以生成雙向開關。一旦輸入電壓為低，則連接在電路中的P溝道 MOSFET將被打開，而N溝道MOSFET將被關閉，因為其柵極到源極結為負偏置，因此電路中
2022-09-27 08:00:00
是主開關晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應用的開關，本設計實例對P溝道和N溝道增強型MOSFET進行了比較。對市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
，合適于功率MOSFET的應用。這種結構稱為垂直導電雙擴散MOS結構VDMOSFET（Vertical Double Diffused MOSFET）。N溝道MOSFET襯底為高摻雜的N+襯底，高摻雜溝道
2016-10-10 10:58:30
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。1、N溝通和P溝道
2016-12-07 11:36:11
為正時，它充當增強型MOSFET。N溝道場效應管與P溝道場效應管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負載，當柵極施加正電壓時，F(xiàn)ET導通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
圖1為二個P溝道的功率MOSFET組成的充電電路，P溝道的功率MOSFET的型號為：AO4459。Q3和R1實現(xiàn)恒流或限流充電功能，Q4控制電路的工作。圖1：P溝道MOSFET組成充電電路電路工作
2017-04-06 14:57:20
N溝道和P溝道MOSFET哪個常用?增強型和耗盡型的哪個常用?
2019-05-13 09:00:00
。功率 MOSFET 的分類及優(yōu)缺點和小功率 MOSFET 類似，功率 MOSFET 也有分為 N 溝道和 P 溝道兩大類；每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。雖然耗盡型較之增強型有不少的優(yōu)勢，但實際上
2019-11-17 08:00:00
MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關。同步整流器應用幾乎總是使用N溝道技術，這主要
2021-04-09 09:20:10
有沒有人用過SI2307 P溝道MOSFET?不知道為什么5V的電壓無法關斷、、、是不是設計問題？
2016-08-28 18:29:46
20V P 溝道增強型MOSFET管
20V P 溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:36:20
23 30V P 溝道增強型MOSFET管
30V P 溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:42:0929 N加P溝道增強型MOSFET管
N加P溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:43:3925 隨著這種新器件的發(fā)布，采用四種表面貼裝封裝類型的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET現(xiàn)已供貨，其中包括耐熱增強型PowerPAK® SO-8封裝，它可在SO-8占位面積
2009-09-12 17:42:021048 Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強Pow
2009-11-23 17:10:23930 Vishay Siliconix推出業(yè)內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:521012 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 安森美推出帶集成肖特基二極管的30V 擴充N溝道功率MOSFET
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30V產(chǎn)品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:161310 P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351818 采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET -
2010-04-30 08:42:491125 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴充其用于功率電子的重載Vishay ESTA HDMKP電容器，增添新容值和新封裝形式。
HDMKP電容器具有從900V至2700V(dc)的6種標準電壓。其前一代產(chǎn)品的容值
2010-06-25 15:38:30613 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴充其用于功率電子的重載Vishay ESTA HDMKP電容器，增添新容值和新封裝形式。
HDMKP電容器具有從900V至2700V(dc)的6種標準電壓。其前一代產(chǎn)品的容值
2010-06-28 08:36:54897 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術的非對稱雙通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:231339 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
2011-01-26 09:04:081830 日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。
2011-08-18 09:42:402992 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:051058 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導通電阻上設立了新的行業(yè)基準的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:131025 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541791 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211312 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:051119 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎之電源器件和模塊類最佳產(chǎn)品獎。
2013-12-20 09:10:031623 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 MOSFET多數(shù)是載流子器件， N溝道MOSFET在導電過程中有電子流動。 P溝道在導電期間使用被稱為空穴的正電荷。電子的流動性是空穴的三倍。盡管沒有直接的相關性，就RDS(on)而言，為得到相等的值，P溝道的管芯尺寸大約是N溝道的三倍。因此N溝道的管芯尺寸更小。
2018-03-09 14:28:1523171 
最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:011015 MOSFET及其應用優(yōu)勢，以幫助設計人員在許多工業(yè)應用中選擇這些器件。 圖1 N溝道耗盡型功率MOSFET N溝道耗盡型功率MOSFET的電路符號在圖1中給出。端子標記為G（柵極），S（源極）和D（漏極）。IXYS耗盡型功率MOSFET具有稱為垂直雙擴散MOSFET或DMOSFET的結構，與市場上的其
2021-05-27 12:18:589886 
Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術。
2021-04-21 17:50:211914 
P溝道增強型功率MOSFET G12P04K規(guī)格書英文版
2021-12-02 10:44:130 P溝道增強型功率MOSFET LT2P06SJ資料說明
2022-01-23 09:40:113 由于具有較低的導通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關。
2022-11-18 11:28:214033 在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:0012140 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《P溝道增強模式功率MOSFET G040P04M規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2023-09-19 17:29:110 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:081686 
近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:021362 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:141480 隨著現(xiàn)代低壓應用的發(fā)展，Littelfuse P溝道功率MOSFET滿足了當今電力電子不斷發(fā)展所需的通用功能。Littelfuse P溝道MOSFETs的廣泛應用，為工業(yè)和汽車應用設計工程師提供了更
