關(guān)鍵詞:超臨界清洗，離子注入光刻膠，光刻膠剝離 摘要 本文提出了一種有效的、環(huán)保的干剝離方法，使用超臨界二氧化碳(SCCO2)系統(tǒng)，在40℃到100℃和壓力從90巴到340巴時(shí)去除離子植入的光刻劑
2022-01-27 14:07:43
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光刻膠為何要謀求國(guó)產(chǎn)替代？中國(guó)國(guó)產(chǎn)光刻膠企業(yè)的市場(chǎng)發(fā)展機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn)如何？光刻膠企業(yè)發(fā)展要具備哪些核心競(jìng)爭(zhēng)力？在南京半導(dǎo)體大會(huì)期間，徐州博康公司董事長(zhǎng)傅志偉和研發(fā)總監(jiān)潘新剛給我們帶來(lái)前沿觀點(diǎn)和獨(dú)家分析。
2022-08-29 15:02:238662 
光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和光刻膠特性。
2025-04-29 13:59:337845 
近日，上海新陽(yáng)發(fā)布公告稱，公司自主研發(fā)的KrF（248nm）厚膜光刻膠產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)客戶認(rèn)證，并成功取得第一筆訂單，取得不錯(cuò)進(jìn)展。 ? 光刻膠用于半導(dǎo)體光刻工藝環(huán)節(jié)，是決定制造質(zhì)量的重要因素，根據(jù)曝光
2021-07-03 07:47:0026808 電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 近日，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)帶動(dòng)了上游半導(dǎo)體材料旺盛需求，“光刻膠”的突破也成為國(guó)內(nèi)關(guān)注焦點(diǎn)。正當(dāng)日本光刻膠企業(yè)JSR、東京應(yīng)化和美國(guó)Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:004234 厚膠量產(chǎn)到ArF浸沒(méi)式膠驗(yàn)證，從樹(shù)脂國(guó)產(chǎn)化到EUV原料突破，一場(chǎng)靜默卻浩蕩的技術(shù)突圍戰(zhàn)已進(jìn)入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長(zhǎng)的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A膠以120nm分辨率和93.7%的良率通過(guò)中芯國(guó)際28nm產(chǎn)線驗(yàn)證，開(kāi)創(chuàng)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造的新
2025-07-13 07:22:006083 這一突破的核心力量。 ? 然而，EUV光刻的廣泛應(yīng)用并非坦途，其光源本身存在反射損耗大、亮度低等固有缺陷，這對(duì)配套的光刻膠材料提出了前所未有的嚴(yán)苛要求——不僅需要具備高效的EUV吸收能力，還要在反應(yīng)機(jī)制的穩(wěn)定性、缺陷控制的精準(zhǔn)度等方面實(shí)
2025-08-17 00:03:004220 ，購(gòu)買或者開(kāi)發(fā)EUV光刻機(jī)是否必要？中國(guó)應(yīng)如何切實(shí)推進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展？EUV面向7nm和5nm節(jié)點(diǎn)所謂極紫外光刻，是一種應(yīng)用于現(xiàn)代集成電路制造的光刻技術(shù)，它采用波長(zhǎng)為10～14納米的極紫外光作為
2017-11-14 16:24:44
關(guān)于光刻工藝的原理，大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當(dāng)于膠片，而光刻機(jī)就是沖洗臺(tái)，它把掩膜版上的芯片電路一個(gè)個(gè)的復(fù)制到光刻膠薄膜上，然后通過(guò)刻蝕技術(shù)把電路“畫”在晶圓上?！ ‘?dāng)然
2020-07-07 14:22:55
的厚膜圖形；它還具有良好的力學(xué)性能、抗化學(xué)腐蝕性和熱穩(wěn)定性；在受到紫外輻射后發(fā)生交聯(lián)，是一種化學(xué)擴(kuò)大負(fù)性膠，可以形成臺(tái)階等結(jié)構(gòu)復(fù)雜的圖形；在電鍍時(shí)可以直接作為絕緣體使用。 SU-8光刻膠的優(yōu)點(diǎn)：1
