電子發(fā)燒友報道（文/梁浩斌）在10nm及以下先進(jìn)制程的競爭中，臺積電與三星已經(jīng)成為了唯二的對手。在2020年5nm實現(xiàn)量產(chǎn)時，同樣的Cortex-A76內(nèi)核在基于三星的5nm制程芯片上，同頻功耗要比
2021-10-09 09:17:00
4872 在今年宣布以14nm制程制作Galaxy S6系列機種使用處理器Exynos 7420之后，三星也計劃將在2016年年底進(jìn)入10nm制程技術(shù)量產(chǎn)新款處理器產(chǎn)品。而另一方面，預(yù)期今年第三季進(jìn)入16nm
2015-05-28 10:23:161272 臺積電和三星都將在明年規(guī)模量產(chǎn)10nm新工藝，高通、蘋果、三星、聯(lián)發(fā)科的下一代處理器自然都會蜂擁而上，搶占制高點，據(jù)說第一個將是聯(lián)發(fā)科的新十核Helio X30。
2016-07-15 10:30:591311 縱然Intel的14nm、10nm在技術(shù)層面相較臺積電、三星有著優(yōu)勢，但仍不能掩蓋“擠牙膏”的悲情。 據(jù)可靠消息，Intel已經(jīng)開始了10nm的試產(chǎn)工作，而且將改造一批10nm工藝的制造廠，這筆支出已經(jīng)在日前發(fā)布二季度財報和三季度展望時納入。
2016-08-01 17:54:121560 
三星目前正在測試下一代移動Soc，型號暫定為Exynos 8895。該芯片組將采用10nm工藝，代表著移動處理器的一大飛躍，同時其主頻高達(dá)4GHz。
2016-08-10 10:25:59532 今日，三星電子正式宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)基于10nm FinFET技術(shù)的SoC，這是業(yè)界內(nèi)首家提供10nm工藝代工廠商。新工藝下的SoC性能可以提供27%，功耗將降低40%。
2016-10-17 14:07:011208 臺積電和三星電子的制程大戰(zhàn)打得如火如荼，據(jù)傳臺積電7nm制程有望提前在明年底量產(chǎn)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超前對手。三星電子不甘示弱，宣布10nm制程已經(jīng)率先進(jìn)入量產(chǎn)，領(lǐng)先同業(yè)。
2016-10-18 09:48:511079 
據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用16Gb顆粒，10nm級（10nm~20nm之間）工藝制造，可實現(xiàn)與20nm級4GB
2016-10-20 10:55:482245 10月份，三星宣布10nm進(jìn)入量產(chǎn)后，市場上的14nm/16nm產(chǎn)品似乎瞬間黯然無光。三星計劃明年初發(fā)布首款10nm產(chǎn)品，預(yù)計是采用10nm LPE的Exynos 8895。顯然，老對手臺積電和它的客戶不愿被動挨打，最新消息顯示，聯(lián)發(fā)科首顆10nm芯片Helio X30定于年底量產(chǎn)亮相。
2016-11-03 11:22:381276 四家芯片巨頭紛紛進(jìn)入10nm芯片領(lǐng)域，預(yù)示著芯片界的競爭程度提升到新等級。那么，芯片界的這場“戰(zhàn)爭”會結(jié)束嗎，芯片的未來又在哪里呢？
2016-12-12 14:43:261098 四家芯片巨頭紛紛進(jìn)入10nm芯片領(lǐng)域，預(yù)示著芯片界的競爭程度提升到新等級。那么，芯片界的這場“戰(zhàn)爭”會結(jié)束嗎，芯片的未來又在哪里呢？
2016-12-12 15:22:26801 我們應(yīng)當(dāng)知道的是，三星目前還沒有推出很多10nm工藝的產(chǎn)品：只有三星自己的Exynos系列和三星為高通代工的835芯片是使用了三星的10nm工藝。
2017-05-09 08:24:35911 的工藝技術(shù)，因此僅統(tǒng)計了這幾家廠商。 ? 芯片制程工藝演進(jìn)圖 ? 值得注意的是，盡管幾家廠商都是用了nm級單位，但似乎各家廠商在晶體管密度上具有較大的差別。比如Intel的10nm工藝，單看晶體管密度，甚至已經(jīng)比臺積電與三星的7nm工藝更高，同時達(dá)
