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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>三星18nm PC存儲(chǔ)器良率出問(wèn)題緊急召回

三星18nm PC存儲(chǔ)器良率出問(wèn)題緊急召回

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編者按:在存儲(chǔ)產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)中,三星已經(jīng)在制程和產(chǎn)能上領(lǐng)先,三星最新成立芯片專家組,以提高閃存芯片的生產(chǎn)。最新報(bào)道,中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)二期正式開(kāi)建,國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目總投資達(dá)240億美元。其中,一期主要實(shí)現(xiàn)
2020-06-22 10:57:009620

三星獨(dú)霸2016第二季DRAM存儲(chǔ)器市場(chǎng)

據(jù)半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)DRAMeXchange消息,三星電子2016年第二季移動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的銷售額同比增長(zhǎng)19.4%至24.18億美元,全球市場(chǎng)占有升至61.5%,創(chuàng)下移動(dòng)DRAM市場(chǎng)份額單獨(dú)統(tǒng)計(jì)以來(lái)的歷史最高紀(jì)錄。
2016-08-18 10:05:401258

三星Note7在韓因爆炸事件被召回,損失慘重

8月下旬,多名用戶將燒毀的手機(jī)的照片發(fā)到網(wǎng)上,稱“充電時(shí)發(fā)生爆炸”,而對(duì)此事件三星并未立即采取有效措施,而是延長(zhǎng)召回時(shí)間,而近日,三星宣布250萬(wàn)部Note 7召回,召回費(fèi)用就將達(dá)到5000億韓元。
2016-09-05 12:09:341126

SSD漲價(jià)之謎,疑三星存儲(chǔ)霸主地位惡意提升芯片價(jià)格

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2016-10-31 11:11:553176

三星緊急召回內(nèi)存模組 PC DRAM價(jià)格將再度飆高

三星近來(lái)狀況頻傳,在 Galaxy Note 7 電池出包與管理層級(jí)涉及行賄被起訴后,近日業(yè)界又傳出其產(chǎn)業(yè)重心存儲(chǔ)模組產(chǎn)品出問(wèn)題緊急召回,由于三星PC DRAM 市占過(guò)半,這次出問(wèn)題除了可能讓三星集團(tuán)的處境雪上加霜外,也會(huì)讓價(jià)格已上揚(yáng)的 PC DRAM 價(jià)格再度飆高。
2017-03-02 07:10:49809

三星18nm召回影響 DRAM合約價(jià)飆

業(yè)界消息指出,記憶體大廠三星電子自2月中旬起,陸續(xù)召回部分序號(hào)的18奈米制程DRAM模組,原因在于這些18奈米DRAM會(huì)導(dǎo)致電腦系統(tǒng)出錯(cuò)及出現(xiàn)藍(lán)幕當(dāng)機(jī)。
2017-03-06 09:18:321044

三星18nm DRAM緊急召回 下游廠商面臨缺貨危機(jī)

業(yè)界消息指出,存儲(chǔ)器大廠三星電子自2月中旬起,陸續(xù)召回部分序號(hào)的18納米制程DRAM模組,原因在于這些18納米DRAM會(huì)導(dǎo)致電腦系統(tǒng)出錯(cuò)及出現(xiàn)藍(lán)屏當(dāng)機(jī)。由于三星在全球PC DRAM市占過(guò)半,據(jù)傳召回的DRAM模組數(shù)量達(dá)10萬(wàn)條,業(yè)界認(rèn)為將導(dǎo)致3月DRAM缺貨雪上加霜,合約價(jià)將再見(jiàn)飆漲走勢(shì)。
2017-03-06 09:34:281126

三星將擴(kuò)產(chǎn)DRAM 存儲(chǔ)器好景恐難延續(xù)

之前外資曾警告,DRAM 榮景能否持續(xù),取決于存儲(chǔ)器龍頭三星電子,要是三星擴(kuò)產(chǎn),好景恐怕無(wú)法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤(rùn)誘人,傳出決定擴(kuò)產(chǎn),新產(chǎn)線預(yù)計(jì)兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15876

莫大康:三星的半導(dǎo)體“野心”

三星李在溶近期表示,2030年三星要成為全球頭號(hào)芯片供應(yīng)商。三星的目標(biāo)已經(jīng)十分明確,現(xiàn)在它已是全球存儲(chǔ)器業(yè)的首位,它的85%營(yíng)收來(lái)自存儲(chǔ)器,因此未來(lái)它可能采取的措施,一是繼續(xù)擴(kuò)大存儲(chǔ)器的市場(chǎng)份額,另一個(gè)是采用兼并途徑,包括擴(kuò)大邏輯芯片以及代工的市占。
2019-03-19 16:28:596458

