Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有0.8mm業(yè)內(nèi)最低高度的新款全集成接近和環(huán)境光光學(xué)傳感器--- VCNL4020
2012-06-18 09:39:12
1172 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出具有0.8mm業(yè)內(nèi)最低高度的新款全集成接近和環(huán)境光光學(xué)傳感器--- VCNL4020。
2012-06-19 10:01:131284 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441437 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403499 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383289 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動電路的器件，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至4 m?，采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:006418 硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個增強(qiáng)型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:314062 
Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。
2024-04-02 14:27:302758 
東芝推出了采用外形尺寸僅為0.8mm×0.8mm×0.3mm的SDFN4封裝的LDO穩(wěn)壓器IC “TCR2EN系列”。
2012-02-06 09:22:011643 披歐）包括****標(biāo)準(zhǔn)的引腳間距（1.27mm、0.8mm、0.5mm、0.635mm等）、具體的引腳數(shù)量（如6-500針）、各式引腳樣式（如貼片式、直插式等）、電鍍方式（金鍍層厚度不同）、
此外
2025-08-22 17:29:17
WERA - 8700 0.8MM - Hex Driver Bit, Slotted, 0.8mm x 5.5mm, 28mm
2024-06-20 20:50:33
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
為正時，它充當(dāng)增強(qiáng)型MOSFET。N溝道場效應(yīng)管與P溝道場效應(yīng)管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負(fù)載，當(dāng)柵極施加正電壓時，F(xiàn)ET導(dǎo)通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
），基本原則就是在保證功率MOS管的溫升和系統(tǒng)效率的前提下，選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOS管。小到選N型還是P型、封裝類型，大到MOSFET的耐壓、導(dǎo)通電阻等，不同的應(yīng)用需求千變?nèi)f化，工程師在選擇
2023-02-17 14:12:55
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
，增強(qiáng)型MOSFET分為P溝道增強(qiáng)型和N溝道增強(qiáng)型，耗盡型MOSFET分為P溝道耗盡型和N溝道耗盡型。在本文中，小編將介紹其中一種類型的MOSFET，即P溝道MOSFET?；靖拍?b class="flag-6" style="color: red">溝道由大多數(shù)電荷載流子作為
2022-09-27 08:00:00
是主開關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開關(guān)，本設(shè)計實例對P溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。1、N溝通和P溝道
2016-12-07 11:36:11
40V10ASOP-8封裝N溝道 【40V MOS管 N溝道】SL488440V12.5ASOP8封裝N溝道 【30V MOS管 N/P溝道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封裝P溝道
2020-06-22 10:57:12
40V10ASOP-8封裝N溝道 【40V MOS管 N溝道】SL488440V12.5ASOP8封裝N溝道 【30V MOS管 N/P溝道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8封裝P溝道
2020-06-29 16:39:10
03場效應(yīng)管30V39A N溝道 DFN3x3-8 功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-10 14:31:13
N溝道和P溝道MOSFET哪個常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個常用?
2019-05-13 09:00:00
MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關(guān)。同步整流器應(yīng)用幾乎總是使用N溝道技術(shù)，這主要
2021-04-09 09:20:10
。STLQ020即日起投產(chǎn)，采用2mm x 2mm DFN6、0.8mm x 0.8mm倒裝芯片4、2.1mm x 2.0mm SOT323-5L三種封裝。高性能四路LDO穩(wěn)壓器評估板
2018-04-10 15:13:05
你好，我尋求CSG325 0.8mm間距BGA封裝的布局信息。我想找到類似于UG112第87和88頁中的建議，其中列出了焊盤尺寸，焊接掩模開口，焊盤尺寸等。是否有像CSG325這樣的芯片級封裝的類似
2019-04-12 13:51:20
接觸到個項目，上面需要個數(shù)字溫度傳感器，要求高度不能大于0.8MM……最好是QFN封裝的，沒有的話其他封裝也行但是我實找不到合適的型號…………有誰知道的，推薦一個參考參考，感激不盡
2019-01-14 04:12:47
推出并量產(chǎn)低溫錫絲。無鉛低溫焊錫焊點亮度，焊接機(jī)械強(qiáng)度，拉伸韌性及電子導(dǎo)電率等指標(biāo)均有較大提高,無鉛低溫錫絲直徑從0.8mm,1.0mm 可供選擇，里面含有松香，電烙鐵直接焊接；本公司所生
2021-12-10 11:15:04
MUF-PK10K-X，連接器，0.8mm間距/接口 該連接器是帶鎖定機(jī)構(gòu)的屏蔽接口連接器。插頭側(cè)：易于
2023-02-18 15:37:00
N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管
N加P溝道增強(qiáng)型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:43:39
25 Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)Pow