2021-07-17 07:14:005704 臺積電和三星一直都是屬于競爭狀態(tài)，近日高通宣布旗下的7nm 5G芯片由三星代工，臺積電再一次落后三星。比較當(dāng)前的10nm FinFET工藝，7nm會在某些地方更占優(yōu)勢。
2018-02-24 10:14:531472 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程工藝已從90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm升級到到現(xiàn)在比較主流的10nm、7nm，而最近據(jù)媒體報道，半導(dǎo)體的3nm工藝研發(fā)制作也啟動
2019-12-10 14:38:41
三星大中華區(qū)首席技術(shù)官裵容徹先生表示，三星不斷進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，新一代的QLC產(chǎn)品成本可以降低60%，同時還推出了容量高達(dá)1Tb的V-NAND技術(shù)，速度將會達(dá)到1200Mbps。在市場應(yīng)用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導(dǎo)體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù)，生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術(shù)）設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r間 16 日報道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
三星電子近日在國際學(xué)會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達(dá)到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
三星宣布將開發(fā)手持式裝置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）讀取芯片，能讓使用者透過手機得知產(chǎn)品和服務(wù)信息，但三星并未透露產(chǎn)品何時上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
的話，英特爾預(yù)計在2017年二季度將實現(xiàn)144億美元的銷售額，而三星電子的銷售額預(yù)計將達(dá)到146億美元。因此如果存儲芯片的市場價格在二季度及余下時間里都能持續(xù)增長，三星電子將會取代英特爾成為全球最大
2019-04-24 17:17:53
`聽說三星已搞定石墨烯電池，能量密度提升45%，充電快5倍比起OPPO的快充，你怎么看？（其實不得不服三星的技術(shù)）順便發(fā)個三星S9大合照！`
2017-11-29 16:33:10
Phone 8這趟快車中占個位置。如此看來，三星如此高調(diào)的宣布旗下Windows Phone 7.5設(shè)備都將更新至7.8的消息，更多的是給合作伙伴微軟做足和面子，而且從技術(shù)層面來看，7.5升級至7.8的過程中從升級難度到開發(fā)測試，工作量也不會很大。
2012-12-23 11:03:51
以些許性能優(yōu)勢擊敗三星，并使其16nm工藝于隔年獨拿了Apple的A10處理器(iPhone 7)訂單。2017年，三星卷土重來，自主設(shè)計了10nm技術(shù)工藝的Exynos8895(名稱源于希臘單詞
2018-06-14 14:25:19
的寬度，也被稱為柵長。柵長越短，則可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶體管。目前，業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺積電、三星和GF（格羅方德），在半導(dǎo)體工藝的發(fā)展上越來越迅猛，10nm制程才剛剛應(yīng)用一年半，7n...
