電子發(fā)燒友報(bào)道（文/梁浩斌）在10nm及以下先進(jìn)制程的競爭中，臺積電與三星已經(jīng)成為了唯二的對手。在2020年5nm實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)時(shí)，同樣的Cortex-A76內(nèi)核在基于三星的5nm制程芯片上，同頻功耗要比
2021-10-09 09:17:00
4872 Samsung 5 日宣佈正式量產(chǎn)全球首款採用 10nm 制程生產(chǎn)的 DDR4 DRAM 顆粒，加快半導(dǎo)體市場邁向更精密的 10nm 制程工藝之路，繼 2014 年首個(gè)量產(chǎn) 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒，成為業(yè)界領(lǐng)先。
2016-04-06 09:04:56893 三星本周宣布，將定于今年晚些時(shí)候投產(chǎn)第二代10nm芯片生產(chǎn)工藝。目前，三星已經(jīng)在美國硅谷開始向多個(gè)半導(dǎo)體公司推廣自家的14nm工藝。臺積電計(jì)劃在2017年上半年試產(chǎn)7nm工藝，目前有超過20家客戶正在洽談7nm工藝代工事宜。
2016-04-22 09:40:41677 臺積電和三星都將在明年規(guī)模量產(chǎn)10nm新工藝，高通、蘋果、三星、聯(lián)發(fā)科的下一代處理器自然都會蜂擁而上，搶占制高點(diǎn)，據(jù)說第一個(gè)將是聯(lián)發(fā)科的新十核Helio X30。
2016-07-15 10:30:591311 臺積電和三星電子的制程大戰(zhàn)打得如火如荼，據(jù)傳臺積電7nm制程有望提前在明年底量產(chǎn)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超前對手。三星電子不甘示弱，宣布10nm制程已經(jīng)率先進(jìn)入量產(chǎn)，領(lǐng)先同業(yè)。
2016-10-18 09:48:511079 
據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級（10nm~20nm之間）工藝制造，可實(shí)現(xiàn)與20nm級4GB
2016-10-20 10:55:482245 三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成，未來爭取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-27 10:04:491826 我們應(yīng)當(dāng)知道的是，三星目前還沒有推出很多10nm工藝的產(chǎn)品：只有三星自己的Exynos系列和三星為高通代工的835芯片是使用了三星的10nm工藝。
2017-05-09 08:24:35911 三星今日宣布，其位于韓國平澤的第二條生產(chǎn)線已開始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術(shù)的16Gb LPDDR5移動DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造，擁有當(dāng)下最高的移動產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。
2020-08-31 10:24:543513 轉(zhuǎn)向三星4納米工藝代工。報(bào)道指出，第二代驍龍4是該系列首款以4納米制程工藝打造的處理器，高通產(chǎn)品管理總監(jiān)Matthew Lopatka表示，第二代芯片采用了Kryo CPU，可延長電池續(xù)航，提升整體效率，最高主頻可達(dá)到2.2 GHz，CPU效能相較上一代提高10%，還將首次在驍龍4系列中支持DDR5，帶
2023-06-29 10:54:293316 %左右開始，隨著進(jìn)入量產(chǎn)階段，良率會逐漸提高”。
星電子將在 12Hi HBM4 中采用 1c nm DRAM 內(nèi)存芯片和 4nm 邏輯芯片， 雖然邏輯芯片端的初始成績較為喜人，但 1c DRAM 方面
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國際學(xué)會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
。 日前，龍芯電子反向研究中心在Intel第二代高性能計(jì)算產(chǎn)品Knights Landing Xeon Phi上的芯片解密進(jìn)程已經(jīng)開始全面啟動，或在不久的將來打破美國***的禁售，徹底擁有二代產(chǎn)品
2015-11-30 14:54:14
FLIR第二代熱像儀ADK有哪些特點(diǎn)？FLIR第二代熱像儀ADK有哪些功能？
2021-07-11 07:27:39
臺積電與三星的10nm工藝。智能手機(jī)的普及，大大地改變了現(xiàn)代人們的生活方式，言猶在耳的那句廣告詞——“科技始終來自于人性”依舊適用，人們對于智能手機(jī)的要求一直是朝向更好、更快以及更省電的目標(biāo)。就像
2018-06-14 14:25:19
第二代導(dǎo)航衛(wèi)星系統(tǒng)與第一代導(dǎo)航衛(wèi)星系統(tǒng)在體制上的差別主要是：第二代用戶機(jī)可免發(fā)上行信號，不再依靠中心站電子高程圖處理或由用戶提供高程信息，而是直接接收衛(wèi)星單程測距信號自己定位，系統(tǒng)的用戶容量不受限制，并可提高用戶位置隱蔽性。
2019-08-14 07:06:41
是南湖，第三代架構(gòu)是昆明湖。香山開源社區(qū)稱，第一代“雁棲湖”架構(gòu)已經(jīng)成功流片，實(shí)測達(dá)到預(yù)期性能，第二代“南湖”架構(gòu)正在持續(xù)迭代優(yōu)化中。去年 8 月 24 日，中科院計(jì)算所、北京開源芯片研究院、騰訊、阿里