消息稱三星5nm制程出問(wèn)題 高通向臺(tái)積電求助

8月5日消息,據(jù)臺(tái)媒報(bào)道,市場(chǎng)傳出三星以 5 納米制程為手機(jī)芯片大廠高通代工的訂單可能出現(xiàn)部分問(wèn)題,因此高通 7 月緊急向臺(tái)積電求援,該公司 X60 基帶與旗艦級(jí)處理芯片驍龍 875,原本在三星投產(chǎn),后續(xù)將增加在臺(tái)積電生產(chǎn)的版本,并規(guī)劃從 2021 年下半開(kāi)始產(chǎn)出。
2020-08-05 10:09:3010016

消息稱三星5nm等部分工藝低于50%,三星沒(méi)否認(rèn)

5nm工藝。不過(guò),最近有消息傳出,三星遇到麻煩了,其5nm工藝的竟然低于50%。 韓國(guó)媒體報(bào)道,三星電子華城園區(qū)V1廠,最近面臨晶圓代工改善難題,5nm等部分工藝低于50%。 三星華城園區(qū)共有V1、S3及S4等晶圓廠,其中V1為EUV專用廠,于201
2021-07-05 18:35:594332

堪憂,三星3nm丟失大客戶高通!領(lǐng)先臺(tái)積電還看2nm?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)三星在3nm領(lǐng)先臺(tái)積電的愿望又要落空了。據(jù)外媒日前報(bào)道,因?yàn)閾?dān)心三星過(guò)低,大客戶高通已將3nm AP處理代工訂單交給臺(tái)積電。 臺(tái)積電和三星是全球領(lǐng)先的兩大芯片
2022-02-25 09:31:004118

芯片制程到3nm后如何突破難題?

儀式。才過(guò)4個(gè)月不到,韓國(guó)媒體Naver就爆出,三星3nm制程的非常低,不足20%。而且其5nm和4nm節(jié)點(diǎn)的問(wèn)題也遲遲沒(méi)有得到改善。 ? 其實(shí),三星電子從2000年初就已經(jīng)開(kāi)始了對(duì)GAA晶體管結(jié)構(gòu)的研究。自2017年開(kāi)始,將其正式應(yīng)用到3納米工藝,并于今年6月宣布啟動(dòng)利用GAA技術(shù)的
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三星2.25μm像素間隔CMOS傳感

Sensors(CCD&AIS)”國(guó)際會(huì)議上發(fā)表過(guò)。 在同一個(gè)會(huì)議上,三星電子發(fā)表了開(kāi)口高達(dá)約50%、像素間隔為2.0μm的CMOS傳感試制結(jié)果。不過(guò),并沒(méi)說(shuō)是否使用了銅布線,只是表示為了提高開(kāi)口,將布線寬度縮小到了90nm或130nm。目前,上市日期未予公布。 :
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三星LED大功率燈杯鋁合金燈體:防撞、散熱性好; 電鍍,外表光滑,反光高。
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三星Note7國(guó)行召回工作已開(kāi)始,全額退款另外補(bǔ)貼200元,想要退換貨的要快!

` 本帖最后由 lzr858585 于 2016-10-18 10:51 編輯   從10月14日開(kāi)始,三星官網(wǎng)最新召回公告顯示,可正式開(kāi)始召回在內(nèi)陸地區(qū)的近20萬(wàn)臺(tái)Note7,時(shí)間一直持續(xù)至
2016-10-18 10:40:03

三星i9000不夜城水貨報(bào)價(jià),三星i9000水貨價(jià)格,上海哪里買三星i9000水貨

的攝像頭,整體成像質(zhì)量出色,可滿足用戶的日常需求。三星I9000搭載了Android OS v2.1的智能操作系統(tǒng),主頻高達(dá)1GHz的處理保證了整機(jī)的流暢運(yùn)行,機(jī)身自帶16GB的擴(kuò)展存儲(chǔ),同時(shí)還支持高達(dá)
2011-05-04 18:51:39

三星事件引發(fā)手機(jī)安全新思考:墾鑫達(dá)報(bào)

`三星事件引發(fā)手機(jī)安全新思考:墾鑫達(dá)報(bào)三星(墾鑫達(dá)注:NOTE7電池爆炸召回事件)已經(jīng)證實(shí)被召回機(jī)型為三星最新的智能手機(jī)NOTE 7 ,這是有關(guān)此前有報(bào)道三星一些設(shè)備發(fā)生爆炸。設(shè)備推出不到一個(gè)月
2016-09-03 12:45:17