2009-11-23 17:10:23930 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:521012 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521103 P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351818 采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET -
2010-04-30 08:42:491125 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。
2011-01-26 09:04:081831 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301778 日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。
2011-08-18 09:42:403002 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:051059 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351925 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:131026 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541792 ? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:401182 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211312 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴(kuò)展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:051119 的采用非對稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載
2013-12-13 15:07:131158 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 MOSFET多數(shù)是載流子器件， N溝道MOSFET在導(dǎo)電過程中有電子流動。 P溝道在導(dǎo)電期間使用被稱為空穴的正電荷。電子的流動性是空穴的三倍。盡管沒有直接的相關(guān)性，就RDS(on)而言，為得到相等的值，P溝道的管芯尺寸大約是N溝道的三倍。因此N溝道的管芯尺寸更小。
2018-03-09 14:28:1523173 
器件帶有日光阻擋濾光片，采用小尺寸2.5mm x 2.0mm x 0.8mm SMD封裝，可實現(xiàn)光學(xué)檢查 Vishay光電子產(chǎn)品部推出可用于智能家居、工業(yè)和辦公設(shè)備的新反射式光傳感器
2018-05-26 02:18:005830 MCP87130 是采用常見的 PDFN 5 mm x 6 mm 封裝和
PDFN 3.3 mm x 3.3 mm 封裝的 N 溝道功率 MOSFET。
MCP87130 利用先進(jìn)的封裝和硅片
2018-06-29 11:23:002 MCP87090 是采用常見的 PDFN 5 mm x 6 mm 封裝和
PDFN 3.3 mm x 3.3 mm 封裝的 N 溝道功率 MOSFET。
MCP87090 利用先進(jìn)的封裝和硅片
2018-07-02 10:23:0010 MCP87050 是采用常見的 PDFN 5 mm x 6 mm 封裝的
N 溝道功率 MOSFET。先進(jìn)的封裝和硅片加工技術(shù)使
MCP87050 可以在給定 RDS(ON) 值的情況下實現(xiàn)低
2018-06-29 10:24:004 MCP87055 器件是采用常見的 PDFN 3.3 mm x 3.3 mm
封裝的 N 溝道功率 MOSFET。先進(jìn)的封裝和硅片加工技
術(shù)使 MCP87055 可以在給定 RDS(on) 值
2018-06-29 10:24:005 MCP87022 是采用常見的 PDFN 5 mm x 6 mm 封裝的
N 溝道功率 MOSFET。先進(jìn)的封裝和硅片加工技術(shù)使
MCP87022可以在給定RDS(on)值的情況下實現(xiàn)低QG
2018-06-29 11:24:006 新的芯片級MICRO FOOT P溝道Si8457DB在1.8V柵極驅(qū)動下具有1.6mm x 1.6mm占位的MOSFET當(dāng)中最低的導(dǎo)通電阻，也是唯一VGS 達(dá)到±8V的此類器件，為鋰離子電池供電的應(yīng)用提供了額外的安全裕量。
2018-08-28 09:10:001427 間距為0.5、0.6、0.8和1.0mm，而且通過配接各種組合的垂直插頭和母端護(hù)套高度，可以實現(xiàn)從4mm到20mm的板對板堆疊高度（增量為1mm）。
2018-09-25 10:48:506534 、TSOP574..和TSOP575..器件，具有0.8mm的超薄厚度，是目前市場上最薄的產(chǎn)品之一，感光角達(dá)到了驚人的150°。該接收器具有Vishay一貫性的高靈敏度，其接收距離達(dá)到了40米。 平板LED
2018-12-21 12:43:01551 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是0.8mm雙槽板對板BTB連接器的規(guī)格原理圖免費下載。
2020-01-09 08:00:008 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是0.5MM和0.8MM間距側(cè)插板對板連接器公母座規(guī)格原理圖免費下載。
2020-01-08 08:00:0012 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是FCI間距0.8MM接插件AMP款公母座板對板連接器的規(guī)格原理圖免費下載。
2020-04-22 08:00:003 電源系統(tǒng)中的恒定電流源，固態(tài)繼電器，電信開關(guān)和高壓直流線路等應(yīng)用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當(dāng)柵極至源極電壓為零時，該MOSFET用作常開的開關(guān)。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:589888 
Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:211914 
0.8MM前腳的HDMI C TYPE沉板原理圖
2021-08-02 11:10:313 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業(yè)應(yīng)用功率密度、能效和板級可靠性。
2022-02-07 15:37:081785 
由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關(guān)。
2022-11-18 11:28:214035 KOYUELEC光與電子提供SUNLORDINC順絡(luò)電子0.8mm低背型合金粉芯繞線功率電感技術(shù)選型和方案應(yīng)用
2023-01-04 14:23:19874 
