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美光計劃再投20億美元興建3D DRAM封測廠

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為了延長DRAM存儲器壽命 必須短時間內(nèi)采用3D DRAM

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存儲三巨頭反壟斷調(diào)查新進展: 最高罰80美元

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西安“重創(chuàng)”_禁令影響國內(nèi)生產(chǎn)與銷售布局

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2019-03-08 10:57:013785

科技收購英特爾股份 全資控股IF Flash

出資12美元成立的合資企業(yè)。 交易包括15美元的現(xiàn)金支付,以及收購英特爾對該合資企業(yè)的債務(wù),截至8月30日這筆債務(wù)約為10美元。 IM Flash主要生產(chǎn)用于數(shù)據(jù)中心和高端計算機的3D
2018-10-23 00:44:01459

淺析3D結(jié)構(gòu)技術(shù)

HUAWEI Mate 20 Pro采用2400萬前置攝像頭,擁有3D結(jié)構(gòu)設(shè)計,3D智能美顏,自拍清晰自然;同時支持3D人臉解鎖,帶來毫秒級解鎖體驗。
2018-10-23 15:55:3822021

關(guān)于3D超級DRAM技術(shù)簡單剖析

就算3D NAND的每位元成本與平面NAND相比較還不夠低,NAND快閃存儲已經(jīng)成功地由平面轉(zhuǎn)為3D,而DRAM還是維持2D架構(gòu);在此同時,DRAM制程的微縮也變得越來越困難,主要是因為儲存電容的深寬比(aspect ratio)隨著元件制程微縮而呈倍數(shù)增加。
2018-10-28 10:17:135623

新型存儲技術(shù)3D XPoint目前處于發(fā)展初期 英特爾分道揚鑣

近期,正式宣布,對IM Flash Technologies,LLC(簡稱“IM Flash”) 中的權(quán)益行使認購期權(quán)。IM Flash是與英特爾的合資公司,主推市場上的新型存儲芯片技術(shù)3D Xpoint。
2018-11-11 09:54:491418

計劃削減12.5美元的資本支出,減少內(nèi)存及閃存芯片的產(chǎn)量

總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財報電話會議上表示,為了適應(yīng)當(dāng)前市場的狀況,將減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)的數(shù)據(jù),2019年他們預(yù)測DRAM內(nèi)存產(chǎn)量增加15%,低于此前預(yù)測的20%增長,而NAND閃存預(yù)計增長35%,也低于之前預(yù)計的35-40%增長率。
2018-12-21 11:15:054225

沒有技術(shù)的無奈!壟斷案硬是成了晉華竊取技術(shù)案

而對于DRAM價格持續(xù)上漲的原因,此前業(yè)界認為是由于DRAM市場需求持續(xù)增長,以及各大存儲廠商積極轉(zhuǎn)進3D NAND Flash制造,但3DNAND Flash生產(chǎn)設(shè)備無法轉(zhuǎn)回生產(chǎn)DRAM,導(dǎo)致
2019-01-15 14:51:205330

支付英特爾15美元分手費,收購3D XPoint記憶體IMFT

在與公司完成任何聯(lián)合活動之時,英特爾預(yù)計將在其中一家工廠開始生產(chǎn)3D XPoint微芯片。12月,在英特爾高層管理人員的一份報告中顯示,對于3D XPoint的發(fā)布,該公司正在升級其在美國
2019-01-18 14:21:035148

3D成像傳感器和硬件子系統(tǒng)市場到2025年將實現(xiàn)579美元的增長

Tractica/Ovum的最新報告研究了用于提取特定應(yīng)用3D圖像的傳感器和硬件的各種技術(shù)和市場動態(tài)。其分析表明,3D成像傳感器和硬件子系統(tǒng)市場將從2017年的82美元到2025年增長至579美元,年復(fù)合增長率達到28%。
2019-03-04 09:56:171650

科技的新加坡Fab 10A完成擴建,臺中擴建可在年底落成

存儲器大廠科技(Micron)近日宣布完成新加坡NAND FlashFab 10A擴建。執(zhí)行長Sanjay Mehrotra表示,新廠區(qū)將視市場需求調(diào)整資本支出及產(chǎn)能規(guī)劃,并應(yīng)用先進3D
2019-08-19 11:33:005994

