16日，三星電子宣布在基于EUV的高級(jí)節(jié)點(diǎn)方面取得了重大進(jìn)展，包括7nm批量生產(chǎn)和6nm客戶流片，以及成功完成5nm FinFET工藝的開(kāi)發(fā)。 三星電子宣布其5納米（nm）FinFET工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)
2019-04-18 15:48:47
7185 韓國(guó)《中央日?qǐng)?bào)》發(fā)布消息稱，三星電子已成功研發(fā)出5納米(nm)半導(dǎo)體工藝，并于4月中正式量產(chǎn)首個(gè)利用極紫外光刻(EUV)的7納米芯片。對(duì)于新一代半導(dǎo)體的精密工藝問(wèn)題，三星電子與各企業(yè)間的技術(shù)較量也
2019-05-22 10:25:425349 1月7日消息，三星電子已開(kāi)始批量生產(chǎn)基于極紫外（EUV）技術(shù)的6nm（nm）半導(dǎo)體芯片。該公司自開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)7nm產(chǎn)品以來(lái)，僅在八個(gè)月內(nèi)就推出了6nm產(chǎn)品。三星的微加工工藝技術(shù)升級(jí)周期正在縮短
2020-01-07 12:03:104766 半導(dǎo)體工業(yè)在光學(xué)微影技術(shù)的幫助下，長(zhǎng)期形成持續(xù)且快速的成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，但光學(xué)微影在面對(duì)更精密的制程已開(kāi)始出現(xiàn)應(yīng)用瓶頸，尤其在小于0.1微米或更精密的制程，必須使用先進(jìn)光學(xué)微影或非光學(xué)微影術(shù)予以克服。
2014-09-04 08:56:302208 三星本周宣布，將定于今年晚些時(shí)候投產(chǎn)第二代10nm芯片生產(chǎn)工藝。目前，三星已經(jīng)在美國(guó)硅谷開(kāi)始向多個(gè)半導(dǎo)體公司推廣自家的14nm工藝。臺(tái)積電計(jì)劃在2017年上半年試產(chǎn)7nm工藝，目前有超過(guò)20家客戶正在洽談7nm工藝代工事宜。
2016-04-22 09:40:41677 臺(tái)積電和三星電子的制程大戰(zhàn)打得如火如荼，據(jù)傳臺(tái)積電7nm制程有望提前在明年底量產(chǎn)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超前對(duì)手。三星電子不甘示弱，宣布10nm制程已經(jīng)率先進(jìn)入量產(chǎn)，領(lǐng)先同業(yè)。
2016-10-18 09:48:511079 
將會(huì)采用極紫外光微影（EUV）已達(dá)成令人印象深刻的進(jìn)展，不過(guò)因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">EUV量產(chǎn)方面遭遇的挑戰(zhàn)，臺(tái)積電看來(lái)會(huì)是率先讓7奈米制程上市的半導(dǎo)體廠商。
2016-10-25 08:47:54837 將會(huì)采用極紫外光微影（EUV）已達(dá)成令人印象深刻的進(jìn)展，不過(guò)因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">EUV量產(chǎn)方面遭遇的挑戰(zhàn)，臺(tái)積電看來(lái)會(huì)是率先讓7納米制程上市的半導(dǎo)體廠商。
2016-10-25 10:08:591351 手機(jī)性能越來(lái)越強(qiáng)勁離不開(kāi)半導(dǎo)體制程的進(jìn)步，明年手機(jī)處理器將會(huì)進(jìn)入10nm時(shí)代。高通驍龍835、聯(lián)發(fā)科Helio X30、蘋果A11處理器都將采用10nm制程，因此晶圓代工廠商臺(tái)積電、英特爾、三星等也在紛紛搶進(jìn)10nm、7nm先進(jìn)半導(dǎo)體制程。不過(guò)，市場(chǎng)真的能跟上先進(jìn)半導(dǎo)體制程的腳步嗎？
2016-12-27 15:47:021278 “7納米是很重要的節(jié)點(diǎn)，是生產(chǎn)工藝第一次轉(zhuǎn)向EUV的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。三星和臺(tái)積電都宣布了將采用EUV(極紫外光微影)技術(shù)在7納米，而EUV是摩爾定律能夠進(jìn)一步延續(xù)到5納米以下的關(guān)鍵?！?Gartner(中國(guó)
2017-01-19 10:15:491818 三星與臺(tái)積電工藝之戰(zhàn)從三星跳過(guò)20nm工藝而直接開(kāi)發(fā)14nmFinFET打響，從10nm到如今的7nm之爭(zhēng)，無(wú)論誰(shuí)領(lǐng)先一步，都是半導(dǎo)體工藝的重大突破。 在半導(dǎo)體代工市場(chǎng)上，臺(tái)積電一直都以領(lǐng)先的工藝