60 / 50 V，330 / 170 mA N/P 溝道溝槽 MOSFET-NX1029X
2023-02-07 19:57:500 R0E53033GCFG90 用戶手冊 (Converter Board for Connecting R8C/33G and R8C/33H 組s 32-pin 0.8mm pitch LQFP)
2023-04-19 18:47:140 R0E53036ACFG40 用戶手冊 (Converter Board for Connecting R8C/36A and R8C/36C 組s 64-pin 0.8mm pitch LQFP)
2023-04-19 19:19:480 R0E420000CFG40 用戶手冊 (Converter Board for Connecting H8S/Tiny Series 64-pin 0.8mm pitch LQFP)
2023-04-19 19:21:030 在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動電路。
2023-04-29 09:35:0012151 
R0E5212L4CFG00 使用手冊(32-pin 0.8mm間距LQFP轉(zhuǎn)換板)
2023-04-28 19:11:320 M3T-64DIP-DMS 用戶手冊(64-pin RSS Type Emulator MCU轉(zhuǎn)接64-pin 0.8mm pitch QFP轉(zhuǎn)接板)
2023-04-28 19:54:350 R0E436640CFG20 用戶手冊（64-pin 0.8mm間距QFP轉(zhuǎn)換板）
2023-05-04 19:44:440 R0E5212BACFG00 用戶手冊(64-pin 0.8mm間距LQFP轉(zhuǎn)換板)
2023-05-04 20:04:450 R0E521276CFG00 用戶手冊（32-pin 0.8mm間距LQFP轉(zhuǎn)換板）
2023-05-08 19:55:450 R0E521134CFG00 用戶手冊（32-pin 0.8mm間距LQFP轉(zhuǎn)換板）
2023-05-09 19:41:400 R0E521276CFG00 用戶手冊（32-pin 0.8mm間距LQFP轉(zhuǎn)換板）
2023-06-27 19:35:380 R0E521134CFG00 用戶手冊（32-pin 0.8mm間距LQFP轉(zhuǎn)換板）
2023-06-28 18:31:330 p溝道和n溝道的區(qū)別 n溝道和p溝道怎樣區(qū)分？ 區(qū)分p溝道和n溝道的關(guān)鍵在于材料的雜質(zhì)摻入和本征類型。在材料中摻入不同類型的雜質(zhì)能夠改變材料的導(dǎo)電性質(zhì)，從而使其成為p溝道或n溝道。 首先，讓我們來了
2023-11-23 09:13:426071 焊接時，需要采取嚴(yán)格的氣體保護(hù)才能獲得性能良好的焊接接頭。下面來看看激光焊接機(jī)焊接0.8mm鈦合金的技術(shù)工藝。 ? 激光焊接機(jī)焊接0.8mm鈦合金的技術(shù)工藝： 一、準(zhǔn)備階段 在準(zhǔn)備階段，需要先準(zhǔn)備好焊接所需的所有材料，包括0.8mm鈦
2023-12-14 11:28:151645 
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場效應(yīng)晶體管可以分為N溝道和P溝道兩種類型。本文將對N溝道和P溝道
2023-12-28 15:47:1515374 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計算機(jī)、消費電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:081687 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用1.2mm x 0.8mm WCSP封裝的TPS6283810小型6引腳3A降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-08 09:53:100 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:021364 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:141482 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用TSOT和2mm×2mm×0.8mm QFN封裝的 2.25MHz、 600mA 降壓轉(zhuǎn)換器TPS6256x數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-04-26 10:36:550 P溝道與N溝道MOSFET作為半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵元件，在電子電路設(shè)計中扮演著重要角色。它們各自具有獨特的工作原理、結(jié)構(gòu)特點以及應(yīng)用場景。
2024-08-13 17:02:204943 檔為WorldPO連接器產(chǎn)品的選型手冊，詳細(xì)介紹了多種型號連接器的產(chǎn)品規(guī)格和參數(shù)，
包括標(biāo)準(zhǔn)的引腳間距（1.27mm、0.8mm、0.5mm、0.635mm等）、具體的引腳數(shù)量（如6-500針）、各式引腳樣式（如貼片式、直插式等）、電鍍方式（金鍍層厚度不同）、
此外，還提供了配對合
2024-11-29 13:41:032 產(chǎn)品概述 ? 型號 ?：CSD18512Q5B ? 類型 ?：40V N溝道 NexFET? 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 5mm × 6mm 塑料封裝 ? 特點 ?：低導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)）、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、無鉛端子鍍
2025-04-16 10:20:33789 
在智能設(shè)備“瘦身”的浪潮中，內(nèi)部空間的“寸土寸金”是各種設(shè)備制造商的一大困擾。當(dāng)傳統(tǒng)連接器在緊湊空間里“施展不開”，當(dāng)復(fù)雜的線纜端接拖慢生產(chǎn)效率——TE Connectivity（以下簡稱“TE”）的全新0.8mm超薄型IDC連接器系統(tǒng)，正是您期待已久的解決方案！
2025-07-01 16:27:28919 
仁懋電子（MOT）推出的MOT4383T是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借0.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、400A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率
2025-11-19 15:15:00184 
mm封裝，具有下拉和中心柵極設(shè)計，可提高功率密度、效率和散熱性能。該N溝道MOSFET無鉛、無鹵/無BFR，符合RoHS指令。NTMFSS0D9N03P8 MOSFET非常適合用于ORing、電機(jī)驅(qū)動器、電源負(fù)載開關(guān)和直流/直流應(yīng)用。
2025-11-24 15:35:18265 
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