手機(jī)處理器市場除了高通和聯(lián)發(fā)科兩巨頭，三星也在奮力追趕，消息顯示Exynos 8995將采用10nm FinFET工藝，最高速度達(dá)4GHz。昨日最高人民檢察院在官方微博發(fā)布消息，對中國電信集團(tuán)原董事長常小兵立案偵查。搭載VR相機(jī)的衛(wèi)星明年升空，今日魅族要發(fā)布的魅藍(lán)E跑分和配置已經(jīng)曝光，讓我們先睹為快。

　　早報時間

　　半導(dǎo)體

　　1、三星下一代Exynos 8895處理器或采用10nm工藝

　　根據(jù)國內(nèi)消息來源表示，三星電子正在測試其下一代手機(jī)處理器 Exynos 8995，采用10納米FinFET工藝，最高速度可達(dá)到4GHz，其功耗和傳聞當(dāng)中的高通驍龍830相同，據(jù)稱高通驍龍830處理器最高工作頻率只有 3.6GHz。換句話說，三星接下來的Exynos芯片或提供了極大的電源效率。

　　預(yù)計三星明年Galaxy S8智能手機(jī)有可能是第一個采用Exynos 8995處理器的產(chǎn)品。不過，目前來看，遷移到10nm制造工藝，仍然非常棘手。英特爾本來準(zhǔn)備今年作出這樣的轉(zhuǎn)變，然而計劃已經(jīng)延期，并推出了權(quán)宜產(chǎn) 品，顯示10nm工藝比預(yù)期更困難。同樣的事情有可能在移動芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)生。所以10nm處理器絕對不可能成為明年的主打產(chǎn)品。

　　其次，行業(yè)才剛剛出貨和使用14nm 芯片，高通驍龍820和821處理器是首批采用這一工藝的產(chǎn)品，在理論上還有改進(jìn)的余地，所以不大可能迅速推出采用下一代制造工藝的產(chǎn)品。

　　2、最高檢對中國電信集團(tuán)原董事長常小兵立案偵查

　　8月9日，最高人民檢察院在官方微博發(fā)布消息：日前，最高人民檢察院經(jīng)審查決定，依法對中國電信集團(tuán)公司原黨組書記、董事長常小兵以涉嫌受賄罪立案偵查并采取強(qiáng)制措施。案件偵查工作正在進(jìn)行中。

　　2015年12月，中央紀(jì)委監(jiān)察部網(wǎng)站消息，中國聯(lián)合網(wǎng)絡(luò)通信集團(tuán)有限公司原黨組書記、董事長，現(xiàn)中國電信集團(tuán)公司黨組書記、董事長常小兵涉嫌嚴(yán)重違紀(jì)，目前正接受組織調(diào)查。

　　2015年12月30日，中國電信董事會宣布，常小兵已辭去公司執(zhí)行董事、董事長兼CEO職務(wù)。

　　據(jù)了解，常小兵被調(diào)查僅僅距離上任中國電信才4個月之久，因此和電信相關(guān)性很小。在常小兵之前，張智江、宗新華被免職調(diào)查，熊昱也被舉報調(diào)查，中國聯(lián)通8名廳級干部也被查出存在以權(quán)謀私的問題。

　　資料顯示，常小兵 1957年3月出生，1975年3月參加工作，中共黨員，教授級高級工程師。1982年畢業(yè)于南京郵電學(xué)院電信工程系，獲得工學(xué)學(xué)士學(xué)位；2001年獲得清華大學(xué)工商管理碩士學(xué)位；2005年獲得香港理工大學(xué)工商管理博士學(xué)位。

　　歷任：南京市電信局副局長，中國郵電電信總局副局長，信息產(chǎn)業(yè)部電信管理局副局長、局長，中國電信集團(tuán)公司副總經(jīng)理、黨組副書記，中國聯(lián)合通信有限公司董事長、黨組書記。中國聯(lián)合網(wǎng)絡(luò)通信集團(tuán)有限公司董事長、黨組書記。2015年8月任中國電信集團(tuán)公司董事長、黨組書記。

　　3、三大芯片制造商打算在2016下半年增加資本支出

　　根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)IC Insights的最新報告，盡管半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景況不佳，三大芯片制造商包括英特爾（Intel）、三星（Samsung）與臺積電（TSMC）仍打算在 2016下半年增加資本支出；該機(jī)構(gòu)指出，該三大芯片制造商2016下半年資本支出估計總共為200億美元，較上半年增加90%。

　　IC Insights表示，這三家公司需要在今年稍后提高支出，才能達(dá)成全年度的資本支出目標(biāo)：“相對于資本支出前三大業(yè)者，其余半導(dǎo)體供應(yīng)商下半年的資本支 出將會比上半年減少16%；整體看來，2016下半年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出較上半年增加20%以上，意味著半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商在下半年將經(jīng)歷一段忙碌的周 期。”

　　而大廠提升資本支出，可能也將進(jìn)一步拉大它們與其他較小型競爭對手之間的技術(shù)差距；目前三星、英特爾與臺積電，為市場上僅有的、宣布計劃在接下來幾年量產(chǎn)10納米節(jié)點制程，以及采用極紫外光（EUV）微影技術(shù)的半導(dǎo)體制造商。

　　IC Insights估計，三家大廠2016年度的資本支出金額總和，將占據(jù)整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出金額的45%；而預(yù)期今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出總金額與去年相較將成長3%，2015年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出總額則是衰退了2%。

　　隨著眾多芯片廠商轉(zhuǎn)向采取“輕晶圓廠”業(yè)務(wù)模式，以及無晶圓廠IC產(chǎn)業(yè)持續(xù)興旺，晶圓代工業(yè)者廠成為半導(dǎo)體資本支出主力；在2008年，晶圓代工業(yè)者對整體 資本支出的貢獻(xiàn)度為12%左右，而該數(shù)字在2016年估計會達(dá)到34%。資本支出排名第二大的半導(dǎo)體業(yè)者則為快閃記憶體制造商，估計2016年資本支出占 據(jù)整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支出的16% （共157億美元）。