與濕法蝕刻相比，等離子蝕刻的一個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)是能夠獲得高度定向（各向異性）的蝕刻工藝。
2021-10-07 15:51:00
3406 
摘要 本文主要研究了從接觸刻蝕、溝槽刻蝕到一體刻蝕的介質(zhì)刻蝕工藝中的刻蝕后處理。優(yōu)化正電子發(fā)射斷層掃描步驟，不僅可以有效地去除蝕刻過程中在接觸通孔的側(cè)壁底部形成的副產(chǎn)物，還可以消除包含特征的蝕刻金屬
2021-12-27 14:45:133996 
硅的各向異性蝕刻是指定向依賴的蝕刻，通常通過堿性蝕刻劑如水溶液氫氧化鉀，TMAH和其他羥化物如氫氧化鈉。由于蝕刻速率對晶體取向、蝕刻劑濃度和溫度的強(qiáng)烈依賴性，可以以高度可控和可重復(fù)的方式制備多種硅
2022-03-08 14:07:252479 
在本研究中，我們設(shè)計(jì)了一個(gè)150mm晶片的濕蝕刻槽來防止硅片的背面蝕刻，并演示了優(yōu)化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷，我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設(shè)計(jì)，作為一種很有前途的工藝發(fā)展。
2022-03-28 11:01:493096 
InAsSb材料用于彼此相對的蝕刻停止層，但是不希望其獨(dú)特的II型破碎帶隙對準(zhǔn)的器件需要具有良好選擇性的GaSb和AlGaAsSb之間的新的選擇性濕法蝕刻劑。這里描述的所有濕法化學(xué)和干法蝕刻工藝都使用n型GaSb襯底進(jìn)行了優(yōu)化。
2022-05-11 14:00:421844 
引言 本研究針對12英寸晶圓廠近期技術(shù)開發(fā)過程中后端一體化(AIO)蝕刻工藝導(dǎo)致的圖案失效缺陷。AIO蝕刻直接限定了溝槽和通孔的形狀，然而，包括層間介電膜的沉積、金屬硬掩模和濕法清洗的那些先前的工藝
2022-06-01 15:55:469100 
初始屏蔽檢查 對蝕刻工藝的良好理解始于理解初始掩模輪廓，無論是光致抗蝕劑還是硬掩模。掩模的重要參數(shù)是厚度和側(cè)壁角度。如果可能，對橫截面進(jìn)行SEM檢查，以確定適用于您的蝕刻步驟的不同特征尺寸的側(cè)壁角度
2022-06-10 16:09:335982 
在半導(dǎo)體器件制造中，蝕刻指的是從襯底上的薄膜選擇性去除材料并通過這種去除在襯底上產(chǎn)生該材料的圖案的任何技術(shù)，該圖案由抗蝕刻工藝的掩模限定，其產(chǎn)生在光刻中有詳細(xì)描述，一旦掩模就位，可以通過濕法化學(xué)或“干法”物理方法對不受掩模保護(hù)的材料進(jìn)行蝕刻，圖1顯示了這一過程的示意圖。
2022-07-06 17:23:524745 
本文描述了我們?nèi)A林科納用于III族氮化物半導(dǎo)體的選擇性側(cè)壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴墓栉⒚缀图{米鰭的形成。通過濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積來沉積二氧化硅，以產(chǎn)生硬掩模
2022-07-08 15:46:162154 
本文主要闡述我們?nèi)A林科納在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素，并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)方法來研究所選因素
2022-07-12 14:01:132601 
接觸的使用是另一種可以實(shí)現(xiàn)基極接入電阻大幅度降低的制造技術(shù)。這種工藝廣泛用于其他材料系統(tǒng)中的HBT制造，并且通常涉及發(fā)射極的各向異性蝕刻以獲得底切截面。這使得能夠在沒有掩模的情況下沉積基極接觸，因此
2022-07-12 17:04:381943 
本次在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素，并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)方法來研究所選因素的影響和相互作用。確定
2022-07-13 16:55:044034 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說，它們在某些方向上的蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:065995 
傳統(tǒng)的光刻工藝是相對目前已經(jīng)或尚未應(yīng)用于集成電路產(chǎn)業(yè)的先進(jìn)光刻工藝而言的，普遍認(rèn)為 193nm 波長的 ArF 深紫外光刻工藝是分水嶺（見下表）。這是因?yàn)?193nm 的光刻依靠浸沒式和多重曝光技術(shù)的支撐，可以滿足從 0.13um至7nm 共9個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2917458 我司是做濕法蝕刻藥水的，所以在濕法這塊有很多年的研究。所以有遇到濕法蝕刻問題歡迎提問，很愿意為大家解答。謝謝！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，因?yàn)樗没瘜W(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個(gè)薄膜。對于大多數(shù)解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu)，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過程分為兩類：浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