三星半導(dǎo)體發(fā)展面臨巨大挑戰(zhàn)

預(yù)告明年的存儲(chǔ)器市況持續(xù)走低。另外,三星高層主管指出,受到需求趨緩、價(jià)格下MAX3232EUE+T滑的影響,市況并不好,三星今年資本支出已創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄,三星今年在半導(dǎo)體部門(mén)資本支
2012-09-21 16:53:46

三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試

較為激進(jìn)的技術(shù)路線,以挽回局面。 4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的,這高于
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三星宣布退出歐洲筆記本市場(chǎng)

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,三星周二表示,將停止在歐洲市場(chǎng)繼續(xù)銷售基于谷歌系統(tǒng)的Chromebook和基于微軟Windows的筆記本電腦。歐洲PC業(yè)務(wù)將關(guān)閉,但此舉不會(huì)波及其他地區(qū)。“我們只是對(duì)市場(chǎng)需求的及時(shí)
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三星宣布:DRAM工藝可達(dá)10nm

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2015-12-14 13:45:01

三星布陣Asian Edge 第一島鏈再成科技最前線

的商機(jī)仍然暢旺,在供給端僅有三星、SK海力士、美光,加上新技術(shù)量產(chǎn)困難,在這些現(xiàn)實(shí)下,2019年對(duì)存儲(chǔ)器廠商而言仍會(huì)是個(gè)豐收的年度。如果要考慮供過(guò)于求的變量,可能是第二代10nm等級(jí)的DRAM技術(shù)
2018-12-25 14:31:36

三星手機(jī)RFID讀取芯片

三星宣布將開(kāi)發(fā)手持式裝置用的RFID(radio frequency identification)讀取芯片,能讓使用者透過(guò)手機(jī)得知產(chǎn)品和服務(wù)信息,但三星并未透露產(chǎn)品何時(shí)上市。 三星指出,RFID
2019-07-04 07:26:16

三星電子行業(yè)巨頭成長(zhǎng)史

隨機(jī)存儲(chǔ)器,DynamicRandomAccessMemory)VLSI芯片,并因此成為世界半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)導(dǎo)者。在此之前,三星只是為本國(guó)市場(chǎng)生產(chǎn)半導(dǎo)體。 在八十年代中期,三星開(kāi)始進(jìn)入系統(tǒng)開(kāi)發(fā)業(yè)務(wù)領(lǐng)域,在
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2021-04-06 18:09:48

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為什么三星Note7召回不含中國(guó)

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三星Galaxy Note7的召回進(jìn)入收官階段,今天,BGR撰文談到了很有意思的一個(gè)現(xiàn)象,為什么三星全球召回宣布啟動(dòng)后,就沒(méi)有Note 7爆炸了呢。
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10nm噩耗!三星S8、驍龍835抱頭痛哭

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內(nèi)外因素雙驅(qū)動(dòng) 三星電子成功搶占存儲(chǔ)器市場(chǎng)

自1980年代之后,韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)才開(kāi)始跨越式的進(jìn)步,三星在1983年開(kāi)始籌備集成電路制造,也即DRAM的研發(fā)。三星電子在存儲(chǔ)器方面的成功,有外在因素,如韓國(guó)政府的大力支持,以及美國(guó)對(duì)于日本半導(dǎo)體的反傾銷策略等,顯然三星電子內(nèi)在因素起著決定性的作用。
2016-12-28 14:23:11564

高通、三星10納米首役告捷,決勝關(guān)鍵在及產(chǎn)能

電子、小米、Oppo、Vivo等智能手機(jī)品牌廠下單排隊(duì),未來(lái)三星10納米制程和產(chǎn)能配置,將攸關(guān)高通Snapdragon 835出貨及版圖擴(kuò)張。
2017-01-10 02:47:11656

三星緊急召回18nm制程存儲(chǔ)模組 或因產(chǎn)品出問(wèn)題

自Galaxy Note 7 電池爆炸事件與管理層級(jí)涉及行賄被起訴后,三星近日又被傳出其產(chǎn)業(yè)重心記憶體模組產(chǎn)品出問(wèn)題緊急召回,由于三星PC DRAM 市占過(guò)半,這次出問(wèn)題除了可能讓三星集團(tuán)的處境雪上加霜外,也會(huì)讓價(jià)格已上揚(yáng)的 PC DRAM 價(jià)格再度飆高。
2017-03-03 01:05:451273