2018-07-12 11:57:08
曝光系統(tǒng)分辨率的性能，人們正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術(shù) [11]。該技術(shù)的引入，可明顯減小光刻膠表面對(duì)入射光的反射和散射，從而改善光刻膠的分辨率性能，但由此將引起工藝復(fù)雜性
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變。光刻膠主要用來(lái)將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過(guò)曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過(guò)顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺(jué)間距小的地方全都有殘留，間距大的地方?jīng)]有殘留；工藝參數(shù)：s9920光刻膠， evg 620‘未進(jìn)行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
產(chǎn)品具有諸多方面的優(yōu)勢(shì)，如：Futurrex光刻膠粘附性好，無(wú)需使用HMDS增粘劑；負(fù)性光刻膠常溫下可保存三年；150度烘烤，縮短了烘烤時(shí)間；單次旋涂能夠達(dá)到100微米膜厚；顯影速率塊，100微米得膜厚
2010-04-21 10:57:46
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
一、IT的生態(tài)系統(tǒng)概述1.1 計(jì)算機(jī)CPU四大體系結(jié)構(gòu)1、以PC機(jī)為代表的X86結(jié)構(gòu)2、以嵌入式計(jì)算機(jī)為代表的ARM結(jié)構(gòu)3、以國(guó)產(chǎn)龍芯為代表的MIPS結(jié)構(gòu)4、以IBM巨型機(jī)為代表的POWPC結(jié)構(gòu)
2021-12-22 06:47:14
光刻膠在近紫外光(365nm- 400nm)范圍內(nèi)光吸收度很低，且整個(gè)光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致，可得到具有垂直側(cè)壁和高深寬比的厚膜圖形；它還具有良好的力學(xué)性能、抗化學(xué)腐蝕性和熱穩(wěn)定性。SU-
2018-07-04 14:42:34
前不久STM32Cube生態(tài)系統(tǒng)進(jìn)行了一次“大更新”，STM32CubeMX升級(jí)至V6.0.0，STM32CubeIDE升級(jí)至V1.4.0，STM32CubeProg升級(jí)至V2.5.0。...
2021-08-03 06:05:12
STM32Cube生態(tài)系統(tǒng)更新了哪些實(shí)用功能
2021-10-13 06:35:22
STM32MPU 生態(tài)系統(tǒng) v4.0.0 的發(fā)行說(shuō)明提到“添加對(duì) 固件更新 功能的支持”。是否有關(guān)于此功能的更多信息？或者它是否利用現(xiàn)有的 Yocto swupdate 層？如有任何其他信息，我們將不勝感激。
2022-12-02 06:43:52
本篇文章主要介紹STM32Cube生態(tài)系統(tǒng)。STM32Cube EcosystemSTM32Cube是ST公司開(kāi)發(fā)的一套生態(tài)系統(tǒng)，致力于使STM32的開(kāi)發(fā)變的更簡(jiǎn)單，并且100%開(kāi)源免費(fèi)。在開(kāi)始介紹
2021-08-03 07:15:55
everspin生態(tài)系統(tǒng)和制造工藝創(chuàng)新
2021-01-01 07:55:49
光刻技術(shù)中,涂有光刻膠的硅片與掩膜版直接接觸.由于光刻膠和掩膜版之間緊密接觸,因此可以得到比較高的分辨率.接觸式暴光的主要問(wèn)題是容易損傷掩膜版和光刻膠.當(dāng)掩膜版與硅片接觸和對(duì)準(zhǔn)時(shí),硅片上很小的灰塵
2012-01-12 10:56:23
什么是STM32Cube生態(tài)系統(tǒng)？
2021-09-29 06:12:50
什么是開(kāi)放性系統(tǒng)？開(kāi)放自動(dòng)化到底指的是什么？什么樣的系統(tǒng)才是一個(gè)理想的開(kāi)放自動(dòng)化系統(tǒng)？如何構(gòu)建開(kāi)放自動(dòng)化的生態(tài)系統(tǒng)？開(kāi)放自動(dòng)化系統(tǒng)會(huì)成功么？