`請問PCB蝕刻工藝質(zhì)量要求有哪些？`
2020-03-03 15:31:05
腐蝕掉,稱為蝕刻。要注意的是,這時(shí)的板子上面有兩層銅.在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一種
2018-11-26 16:58:50
目前，印刷電路板（pcb）加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”.即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉，稱為蝕刻。PCB蝕刻工藝
2018-09-13 15:46:18
使用化學(xué)溶液去除材料。在 CMOS 制造中，濕法工藝用于清潔晶片和去除薄膜。濕法清潔過程在整個(gè)工藝流程中重復(fù)多次。一些清潔過程旨在去除微粒，而另一些則是去除有機(jī)和/或無機(jī)表面污染物。濕蝕刻劑可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 納米線制造和單光子發(fā)射器器件應(yīng)用的蝕刻工藝編號：JFSJ-21-045作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻編號：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，使其對高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN晶體蝕刻的幾何方面和光子應(yīng)用編號：JFSJ-21-044作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：濕法
2021-07-08 13:09:52
、135°C 以上溶于乙二醇的 KOH、180°C 溶于乙二醇的 NaOH。文章全部詳情，請加V獲取：hlknch / xzl1019^晶體蝕刻工藝中兩個(gè)蝕刻步驟中的第一個(gè)用于確定蝕刻深度，它可以通過幾種
2021-07-07 10:24:07
黃金。以上只是基于實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)，實(shí)驗(yàn)設(shè)備也比較簡陋，如果再結(jié)合濕法清洗設(shè)備進(jìn)行蝕刻工藝，效果會有明顯的提高，南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司生產(chǎn)的濕法清洗設(shè)備能在各方面滿足要求，使清洗達(dá)到事半功倍的效果。 如有侵權(quán)，請聯(lián)系作者刪除
2021-07-09 10:23:37
的歷史蝕刻工藝進(jìn)行了兩個(gè)主要的工藝更改，這使得這項(xiàng)工作成為必要。首先，我們從 Clariant AZ4330 光刻膠切換到 Shipley SPR220-3。我們發(fā)現(xiàn)后者的光刻膠具有更好的自旋均勻性
2021-07-06 09:39:22
：MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝，可提供對取向、長度、形態(tài)等結(jié)構(gòu)參數(shù)的可控性，此外，它是一種制造極高縱橫比半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的簡單且低成本的方法。 3 該工藝利用了在氧化劑（例如過氧化氫 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
。一.蝕刻的種類要注意的是，蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一種
2018-04-05 19:27:39
，光刻工藝，蝕刻工藝，離子注入工藝，化學(xué)機(jī)械拋光，清洗工藝，晶圓檢驗(yàn)工藝。
后道工序包括組裝工藝，檢驗(yàn)分揀工藝
書中的示意圖很形象
然后書中用大量示意圖介紹了基板工藝和布線工藝
2024-12-16 23:35:46
操作，并具備對PECVD或LPCVD工藝優(yōu)化的能力； 4、 熟悉光刻工藝、濕法刻蝕；離子蝕刻(RIE, ICP etc)者優(yōu)先;5、熟悉計(jì)算機(jī)操作，具備相關(guān)專業(yè)英語閱讀能力； 6、工作認(rèn)真細(xì)致、有
2012-12-19 22:42:16
。蝕刻工藝對設(shè)備狀態(tài)的依賴性極大,故必需時(shí)刻使設(shè)備保持在良好的狀態(tài)?！窘饷軐＜?V信：icpojie】 目前﹐無論使用何種蝕刻液﹐都必須使用高壓噴淋﹐而為了獲得較整齊的側(cè)邊線條和高質(zhì)量的蝕刻效果
2017-06-23 16:01:38
實(shí)例是用臭氧而非大量硫酸和過氧化氫取代濕法蝕刻工藝。雖然該項(xiàng)目是由一個(gè)制造廠發(fā)起的，但在分享這主意和在化學(xué)品消耗、環(huán)境影響、工作更安全等的成果后，多個(gè)其他廠也采用了。
2018-10-26 08:53:09
先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。 一.蝕刻的種類 要注意的是，蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有
2018-09-19 15:39:21
超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹
目前，集成度呈越來越高的趨勢，許多公司紛紛開始SOC技術(shù)，但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問題，因