2021-07-29 07:19:33
半導(dǎo)體為代表的歐洲半導(dǎo)體科研機構(gòu)和公司相繼迎來技術(shù)突破，快速發(fā)展，為MRAM的商業(yè)化應(yīng)用埋下了伏筆。 2014年，三星與意法半導(dǎo)體簽訂28nm FD-SOI技術(shù)多資源制造全方位合作協(xié)議，授權(quán)三星在芯片
2023-03-21 15:03:00
季度開始生產(chǎn)。此舉也創(chuàng)下二次擊敗勁敵三星、獨吃蘋果處理器大單的新記錄，2017年營收持續(xù)增長基本沒什么問題。剛剛失去蘋果訂單的三星，日前宣布Note6將用上基于10nm工藝的6GB LPDDR4內(nèi)存，并將于今年下半年上市。這樣一來，臺積電和三星以及蘋果的性能之爭，就轉(zhuǎn)移到Note 6和iPhone 7身上。`
2016-07-21 17:07:54
迅馳二代技術(shù)
迅馳二代：全新英特爾迅馳移動計算技術(shù)平臺（代號為Sonoma），該平
2009-12-18 10:14:03805 根據(jù)三星的官方描述這個存儲芯片已經(jīng)從原有的20nm制程進(jìn)入到10nm，并且新的 64GB eMMC Pro Class 2000 比前代產(chǎn)品在外觀上小20%，性能和勞動生產(chǎn)效率方面比前代產(chǎn)品提升了30%。
2012-11-15 15:34:531311 驍龍 820 此前已經(jīng)傳聞將會由三星代工生產(chǎn)，今天三星官方正式確認(rèn)了這個消息，并且表示大規(guī)模生產(chǎn)使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工藝。
2016-01-15 17:24:241377 10nm主要針對低功耗移動芯片，下下個節(jié)點7nm才是高性能工藝，是首次突破10nm極限，也是三方爭搶的重點，TSMC及三星都準(zhǔn)備搶首發(fā)。
2016-05-30 11:53:531179 導(dǎo)語：聯(lián)發(fā)科和華為均已確定下一代處理器將采用10nm工藝制程，高通也緊追其后遞交10nm芯片樣品給客戶，據(jù)悉，高通10nm訂單均交給三星代工生產(chǎn)。
2016-07-28 19:00:27868 近日，三星電子宣布已經(jīng)開始采用10nm FinFET工藝量產(chǎn)邏輯芯片，三星也成為了業(yè)內(nèi)首家大規(guī)模采用10納米工藝的廠商。前段時間，韓國《電子時報》報道，高通的下一代旗艦處理器高通驍龍830（或835
2016-10-18 14:06:101450 在2017年，10nm工藝制程將成為芯片中最主要的技術(shù)。聯(lián)發(fā)科Helio X30和高通驍龍835處理器以及傳聞中的麒麟970芯片都將使用10nm工藝，而這些芯片不出意外會在明年安卓旗艦中扮演重要角色。
2016-12-26 16:08:44659 
不知道大家是不是還記得在今年10月份左右的時候，有韓國媒體稱，三星一位高管因為向中國公司泄露14/10nm工藝機密而被警方逮捕，報道還稱三星將在Galaxy S8上首次使用10nm Exynos
2016-12-29 11:52:361913 隨著摩爾定律走向極限，半導(dǎo)體工藝的推進(jìn)愈發(fā)困難，不過現(xiàn)在臺積電和三星的10nm還是量產(chǎn)了。昨天首款10nm工藝芯片高通驍龍835也正式發(fā)布。而曾經(jīng)作為半導(dǎo)體工藝技術(shù)龍頭的英特爾卻動作遲緩，被稱為
2017-01-05 16:40:48637 特爾的10nm工藝可是要完全領(lǐng)先臺積電和三星的10nm工藝。
2017-01-09 11:46:041029 雖然摩爾定律即將走向終結(jié)，但半導(dǎo)體制程工藝推進(jìn)的腳步卻一直沒有停下過。臺積電和三星作為ARM芯片代工陣營的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方你追我趕大打制程戰(zhàn)，已將制程工藝推進(jìn)至10nm，而高通聯(lián)發(fā)科等我們所熟知的IC
2017-01-11 10:49:114294 
%的性能提升。 那么我們不禁要問，Intel的10nm怎么了? 先就本次投資會議，Intel表示，數(shù)據(jù)中心所用的Xeon高端多核處理器將首批用上下一代制程，也就是10nm。另外在CES上，CEO柯再奇曾證實，搭載10nm芯片筆記本產(chǎn)品會在今年底出貨。 這其實不難理解。由于8代酷睿還是下半年上市，局面很可能是
2017-02-11 02:23:11431 三星Galaxy S8和蘋果的iPhone 8都將進(jìn)入10nm時代，兩者將分別搭載基于10nm工藝的驍龍835和A11芯片，不過現(xiàn)據(jù)臺媒《電子時報》報道，業(yè)內(nèi)10nm工藝陷入良品率不理想的困境，預(yù)計Galaxy S8和iPhone 8將出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況，而由于三星S8發(fā)布更早，遭受的影響也更大。