三星18nm工藝的DRAM芯片惹禍了

了,SK Hynix和美光這時(shí)候還掙扎在20nm工藝DRAM芯片量產(chǎn)中呢。不過(guò)昨天一紙傳聞稱三星18nm工藝的DRAM芯片惹禍了,可能會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)藍(lán)屏,三星正在召回——不過(guò)三星官方日前回應(yīng)稱這是謠言。
2017-03-03 14:22:572704

首發(fā)驍龍835,三星s8發(fā)布!三星s8最新消息,三星s8備貨充足

三星Galaxy S8發(fā)布前,曾有消息稱,因?yàn)?0nm驍龍835的問(wèn)題,導(dǎo)致備貨有限,S8要延期到4月底發(fā)售。
2017-03-31 08:32:28707

7nm工藝研發(fā)進(jìn)程,三星有望再次領(lǐng)先全球!

臺(tái)積電的10nm工藝眼下還處于提升中,三星則宣布已推出第二代10nm工藝,這是前者繼14/16nmFinFET工藝敗給后者后再次在10nm工藝上落敗,而且這可能會(huì)影響到它在7nm工藝上再次落后。
2017-04-28 14:28:461758

三星手機(jī)存儲(chǔ)器最新資料下載

三星手機(jī)存儲(chǔ)器最新資料下載
2018-01-19 09:44:541

中國(guó)計(jì)劃增產(chǎn)存儲(chǔ)器 三星優(yōu)勢(shì)將被削弱

因2017年存儲(chǔ)器領(lǐng)域遭遇大幅度的內(nèi)存不足,飚價(jià)過(guò)高,三星存儲(chǔ)器巨頭借此賺的缽滿盆盈。今年中國(guó)廠商將進(jìn)行大規(guī)模的擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)器,存儲(chǔ)器價(jià)格將會(huì)有所松動(dòng),也就是說(shuō)三星半導(dǎo)體龍頭將不保。
2018-02-01 09:37:211089

進(jìn)軍電競(jìng)市場(chǎng) 三星正式量產(chǎn)DDR4存儲(chǔ)器

三星電子 30 日宣布,已開(kāi)始正式量產(chǎn)全球首款 32GB 容量、適用于小型雙列直插式存儲(chǔ)器模組(SoDIMM)規(guī)格的電競(jìng)筆電 DDR4 存儲(chǔ)器。而新的 SoDIMM 存儲(chǔ)器模組是以 10 納米制程技術(shù)打造,可以用戶享受豐富的電競(jìng)游戲之外,并具有更大的容量與更快的速度,而且傭有更低的耗能表現(xiàn)。
2018-06-11 11:49:001095

三星宣布,將量產(chǎn)LPDDR5存儲(chǔ)器顆粒,速度將比LPDDR4存儲(chǔ)器快50%

三星 17 日宣布,量產(chǎn)首批 8GB LPDDR5 存儲(chǔ)器顆粒,速率可達(dá) 6,400Mbps,比現(xiàn)有 LPDDR4-4266 存儲(chǔ)器快了 50%,同時(shí)功耗降低 30%,三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了 8GB
2018-07-18 17:56:004088

三星AI起步晚如何追趕?欲存儲(chǔ)器依賴癥加速AI進(jìn)程

三星在半導(dǎo)體市場(chǎng)的地位舉足輕重,尤其是存儲(chǔ)器更是獨(dú)霸一方,但是這也導(dǎo)致三星的業(yè)務(wù)對(duì)于存儲(chǔ)器的依賴過(guò)于嚴(yán)重,而如今最火爆的AI方面,三星有些遲鈍了,該如何追趕成為現(xiàn)在最重要的事。
2018-06-20 09:54:373847

三星、海力士18nm出問(wèn)題 市場(chǎng)價(jià)格出現(xiàn)變數(shù)

受惠于市場(chǎng)需求強(qiáng)力推升,服務(wù)存儲(chǔ)器供應(yīng)持續(xù)吃緊,近來(lái)市場(chǎng)傳出,存儲(chǔ)器龍頭廠三星與海力士18nm制程出現(xiàn)問(wèn)題,應(yīng)用于高階服務(wù)產(chǎn)品遭到退貨,包括美國(guó)及大陸廠商已要求暫時(shí)停止出貨。
2018-06-21 08:44:335059

三星完成8GB LPDDR5存儲(chǔ)器測(cè)試 即將量產(chǎn)