加碼投資中國臺灣地區(qū) 投資約合人民幣903興建兩座晶圓廠

全球第三大DRAM美商(Micron)加碼投資中國臺灣地區(qū),要在現(xiàn)有中科廠區(qū)旁興建兩座晶圓廠,總投資額達新臺幣4,000元(約合人民幣903元),以生產(chǎn)下世代最新制程生產(chǎn)DRAM。時值DRAM仍供過于求,光大手筆投資,震撼業(yè)界。
2019-08-26 16:34:174095

時值DRAM仍供過于求,光在臺灣加碼投資

據(jù)消息報道,全球第三大DRAM(Micron)將在臺灣加碼投資,要在現(xiàn)有廠區(qū)旁興建2座晶圓廠,總投資額達4000元新臺幣(約合人民幣903元),以下代最新制程生產(chǎn)DRAM。報道稱,時值DRAM仍供過于求,光大手筆投資,震撼業(yè)界。
2019-09-05 11:08:002990

將推出最新的第四代3D NAND閃存

宣布,已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片,應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu),并計劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:321180

第四代3D NAND芯片將量產(chǎn) 計劃繼續(xù)沿用CMOS陣列

存儲行業(yè)隨著物聯(lián)網(wǎng)時代的來臨也迎來了一波新的發(fā)展機遇,近日,根據(jù)最新消息顯示,系存儲巨頭,的第四代3D NAND芯片完成首批流片,新一代產(chǎn)品基于全新研發(fā)的替代柵極架構(gòu),將于明年開始小范圍量產(chǎn)。
2019-11-18 15:33:471043

英特爾與簽署3D XPoint存儲晶圓新的供應(yīng)協(xié)議

在此前高調(diào)地宣布“分道揚鑣”之后,英特爾近日又與簽署了新的 3D XPoint 存儲器晶圓供應(yīng)協(xié)議。分析人士指出,鑒于英特爾是當(dāng)前唯一的 3D XPoint 制造商,其需要向支付較以往更多的費用。
2020-03-17 14:21:142525

Intel與光達成新協(xié)議 將繼續(xù)獲得3D XPoint產(chǎn)品供應(yīng)

Intel于近日與光在3D XPoint閃存供應(yīng)事項上面達成了新的協(xié)議,分析師認為,他們向支付了以前更多的錢以繼續(xù)獲得3D XPoint產(chǎn)品的供應(yīng)。
2020-03-23 08:52:432863

2020年全球十大封測企業(yè)應(yīng)收排名

第二季隨著供應(yīng)鏈逐步恢復(fù)供給,加上各國推出救市措施與宅經(jīng)濟發(fā)酵,全球封測產(chǎn)值持續(xù)成長,前十大封測營收達63.25美元,年增26.6%,其中,龍頭日月光控營收13.79美元,穩(wěn)坐封測龍頭寶座。
2020-09-08 17:20:038975

EUV工藝已拉響戰(zhàn)局 計劃在2021年持續(xù)加碼投資DRAM

計劃在 2021 年提出建設(shè) A5 項目的申請,持續(xù)加碼投資 DRAM,將用于 1Znm 制程之后的微縮技術(shù)發(fā)展。 據(jù)悉,目前光在臺灣地區(qū)布局,包括中科的前段晶圓制造 A1、A2 和后段
2021-02-27 12:09:393676

發(fā)布第五代3D NAND閃存

據(jù)媒Anandtech報道,日前宣布了其第五代3D NAND閃存,新一代產(chǎn)品擁有破紀錄的176層構(gòu)造。報道指出,新型176L閃存是自與英特爾的存儲器合作解散以來推出的第二代產(chǎn)品,此后從浮柵( floating-gate)存儲單元設(shè)計轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap)單元。
2020-11-10 14:56:593477

宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)

剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù),達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后,自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212920

科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存

IT之家11月12日消息 今日,科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存,刷新行業(yè)紀錄,實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:572623

發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲器廠商宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預(yù)計通過全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696