2017-03-02 01:04:492107 在三星決定7nm率先導(dǎo)入EUV后，讓EUV輸出率獲得快速提升，臺(tái)積電決定在7nm強(qiáng)化版提供客戶設(shè)計(jì)定案，5nm才決定全數(shù)導(dǎo)入。
2017-08-23 08:38:232095 近日見(jiàn)到一文7nm大戰(zhàn)在即買不到EUV光刻機(jī)的大陸廠商怎么辦？。 受瓦圣納條約的限止，今天中國(guó)即便有錢想買EUV光刻機(jī)也不可能，此話是事實(shí)，不是危言聳聽(tīng)。但是也不必?fù)?dān)心，因?yàn)橹挥?b class="flag-6" style="color: red">工藝制程達(dá)到7納米
2017-11-23 14:41:0110789 臺(tái)積電和三星一直都是屬于競(jìng)爭(zhēng)狀態(tài)，近日高通宣布旗下的7nm 5G芯片由三星代工，臺(tái)積電再一次落后三星。比較當(dāng)前的10nm FinFET工藝，7nm會(huì)在某些地方更占優(yōu)勢(shì)。
2018-02-24 10:14:531472 三星官方宣布，已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行7nm LPP(Low Power Plus)工藝芯片的量產(chǎn)工作。據(jù)悉，三星的7nm LPP采用EUV光刻，機(jī)器采購(gòu)自荷蘭ASML(阿斯麥)，型號(hào)為雙工件臺(tái)NXE:3400B(光源功率280W)，日產(chǎn)能1500片。
2018-10-18 09:48:281528 全球EUV機(jī)臺(tái)倍數(shù)成長(zhǎng)的現(xiàn)象觀察可知，2019年將是7nm EUV半導(dǎo)體產(chǎn)品元年。
三星強(qiáng)推晶圓代工事業(yè)部，將成臺(tái)積電先進(jìn)工藝唯一勁敵
三星集團(tuán)布局廣泛，其智能手機(jī)產(chǎn)品不僅在消費(fèi)終端
2019-03-07 14:35:471454 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程工藝已從90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升級(jí)到到現(xiàn)在比較主流的10nm、7nm，而最近據(jù)媒體報(bào)道，半導(dǎo)體的3nm工藝研發(fā)制作也啟動(dòng)
2019-12-10 14:38:41
Tock步伐，工藝進(jìn)步至7nm，首款產(chǎn)品為面向數(shù)據(jù)中心的GPU。在7nm工藝方面，英特爾提出，光刻技術(shù)將成為7nm乃至更新工藝制程的挑戰(zhàn)。英特爾計(jì)劃在進(jìn)入7nm后才使用EUV光刻（意味著目前的10nm產(chǎn)品
2020-07-07 11:38:14
ofweek電子工程網(wǎng)訊 國(guó)際半導(dǎo)體制造龍頭三星、臺(tái)積電先后宣布將于2018年量產(chǎn)7納米晶圓制造工藝。這一消息使得業(yè)界對(duì)半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵設(shè)備之一極紫外光刻機(jī)（EUV）的關(guān)注度大幅提升。此后又有媒體
2017-11-14 16:24:44
本文摘自《手機(jī)風(fēng)暴》（Mobile Unleashed），文章詳細(xì)介紹了三星半導(dǎo)體的歷史。原文詳見(jiàn)：https://www.semiwiki.com/forum/content
2021-07-28 07:32:28
` 本帖最后由 小水滴02 于 2012-9-21 16:55 編輯
觀點(diǎn)：三星是全球第一大半導(dǎo)體資本支出大廠，但由于受經(jīng)濟(jì)疲軟、需求下滑的影響，導(dǎo)致市況不斷萎縮。再加上蘋果訂單的“失之交臂
2012-09-21 16:53:46
韓國(guó)三星電子日前宣布，位于中國(guó)陜西省西安市的半導(dǎo)體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù)，生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術(shù)）設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國(guó)
2014-05-14 15:27:09
方式來(lái)改進(jìn)電容器表現(xiàn)，但穩(wěn)定性尚未達(dá)到預(yù)期水平，很可能會(huì)拖慢 1c nm 進(jìn)度。
半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示，“從三星電子的角度來(lái)看，剩下的任務(wù)是穩(wěn)定搭載在HBM上的DRAM以及封裝技術(shù)。”