三星17日宣布,量產(chǎn)首批8GB LPDDR5存儲(chǔ)器顆粒,速率可達(dá)6,400Mbps,比現(xiàn)有LPDDR4-4266存儲(chǔ)器快了50%,同時(shí)功耗降低30%,三星現(xiàn)在已經(jīng)完成了8GB LPDDR5存儲(chǔ)器的測(cè)試。
2018-07-20 10:39:445216

三星10nm級(jí)DDR4 SoDIMM內(nèi)存,容量達(dá)到32GB單條

三星宣布推出基于10nm級(jí)(指10~18nm)的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組,用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條,頻率2666MHz,結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722

AI和挖礦驅(qū)動(dòng)英偉達(dá)逆襲,存儲(chǔ)漲價(jià)三星穩(wěn)居第一

IC Insights預(yù)計(jì),存儲(chǔ)器占2018年三星半導(dǎo)體銷售額的84%,將比2017年的81%上升3個(gè)點(diǎn);三星存儲(chǔ)器外的其他半導(dǎo)體產(chǎn)品今年銷售額僅為135億美元,比2017年增長(zhǎng)8%。相反,三星今年的存儲(chǔ)器銷售額預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)31%,達(dá)到700億美元。
2018-08-22 13:22:543887

研究三星存儲(chǔ)器發(fā)展歷程和成功因素

三星1982年進(jìn)入半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域,1993年至今一直為該領(lǐng)域世界第一,本文旨在研究其發(fā)展歷程和成功因素,從三星的危機(jī)意識(shí)、挑戰(zhàn)精神和速度文化入手,分析三星如何在技術(shù)追趕期實(shí)現(xiàn)反超,如何在技術(shù)領(lǐng)先期保持領(lǐng)先,以此獲得對(duì)我們工作的啟示啟發(fā)。
2019-03-04 14:02:167886

三星電子提供給美國(guó)亞馬遜的產(chǎn)品出現(xiàn)瑕疵 亞馬遜已緊急更換供應(yīng)商

18nm)納米制程產(chǎn)品出現(xiàn)瑕疵,讓亞馬遜緊急更換由另一家韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠SK海力士(SK Hynix)來(lái)供應(yīng),并且對(duì)三星進(jìn)行索賠的情況,嚴(yán)重沖擊了三星DRAM的市場(chǎng)商譽(yù)。
2019-04-13 11:36:393460

新思宣布先進(jìn)工藝學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得最大突破 為三星后續(xù)先進(jìn)工藝奠定基礎(chǔ)

集成電路設(shè)計(jì)自動(dòng)化軟件領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)新思(Synopsys)近日宣布,面向三星7LPP(7nm Low Power Plus)和更先進(jìn)工藝的學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得最大突破,也為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2019-07-08 15:56:453656

新思科技助力三星5nm/4nm/3nm工藝再加速

近日,全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布,面向三星7LPP(7nm Low Power Plus)和更先進(jìn)工藝的學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得了重大突破,這將為三星后續(xù)5nm、4nm、3nm工藝的量產(chǎn)和良品率的提升奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2019-07-09 17:13:485070

新思科技助力,三星5nm、4nm、3nm工藝再加速

全球知名的EDA工具廠商新思科技(Synopsys)宣布,面向三星7LPP(7nm Low Power Plus)和更先進(jìn)工藝的學(xué)習(xí)平臺(tái)設(shè)計(jì)取得了重大突破
2019-07-11 14:49:473942

三星存儲(chǔ)器產(chǎn)線投資無(wú)奈延期

當(dāng)前存儲(chǔ)器市況仍不佳,加上日韓貿(mào)易沖突不確定性增加等因素,韓國(guó)科技大廠三星已經(jīng)決定暫緩2019年下半年針對(duì)平澤市P2存儲(chǔ)器生產(chǎn)線的投資。
2019-07-29 10:15:333057

三星致高通5G芯片全部報(bào)廢的假消息刷爆網(wǎng)絡(luò),不得不令人深思!