2010-03-30 16:43:082052 有效低達(dá)到“無蝕刻痕”，并擁有一大特色，即經(jīng)濟(jì)的、高產(chǎn)出的濕法蝕刻工藝所達(dá)到無蝕刻痕的圖案化。針對直接圖案化制程，噴墨式的產(chǎn)品正在開發(fā)中。“
2016-11-14 11:09:582141 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。
2017-12-26 08:57:1630284 本文首先介紹了PCB蝕刻工藝原理和蝕刻工藝品質(zhì)要求及控制要點(diǎn)，其次介紹了PCB蝕刻工藝制程管控參數(shù)及蝕刻工藝品質(zhì)確認(rèn)，最后闡述了PCB蝕刻工藝流程詳解，具體的跟隨小編一起來了解一下吧。
2018-05-07 09:09:0948549 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前，印刷電路板（PCB）加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”。即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉，稱為蝕刻。
2019-08-16 11:31:006030 在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。目前，錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝
2019-07-10 15:11:353996 
要注意的是，這時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍，其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一種工藝方法是整個(gè)
2019-07-08 14:51:343178 
目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。
2019-07-01 16:33:533328 
目前，印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用”圖形電鍍法”。即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預(yù)鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化 學(xué)方式將其余的銅箔腐蝕掉，稱為蝕刻。
2019-07-09 10:09:344825 PCB板蝕刻工藝用傳統(tǒng)的化學(xué)蝕刻過程腐蝕未被保護(hù)的區(qū)域。有點(diǎn)像是挖溝，是一種可行但低效的方法。在蝕刻過程中也分正片工藝和負(fù)片工藝之分，正片工藝使用固定的錫保護(hù)線路，負(fù)片工藝則是使用干膜或者濕膜來保護(hù)線路。用傳統(tǒng)的蝕刻方法到線或焊盤的邊緣是畸形的。
2020-07-12 10:26:565377 ，從正式裝機(jī)到應(yīng)用于產(chǎn)品片生產(chǎn)，只用了18天的時(shí)間，原定一年的驗(yàn)證期僅用6個(gè)月即順利完成驗(yàn)收。 圖片來源：盛美半導(dǎo)體設(shè)備 據(jù)悉，盛美新款12英寸單晶圓薄片清洗設(shè)備，是一款高產(chǎn)能的四腔體系統(tǒng)，用于超薄片的硅減薄濕法蝕刻工藝，以消除晶
2021-01-14 09:32:003544 20 日作為首批設(shè)備之一搬入工廠，從正式裝機(jī)到應(yīng)用于產(chǎn)品片生產(chǎn)，只用了 18 天的時(shí)間，原定一年的驗(yàn)證期僅用了 6 個(gè)月即順利完成驗(yàn)收。 IT之家獲悉，盛美新款 12 寸單晶圓薄片清洗設(shè)備，是一款高產(chǎn)能的四腔體系統(tǒng)，用于超薄片的硅減薄濕法蝕刻工藝，以消除晶圓應(yīng)
2021-01-14 16:12:502711 書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00565 )、(TMAH)、NaOH等，但KOH與TMAH相比，平整度更好，并且只對硅的 100 表面做出反應(yīng)，因此Fig。如1所示，具有54.74的各向異性蝕刻特性，毒性小。使用KOH的硅各向異性濕式蝕刻在壓力傳感器、加速度計(jì)、光學(xué)傳感器等整體MEMS裝置結(jié)構(gòu)形成等中使用。 實(shí)驗(yàn) KOH硅濕法蝕刻工藝 工藝
2021-12-23 09:55:351043 
蝕刻的濕法蝕刻技術(shù)的方法。本文分析了玻璃濕法刻蝕工藝的基本要素，如:玻璃成分的影響、刻蝕速率、掩膜層殘余應(yīng)力的影響、主要掩膜材料的表征、濕法刻蝕工藝產(chǎn)生的表面質(zhì)量。通過分析的結(jié)果，提出了一種改進(jìn)的玻璃深度濕
2022-01-19 16:13:402837 
本研究透過數(shù)值解析，將實(shí)驗(yàn)上尋找硅晶片最佳流動的方法，了解目前蝕刻階段流動的形式，并尋求最佳晶片蝕刻條件,蝕刻工藝效率低利用氣泡提高濕法蝕刻工藝效果,用實(shí)驗(yàn)的方法尋找最佳流動，通過數(shù)值分析模擬了利用
2022-01-19 17:11:32999 
濕法蝕刻工藝已經(jīng)廣泛用于生產(chǎn)各種應(yīng)用的微元件。這些過程簡單易操作。選擇合適的化學(xué)溶液(即蝕刻劑)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度。銅及其合金是各種工業(yè)，特別是電子工業(yè)的重要
2022-01-20 16:02:243288 
的組成，我們研究了兩種類型的晶體表面形態(tài)，拋光和鈍化的薄膜，形成后的化學(xué)動態(tài)(CDP)和/或化學(xué)機(jī)械拋光(化學(xué)機(jī)械拋光)在溶液中，飽和的溶劑和氧化劑，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在拋光蝕刻劑中，CDP和CMP工藝均能形成