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國(guó)際學(xué)會(huì)“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開(kāi)發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國(guó)際電子器件
2015-12-14 13:45:01
半導(dǎo)體發(fā)展至今，無(wú)論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進(jìn)，如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測(cè)的一樣，半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
/5nm等邏輯工藝，還會(huì)用在DRAM內(nèi)存芯片生產(chǎn)上。 早前，三星還宣布，其位于華城的V1工廠已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)。據(jù)悉，V1廠為三星第一條專門生產(chǎn)EUV技術(shù)的生產(chǎn)線，該工廠已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)的產(chǎn)品為7nm 7
2020-02-27 10:42:16
的積體電路所組成，我們的晶圓要通過(guò)氧化層成長(zhǎng)、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù)，所須制程多達(dá)二百至三百個(gè)步驟。半導(dǎo)體制程的繁雜性是為了確保每一個(gè)元器件的電性參數(shù)和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
~ 3,000三、半導(dǎo)體制程設(shè)備 半導(dǎo)體制程概分為三類：(1)薄膜成長(zhǎng)，(2)微影罩幕，(3)蝕刻成型。設(shè)備也跟著分為四類：(a)高溫爐管，(b)微影機(jī)臺(tái)，(c)化學(xué)清洗蝕刻臺(tái)，(d)電漿真空腔室
2011-08-28 11:55:49
的寬度，也被稱為柵長(zhǎng)。柵長(zhǎng)越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF（格羅方德），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來(lái)越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
，光源是ArF（氟化氬）準(zhǔn)分子激光器，從45nm到10/7nm工藝都可以使用這種光刻機(jī)，但是到了7nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)的DUV光刻的極限，所以Intel、三星和臺(tái)積電都會(huì)在7nm這個(gè)節(jié)點(diǎn)引入極紫外光（EUV
2020-07-07 14:22:55
45-50臺(tái)的交付量。這其中很大一部分都供給了臺(tái)積電，用于擴(kuò)充5nm，以及7nm產(chǎn)能。中微半導(dǎo)體除光刻機(jī)之外，蝕刻機(jī)也是5nm制程工藝不可缺少的，目前，全球高端刻蝕機(jī)玩家僅剩下應(yīng)用材料、Lam
2020-03-09 10:13:54
。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章 硅片制造中的沾污控制 第7章 測(cè)量學(xué)和缺陷檢查 第8章 工藝腔內(nèi)的氣體控制
2025-04-15 13:52:11
臺(tái)積電(TSMC)表示在接下來(lái)十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見(jiàn)的，可直達(dá) 7nm節(jié)點(diǎn);但在 7nm節(jié)點(diǎn)以下，半導(dǎo)體制程微縮的最大挑戰(zhàn)來(lái)自于經(jīng)濟(jì)，并非技術(shù)。
2011-11-01 09:34:331679 三星電子向荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造廠荷商艾司摩爾（ASML）購(gòu)置極紫外光（EUV）微影技術(shù)設(shè)備，為7奈米制程量產(chǎn)作準(zhǔn)備。
2016-05-16 11:20:51968 2016年半導(dǎo)體的主流工藝是14/16nm FinFET工藝，主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries（格羅方德）三大陣營(yíng)，下一個(gè)節(jié)點(diǎn)是10nm，三方都會(huì)在明年量產(chǎn)，不過(guò)
2016-05-30 11:53:531179 2015年以來(lái)，英特爾（Intel）、三星、臺(tái)積電（TSMC）紛紛發(fā)力16/14nm FinFET工藝，而當(dāng)下芯片廠商正爭(zhēng)相蓄力2017款10nm半導(dǎo)體制造工藝。隨著高通CEO爆料，高通2017年