臺積電計劃投資120美元在美國興建工廠

據(jù)報道,美國亞利桑那州鳳凰城市官員周三一致投票,批準與臺積電達成一項開發(fā)協(xié)議。鳳凰城城市基金將拿出2.05美元,用于當(dāng)?shù)嘏_積電工廠配套道路和供水設(shè)施的優(yōu)化。臺積電計劃投資120美元在當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">興建工廠。
2020-11-19 09:13:031862

Stratasys將以1美元收購光固化3D打印技術(shù)美國初創(chuàng)公司Origin

南極熊導(dǎo)讀:全球領(lǐng)先的3D打印老牌巨頭Stratasys,憑借雄厚的資金實力,通過買買買來擴充自己的3D打印商業(yè)帝國。例如2013年斥資4美元收購了當(dāng)時的桌面級FDM 3D打印龍頭廠商
2020-12-10 15:15:492582

消息稱寧德時代計劃在印尼投資50美元興建一家鋰電池

據(jù)報道,印尼海洋與投資部副部長周二表示,寧德時代計劃在印尼投資50美元興建一家鋰電池。 副部長Septian Hario Seto在一次線上簡報會上表示,鋰電池將于2024年投產(chǎn)?!皩幍聲r代
2020-12-15 17:24:052086

臺積電在海外的首座封測!

有關(guān)赴日設(shè)立先進封測計劃,臺積電沒有透露任何細節(jié)。但《聯(lián)合報》報道稱,臺積電在新年度對封測事業(yè)組織做了調(diào)整。原全力推動臺積電3D先進封測的研發(fā)副總余振華,轉(zhuǎn)任臺積電卓越院士兼研發(fā)副總經(jīng)理,原職務(wù)轉(zhuǎn)由主管研發(fā)的資深副總經(jīng)理米玉杰負責(zé)。
2021-01-06 15:27:082878

一年虧4 宣布出售芯片工廠!

3D Xpoint技術(shù)是與英特爾共同開發(fā)的一種非易失性存儲技術(shù),比NAND閃存擁有更高的性能和耐用性,旨在填補DRAM和NAND閃存之間的存儲空白
2021-03-19 14:25:251570

美國最大記憶芯片本季財測高于市場預(yù)期

帶進9美元現(xiàn)金。 估NAND、DRAM供應(yīng)吃緊至明年 估計本季(6月到8月)營收約82美元,高于分析師預(yù)期的78.5美元;剔除特定項目調(diào)整后的每股盈余約2.3美元,分析師預(yù)期為2.17美元。光表示,本季毛利率將在46%上下1個百分點,符合市
2021-07-02 14:53:152496

科技將投入2美元扶持專注于深度科技領(lǐng)域初創(chuàng)企業(yè)

上海 — 內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布,公司旗下的風(fēng)險投資團隊 Micron Ventures (創(chuàng))將投入 2 美元二期基金,用于扶持專注于深度科技領(lǐng)域的初創(chuàng)企業(yè)。
2022-05-30 17:22:391410

如何看待3D DRAM技術(shù)?

3D NAND ‘Punch & Plug’ 方法現(xiàn)在已廣為人知,因此只要不使用任何新材料,使用此工藝的 DRAM 應(yīng)該能夠快速量產(chǎn)。
2023-05-31 11:41:581129

將對西安封測工廠投資逾43元;臺積電三巨頭下周訪陸

熱點新聞 1、將對西安封測工廠投資逾43元 6月16日,科技股份有限公司(Micron Technology)宣布,計劃在未來幾年中對其位于中國西安的封裝測試工廠投資逾43元。已決
2023-06-16 17:35:035825

確認在印度建設(shè)首座芯片 預(yù)計投資數(shù)額達8.25美元

美國存儲芯片公司科技發(fā)布了投資至多8.25美元在印度古吉拉特邦新建芯片組裝和測試設(shè)施的計劃,將成為該公司在印度的首座工廠。
2023-06-26 19:23:272007

宣布在印度建造封測工廠,投資總額高達27.5美元

近日,科技公司今天宣布計劃在印度古吉拉特邦建造一座新的組裝和測試工廠,新工廠將實現(xiàn) DRAM 和 NAND 產(chǎn)品的組裝和測試制造。
2023-06-27 17:06:15794

科技2023財年Q3凈虧損19美元

儲存市場的崩潰程度體現(xiàn)在科技的年度對比中,即營收下降超過一半。在2022財年第三季度,科技實現(xiàn)了26.3美元的凈利潤,營收達到86.4美元。
2023-07-06 10:26:06928

“印度半導(dǎo)體使命”計劃的最大投資?27.5美元工廠在印奠基

當(dāng)?shù)貢r間9月23日,科技在印度古吉拉特邦舉行了價值27.5美元的組裝、測試和封裝工廠(atmp)動工儀式。
2023-09-25 10:15:551084

半導(dǎo)體封測日月光控宣布收購英飛凌2座封測!

