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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>泛林集團的選擇性刻蝕設備組合正在推進芯片行業(yè)下一個重要的技術(shù)拐點

泛林集團的選擇性刻蝕設備組合正在推進芯片行業(yè)下一個重要的技術(shù)拐點

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2022-11-18 10:21:311648

集團收購 SEMSYSCO 以推進芯片封裝

來源:集團 集團擴大異構(gòu)半導體解決方案產(chǎn)品組合,用于下一代基板和面板級先進封裝工藝 北京時間2022年11月18日——集團 (Nasdaq:LRCX) 近日宣布已從Gruenwald
2022-11-21 16:43:021593

下一個物聯(lián)網(wǎng)設計中實現(xiàn)無縫互操作

指導視頻:在下一個物聯(lián)網(wǎng)設計中實現(xiàn)無縫互操作
2022-12-26 10:16:171367

集團選擇性刻蝕方法:Argos、Prevos和Selis

微縮(即縮小芯片中的微小器件,如晶體管和存儲單元)從來都不是容易的事情,但要想讓下一代先進邏輯和存儲器件成為現(xiàn)實,就需要在原子級的尺度上創(chuàng)造新的結(jié)構(gòu)。當處理這么小的維度時,可以變化的空間微乎其微。
2023-01-31 09:47:361162

集團入選Ethisphere 2023 年“全球最具商業(yè)道德企業(yè)”

商業(yè)道德企業(yè)”。 集團是唯一一家晶圓制造設備供應商,也是今年全球榜單中兩家入選半導體類別的公司之 。Ethisphere是全球定義并推進商業(yè)道德實踐標準的領(lǐng)導者,該榜單旨在表彰通過流的道德、合
2023-03-21 11:26:371044

半導體行業(yè)刻蝕工藝介紹

壓力主要控制刻蝕均勻刻蝕輪廓,同時也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程(MFP),進而影響等離子體和刻蝕速率的均勻。
2023-04-17 10:36:434532

集團虛擬工藝比賽 | 人類工程師 vs. 人工智能

》,該文章由集團九名研究人員合著。 此前曾擔任集團首席技術(shù)官的Rick Gottscho博士表示:“我們的研究是突破的,使集團脫穎而出、成為在工藝工程中應用數(shù)據(jù)科學的領(lǐng)導者?!?刊登在Nature雜志的這篇文章對比了人類工程師與機器
2023-05-31 19:59:29699

半導體前端工藝:刻蝕——有選擇性刻蝕材料,以創(chuàng)建所需圖形

在半導體制程工藝中,有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝,如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉,“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料,從而創(chuàng)建所需的微細圖案。半導體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設備,在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:573242

集團推出全球首個晶圓邊緣沉積解決方案以提高芯片良率

技術(shù)提高了良率,并使芯片制造商能夠?qū)嵤┬碌那把毓に噥砩a(chǎn)下一芯片。Coronus DX是Coronus產(chǎn)品系列的最新成員,擴大了集團在晶圓邊緣技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2023-06-29 10:08:271399

集團推出全球首個晶圓邊緣沉積解決方案以提高芯片良率

經(jīng)常發(fā)生的缺陷和損壞。這強大的保護技術(shù)提高了良率,并使芯片制造商能夠?qū)嵤┬碌那把毓に噥砩a(chǎn)下一芯片。Coronus DX 是Coronus? 產(chǎn)品系列的最新成員,擴大了集團在晶圓邊緣技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2023-07-05 00:39:291079

集團發(fā)布 2022 年 ESG 報告,展示在實現(xiàn)“零凈排放”方面取得的進展

的進展。 集團總裁兼首席執(zhí)行官Tim Archer表示:“半導體在塑造未來的過程中繼續(xù)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,但更大的機遇也意味著更大的責任。在我們?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">下一代技術(shù)突破繼續(xù)創(chuàng)新的同時,必須考慮我們行業(yè)和地球的長期可持續(xù)發(fā)展。” 集團的全球 ESG 計劃嚴格、透明,并與同類最佳實踐保持致。第
2023-07-31 11:54:44504

發(fā)布 2022 年 ESG 報告,展示在實現(xiàn)“零凈排放”方面取得的進展

的進展。 集團總裁兼首席執(zhí)行官Tim Archer表示:“半導體在塑造未來的過程中繼續(xù)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,但更大的機遇也意味著更大的責任。在我們?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">下一代技術(shù)突破繼續(xù)創(chuàng)新的同時,必須考慮我們行業(yè)和地球的長期可持續(xù)發(fā)展?!?集團的全球 ESG 計劃嚴格、透明,并與同類最佳實踐保
2023-07-31 14:58:43922

回應美國AI芯片出口管制新規(guī):預計不會產(chǎn)生實質(zhì)影響

集團因為去年發(fā)表的美國最近的出口限制規(guī)定,遭受了約20億美元的銷售損失。集團認為,公司在中國的事業(yè)在第二季度和未來將繼續(xù)保持強勁勢頭。首席財務官Doug Bettinger表示:“雖然不知道中國市場明年會上升、下滑還是橫步走,但不會消失。”
2023-10-19 10:55:191150