2016-08-19 14:34:101024 ，拉開(kāi)了下下代半導(dǎo)體工藝競(jìng)爭(zhēng)的帷幕。三星、TSMC日前也在ISSCC會(huì)議上公布了自家的7nm工藝進(jìn)展，TSMC展示了7nm HKMG FinFET工藝的256Mb SRAM芯片，核心面只有16nm工藝
2017-02-11 02:21:11563 
近日有韓國(guó)媒體透露，為了爭(zhēng)奪2018年的蘋果A系列芯片訂單，三星已經(jīng)在加速7nm工藝的開(kāi)發(fā)進(jìn)程。而且，三星還對(duì)自己的工藝和日后的搶單行動(dòng)非常有信心。這個(gè)時(shí)候，蘋果A10芯片供應(yīng)商臺(tái)積電就有話要說(shuō)了。臺(tái)積電日前向媒體透露，其第一代7nm工藝所生產(chǎn)的芯片良品率已經(jīng)高達(dá)76%。
2017-03-20 09:26:01881 臺(tái)積電的10nm工藝眼下還處于提升良率中，三星則宣布已推出第二代10nm工藝，這是前者繼14/16nmFinFET工藝敗給后者后再次在10nm工藝上落敗，而且這可能會(huì)影響到它在7nm工藝上再次落后。
2017-04-28 14:28:461758 據(jù)韓國(guó)ETnews報(bào)道稱，在7nm工藝上，三星已經(jīng)深知落后臺(tái)積電不少，后者除了手握蘋果、聯(lián)發(fā)科、華為客戶外，還憑借7nm工藝把高通新一代驍龍?zhí)幚砥饔唵螕屪?，這是三星所不能忍。
2017-06-27 14:20:53870 根據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，日前有內(nèi)部人士表示，三星已經(jīng)開(kāi)始計(jì)劃在2019年使用6nm工藝制造移動(dòng)芯片，而并且將逐漸大幅減少7nm工藝生產(chǎn)線的投資。據(jù)悉，三星計(jì)劃在今年安裝兩款全新的光刻機(jī)，并且計(jì)劃在2018年繼續(xù)追加投資7臺(tái)，這樣就將為未來(lái)制造工藝的提升提供了支持，同時(shí)還能大幅提高產(chǎn)品的生產(chǎn)效率。
2017-06-28 10:40:551203 隨著智能手機(jī)的發(fā)展，半導(dǎo)體工藝也急速提升，從28nm、16nm、10nm到7nm這些半導(dǎo)體代工廠們每天爭(zhēng)相發(fā)布最新的工藝制程，讓很多吃瓜群眾一臉懵逼不知道有啥用。
2018-06-10 01:38:0049700 晶圓代工之戰(zhàn)，7nm制程預(yù)料由臺(tái)積電勝出，4nm之戰(zhàn)仍在激烈廝殺。 Android Authority報(bào)道稱，三星電子搶先使用極紫外光（EUV）微影設(shè)備，又投入研發(fā)能取代「鰭式場(chǎng)效晶體管」（FinFET）的新技術(shù)，目前看來(lái)似乎較占上風(fēng)。
2017-12-01 12:05:251479 根據(jù)業(yè)界人士的推測(cè)可知，有能力推出的7nm制程的只有蘋果和三星，意味著未來(lái)一年的三星手機(jī)和蘋果手機(jī)均可能采用7 納米芯片。據(jù)報(bào)道，三星放話雖然7nm進(jìn)入量產(chǎn)，但不會(huì)在明年采用。所以明年明年或只有iPhone處理器采用7nm制程。
2017-12-18 16:03:111345 本周在火奴魯魯舉行的VLSI（超大規(guī)模集成電路）研討會(huì)上，三星首次分享了基于EUV技術(shù)的7nm工藝細(xì)節(jié)。
2018-06-22 15:16:001625 EUV被認(rèn)為是推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制造更小芯片的重要里程碑，但是根據(jù)目前的EUV微影技術(shù)發(fā)展進(jìn)程來(lái)看，10奈米（nm）和7nm制程節(jié)點(diǎn)已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，就是5nm仍存在很大的挑戰(zhàn)。
2018-01-24 10:52:392922 
三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，三星、高通宣布擴(kuò)大晶圓代工業(yè)務(wù)合作，包含高通下一代5G移動(dòng)芯片，將采用三星7納米LPP（Low-Power Plus）極紫外光（EUV）制程。 新聞稿指出，通過(guò)7納米LPP
2018-02-23 07:31:561630 據(jù)報(bào)道，三星投資60億美元建設(shè)的新的半導(dǎo)體工廠已經(jīng)破土動(dòng)工，此工廠主用于擴(kuò)充7nm EUV的產(chǎn)能，有人猜測(cè)后者的驍龍芯片將可能會(huì)在這里誕生。