2023-06-05 11:51:36
求分享USB3.1第二代應(yīng)用的ESD解決方案
2022-01-14 07:35:38
制程工藝的研發(fā)和產(chǎn)品線開發(fā)資金。此外，為了避免去年在A9芯片上和三星斗得“兩敗俱傷”，今年臺積電在供應(yīng)鏈上也做好了充足的準(zhǔn)備。唯一美中不足的是，臺積電前段時(shí)間的全球首款10nm工藝芯片，還沒有辦法量產(chǎn)
2016-07-21 17:07:54
三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 東芝公司（Toshiba Corporation）日前宣布，該公司已經(jīng)開發(fā)出第二代19納米工藝技術(shù)，該技術(shù)將于本月晚些時(shí)候用于量產(chǎn)每單元2比特的64吉比特NAND存儲芯片。
2013-05-23 10:34:251518 驍龍 820 此前已經(jīng)傳聞將會由三星代工生產(chǎn)，今天三星官方正式確認(rèn)了這個(gè)消息，并且表示大規(guī)模生產(chǎn)使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工藝。
2016-01-15 17:24:241377 2016年半導(dǎo)體的主流工藝是14/16nm FinFET工藝，主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries（格羅方德）三大陣營，下一個(gè)節(jié)點(diǎn)是10nm，三方都會在明年量產(chǎn)，不過
2016-05-30 11:53:531179 導(dǎo)語：聯(lián)發(fā)科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程，高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶，據(jù)悉，高通10nm訂單均交給三星代工生產(chǎn)。
2016-07-28 19:00:27868 近日，三星電子宣布已經(jīng)開始采用10nm FinFET工藝量產(chǎn)邏輯芯片，三星也成為了業(yè)內(nèi)首家大規(guī)模采用10納米工藝的廠商。前段時(shí)間，韓國《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，高通的下一代旗艦處理器高通驍龍830（或835
2016-10-18 14:06:101450 特爾的10nm工藝可是要完全領(lǐng)先臺積電和三星的10nm工藝。
2017-01-09 11:46:041029 三星是全球最大的DRAM芯片供應(yīng)商，自己一家就占據(jù)了47.5%的份額，遠(yuǎn)高于SK Hynix和美光。不僅如此，三星在DRAM技術(shù)上也遙遙領(lǐng)先于其他兩家，去年3月份就宣布量產(chǎn)18nm工藝的DRAM芯片
2017-03-03 14:22:572704 三星Galaxy S8和蘋果的iPhone 8都將進(jìn)入10nm時(shí)代，兩者將分別搭載基于10nm工藝的驍龍835和A11芯片，不過現(xiàn)據(jù)臺媒《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，業(yè)內(nèi)10nm工藝陷入良品率不理想的困境，預(yù)計(jì)Galaxy S8和iPhone 8將出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況，而由于三星S8發(fā)布更早，遭受的影響也更大。
2017-03-03 22:39:21679 三星是目前唯一宣布量產(chǎn)10nm芯片的代工廠，涉及驍龍835、Exynos 8895等移動SoC。
2017-03-15 08:30:35670 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作，即將量產(chǎn)。
2017-04-22 01:08:12883 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作，即將量產(chǎn)。下面就隨網(wǎng)絡(luò)通信小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-23 10:19:411824 三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成，未來爭取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。 三星第一代10納米制程于去年10月領(lǐng)先同業(yè)導(dǎo)入量產(chǎn)，目前的三星Exynos 9與高通驍龍835處理器均是以第一代10納米制程生產(chǎn)。
2017-04-25 01:08:11746 前進(jìn)的步伐還是不會被徹底推翻的?？萍嫉膭?chuàng)新也不會因此而止步。日前，三星官方正式宣布他們將會開產(chǎn)第二代10nm工藝制程的芯片，三星電子在4月20日正式宣布，他們已經(jīng)完成了第二代10nm制程的驗(yàn)證工作，同時(shí)即將正式量產(chǎn)。
2017-04-25 09:50:22852 據(jù)韓媒報(bào)道，高通已經(jīng)與三星攜手，合作開發(fā)下一代手機(jī)處理器。繼去年10月份三星率先量產(chǎn)第一代10nm LPE（low-power early）工藝處理器后，日前已經(jīng)完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02938 臺積電的10nm工藝眼下還處于提升良率中，三星則宣布已推出第二代10nm工藝，這是前者繼14/16nmFinFET工藝敗給后者后再次在10nm工藝上落敗，而且這可能會影響到它在7nm工藝上再次落后。