2021-07-02 07:09:29
噴膠機(jī)是現(xiàn)代光電子產(chǎn)業(yè)中光刻膠涂布的重要設(shè)備?？蓪?duì)不同尺寸和形狀的基片進(jìn)行涂膠，最大涂膠尺寸達(dá)8寸，得到厚度均勻的光刻膠層，同時(shí)可對(duì)大深寬比結(jié)構(gòu)的側(cè)壁進(jìn)行均勻涂膠；通過(guò)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)控制器進(jìn)行工藝參數(shù)的編輯和操作。
2020-03-23 09:00:57
FPGA加速卡是如何產(chǎn)生的？主要的FPGA加速卡產(chǎn)品有哪些？基于加速卡的FPGA生態(tài)系統(tǒng)布局是怎樣的？
2021-06-17 06:07:15
零基礎(chǔ)大數(shù)據(jù)入門3--大數(shù)據(jù)生態(tài)系統(tǒng)及其各組件簡(jiǎn)介
2019-05-05 14:34:49
在本視頻中，我們將概述安森美半導(dǎo)體的智能無(wú)源傳感器技術(shù)和生態(tài)系統(tǒng)。智能無(wú)源傳感器是世界首款無(wú)電池?zé)o線傳感器，得益于通過(guò)RFID收集能量。智能無(wú)源傳感器是理想的，因?yàn)闊o(wú)需笨重的電池，是超薄的器件。這些
2018-10-24 09:03:26
優(yōu)化工廠生產(chǎn)系統(tǒng)能效的生態(tài)系統(tǒng)
2019-07-12 08:44:00
151n光刻膠曝光顯影后開(kāi)口底部都會(huì)有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
PMT-2在線光刻膠液體粒子計(jì)數(shù)器，采用英國(guó)普洛帝核心技術(shù)創(chuàng)新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測(cè)傳感器，雙精準(zhǔn)流量控制-精密計(jì)量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統(tǒng)，可以對(duì)清洗劑、半導(dǎo)體、超純水
2023-01-03 15:54:49
光刻膠（光敏膠）進(jìn)行光刻，將圖形信息轉(zhuǎn)移到基片上，從而實(shí)現(xiàn)微細(xì)結(jié)構(gòu)的制造。光刻機(jī)的工作原理是利用光學(xué)系統(tǒng)將光線聚焦到光刻膠上，通過(guò)掩膜版（也稱為光刻掩膜）上的圖形
2023-07-07 11:46:07
光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來(lái)以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來(lái)完成的,也就是說(shuō),首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 這是一種老式的旋轉(zhuǎn)涂膠機(jī)，將芯片上涂上光刻膠然后將芯片放到上邊，可以通過(guò)機(jī)器的旋轉(zhuǎn)的力度將光刻膠均勻分布到芯片表面，光刻膠只有均勻涂抹在芯片表面，才能保證光刻的成功。
2018-05-17 14:39:3719874 XMax旨在構(gòu)建一個(gè)可擴(kuò)展的，高性能的，安全易用的服務(wù)于泛娛樂(lè)行業(yè)的底層“區(qū)塊鏈操作系統(tǒng)”，用于構(gòu)建和部署一個(gè)基于區(qū)塊鏈的泛娛樂(lè)生態(tài)系統(tǒng)。
2019-01-07 11:19:452766 
干膜光刻膠是由預(yù)先配制好的液態(tài)光刻膠（Photoresist）在精密的涂布機(jī)上和高清潔度的條件下均勻涂布在載體聚酯薄膜（PET膜）上，經(jīng)烘干、冷卻后，再覆上聚乙烯薄膜（PE膜），收卷而成卷狀的薄膜型光刻膠。
2019-01-30 16:49:1411964 
預(yù)計(jì)2019年底建成一條光刻膠生產(chǎn)線，項(xiàng)目產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)順利。
2019-07-19 14:08:305922 盡管三星方面沒(méi)有透露具體的公司名字，但出售EUV光刻膠的應(yīng)該是日本JSR公司與比利時(shí)微電子中心IMEC合作成立的公司，2016年成立，主要由JSR比利時(shí)比利時(shí)子公司持股。