2018-02-26 11:56:371431 在三星和臺(tái)積電的搶奪蘋果訂單過(guò)程中，臺(tái)積電近年憑借優(yōu)異的晶圓代工技術(shù)和龐大產(chǎn)能，在20nm、10nm及7nm三個(gè)工藝階段全都拿下了蘋果大單，全面領(lǐng)先三星。而三星從未言敗一直密謀分食訂單，7nm工藝
2018-04-07 00:30:009372 EUV技術(shù)的7納米制程，直接上7納米LPP EUV制程技術(shù)的原因。如今，三星終于公布了7納米LPP制程已完成新思科技（Synopsys）物理認(rèn)證，意味著7納米EUV制程將可全球量產(chǎn)了。
2018-06-19 15:06:005263 關(guān)鍵詞。 而作為芯片制造的一大頭，三星此前也已經(jīng)宣布了其7nm LPP工藝將會(huì)在2018年下半年投入生產(chǎn)，此外，在昨天的Samsung Foundry Forum論壇上，三星更是直接宣布了5/4/3nm工藝技術(shù)。
2018-05-25 11:09:004079 5nm、4nm、3nm工藝，直逼 這兩年，三星電子、臺(tái)積電在半導(dǎo)體工藝上一路狂奔，雖然有技術(shù)之爭(zhēng)但把曾經(jīng)的領(lǐng)導(dǎo)者Intel遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后已經(jīng)是不爭(zhēng)的事實(shí)。
2018-06-08 07:12:004661 Arm 與三星代工廠宣布雙方合作之旅的新里程碑：為期待已久的極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)，提供首款 7LPP (7nm Low Power Plus) 和 5LPE (5nm Low Power Early) 庫(kù)面市。
2018-06-21 14:55:504499 
另外，7nm EUV的好處還在于，比多重曝光的步驟要少，也就是相同時(shí)間內(nèi)的產(chǎn)量將提升。當(dāng)然，這里說(shuō)的是最理想的情況， 比如更好的EUV薄膜以減少光罩的污染、自修正機(jī)制過(guò)關(guān)堪用等。三星稱，7nm EUV若最終成行，將被證明是成本更優(yōu)的方案。
2018-06-22 15:53:454004 在半導(dǎo)體工藝演進(jìn)上，臺(tái)積電、三星這幾年是你追我趕，至少在數(shù)字上已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩開(kāi)Intel，臺(tái)積電更是異常激進(jìn)。 目前，臺(tái)積電已經(jīng)在7nm工藝節(jié)點(diǎn)上占據(jù)統(tǒng)治地位，拿下了眾多大客戶的大訂單，比如已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)
2018-06-30 09:33:004652 三星高管表示2018年晚些時(shí)候會(huì)推出7nm FinFET EUV工藝，而8nm LPU工藝也會(huì)開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2019年則會(huì)推出5/4nm FinFET EUV工藝，同時(shí)開(kāi)始18nm FD-SOI工藝的風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，后者主要面向RF射頻、eMRAM等芯片產(chǎn)品。
2018-09-08 10:03:173810 晶圓代工巨頭企業(yè)臺(tái)積電、三星和GF（格芯），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來(lái)越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7nm制程便已經(jīng)好似近在眼前。
2018-09-28 14:49:554996 隨著市場(chǎng)對(duì)芯片集成度和功耗的新要求，半導(dǎo)體工藝也在不斷的進(jìn)步，從90nm到65nm，再到28nm、10nm……如今，全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體制程工藝可達(dá)7nm，英特爾、三星、臺(tái)積電、格羅方德等知名的半導(dǎo)體代工企業(yè)均有這樣的實(shí)力。
2018-10-11 14:33:3714530 目前三星宣布已經(jīng)完成了整套7nm EUV工藝的技術(shù)流程開(kāi)發(fā)以及產(chǎn)線部署，進(jìn)入了可量產(chǎn)階段。三星表示7nm LPP工藝可以減少20%的光學(xué)掩模流程，整個(gè)制造過(guò)程更加簡(jiǎn)單了，節(jié)省了時(shí)間和金錢，又可以實(shí)現(xiàn)40%面積能效提升、性能增加20%、功耗降低50%目標(biāo)。