2022-02-14 16:47:051048 
半導(dǎo)體制造工業(yè)中的濕法清洗/蝕刻工藝用于通過使用高純化學(xué)品清洗或蝕刻來去除晶片上的顆粒或缺陷。擴(kuò)散、光和化學(xué)氣相沉積(CVD)、剝離、蝕刻、聚合物處理、清潔和旋轉(zhuǎn)擦洗之前有預(yù)清潔作為濕法清潔/蝕刻工藝
2022-02-22 13:47:512798 
電感耦合等離子體反應(yīng)離子蝕刻獲得的高蝕刻速率和高度各向異性的輪廓。光增強(qiáng)濕法蝕刻提供了一種獲得高蝕刻速率而沒有離子誘導(dǎo)損傷的替代途徑。該方法適用于器件制造以及n-氮化鎵中位錯(cuò)密度的估算。這有可能發(fā)展成為一種快速評估材料的方法。
2022-02-23 16:20:243268 
的氧化鎳未完全去除造成的。這項(xiàng)研究對這些多余金屬缺陷的成分進(jìn)行了分類和確定，評估了推薦的去除氧化鎳的濕蝕刻方法，最后提出了一種濕蝕刻工藝，該工藝將快速去除缺陷，同時(shí)繼續(xù)保持所需的半各向異性蝕刻輪廓，這是大多數(shù)金屬
2022-02-28 14:59:352353 
提高10倍的吞吐量。 雖然大多數(shù)公司使用干式蝕刻工藝來創(chuàng)建圖案表面，但干式蝕刻的缺點(diǎn)并不小，包括加工設(shè)備的成本高，吞吐量低，擴(kuò)展性差等等。 這種不利因素促使許多人重新燃起對濕法蝕刻的興趣。歷史上，標(biāo)準(zhǔn)
2022-03-08 13:34:361515 我們開發(fā)了一種改進(jìn)的各向異性濕法蝕刻工藝，通過在晶片上使用單個(gè)蝕刻掩模來制造各種硅微結(jié)構(gòu)，這些微結(jié)構(gòu)具有圓形凹角和尖銳凸角、用于芯片隔離的凹槽、蜿蜒的微流體通道、具有彎曲V形凹槽的臺面結(jié)構(gòu)以及具有
2022-03-14 10:51:421371 
微加工過程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過程中的一個(gè)重要步驟。術(shù)語蝕刻指的是在制造時(shí)從晶片表面去除層。這是一個(gè)非常重要的過程，每個(gè)晶片都要經(jīng)歷許多蝕刻過程。用于保護(hù)晶片免受蝕刻劑影響的材料被稱為掩模
2022-03-16 16:31:581827 
本文章將對表面組織工藝優(yōu)化進(jìn)行研究，多晶硅晶片表面組織化工藝主要分為干法和濕法，其中利用酸或堿性溶液的濕法蝕刻工藝在時(shí)間和成本上都比較優(yōu)秀，主要適用于太陽能電池量產(chǎn)工藝。本研究在多晶晶片表面組織化工藝
2022-03-25 16:33:491013 
的各向同性濕法蝕刻條件相比，由于非常高的各向異性，反應(yīng)離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此，當(dāng)使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當(dāng)尺寸放寬時(shí)，使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個(gè)濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護(hù)的完整性。給出了確保這種保護(hù)的一些提示，以及評估這種保護(hù)的相關(guān)新方法。
2022-04-06 13:29:191222 
薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。 需要更薄的模具來適應(yīng)更薄的包裝。 使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背面磨削相比，應(yīng)力更小。 硅的各向同性濕蝕刻通常是用硝酸和氫氟酸的混合物
2022-04-07 14:46:331278 
半導(dǎo)體制造工業(yè)中的濕法清洗/蝕刻工藝用于通過使用高純化學(xué)品清洗或蝕刻來去除晶片上的顆?；蛉毕?。擴(kuò)散、光和化學(xué)氣相沉積(CVD)、剝離、蝕刻、聚合物處理、清潔和旋轉(zhuǎn)擦洗之前有預(yù)清潔作為濕法清潔/蝕刻工藝
2022-04-21 12:27:431233 
的各向同性濕法蝕刻條件相比，由于非常高的各向異性，反應(yīng)離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此，當(dāng)使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當(dāng)尺寸放寬時(shí)，使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個(gè)濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護(hù)的完整性。給出了確保這種保護(hù)的一些提示，以及評估這種保護(hù)的相關(guān)新方法。
2022-04-22 14:04:191138 
拋光的硅片是通過各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片)，然后進(jìn)行稱為研磨的平整過程，該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過程中引起的機(jī)械損傷通過蝕刻是本文的重點(diǎn)。在準(zhǔn)備用于器件制造之前，蝕刻之后是各種單元操作，例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:371285 
已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論