2019-12-09 13:56:083426 今年7月17日，南大光電在互動(dòng)平臺(tái)透露，公司設(shè)立光刻膠事業(yè)部，并成立了全資子公司“寧波南大光電材料有限公司”，全力推進(jìn)“ArF光刻膠開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”落地實(shí)施。目前該項(xiàng)目完成的研發(fā)技術(shù)正在等待驗(yàn)收中，預(yù)計(jì)2019年底建成一條光刻膠生產(chǎn)線，項(xiàng)目產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)順利。
2019-12-16 13:58:528273 2月28日，美國(guó)泛林公司宣布與ASML阿斯麥、IMEC比利時(shí)微電子中心合作開(kāi)發(fā)了新的EUV光刻技術(shù)，不僅提高了EUV光刻的良率、分辨率及產(chǎn)能，還將光刻膠的用量最多降至原來(lái)的1/10，大幅降低了成本。
2020-02-29 11:20:583930 泛林Lam Research的名字很多人不清楚，前不久中芯國(guó)際宣布的6億美元半導(dǎo)體設(shè)備訂單就是購(gòu)買的泛林的產(chǎn)品。
2020-02-29 11:20:062919 光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，大致分為L(zhǎng)CD光刻膠、PCB光刻膠（感光油墨）與半導(dǎo)體光刻膠等。按照下游應(yīng)用來(lái)看，目前LCD光刻膠占比26．6%，刻膠占比24．5%，半導(dǎo)體光刻膠占比24．1%，PCB光其他類光刻膠占比24．8%。
2020-06-12 17:13:396218 來(lái)源：浙商證券研究院 光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對(duì)光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹(shù)脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等
2020-09-15 14:00:1420205 投資5.2億元，建設(shè)年產(chǎn)1.2億平米LDI感光干膜、4萬(wàn)噸特種樹(shù)脂、1.6萬(wàn)噸半導(dǎo)體光刻膠光引發(fā)劑生產(chǎn)項(xiàng)目；二期項(xiàng)目建設(shè)特種樹(shù)脂、半導(dǎo)體光刻膠光引發(fā)劑項(xiàng)目。 斯坦得企業(yè)（集團(tuán)）是由同一法人成立的數(shù)家斯坦得公司組成，最早于1998年在深圳注冊(cè)成立
2020-09-24 11:12:054086 泛林集團(tuán)旗下GAMMA系列干式光刻膠剝離系統(tǒng)推出最新一代產(chǎn)品，將該系列GxT系統(tǒng)晶圓加工能力從300mm拓展至200mm。作為專供特種技術(shù)市場(chǎng)的產(chǎn)品，GAMMA GxT系統(tǒng)在相關(guān)應(yīng)用中體現(xiàn)出了極高
2020-11-26 15:48:252689 光刻膠是微納加工過(guò)程中非常關(guān)鍵的材料。有專家表示，中國(guó)要制造芯片，光有光刻機(jī)還不夠，還得打破國(guó)外對(duì)“光刻膠”的壟斷。
2020-12-08 10:53:564956 生態(tài)系統(tǒng)卻還沒(méi)做好所有的準(zhǔn)備，其中影響EUV的因素之一就是缺少用于光掩模的防護(hù)膜（protective pellicles for photomasks），這限制了EUV工具的使用并影響了產(chǎn)量。 幸運(yùn)的是，由于最近推出了可用于生產(chǎn)的EUV防護(hù)膜，因此防護(hù)膜的狀況終于得到了改善，而且情況有望在未來(lái)幾年得到改善
2021-04-08 11:09:402690 生態(tài)系統(tǒng)。近年來(lái)，在云計(jì)算、移動(dòng)應(yīng)用開(kāi)發(fā)、信息物理系統(tǒng)、區(qū)塊鏈等新興信息技術(shù)快速發(fā)展和軟件生態(tài)系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓展的雙重作用下，軟件生態(tài)系統(tǒng)新泛型不斷涌現(xiàn)。人們對(duì)軟件生態(tài)系統(tǒng)的認(rèn)識(shí)與理解，隨著研究深度和應(yīng)用廣度的
2021-05-10 16:12:4511 5月27日，半導(dǎo)體光刻膠概念股開(kāi)盤即走強(qiáng)，截至收盤，A股光刻膠板塊漲幅達(dá)6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停，容大感光大漲13.28%，揚(yáng)帆新材大漲11.37%，南大光電