2018-10-19 10:51:364517 在Samsung Tech Day上，三星宣布7LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn)，并表示基于EUV光刻技術(shù)的7LPP工藝對(duì)比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝，可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:404449 根據(jù)雙方的協(xié)議，IBM 將使用三星內(nèi)含EUV 技術(shù)的7 nm制程來(lái)為IBM 代工Power 系列處理器，及及其他HPC 產(chǎn)品。而三星的該制程才在2018 年的10 月份宣布量產(chǎn)，當(dāng)時(shí)三星表示，7
2018-12-22 10:50:294036 隨著晶圓代工廠臺(tái)積電及記憶體廠三星電子的7納米邏輯制程均支援極紫外光（EUV）微影技術(shù)，并會(huì)在2019年進(jìn)入量產(chǎn)階段，半導(dǎo)體龍頭英特爾也確定正在開(kāi)發(fā)中的7納米制程會(huì)支援新一代EUV技術(shù)。
2019-01-03 11:31:594496 仍未量產(chǎn)，但是三星則是直接采用了更為先進(jìn)的EUV（極紫外）工藝，有望領(lǐng)先臺(tái)積電的7nm EUV制程。消息稱，三星去年就小規(guī)模投產(chǎn)了7nm EUV。
所以，臺(tái)積電要想保持優(yōu)勢(shì)，就必須要加快7nm
2019-02-14 16:04:593708 三星將使用7nm EUV工藝為IBM代工Power處理器。IBM 的Power 系列處理器正式邁入7 nm制程。
2019-03-04 10:32:543467 全球EUV機(jī)臺(tái)倍數(shù)成長(zhǎng)的現(xiàn)象觀察可知，2019年將是7nm EUV半導(dǎo)體產(chǎn)品元年。
三星強(qiáng)推晶圓代工事業(yè)部，將成臺(tái)積電先進(jìn)制程唯一勁敵
三星集團(tuán)布局廣泛，其智能型手機(jī)產(chǎn)品不僅在消費(fèi)性
2019-03-05 17:02:004041 
在當(dāng)前全球晶圓制造的先進(jìn)制程領(lǐng)域中，只剩下臺(tái)積電、三星以及英特爾可以一較高下。三星雖然早在 2018 年 10 月份就已經(jīng)宣布量產(chǎn) 7 納米 EUV 制程，但實(shí)際情況并非如此。因?yàn)榫瓦B三星自己
2019-04-03 17:21:043414 臺(tái)積電指出，5nm制程將會(huì)完全采用極紫外光(EUV)微影技術(shù)，因此可帶來(lái)EUV技術(shù)提供的制程簡(jiǎn)化效益。5nm制程能夠提供全新等級(jí)的效能及功耗解決方案，支援下一代的高端移動(dòng)及高效能運(yùn)算需求的產(chǎn)品。目前，其他晶元廠的7nm工藝尚舉步維艱，在5nm時(shí)代臺(tái)積電再次領(lǐng)先。
2019-04-04 16:05:572113 包括7nm批量生產(chǎn)和6nm產(chǎn)品的流片, 三星電子在基于EUV技術(shù)的先進(jìn)制程工藝開(kāi)發(fā)上取得重大進(jìn)展 4月16日,三星電子宣布，其5nm FinFET( 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)工藝技術(shù)已經(jīng)開(kāi)發(fā)完成，該技術(shù)可
2019-04-18 20:48:54636 6月4日消息，據(jù)Digitimes報(bào)道，臺(tái)積電持續(xù)保持先進(jìn)制程技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，7nm制程包攬了大廠訂單，三星決定跳過(guò)7nm制程，直接上7nm LPP EVU制程。
2019-06-05 16:40:263285 通過(guò)使用三星7nm EUV工藝代替臺(tái)積電的7nm工藝，Nvidia可能能夠獲得更多供應(yīng)。
2019-06-10 09:06:127000 臺(tái)積電計(jì)劃在明年第一季度開(kāi)始量產(chǎn)5nm芯片，5nm較7nm晶體數(shù)量將增加1.8倍，性能提升15%。不過(guò)在今年，2019款iPhone還是繼續(xù)采用7nm工藝制程的芯片，性能較上代的A12有所提升。而高通下一代旗艦芯片驍龍865將由三星代工，也是7nm EUV工藝制造。
2019-06-17 10:36:281404 日前三星在韓國(guó)又舉行了新一輪晶圓代工制造論壇會(huì)議，超過(guò)500多名無(wú)晶圓廠芯片客戶參會(huì)，負(fù)責(zé)晶圓代工業(yè)務(wù)的三星副總裁Jung Eun-seung表示，三星今年9月份將完成韓國(guó)華城的7nm EUV工藝生產(chǎn)線，明年1月份量產(chǎn)。
2019-07-10 15:44:043582 近兩年先進(jìn)半導(dǎo)體制造主要是也終于迎來(lái)了EUV光刻機(jī)，這也使7nm之后的工藝發(fā)展得以持續(xù)進(jìn)行下去。臺(tái)積電和三星都對(duì)自家工藝發(fā)展進(jìn)行了規(guī)劃，現(xiàn)在兩家已經(jīng)逐步開(kāi)始進(jìn)行7nm EUV工藝的量產(chǎn)，隨后還有5nm工藝及3nm工藝。