2017-04-28 14:28:461758 三星10納米工藝技術(shù)公告：全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布，其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù)，10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11815 今天Intel官方公布，第一代基于10nm工藝制程Cannon Lake處理器已經(jīng)完工，當(dāng)然還有更進(jìn)一步的新消息。
2017-06-09 17:20:091082 Intel日前正式宣布了9代酷睿Cannon Lake，并透露第二代10nm IceLake也已經(jīng)正式流片。
2017-06-13 11:29:371496 Intel近日在官方推特自曝了10nm的進(jìn)展，首次透露，第二代10nm（代號Icelake）已經(jīng)流片。
2017-06-14 15:03:271224 Digitimes發(fā)布消息稱，英特爾可以按計(jì)劃在今年底首發(fā)10nm處理器，但僅限低功耗移動平臺，預(yù)計(jì)是Core m或者后綴U系列的低電壓版本。而就在上周，英特爾剛宣布，第一代基于10nm工藝制程Cannon Lake處理器已經(jīng)完工，同時(shí)第二代10nm處理器Ice Lake也已經(jīng)完成了最終設(shè)計(jì)。
2017-06-15 11:43:441592 第二代10nm工藝即LPP（Low Power Plus），比LPE（Low Power Early）的性能提升了10%，功耗降低了15%，首款商用產(chǎn)品將于明年推出。
2017-11-29 17:40:30997 三星利用二代10納米工藝研發(fā)出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10納米級芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331582 據(jù)報(bào)道，三星第二代10nm級別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了，8Gb DDR4顆粒采取了先進(jìn)的專用電路設(shè)計(jì)技術(shù)，比初代10nm級別（1x-nm）的高30%，并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:513481 三星在DRAM市場的霸主再一次的得到了增強(qiáng)。據(jù)報(bào)道，三星利用第一代10nm 制程工藝研發(fā)出了8Gb DDR4 芯片，這是目前“全球最小”的 DRAM 芯片。
2017-12-21 13:49:012033 三星被人稱為世界最賺錢的公司之一，三星Q3凈利潤高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331812 三星的DRAM市場表現(xiàn)十分強(qiáng)勁，并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場龐大需求，三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:381145 近日華虹半導(dǎo)體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺已經(jīng)宣布量產(chǎn)，是在第一代的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了多方面的技術(shù)提升。目前，90nm G2 eFlash已實(shí)現(xiàn)了高良率的穩(wěn)定量產(chǎn)，標(biāo)志著華虹半導(dǎo)體在特色化嵌入式閃存技術(shù)上的又一次成功。
2017-12-28 17:49:461762 據(jù)韓聯(lián)社北京時(shí)間12月20日報(bào)道，三星電子今天宣布，已開始量產(chǎn)第二代10納米級制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:417019 GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效，近日傳來消息，又迎來意法半導(dǎo)體（ST）的大單進(jìn)補(bǔ)，在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031813 之前傳聞三星Galaxy Note 9將會采用7nm芯片組，但是根據(jù)今日最新消息，或?qū)⒉辉?b class="flag-6" style="color: red">采用7nm芯片組，同時(shí)三星宣布Galaxy S9智能手機(jī)將使用第二代10納米LPP處理器，并且10納米LPP芯片已經(jīng)進(jìn)行批量生產(chǎn)了。
2018-02-01 16:08:401667 
三星旗艦芯片Exynos 9810采用自家第二代10nm LPP工藝打造，官方確認(rèn)支持3D面部識別，單核處理速度可提高約2倍。
2018-02-06 12:54:471176 作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報(bào)道，三星悄悄啟動了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 根據(jù)報(bào)道，三星第二代10nm級別工藝的LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn)，相比第一代，雖然性能沒有提升，但是功耗再降10％，可使手機(jī)平板等移動設(shè)備更省電。