2021-05-28 10:34:154020 光刻膠是光刻機(jī)研發(fā)的重要材料，換句話說(shuō)光刻機(jī)就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕跡，就需要網(wǎng)硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:0015756 摘要 在這項(xiàng)工作中，研究了新一代相流體剝離溶液在各種半導(dǎo)體光刻膠中的應(yīng)用。這些實(shí)驗(yàn)中使用的獨(dú)特的水基智能流體配方均為超大規(guī)模集成電路級(jí)，與銅兼容且無(wú)毒。實(shí)驗(yàn)的第一階段是確定是否在合理的時(shí)間內(nèi)與光刻膠
2022-03-03 14:20:05888 
本文的目標(biāo)是討論一種新技術(shù)，它可以在保持競(jìng)爭(zhēng)力的首席運(yùn)營(yíng)官的同時(shí)改善權(quán)衡。 將開(kāi)發(fā)濕化學(xué)抗蝕劑去除溶液的能力與對(duì)工藝和工具要求的理解相結(jié)合，導(dǎo)致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)的發(fā)展。 該技術(shù)針對(duì)晶
2022-05-07 15:11:111355 
灰化，簡(jiǎn)單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C(jī)物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過(guò)泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:178339 與此同時(shí)，在ASML看來(lái)，下一代高NA EUV光刻機(jī)為光刻膠再度帶來(lái)了挑戰(zhàn)，更少的隨機(jī)效應(yīng)、更高的分辨率和更薄的厚度。首先傳統(tǒng)的正膠和負(fù)膠肯定是沒(méi)法用了，DUV光刻機(jī)上常用的化學(xué)放大光刻膠（CAR）也開(kāi)始在5nm之后的分辨率和敏感度上出現(xiàn)瓶頸
2022-07-22 10:40:083923 光刻膠產(chǎn)品說(shuō)明英文版資料分享。
2022-08-12 16:17:2511 193nmArF濕法光刻膠、ArF干法光刻膠，248nmKrF正負(fù)型光刻膠、KrF厚膜光刻膠、365nmi線光刻膠以及電子束膠等。
2022-08-31 09:47:142371 光刻膠的組成：樹(shù)脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機(jī)械與化學(xué)性質(zhì)（如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等）；感光劑，感光劑對(duì)光能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)；溶劑（Solvent
2022-10-21 16:40:0423795 半導(dǎo)體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產(chǎn)品，海外進(jìn)口依賴較重，不同品質(zhì)之間價(jià) 格差異大。以國(guó)內(nèi) PAG 對(duì)應(yīng)的化學(xué)放大型光刻膠（主要是 KrF、ArF 光刻膠）來(lái)看，樹(shù)脂在 光刻膠中的固含量占比約
2022-11-18 10:07:434880 來(lái)源：泛林集團(tuán) 泛林集團(tuán)擴(kuò)大異構(gòu)半導(dǎo)體解決方案產(chǎn)品組合，用于下一代基板和面板級(jí)先進(jìn)封裝工藝 北京時(shí)間2022年11月18日——泛林集團(tuán) (Nasdaq：LRCX) 近日宣布已從Gruenwald
2022-11-21 16:43:021593 光刻膠是IC制造的核心耗材，技術(shù)壁壘極高。根據(jù)TECHCET數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2022年全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到23億美元，同比增長(zhǎng)7.5%，2025年超過(guò)25億美元。
