日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是業(yè)內(nèi)首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片級MOSFET，是目前市場上尺寸最小的此類器件；而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸的30V芯片級器件中具有最低的導通電阻。

　　Vishay的TrenchFET Gen III p溝道MOSFET使用了先進的加工工藝，在每平方英寸的硅片內(nèi)裝入了10億個晶體管單元。這種最前沿的技術(shù)實現(xiàn)了超精細、亞微米的節(jié)距工藝，把目前業(yè)內(nèi)最好的p溝道MOSFET所能達到的導通電阻降低了近一半。芯片級的MICRO FOOT技術(shù)不但能節(jié)省空間，實現(xiàn)更小、更薄的終端產(chǎn)品，而且能夠在給定的外形內(nèi)使用更大的硅片。

　　Si8497DB和Si8487DB可在智能手機、平板電腦、銷售點（POS）設(shè)備和移動計算等手持設(shè)備中用于負載、電池和充電器的切換。在筆記本電腦的電池管理電路中，MOSFET的低導通電阻能夠在負載開關(guān)上實現(xiàn)更低的電壓降，從而減少欠壓鎖定問題的發(fā)生。在平板電腦、智能手機和銷售點設(shè)備的充電器中，低導通電阻意味著可以使用更大的充電電流，使電池充電的速度更快。

　　對于設(shè)計者，Si8487DB和Si8497DB為他們提供了滿足其特定應(yīng)用需求的外形尺寸和導通電阻。對于小占用空間能夠帶來產(chǎn)品增值的場合，1.5mm x 1mm的Si8497DB同時具有0.59mm的最大高度，以及4.5V、2.5V和2.0V下53mΩ、71mΩ和120mΩ的低導通電阻。對于低導通電阻是重要考慮因素的應(yīng)用，Si8487DB能在10V、4.5V和2.5V下提供31mΩ、35mΩ和45mΩ的低導通電阻，0.6mm的最大高度，以及此類p溝道功率MOSFET中最低的導通電阻值。

　　器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2002/95/EC。Si8487DB與Vishay的30V Si8409DB保持引腳兼容。

　　新的Si8487DB和Si8497DB TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周。