2018-07-26 16:56:231229 12月20日，三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴(kuò)大整體10nm級DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強(qiáng)三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:251102 三星宣布成功開發(fā)業(yè)界首款10nm級8Gb LPDDR5 DRAM。自從2014年8Gb LPDRD4投入量產(chǎn)以來，三星就開始向LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)過渡。LPDDR5 DRAM芯片主要應(yīng)用于移動設(shè)備如手機(jī)、平板、二合一電腦等，5G和AI將是其主要應(yīng)用領(lǐng)域。
2018-08-08 15:22:281625 如之前預(yù)告的那樣，在三星開始量產(chǎn)基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久，16Gb 的 GDDR6 內(nèi)存芯片現(xiàn)在也已經(jīng)拍馬趕到了。早些時(shí)候官方公布了開始大規(guī)模量產(chǎn)這款零件
2018-08-13 11:16:004093 三星前硬件設(shè)計(jì)工程師近日在LinkedIn透露，三星已經(jīng)完成第二代NPU解決方案的開發(fā)。目前三星第二代NPU規(guī)格和其它細(xì)節(jié)仍不得而知，但據(jù)悉將應(yīng)用于新的Exynos 9820高階智能手機(jī)SoC，核心配置核心為2、2和4個(gè)。
2018-10-11 10:39:134633 2018年10月10日，華虹半導(dǎo)體有限公司宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺已成功量產(chǎn)，該平臺具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢，對于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。
2018-10-16 15:41:179230 在Samsung Tech Day上，三星宣布7LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn)，并表示基于EUV光刻技術(shù)的7LPP工藝對比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝，可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:404449 2018-11-12 13:24 | 查看: 21 | 評論: 0 | 來自: 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 摘要 : 10納米級DRAM先進(jìn)制程競爭逐漸升溫，三星電子在2017年率先宣布量產(chǎn)第二代10納米(1y
2018-11-12 18:04:02533 繼Exynos 9820后，三星電子今天（1月3日）發(fā)布第二款采用8nm工藝打造的SoC芯片產(chǎn)品。
2019-01-04 14:24:244205 1月4日，三星正式發(fā)布了Exynos 9810頂級移動處理器，基于三星第二代10nm FinFET LPP工藝打造，與高通驍龍845使用相同的制造工藝。僅在制程層面，相較第一代LPE （Low Power Early），新工藝就可讓芯片性能提升10%，功耗降低15%。
2019-01-24 11:19:0410659 在2018年初，三星宣布開始批量生產(chǎn)名為0LPP（low power plus）的第二代10nm工藝。在2018年晚些時(shí)候，三星推出了名為10LPU（low power ultimate）的第三代
2019-02-25 16:29:087303 
3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-21 16:43:083840 ，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）。自開始批量生產(chǎn)第二代10nm級（1y-nm）8Gb DDR4以來僅僅16個(gè)月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4，說明三星突破了DRAM的擴(kuò)展極限。
2019-03-21 17:30:542123 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。
2019-03-24 11:36:164320 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01592 2019年就要正式量產(chǎn)了，6月份就會發(fā)布10nm Ice Lake處理器，今天Intel也正式宣布了第二代10nm工藝的處理器Tiger Lake，將會使用全新的CPU內(nèi)核及GPU內(nèi)核。
2019-05-09 15:19:032265 彭博報(bào)道稱，臺積電已于4月份就開始了蘋果A13芯片的早期測試生產(chǎn)階段，并且計(jì)劃在本月進(jìn)行量產(chǎn)。預(yù)計(jì)A13芯片將采用臺積電的第二代7nm工藝，并且率先采用EUV光刻技術(shù)。