2月22日消息,據(jù)臺媒報道,半導(dǎo)體封測日月光控今天宣布,收購芯片大廠英飛凌的菲律賓和韓國兩座后段封測,擴大車用和工業(yè)自動化應(yīng)用的電源芯片模塊封測與導(dǎo)線架封裝,投資金額逾新臺幣21元,最快今年第二季底完成交易。
2024-02-23 09:49:291496

計劃部署納米印刷技術(shù),降低DRAM芯片生產(chǎn)成本

3 月 5 日消息,科技公司計劃率先支持佳能的納米印刷技術(shù),從而進一步降低生產(chǎn) DRAM 存儲芯片的單層成本。 公司近日舉辦了一場演講,介紹在將納米印刷技術(shù)應(yīng)用于 DRAM 生產(chǎn)的一些細節(jié)
2024-03-06 08:37:35838

美國政府將向提供61美元補貼,建設(shè)大型晶圓廠項目

公司曾于2022年宣布,計劃在未來20年內(nèi)斥資1000美元,在紐約州克萊建設(shè)兩個大型晶圓廠項目。其中,第一階段包括兩座晶圓廠的建設(shè),預(yù)計總投資額達到200美元,并計劃于2029年投入運營。
2024-04-18 15:43:401248

科技獲政府超130美元資金支持

美國芯片制造商科技(Micron Technology)近日獲得美國政府超過130美元的撥款和貸款支持。這筆資金將用于支持科技在紐約州和愛達荷州建設(shè)存儲芯片。
2024-05-06 14:08:01793

將在日本廣島建DRAM芯片制造工廠,2027年底或?qū)⒖⒐?/a>

科技計劃在日本投資建設(shè)DRAM芯片工廠

近日,美國芯片巨頭科技宣布了一項重大投資計劃。據(jù)悉,該公司將在日本廣島縣建設(shè)一家全新的DRAM芯片工廠,預(yù)計總投資將達到6000至8000日元。
2024-05-29 09:16:201203

三星已成功開發(fā)16層3D DRAM芯片

在近日舉行的IEEE IMW 2024活動上,三星DRAM部門的執(zhí)行副總裁Siwoo Lee宣布了一個重要里程碑:三星已與其他公司合作,成功研發(fā)出16層3D DRAM技術(shù)。同時,他透露,競爭對手也已將其3D DRAM技術(shù)擴展至8層。
2024-05-29 14:44:071398

計劃投資約300元在日本新建DRAM

據(jù)日媒報道,科技計劃投入6000-8000日圓(約合人民幣277-369元)在日本廣島縣興建新廠,用于生產(chǎn)DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動工,并安裝極紫外光刻(EUV)設(shè)備
2024-05-29 16:28:29649

日本廣島DRAM新廠預(yù)計2027年量產(chǎn)

全球知名的DRAM大廠,早在去年就已宣布了其在日本廣島的重大投資計劃。據(jù)悉,計劃斥資6,000至8,000日元,在廣島興建一座全新的DRAM工廠。這一項目預(yù)計將在2026年初破土動工,最快有望在2027年底前完成廠房建設(shè)、機臺設(shè)備安裝,并正式投入營運。
2024-06-14 09:53:101341

科技計劃大規(guī)模擴大DRAM產(chǎn)能

據(jù)業(yè)內(nèi)消息,科技預(yù)計今年將繼續(xù)積極擴大其DRAM產(chǎn)能,與去年相似。得益于美國政府確認的巨額補貼,近期將具體落實對現(xiàn)有DRAM工廠進行改造的投資計劃。   去年底,科技宣布將在
2025-01-07 17:08:561309

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