2023-03-21 14:00:493248 此前該公司指出，公司已建成年產(chǎn)5噸ArF干式光刻膠生產(chǎn)線、年產(chǎn)20噸ArF浸沒(méi)式光刻膠生產(chǎn)線及年產(chǎn)45噸的光刻膠配套高純?cè)噭┥a(chǎn)線，具備ArF光刻膠及配套關(guān)鍵組分材料的生產(chǎn)能力，目前公司送樣驗(yàn)證的產(chǎn)品均由該自建產(chǎn)線產(chǎn)出。
2023-04-11 09:25:321910 新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開(kāi)發(fā)，必須通過(guò)精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開(kāi)發(fā)了一個(gè)新的工具箱來(lái)匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:122944 改善之后的工藝與之前最大的區(qū)別在于使用光刻膠充當(dāng)濺射的掩膜，在電鍍之前將電路圖形高精度的制備出來(lái)，不再進(jìn)行濕法刻蝕，避免了側(cè)腐蝕對(duì)線條精度和膜基結(jié)合力的影響，同時(shí)，基板只浸入丙酮中一次以去除光刻膠，避免了大量溶液的使用
2023-05-16 09:40:353492 
JSR 是全球僅有的四家 EUV 光刻膠供應(yīng)商之一，其產(chǎn)品是制造先進(jìn)芯片必不可少的原料。
2023-06-27 15:51:211769 EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì)，當(dāng)受到EUV光子照射時(shí)會(huì)發(fā)生化學(xué)變化。這些材料在解決半導(dǎo)體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，包括提高靈敏度、控制分辨率、減少線邊緣粗糙度（LER）、降低釋氣和提高熱穩(wěn)定性。
2023-09-11 11:58:421622 
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項(xiàng)重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:112940 
KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進(jìn)行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣 泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產(chǎn)中。
2023-11-29 10:28:501413 
勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù)，那么我們?cè)趧?b class="flag-6" style="color: red">膠時(shí)，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？
2023-12-15 09:35:563928 
光刻膠主要下游應(yīng)用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用，占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%，是第三達(dá)應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-01-03 18:12:212813 
光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來(lái)定。比如對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場(chǎng)景，較厚的光刻膠層能提供更長(zhǎng)的耐蝕刻時(shí)間。
2024-03-04 10:49:162061 
光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過(guò)光刻機(jī)上的模板或掩模來(lái)進(jìn)行曝光。
2024-03-04 17:19:189618 與正光刻膠相比，電子束負(fù)光刻膠會(huì)形成相反的圖案?；诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會(huì)在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過(guò)程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來(lái)，從而形成負(fù)像。