2019-05-13 16:39:515355 東京日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:581073 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）。
2019-09-27 17:23:291500 10nm Ice Lake還沒有全面鋪開，Intel第二代10nm Tiger Lake已經(jīng)頻頻亮相，不過首發(fā)還是面向輕薄本等設(shè)備的U系列、Y系列低功耗版本。
2019-10-28 15:13:592331 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后，三星已經(jīng)加快了新工藝的進(jìn)度，日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨，今年還會完成3nm GAE工藝的開發(fā)。
2020-01-06 16:13:073848 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。
2020-01-06 16:31:033601 三星電子今天宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)業(yè)內(nèi)第一個(gè)16GB 的 LPDDR5移動 DRAM 封裝，基于三星第二代10nm級工藝技術(shù)，可提供業(yè)界最高的性能和最大的容量，用于下一代高端智能手機(jī)。繼2019年7
2020-02-25 13:48:202465 2月26日，紫光展銳舉行了“5G所向 價(jià)值所在”的線上發(fā)布會，正式推出了第二代5G平臺——馬卡魯2.0，第二代5G芯片虎賁T7520由原定的7nm升級到了6nm EUV，這是首款用上臺積電6nm工藝的5G芯片。
2020-02-26 16:04:363811 隨著Ice Lake處理器的成功，Intel的10nm工藝總算可以長舒一口氣，產(chǎn)能已經(jīng)沒什么問題了。今年的重點(diǎn)是Tiger Lake處理器，這是第二代10nm工藝，CPU及GPU架構(gòu)也會全面升級。
2020-03-04 15:31:041845 根據(jù)外媒WCCFTECH的報(bào)道，爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程，而不是之前報(bào)道的臺積電7nm工藝，據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù)，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 EUV，依靠現(xiàn)有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對上古的10nm工藝結(jié)合，用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉，三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級（1z）工藝打造，請注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對應(yīng)的其實(shí)是
2020-09-01 14:00:293544 季度為臺積電帶來了近 10 億美元的營收。 同此前的 7nm 工藝一樣，臺積電的 5nm 工藝也不只一代，他們還將推出第二代的 5nm 工藝，也就是他們所說的 N5P。 在 8 月底的全球技術(shù)論壇期間，臺積電曾披露，同第一代 5nm 工藝相比，第二代 5nm 工藝所制造的芯片，理論上性能將提升
2020-11-06 16:19:022235 年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。 從英文媒體最新的報(bào)道來看，同2018年量產(chǎn)的7nm和今年量產(chǎn)的5nm工藝一樣，臺積電正在研發(fā)的3nm工藝，也將會有第二代。 英文媒體是援引產(chǎn)業(yè)鏈人士透露的消息，報(bào)道臺積電會推出第二代3nm工藝的，這一消息人士表示臺積電計(jì)劃在2
2020-12-02 17:14:462211 2019 年四季度進(jìn)入量產(chǎn)，第二代 FinFET 已進(jìn)入小量試產(chǎn)。 IT之家了解到，中芯國際于 2019 年實(shí)現(xiàn)了國內(nèi)最先進(jìn)的 14nm 工藝制程量產(chǎn)，并已為華為麒麟 710A 芯片等進(jìn)行代工。 今年9月份，投資者向中芯國際求證中芯關(guān)于下一代芯片量產(chǎn)消息，中芯國際回答表示：中芯國際第二代
2020-12-07 11:23:373352 ? ?vivo 方面上周正式公布了 vivo X60 系列新機(jī)并表示將于 12 月 29 日發(fā)布。vivo X60 系列主打第二代微云臺以及蔡司光學(xué)鏡頭，將全球首發(fā)三星 5nm 工藝 Exynos
2020-12-22 10:53:582274 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在10nm及以下先進(jìn)制程的競爭中，臺積電與三星已經(jīng)成為了唯二的對手。在2020年5nm實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)時(shí)，同樣的Cortex-A76內(nèi)核在基于三星的5nm制程芯片上，同頻功耗
2021-10-12 11:16:232425 近日，據(jù)韓媒報(bào)道稱，三星的研發(fā)人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開發(fā)的命令，要求直接研發(fā)1c工藝DRAM芯片，也就是跳過12nm工藝直接研發(fā)11nm工藝。 在此之前，三星也做出過類似的決定。曾經(jīng)各大