8月22日,一篇“三星導(dǎo)致高通5G芯片全部報(bào)廢”的報(bào)道刷爆網(wǎng)絡(luò),登上了各大資訊平臺(tái)的頭條熱搜,該消息稱,三星7nm制程所代工的高通5G芯片因出問(wèn)題,結(jié)果導(dǎo)致5G芯片全部報(bào)廢,并且三星自身的處理也發(fā)生了同樣的問(wèn)題。
2019-08-23 09:38:193266

三星突破次世代存儲(chǔ)器將大規(guī)模生產(chǎn)28nm工藝EMRAM

三星宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品,該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù),并計(jì)劃在今年擴(kuò)大高密度新興的非易失存儲(chǔ)器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591577

三星首次開(kāi)發(fā)出第代10nm級(jí)DRAM高級(jí)存儲(chǔ)器

三星電子有限公司(Samsung Electronics)在其官網(wǎng)上發(fā)布消息,該公司正式宣布,首次開(kāi)發(fā)了第代 10nm 制程工藝(1z-nm)8GB 超高性能和高功效的 DRAM(Dynamic Random Access Memory,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。
2019-09-27 17:23:291500

為什么三星SSD存儲(chǔ)器的性能如此強(qiáng)悍

固態(tài)硬盤(pán)時(shí)代,三星品牌存儲(chǔ)在業(yè)界的地位可以說(shuō)是無(wú)人撼動(dòng),無(wú)論是傳統(tǒng)的SATA協(xié)議SSD或者是發(fā)展迅速的NVMeSSD,都擁有著極高的市場(chǎng)占有和用戶口碑,三星在NAND技術(shù)的研發(fā)和生產(chǎn)上,一直是世界一流水平,尤其是3DNAND,更是遙遙領(lǐng)先。
2019-09-30 16:15:342940

三星開(kāi)始恢復(fù)針對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的投資 未來(lái)或沖擊中國(guó)臺(tái)灣存儲(chǔ)器廠商的營(yíng)運(yùn)狀況

根據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo),在當(dāng)前存儲(chǔ)器價(jià)格已經(jīng)觸底反彈,整體市場(chǎng)庫(kù)水水位也進(jìn)一步降低的情況之下,三星決定開(kāi)始恢復(fù)針對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的投資。而根據(jù)知情人士的消息指出,三星最近為韓國(guó)P2晶圓廠訂購(gòu)了DRAM設(shè)備,也
2019-10-30 15:15:303224

三星對(duì)半導(dǎo)體市場(chǎng)很看好 開(kāi)始重啟存儲(chǔ)器投資項(xiàng)目

據(jù)韓國(guó)業(yè)界 27 日消息,三星電子重啟存儲(chǔ)器投資項(xiàng)目。據(jù)了解,目前新建的平澤存儲(chǔ)器第二工廠和中國(guó)西安第二工廠已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)入半導(dǎo)體設(shè)備訂購(gòu)階段。
2019-11-19 10:37:46998

基于7nm+工藝打造的三星Exynos 990處理詳細(xì)介紹

值得注意的是三星Exynos 990處理此次采用的7nm(7LPP)采用了第二代7納米工藝,與Apple A13和Snapdragon 855一致。根據(jù)三星的說(shuō)法,新型7nm LPP可使元件效率提高40%,性能提高20%或功耗降低50%,從而通過(guò)更少的層數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)更高的元件。
2019-11-27 10:15:344852

三星推出eUFS 3.1存儲(chǔ)器,傳輸速度極快

3月18日,據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,三星電子已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)一種512GB的eUSF 3.1高速智能手機(jī)存儲(chǔ)器,該存儲(chǔ)器能夠在4秒內(nèi)存儲(chǔ)5GB內(nèi)容,相當(dāng)于一部藍(lán)光電影。
2020-03-20 10:51:281830

三星的8nm工藝即將面臨產(chǎn)能/問(wèn)題

NVIDIA的RTX 30系列顯卡現(xiàn)在已經(jīng)有RTX 3090/3080/3070款顯卡上市了,它們都使用三星的8nm工藝生產(chǎn),后續(xù)還有RTX 3060 Ti、RTX 3060、RTX 3080 Ti等顯卡,也不會(huì)如傳聞那樣使用臺(tái)積電7nm,還是8nm工藝。
2020-11-17 10:05:434074

三星丟失大客戶高通,3nm工藝量產(chǎn)能否如期而至

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)三星在3nm領(lǐng)先臺(tái)積電的愿望又要落空了。據(jù)外媒日前報(bào)道,因?yàn)閾?dān)心三星過(guò)低,大客戶高通已將3nm AP處理代工訂單交給臺(tái)積電。
2022-03-01 09:16:591676

三星電子3nm良品率才10%-20%,大大低于預(yù)期

三星基于GAA晶體管的3nm工藝遠(yuǎn)低于預(yù)期,三星電子3nm制程工藝的良品率,才到10%-20%,遠(yuǎn)不及公司期望的目標(biāo)。
2022-04-20 10:43:132740

三星3納米代工成本如何?3納米GAA制程僅20%!