2019-07-24 11:45:423224 3nm工藝相較于今年開(kāi)始量產(chǎn)的7nm EUV工藝更為先進(jìn)，是下一代半導(dǎo)體加工工藝，可以進(jìn)一步減少芯片尺寸。
2019-07-25 15:13:563365 日前，高通發(fā)布了新一代旗艦平臺(tái)驍龍865、主流平臺(tái)驍龍765/765G，分別采用臺(tái)積電7nm、三星8nm工藝制造。那么，高通為何在兩個(gè)平臺(tái)上使用兩種工藝？驍龍865為何沒(méi)用最新的7nm EUV？5nm方面高通有何規(guī)劃？
2019-12-09 17:23:237069 目前，三星7nm EUV技術(shù)已經(jīng)量產(chǎn)，在2019下半年將完成的韓國(guó)華城7nm EUV工藝生產(chǎn)線，將在2020年1月份量產(chǎn)，5nm制程也計(jì)劃在2020年上半年量產(chǎn)，3nm制程預(yù)計(jì)在2021年進(jìn)入量產(chǎn)，正在不斷趕上臺(tái)積電。
2019-11-14 16:03:493160 高通發(fā)布了新一代旗艦平臺(tái)驍龍865、主流平臺(tái)驍龍765/765G，分別采用臺(tái)積電7nm、三星8nm工藝制造。那么，高通為何在兩個(gè)平臺(tái)上使用兩種工藝？驍龍865為何沒(méi)用最新的7nm EUV？5nm方面高通有何規(guī)劃？
2019-12-09 17:56:294289 高通今年發(fā)布的驍龍765系列處理器使用了三星的7nm EUV，這意味著三星的7nm工藝也可以量產(chǎn)了，這對(duì)其他半導(dǎo)體公司來(lái)說(shuō)也是一個(gè)機(jī)遇，因?yàn)榕_(tái)積電的7nm產(chǎn)能現(xiàn)在要搶，AMD的銳龍3000高端型號(hào)也遭遇了供不應(yīng)求的問(wèn)題，那AMD會(huì)使用三星代工嗎？
2019-12-12 10:54:243665 根據(jù)OC3D的報(bào)道，消息稱AMD已經(jīng)采用三星的7nm制程來(lái)制造其Radeon RX 5500系列顯卡，這使得AMD能夠在不影響Zen 2 CPU產(chǎn)量情況下，制造出更多中低端顯卡。
2019-12-18 10:11:172700 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，消息稱，芯片制造商AMD已經(jīng)使用三星的7nm制程，來(lái)制造其Radeon RX 5500系列顯卡。
2019-12-18 17:09:413120 月初的驍龍峰會(huì)，高通發(fā)布了驍龍865、驍龍765/765G等SoC產(chǎn)品。兩款產(chǎn)品除了有著集成5G基帶與否的區(qū)別，制造工藝也略有不同，驍龍865采用的是成熟的臺(tái)積電7nm DUV，而驍龍765系列則是交由三星7nm EUV代工。
2019-12-20 15:48:399502 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這之后，三星已經(jīng)加快了新工藝的進(jìn)度，日前6nm工藝也已經(jīng)量產(chǎn)出貨，今年還會(huì)完成3nm GAE工藝的開(kāi)發(fā)。
2020-01-06 16:13:073848 由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝，三星的7nm工藝量產(chǎn)時(shí)間比臺(tái)積電要晚了一年，目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。
2020-01-06 16:31:033601 根據(jù)三星的計(jì)劃，到2020年底，V1生產(chǎn)線的累計(jì)總投資將達(dá)到60億美元，預(yù)計(jì)7nm及以下工藝節(jié)點(diǎn)的總產(chǎn)能將比2019年增長(zhǎng)三倍，目前的計(jì)劃是在第一季度開(kāi)始交付其基于6nm和7nm的移動(dòng)芯片。
2020-02-21 09:00:352667 近些年來(lái)EUV光刻這個(gè)詞大家應(yīng)該聽(tīng)得越來(lái)越多，三星在去年發(fā)布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工藝打造的芯片，臺(tái)積電的7nm+也是他們首次使用EUV光刻的工藝，蘋果的A13
2020-02-29 10:58:473867 在開(kāi)發(fā)5nm制程技術(shù)僅一年之后，三星就開(kāi)始了 5nm EUV（極紫外）生產(chǎn)線的建設(shè)。三星公司希望在2030年之前擊敗臺(tái)積電，并成為半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的領(lǐng)導(dǎo)者。