集團如何助力觸覺技術(shù)的實現(xiàn)

試著想象場沉浸式的虛擬體驗:在探索數(shù)字世界的時候,你的觸覺似乎與感受到的景象和聲音樣真實。盡管切只存在于網(wǎng)絡空間中,但你可以感受到用手接球、或者在虛擬鍵盤上敲字的感覺。這種感覺需要觸覺技術(shù)的支持,而正在用創(chuàng)新助力這一技術(shù)的實現(xiàn)。
2023-11-15 16:40:25832

半導體前端工藝(第四篇):刻蝕——有選擇性刻蝕材料,以創(chuàng)建所需圖形

半導體前端工藝(第四篇):刻蝕——有選擇性刻蝕材料,以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:261646

晶體管的下一個25年

晶體管的下一個25年
2023-11-27 17:08:001673

集團獨家向三星等原廠供應HBM用TSV設備

三星電子和sk海力士用于tsv蝕刻的設備都是Syndion。synthion是典型的深硅蝕刻設備,深度蝕刻到晶片內(nèi)部,用于tsv和溝槽等的高度和寬度比的形成。集團 sabre 3d將用于用銅填充蝕刻的晶圓孔來制作線路的tsv線路。
2023-11-30 10:15:571742

韓國科學技術(shù)院開發(fā)Micro LED選擇性轉(zhuǎn)移印刷技術(shù)

12月19日消息,近日韓國科學技術(shù)院(KAIST)Keon Jae Lee教授領(lǐng)導的研究團隊在《自然》(Nature)雜志上發(fā)表了篇題為“應用微真空力技術(shù)進行通用選擇性轉(zhuǎn)移印刷”的文章,研究團隊展示了通過選擇性調(diào)節(jié)微真空力方法,實現(xiàn)巨量轉(zhuǎn)移微型無機半導體芯片
2023-12-26 13:31:231259

刻蝕終點探測進行原位測量

使用SEMulator3D?工藝步驟進行刻蝕終點探測 作者:集團 Semiverse Solutions 部門軟件應用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導體行業(yè)直專注于使用先進的刻蝕
2024-01-19 16:02:421233

集團韓國公司業(yè)務總裁變更,面臨日電競爭與與P的合作挑戰(zhàn)

韓國分公司新掌門人Park Joon-hong此前能在集團擔任多個關(guān)鍵職位,如蝕刻首席技術(shù)官及客戶關(guān)系主管。他有能力領(lǐng)導集團在韓的所有部門,包括韓國制造公司和技術(shù)公司,后者擁有集團在韓乃至全球范圍內(nèi)的研究活動。
2024-02-20 14:42:111647

集團積極實施供應鏈多元化戰(zhàn)略,越南將扮演關(guān)鍵角色

據(jù)報道,2023年中國市場對集團的貢獻降至26%,而2022年這比例為31%。集團對此表示,美國限制中國客戶進口對其收入產(chǎn)生了負面影響,且未來或存在更大風險。
2024-03-22 15:55:281244

集團與印度簽署備忘錄,提供虛擬化軟件、芯片制造及代工服務培訓

該協(xié)議內(nèi)容主要涉及集團與印度半導體團隊以及印度科學研究院的三方合作。集團將為Semiverse解決方案的推廣提供支持,印度半導體團隊則負責基礎(chǔ)設施建設和運營經(jīng)費支付。
2024-04-16 16:53:031475

集團推出第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù)Lam Cyro 3.0

半導體設備領(lǐng)軍企業(yè)集團(Lam Research)近日震撼發(fā)布其專為3D NAND Flash存儲器制造設計的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù)——Lam Cryo 3.0。據(jù)集團全球產(chǎn)品部高級副總裁
2024-08-02 15:53:101805

集團推出第三代低溫電介質(zhì)蝕刻技術(shù)Lam Cryo 3.0,助力3D NAND邁向千層新紀元

在半導體技術(shù)日新月異的今天,美國領(lǐng)先的半導體設備制造商集團(Lam Research)再次引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新,正式推出其經(jīng)過嚴格生產(chǎn)驗證的第三代低溫電介質(zhì)蝕刻技術(shù)——Lam Cryo 3.0。這
2024-08-05 09:31:391848

過電流保護的選擇性是靠什么來實現(xiàn)的

過電流保護的選擇性是指在電力系統(tǒng)中,當發(fā)生短路或過載時,保護裝置能夠按照預定的順序和時間,優(yōu)先切斷故障部分,而不影響其他正常運行的部分。選擇性是電力系統(tǒng)保護設計的重要原則之,它能夠確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性
2024-09-26 14:38:282064