2024-03-20 11:36:505058 
我們?cè)谑褂?b class="flag-6" style="color: red">光刻膠的時(shí)候往往關(guān)注的重點(diǎn)是光刻膠的性能，但是有時(shí)候我們會(huì)忽略光刻膠的保存和壽命問(wèn)題，其實(shí)這個(gè)問(wèn)題應(yīng)該在我們購(gòu)買光刻膠前就應(yīng)該提出并規(guī)劃好。并且，在光刻過(guò)程中如果發(fā)現(xiàn)有異常情況發(fā)生，我們
2024-07-08 14:57:083146 圖形反轉(zhuǎn)膠是比較常見(jiàn)的一種紫外光刻膠，它既可以當(dāng)正膠使用又可以作為負(fù)膠使用。相比而言，負(fù)膠工藝更被人們所熟知。本文重點(diǎn)介紹其負(fù)膠工藝。 應(yīng)用領(lǐng)域 在反轉(zhuǎn)工藝下，通過(guò)適當(dāng)?shù)墓に噮?shù)，可以獲得底切的側(cè)壁
2024-07-09 16:06:001988 
后烘是指（post exposure bake-PEB）是指在曝光之后的
光刻膠膜的烘烤過(guò)程。由于
光刻膠膜還未顯影，也就是說(shuō)還未閉合，PEB也可以在高于
光刻膠軟化溫度的情況下進(jìn)行。前面的文章中我們?cè)?/div>
2024-07-09 16:08:433446 
評(píng)價(jià)一款光刻膠是否適合某種應(yīng)用需要綜合看這款光刻膠的特定性能，這里給出光刻膠一般特性的介紹。 1. 靈敏度 靈敏度（sensitivity）是衡量曝光速度的指標(biāo)。光刻膠的靈敏度越高，所需的曝光劑量
2024-07-10 13:43:492388 根據(jù)光刻膠的應(yīng)用工藝，我們可以采用適當(dāng)?shù)姆椒▽?duì)已顯影的光刻膠結(jié)構(gòu)進(jìn)行處理以提高其化學(xué)或物理穩(wěn)定性。通常我們可以采用烘烤步驟來(lái)實(shí)現(xiàn)整個(gè)光刻膠結(jié)構(gòu)的熱交聯(lián)，稱為硬烘烤或者堅(jiān)膜?；蛲ㄟ^(guò)低劑量紫外線輻照
2024-07-10 13:46:592702 
為了確保光刻工藝的可重復(fù)性、可靠性和可接受性，必須在基板表面上均勻涂覆光刻膠。光刻膠通常分散在溶劑或水溶液中，是一種高粘度材料。根據(jù)工藝要求，有許多工藝可用于涂覆光刻膠。 旋涂是用光刻膠涂覆基材
2024-07-11 15:46:362757 存儲(chǔ)時(shí)間 正膠和圖形反轉(zhuǎn)膠在存儲(chǔ)數(shù)月后會(huì)變暗，而且隨著儲(chǔ)存溫度升高而加速。因?yàn)樵擃愋?b class="flag-6" style="color: red">光刻膠含有的光活性化合物形成偶氮染料，在 可見(jiàn)光譜的部分具有很強(qiáng)的吸收能力，對(duì)紫外靈敏度沒(méi)有任何影響。這種變色過(guò)程
2024-07-11 16:07:491791 市場(chǎng)對(duì)需要EUV光刻系統(tǒng)的先進(jìn)芯片的需求不斷增長(zhǎng)，東京應(yīng)化、信越化學(xué)、三菱化學(xué)等日本公司正在增加投資并關(guān)注EUV關(guān)鍵技術(shù)所用材料的供應(yīng)。 東京應(yīng)化（TOK）正在福島縣建造一座全新的先進(jìn)光刻膠工廠，該工廠預(yù)計(jì)將于2024年底開(kāi)工，2026年完工。
2024-07-16 18:27:02816 ？ 基底上SU-8光刻膠的圖層可以通過(guò)若干種技術(shù)來(lái)完成。最常用的技術(shù)是旋涂技術(shù)，該技術(shù)是在旋轉(zhuǎn)的基底上放置一小灘SU-8光刻膠。旋轉(zhuǎn)速度、加速度和SU-8光刻膠的黏度將會(huì)決定SU-8光刻膠層（如下簡(jiǎn)稱膠層）的厚度。 使用旋涂機(jī)來(lái)旋涂SU-8光刻膠，相比于其它技術(shù)來(lái)講，旋涂機(jī)會(huì)使
2024-08-26 14:16:011298 在微流控PDMS芯片加工的過(guò)程中，需要使用烘膠臺(tái)或者烤膠設(shè)備對(duì)SU-8光刻膠或PDMS聚合物進(jìn)行烘烤。SU-8光刻膠的烘烤通常需要進(jìn)行2-3次。本文簡(jiǎn)要介紹SU-8光刻膠烘烤的注意事項(xiàng)。 微流
2024-08-27 15:54:011241 掩膜版與光刻膠在芯片制造過(guò)程中扮演著不可或缺的角色，它們的功能和作用各有側(cè)重，但共同促進(jìn)了芯片的精確制造。? 掩膜版?，也稱為光罩、光掩膜或光刻掩膜版，是微電子制造過(guò)程中的圖形轉(zhuǎn)移母版。它的主要功能
2024-09-06 14:09:472516