2024-04-07 18:29:212815 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《P溝道 NexFET? 功率MOSFET CSD25211W1015數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-04-07 11:03:260 P溝道與N溝道MOSFET作為半導體器件中的關鍵元件，在電子電路設計中扮演著重要角色。它們各自具有獨特的工作原理、結構特點以及應用場景。
2024-08-13 17:02:204934 功率MOSFET有二種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設計的過程中選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇的型號多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號較少，成本高。如果功率
2024-10-30 15:24:171638 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7407FLG P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 17:41:490 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7407FL P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-04 16:27:130 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7407FL-YHG P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 16:36:543 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7407FL-Y P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 14:30:530 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7409FJ P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-04 16:11:071 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7409FJ-X P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
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2025-03-01 14:33:571 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7409FL-ZH P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
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2025-03-01 14:29:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT7409SRH P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-04 17:34:230 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004FPB互補增強型功率MOSFET(N和P溝道)規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 16:35:550 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTH004FP互補增強型功率MOSFET(N和P溝道)規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 16:33:590 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1701FMQ P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-04 15:50:250 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1701SIG P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
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2025-03-05 17:51:120 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1800FQ P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
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2025-03-05 17:57:510 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT2209FMQ P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-07 11:21:160 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT2209FM P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-07 11:24:080 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT2209FM-X P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-07 10:55:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT40P150FJC P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-07 11:28:170 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT9435ASQ P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-26 15:53:160 Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET，具有100V漏源電壓。該MOSFET具有536W最大功耗（+25°C
2025-11-11 13:42:26337 
Vishay SiRS5700DP N溝道150V（D-S）MOSFET是一款TrenchFET?第五代功率MOSFET，具有非常低的R~DS~ x Q~g~ 品質因數(shù)（FOM）。Vishay
2025-11-13 11:21:53433 
仁懋電子（MOT）推出的MOT3712G是一款P溝道增強型功率MOSFET，憑借-30V耐壓、低導通電阻及高電流承載能力，適用于PWM應用、負載開關、電源管理等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道
2025-11-21 10:31:06233 
威兆半導體推出的VS3540AC是一款面向-30V低壓小電流場景的P溝道增強型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓負電源切換、小型負載開關等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強型
2025-12-10 09:44:34250 
威兆半導體推出的VS3510AS是一款面向30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配低壓電源的負載開關、電源通路控制等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-16 11:46:18213 
威兆半導體推出的VS2301BC是一款面向-20V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，采用SOT23小封裝，適配小型化低壓電源的負載開關、電源通路控制等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道
2025-12-18 17:37:55147 
威兆半導體推出的VS3508AS是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配低壓電源的高側開關、負載控制等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P
2025-12-24 13:01:21133 
威兆半導體推出的VSP020P06MS是一款面向-40V中壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中壓電源的高側開關、負載控制等領域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強型
2025-12-26 12:01:16110 
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