從一些公開(kāi)的信息來(lái)看,三星看似在3nm制程節(jié)點(diǎn)上先行一步,但實(shí)際生產(chǎn)也難盡人意。 據(jù)悉,三星電子3納米芯片首家客戶是來(lái)自中國(guó)的半導(dǎo)體企業(yè)PanSemi(磐矽半導(dǎo)體),后者據(jù)稱是一家專門(mén)生產(chǎn)比特幣挖礦機(jī)芯片的公司。
2022-11-29 15:22:071630

芯片制程到3nm后如何突破難題?

芯片晶圓代工產(chǎn)品舉行了出廠儀式。才過(guò)4個(gè)月不到,韓國(guó)媒體Naver就爆出,三星3nm制程的非常低,不足20%。而且其5nm和4nm節(jié)點(diǎn)的問(wèn)題也遲遲沒(méi)有得到改善。 其實(shí),三星電子從2000年初就已經(jīng)開(kāi)始了對(duì)GAA晶體管結(jié)構(gòu)的研究。自2017年開(kāi)始,將其正式應(yīng)用到3納米工藝,并于今年6月宣
2022-11-30 07:15:081455

三星3nm已經(jīng)超過(guò)臺(tái)積電?

目前三星在4nm工藝方面的為75%,稍低于臺(tái)積電的80%。然而,通過(guò)加強(qiáng)對(duì)3nm技術(shù)的發(fā)展,三星有望在未來(lái)趕超臺(tái)積電。
2023-07-19 16:37:424327

三星3nm GAA完整晶圓遭遇難產(chǎn),僅50%

三星向中國(guó)客戶提供了第一個(gè)3nm gaa,但新的報(bào)告顯示,這些芯片的實(shí)際形態(tài)并不完整,缺乏邏輯芯片的sram。據(jù)悉,由于很難生產(chǎn)出完整的3納米gaa晶片,因此三星轉(zhuǎn)包工廠的收益只有臺(tái)灣產(chǎn)產(chǎn)的50%。3nm gaa雖然比f(wàn)infet優(yōu)秀,但在生產(chǎn)效率上存在問(wèn)題。
2023-10-12 10:10:201487

三星突破4nm制程瓶頸,臺(tái)積電該有危機(jī)感了

三星已將4nm制程提升到了70%左右,并重點(diǎn)在汽車芯片方面尋求突破。特斯拉已經(jīng)將其新一代FSD芯片交由三星生產(chǎn),該芯片將用于特斯拉計(jì)劃于3年后量產(chǎn)的Hardware 5(HW 5.0)計(jì)算機(jī)。
2023-12-01 10:33:453358

三星研發(fā)一種用于提高半導(dǎo)體和產(chǎn)能的“智能傳感系統(tǒng)”

12月26日消息,據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道,三星電子正在開(kāi)發(fā)自己的“智能傳感系統(tǒng)”,用于對(duì)半導(dǎo)體工藝的控制和管理。這項(xiàng)新技術(shù)有望提高半導(dǎo)體、提高生產(chǎn)
2023-12-28 10:32:081833

三星正在研發(fā)新型LLW DRAM存儲(chǔ)器

近日,三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器,這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性,有望引領(lǐng)未來(lái)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:031225

三星3nm 0%!

來(lái)源:EETOP,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 近期韓媒DealSite+報(bào)道,表示三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問(wèn)題,在嘗試生產(chǎn)適用于Galaxy S25 /S25+手機(jī)的Exynos
2024-02-04 09:31:131431

三星電子3nm工藝低迷,始終在50%左右徘徊

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱,三星電子旗下的3納米工藝品比例仍是一個(gè)問(wèn)題。報(bào)道中僅提及了“3nm”這一籠統(tǒng)概念,并沒(méi)有明確指出具體的工藝類型。知情者透露,盡管有部分分析師認(rèn)為其已經(jīng)超過(guò)60%
2024-03-07 15:59:191611

三星3納米不足60%

三星近年來(lái)在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域持續(xù)投入,并力爭(zhēng)在先進(jìn)制程技術(shù)上取得突破。然而,據(jù)韓媒報(bào)道,三星在3納米制程上的問(wèn)題似乎仍未得到有效解決,這對(duì)其在市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力構(gòu)成了一定的挑戰(zhàn)。 據(jù)百能云芯電子.元
2024-03-11 16:17:051032

三星電子:加快2nm和3D半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展,共享技術(shù)信息與未來(lái)展望