2020-03-12 14:30:362526 根據(jù)外媒WCCFTECH的報(bào)道，爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程，而不是之前報(bào)道的臺(tái)積電7nm工藝，據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù)，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 2020年，全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝要從7nm升級(jí)到5nm了，臺(tái)積電最近上半年就開(kāi)始量產(chǎn)5nm EUV工藝，而三星也加碼投資，預(yù)計(jì)6月底完成5nm EUV生產(chǎn)線。
2020-03-13 08:35:013229 2020年以來(lái)，以臺(tái)積電和三星為代表的芯片半導(dǎo)體也從7nm逐步向5nm進(jìn)發(fā)，實(shí)際上麒麟1020和蘋果A14芯片就是基于臺(tái)積電5nm工藝，表現(xiàn)相較7nm將會(huì)更上一層樓。
2020-07-09 10:32:25929 CFan曾在《芯希望來(lái)自新工藝！EUV和GAAFET技術(shù)是個(gè)什么鬼？》一文中解讀過(guò)EUV（極紫外光刻），它原本是用于生產(chǎn)7nm或更先進(jìn)制程工藝的技術(shù)，特別是在5nm3nm這個(gè)關(guān)鍵制程節(jié)點(diǎn)上，沒(méi)有
2020-09-01 14:00:293544 工藝制程走入10nm以下后，臺(tái)積電的優(yōu)勢(shì)開(kāi)始顯現(xiàn)出來(lái)。在7nm節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電優(yōu)先確保產(chǎn)能，以DUV（深紫外光刻）打頭陣，結(jié)果進(jìn)度領(lǐng)先三星的7nm EUV，吃掉大量訂單，奠定了巨大優(yōu)勢(shì)。
2020-09-02 16:00:293421 在第三季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議中，三星電子向所有人公布了其代工廠和節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)開(kāi)發(fā)的最新信息。在過(guò)去一年左右的時(shí)間里，三星的代工廠一直以7nm LPP（低功耗性能）作為其最小節(jié)點(diǎn)。據(jù)外媒TECHPOWERUP消息，三星近日已開(kāi)始生產(chǎn)5nm LPE（低功耗早期）半導(dǎo)體制造節(jié)點(diǎn)，首批芯片即將面世。
2020-11-02 17:27:583464 Exynos 1080處理器的終端產(chǎn)品。因?yàn)镋xynos 1080 采用三星最新的5nm EUV 制程工藝，相比 7nm EUV 芯片面積
2020-11-12 18:13:204092 在半導(dǎo)體工藝進(jìn)入7nm之后，EUV光刻機(jī)就成為兵家必備大殺器了，全球也只有ASML公司能生產(chǎn)，單價(jià)達(dá)到10億人民幣一臺(tái)。不過(guò)在EUV技術(shù)上，ASML還真不一定就是第一，專利比三星還少。
2020-11-17 09:33:371816 臺(tái)積電、三星在2022年就有可能將制程工藝推到2nm，AMD、蘋果、高通、NVIDIA等公司也會(huì)跟著受益，現(xiàn)在自己生產(chǎn)芯片的就剩下Intel了，然而它們的7nm工藝已經(jīng)延期到至少2021年了。
2020-11-18 09:52:512513 業(yè)內(nèi)人士分析稱，三星積極追趕臺(tái)積電，不過(guò)臺(tái)積電在高良率與低功耗方面擁有優(yōu)勢(shì)。7nm 制程方面，臺(tái)積電先推出 FinFet 架構(gòu)的 7nm 技術(shù)，再推出使用 EUV 的 N7 + 制程。5nm 方面，三星與臺(tái)積電仍有二成產(chǎn)能的差距。
2020-12-04 17:23:531842 這還要從三星正式推出8nm制程說(shuō)起。2017年5月，三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部在美國(guó)圣克拉拉舉行的三星代工論壇上，公布了其未來(lái)幾年的制程工藝路線圖，其中，8nm首次正式亮相。當(dāng)年10月，三星即宣布已完成8nm LPP工藝驗(yàn)證，具備量產(chǎn)條件。
2021-05-18 14:19:299987 臺(tái)積電和三星從7nm工藝節(jié)點(diǎn)就開(kāi)始應(yīng)用EUV光刻層了，并且在隨后的工藝迭代中，逐步增加半導(dǎo)體制造過(guò)程中的EUV光刻層數(shù)。
2022-05-13 14:43:203215 
[半導(dǎo)體前端工藝：第二篇] 半導(dǎo)體制程工藝概覽與氧化
2023-11-29 15:14:342642 
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