原文標(biāo)題：一文看懂光刻膠的堅(jiān)膜工藝及物理特性和常見(jiàn)光刻膠
2024-11-01 11:08:073091 本文介紹了光刻膠的使用過(guò)程與原理。
2024-10-31 15:59:452789 光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關(guān)鍵一環(huán)，而光刻膠，又是光刻技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分。隨著技術(shù)的發(fā)展，對(duì)微小、精密的結(jié)構(gòu)的需求日益增強(qiáng)，光刻膠的需求也水漲船高，在微電子制造和納米技術(shù)等高精尖領(lǐng)域占據(jù)著至關(guān)重要的位置。
2024-11-11 10:08:214404 
光刻膠作為掩模進(jìn)行干法刻蝕或是濕法腐蝕后，一般都是需要及時(shí)的去除清洗，而一些高溫或者其他操作往往會(huì)導(dǎo)致光刻膠碳化難以去除。
2024-11-11 17:06:222391 
對(duì)光的敏感度。在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，光刻膠通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)，將掩膜版上的圖案精確地轉(zhuǎn)移到硅片表面。 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心步驟之一。在硅片表面涂上光刻膠(負(fù)膠)后，使用特定波長(zhǎng)的光線通過(guò)掩膜版照射到光刻膠上，被
2024-12-19 13:57:362091 美國(guó)芯片設(shè)備制造商Lam Research(泛林集團(tuán))近日宣布，計(jì)劃在未來(lái)幾年內(nèi)向印度南部卡納塔克邦投資超過(guò)1000億盧比（約12億美元）。此舉標(biāo)志著印度加強(qiáng)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)計(jì)劃的又一重要進(jìn)展。
2025-02-13 15:57:07738 引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料，其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時(shí)，精準(zhǔn)測(cè)量光刻圖形對(duì)把控工藝質(zhì)量意義重大，白光干涉儀為此提供了有力的技術(shù)保障
2025-05-29 09:38:531108 
? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，但其可能對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時(shí)，光刻圖形的精確測(cè)量對(duì)于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法，并介紹白光
2025-06-14 09:42:56736 
光刻膠生產(chǎn)技術(shù)復(fù)雜、品種規(guī)格多樣，在電子工業(yè)集成電路制造中，對(duì)其有著極為嚴(yán)格的要求，而保證光刻膠產(chǎn)品的厚度便是其中至關(guān)重要的一環(huán)。 項(xiàng)目需求? 本次項(xiàng)目旨在測(cè)量光刻膠厚度，光刻膠本身厚度處于 30μm-35μm 范圍，測(cè)量精度要
2025-07-11 15:53:24430 
光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟，其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實(shí)施要點(diǎn)：濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271282 
其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。 ? 以光刻膠為例，這是決定芯片 圖案能否被精準(zhǔn) 刻下來(lái)的“感光神經(jīng)膜”。并且隨著芯片步入 7nm及以下先進(jìn)制程芯片 時(shí)代，不僅需要EUV光刻機(jī)，更需要EUV光刻膠的參與。但在過(guò)去 國(guó)內(nèi)長(zhǎng)期依賴進(jìn)
2025-10-28 08:53:356236 已全部加載完成
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