2022-04-18 18:21:582244 據(jù)媒體報(bào)道稱，谷歌第二代Tensor芯片將于這個(gè)月開始量產(chǎn)，代工方為三星，將會采用4nm制程工藝大規(guī)模生產(chǎn)該芯片。 Tensor是谷歌公司為其智能手機(jī)自研的芯片，第一代在去年8月發(fā)布，而第二代
2022-06-02 14:52:451942 日前，三星放出了將在6月30日正式量產(chǎn)3nm芯片的消息，今天上午，三星官方宣布已經(jīng)開始了3nm工藝芯片的量產(chǎn)。 三星官方稱，其采用了GAA晶體管的3nm工藝芯片已經(jīng)在韓國華城工廠開始量產(chǎn)。 現(xiàn)在全球
2022-06-30 16:36:272953 利用Arm內(nèi)核并采用客戶開發(fā)的相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)（IP）和軟件，三星第二代SmartSSD可實(shí)現(xiàn)更高效的數(shù)據(jù)處理。相較于三星傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)中心SSD，對數(shù)據(jù)庫進(jìn)行重度掃描的查詢時(shí)長可縮短逾50%，功耗降低70%，CPU利用率可高達(dá)97%。
2022-07-21 10:11:091229 據(jù)消息報(bào)道，三星電子近日宣布，該公司已與AMD共同研發(fā)第二代智能固態(tài)硬盤（SmartSSD），這將搶占未來市場。
2022-07-22 17:03:433079 采用了GAA晶體管，芯片整體尺寸得到了縮減，性能和功耗方面也比上一代芯片優(yōu)化了不少，并且三星已經(jīng)在著手于第二代3nm芯片技術(shù)的研發(fā)了，相較之下，臺積電的3nm芯片目前還沒有量產(chǎn)的消息，而且臺積電的3nm芯片還是會采用FinFET晶體管，因此目前來
2022-07-25 11:46:102257 以已經(jīng)宣布量產(chǎn)的三星3nm為例，三星官方消息顯示，與三星5nm工藝相比，第一代3nm工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%；而未來第二代3nm工藝則使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面積減少 35%。
2022-09-26 16:46:121637 是ZeusCORE100，涵蓋支持了800G以太網(wǎng)、OIF 112G-CEI, PCIe 6.0和CXL3.0等多項(xiàng)前沿標(biāo)準(zhǔn)，致力于服務(wù)下一代數(shù)據(jù)中心服務(wù)器。 回到工藝本身，N3E實(shí)際上是臺積電的第二代3nm，性能相比
2022-10-27 10:03:562099 
據(jù)報(bào)道，韓國三星代工廠已經(jīng)開始試制其第二代 3 納米級別工藝技術(shù)的芯片，稱為 SF3。這一發(fā)展標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)的一個(gè)重要里程碑，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">三星與臺積電競爭下一代先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)主導(dǎo)權(quán)。韓國知名權(quán)威
2024-01-22 16:10:141629 
據(jù)報(bào)道，三星預(yù)計(jì)在未來6個(gè)月時(shí)間內(nèi)，讓SF3的工藝良率提高到60%以上。三星SF3工藝會率先應(yīng)用到可穿戴設(shè)備處理器上，三星Galaxy Watch 7系列有望搭載SF3工藝芯片。
2024-01-29 15:52:001249 近期，科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個(gè)引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:141890 據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來，每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點(diǎn)（SF4X）進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713208 三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù)；據(jù)悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術(shù)，相比第二代3nm工藝，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面積縮小5%。
2025-11-19 15:34:341119 ，導(dǎo)致Exynos 2500良率不佳的原因是，這顆SoC基于三星第二代3nm GAA制程工藝——SF3工藝，然而目前第二代SF3工藝的良率僅為20%。 ? 三星第二代SF3工藝進(jìn)展不如預(yù)期 今年初，有知情人士向韓媒透露，三星已經(jīng)開始試產(chǎn)自己第二代SF3工藝，被視為該公司發(fā)展的一大里程碑
2024-06-25 00:04:004953 
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