聯(lián)想集團公布下一階段Smarter AI for all愿景

全球數(shù)字經(jīng)濟領(lǐng)導企業(yè)聯(lián)想集團在Tech World上公布了下一階段Smarter AI for all愿景,并展示了全面的人工智能解決方案、服務和設備組合,為全球千行百業(yè)和千家萬戶帶來了轉(zhuǎn)型和切實的投資回報,同時,聯(lián)想集團還宣布了系列關(guān)鍵技術(shù)。
2024-10-17 09:13:171445

晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響

本文介紹晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響 表面溫度對干法刻蝕的影響主要包括:聚合物沉積,選擇性,光刻膠流動、產(chǎn)物揮發(fā)性與刻蝕速率,表面形貌等。 ? 聚合物沉積?:工藝過程中產(chǎn)生的聚合物會在表面沉積
2024-12-03 10:48:311982

芯片制造過程中的兩種刻蝕方法

液體將不要的材料去除。 1?干法刻蝕 干法刻蝕方式: ①濺射與離子束銑蝕 ②等離子刻蝕(Plasma Etching) ③高壓等離子刻蝕 ④高密度等離子體(HDP)刻蝕 ⑤反應離子刻蝕(RIE) 與化學蝕刻樣,具有高度選擇性,僅蝕刻具有目標成分的材料;具有高
2024-12-06 11:13:583353

選擇性沉積技術(shù)介紹

選擇性沉積技術(shù)可以分為按需沉積與按需材料工藝兩種形式。 隨著芯片制造技術(shù)的不斷進步,制造更小、更快且能效更高的芯片具很大的挑戰(zhàn),尤其是全環(huán)繞柵極(Gate-All-Around, GAA)晶體管和更
2024-12-07 09:45:011576

SiGe與Si選擇性刻蝕技術(shù)

, GAAFET)作為種有望替代FinFET的下一代晶體管架構(gòu),因其能夠在更小尺寸下提供更好的靜電控制和更高的性能而備受關(guān)注。在制造n型GAAFET的過程中,關(guān)鍵步驟是在內(nèi)隔層沉積之前對Si-SiGe堆疊納米片進行高選擇性的SiGe:Si蝕刻,以產(chǎn)生硅納米片并釋放溝道。 本文將探討這
2024-12-17 09:53:332013

如何提高濕法刻蝕選擇

提高濕法刻蝕選擇比,是半導體制造過程中優(yōu)化工藝、提升產(chǎn)品性能的關(guān)鍵步驟。選擇比指的是在刻蝕過程中,目標材料與非目標材料的刻蝕速率之比。高的選擇比意味著可以更精確地控制刻蝕過程,減少對非目標材料
2024-12-25 10:22:011714

集團擬向印度投資12億美元

美國芯片設備制造商Lam Research(集團)近日宣布,計劃在未來幾年內(nèi)向印度南部卡納塔克邦投資超過1000億盧比(約12億美元)。此舉標志著印度加強半導體生態(tài)系統(tǒng)計劃的又一重要進展。
2025-02-13 15:57:07738

什么是高選擇性蝕刻

華林科納半導體高選擇性蝕刻是指在半導體制造等精密加工中,通過化學或物理手段實現(xiàn)目標材料與非目標材料刻蝕速率的顯著差異,從而精準去除指定材料并保護其他結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)?。其核心在于通過工藝優(yōu)化控制
2025-03-12 17:02:49809

集團連續(xù)第三年被Ethisphere評為“全球最具商業(yè)道德企業(yè)”之

2025 年的表彰對公司在道德、合規(guī)和治理方面的最佳表現(xiàn)給予認可 北京時間 2025 年 3 月 18 日—— 集團近日宣布,公司已獲得由定義和推進商業(yè)道德實踐標準的全球領(lǐng)導者
2025-03-18 13:55:45405

芯片刻蝕原理是什么

的基本原理 刻蝕的本質(zhì)是選擇性去除材料,即只去除不需要的部分,保留需要的部分。根據(jù)刻蝕方式的不同,可以分為以下兩類: (1)濕法刻蝕(Wet Etching) 原理:利用化學液體(如酸、堿或溶劑)與材料發(fā)生化學反應,溶解目標材料。
2025-05-06 10:35:311978

選擇性波峰焊焊接溫度全解析:工藝控制與優(yōu)化指南

在電子制造行業(yè), 選擇性波峰焊(Selective Wave Soldering,簡稱 SWS) ?已經(jīng)成為解決局部焊接需求的重要工藝。它能夠在同塊 PCB 上,對不同區(qū)域?qū)崿F(xiàn)差異化焊接,避免整板
2025-09-17 15:10:551011

晶圓濕法刻蝕技術(shù)有哪些優(yōu)點

晶圓濕法刻蝕技術(shù)作為半導體制造中的重要工藝手段,具有以下顯著優(yōu)點:高選擇性與精準保護通過選用特定的化學試劑和控制反應條件,濕法刻蝕能夠?qū)崿F(xiàn)對目標材料的高效去除,同時極大限度地減少對非目標區(qū)域(如掩膜
2025-10-27 11:20:38369

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