在技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域,三星電子的3nm與2nm工藝取得顯著進(jìn)步,預(yù)計(jì)本季度內(nèi)完成2nm設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施的開(kāi)發(fā);此外,4nm工藝的亦逐漸穩(wěn)定。
2024-04-30 16:16:461146

三星電子12nm級(jí)DRAM內(nèi)存不足五成

近日,據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,三星在其1b nm(即12nm級(jí))DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過(guò)程中遇到了不足的挑戰(zhàn)。目前,該制程的仍低于業(yè)界一般目標(biāo)的80%~90%,僅達(dá)到五成左右。為了應(yīng)對(duì)這一局面,三星已在上月成立了專門(mén)的工作組,致力于迅速提升。
2024-06-12 10:53:411408

三星第五代DDR產(chǎn)品不達(dá)標(biāo)

據(jù)報(bào)道,三星電子在最新的半導(dǎo)體技術(shù)探索中遭遇了挑戰(zhàn)。其第五代10nm級(jí)(1b)制程DRAM的尚未達(dá)到業(yè)界通常期望的80%~90%的水平,這一狀況引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2024-06-13 09:41:181485

三星3nm芯片低迷,量產(chǎn)前景不明

近期,三星電子在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域遭遇挑戰(zhàn),其最新的Exynos 2500芯片在3nm工藝上的生產(chǎn)持續(xù)低迷,目前仍低于20%,遠(yuǎn)低于行業(yè)通常要求的60%量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。這一情況引發(fā)了業(yè)界對(duì)三星半導(dǎo)體制造能力的質(zhì)疑,同時(shí)也使得該芯片未來(lái)能否順利應(yīng)用于Galaxy S25系列旗艦智能手機(jī)充滿了不確定性。
2024-06-24 18:22:362240

三星電子:18FDS將成為物聯(lián)網(wǎng)和MCU領(lǐng)域的重要工藝

相變存儲(chǔ)器(ePCM)。 ? 在FD-SOI領(lǐng)域,三星已經(jīng)深耕多年,其和意法半導(dǎo)體之間的合作也已經(jīng)持續(xù)多年。早在2014年,意法半導(dǎo)體就曾對(duì)外宣布,選擇三星28nm FD-SOI工藝來(lái)量產(chǎn)自己的產(chǎn)品
2024-10-23 11:53:05990

三星重啟1b nm DRAM設(shè)計(jì),應(yīng)對(duì)與性能挑戰(zhàn)

近日,據(jù)韓媒最新報(bào)道,三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的和性能雙重困境時(shí),已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上,全面重新設(shè)計(jì)新版1b
2025-01-22 14:04:071411

三星1c nm DRAM開(kāi)發(fā)里程碑延期

據(jù)韓媒MoneyToday報(bào)道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開(kāi)發(fā)的里程碑時(shí)間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動(dòng)可能對(duì)三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241109

三星電子1c nm內(nèi)存開(kāi)發(fā)里程碑推遲

據(jù)韓媒報(bào)道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開(kāi)發(fā)的里程碑時(shí)間推遲了半年。原本,三星計(jì)劃在2024年底將1c nm制程DRAM的提升至70%,以達(dá)到結(jié)束開(kāi)發(fā)工作、順利進(jìn)入量產(chǎn)階段的要求。然而,實(shí)際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191002

三星否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM

據(jù)DigiTimes報(bào)道,三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM(1b DRAM)的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前,ETNews曾有報(bào)道稱,三星電子內(nèi)部為解決12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星宣布大規(guī)模汽車召回計(jì)劃

近日,三星宣布了一項(xiàng)大規(guī)模的汽車召回計(jì)劃,此次召回涉及福特、奧迪以及Stellantis旗下的共計(jì)180,196輛汽車。這些車輛因搭載了存在故障風(fēng)險(xiǎn)的三星高壓電池組,有可能導(dǎo)致火災(zāi)事故的發(fā)生,因此被
2025-02-10 09:32:131352

三星3nm僅20%,仍不放棄Exynos 2500處理,欲打造“十核怪獸”

,導(dǎo)致Exynos 2500不佳的原因是,這顆SoC基于三星第二代3nm GAA制程工藝——SF3工藝,然而目前第二代SF3工藝的僅為20%。 ? 三星第二代SF3工藝進(jìn)展不如預(yù)期 今年初,有知情人士向韓媒透露,三星已經(jīng)開(kāi)始試產(chǎn)自己第二代SF3工藝,被視為該公司發(fā)展的一大里程碑
2024-06-25 00:04:004952

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