2017-03-03 22:39:21679 三星是目前唯一宣布量產(chǎn)10nm芯片的代工廠，涉及驍龍835、Exynos 8895等移動SoC。
2017-03-15 08:30:35670 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗證工作，即將量產(chǎn)。
2017-04-22 01:08:12883 三星今天宣布，繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動芯片后，日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗證工作，即將量產(chǎn)。下面就隨網(wǎng)絡(luò)通信小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。下面就隨半導(dǎo)體小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。
2017-04-23 10:19:411823 三星上周四宣布，第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成，未來爭取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。 三星第一代10納米制程于去年10月領(lǐng)先同業(yè)導(dǎo)入量產(chǎn)，目前的三星Exynos 9與高通驍龍835處理器均是以第一代10納米制程生產(chǎn)。
2017-04-25 01:08:11746 前進(jìn)的步伐還是不會被徹底推翻的?？萍嫉膭?chuàng)新也不會因此而止步。日前，三星官方正式宣布他們將會開產(chǎn)第二代10nm工藝制程的芯片，三星電子在4月20日正式宣布，他們已經(jīng)完成了第二代10nm制程的驗證工作，同時即將正式量產(chǎn)。
2017-04-25 09:50:22852 據(jù)韓媒報道，高通已經(jīng)與三星攜手，合作開發(fā)下一代手機處理器。繼去年10月份三星率先量產(chǎn)第一代10nm LPE（low-power early）工藝處理器后，日前已經(jīng)完成第二代10nm LPP
2017-04-25 10:39:02938 近日，有消息指出蘋果全新一代的A11處理器將會采用三星的10nm制程生產(chǎn)。目前業(yè)內(nèi)的頂端處理器，例如：高通驍龍835處理器和三星Exynos 8895處理器已經(jīng)率先使用10nm的工藝制程，而作為行業(yè)的佼佼者蘋果不可能放棄對10nm工藝制程的追求。
2017-04-26 08:42:103078 近日，有消息指出蘋果全新一代的A11處理器將會采用三星的10nm制程生產(chǎn)。目前業(yè)內(nèi)的頂端處理器，例如：高通驍龍835處理器和三星Exynos 8895處理器已經(jīng)率先使用10nm的工藝制程，而作為
2017-04-26 14:15:382852 臺積電的10nm工藝眼下還處于提升良率中，三星則宣布已推出第二代10nm工藝，這是前者繼14/16nmFinFET工藝敗給后者后再次在10nm工藝上落敗，而且這可能會影響到它在7nm工藝上再次落后。
2017-04-28 14:28:461758 三星10納米工藝技術(shù)公告：全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布，其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù)，10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11815 驍龍835是高通下一代驍龍?zhí)幚砥?，高通驍?35芯片在2017年初發(fā)布，支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)，基于三星10nm制造工藝打造。10nm工藝相比14nm將使得芯片速度快27%，效率提升40%，高通驍龍835芯片面積將變得更小。
2017-05-17 14:52:4412018 Intel日前正式宣布了9代酷睿Cannon Lake，并透露第二代10nm IceLake也已經(jīng)正式流片。
2017-06-13 11:29:371495 Intel近日在官方推特自曝了10nm的進(jìn)展，首次透露，第二代10nm（代號Icelake）已經(jīng)流片。
2017-06-14 15:03:271224 Digitimes發(fā)布消息稱，英特爾可以按計劃在今年底首發(fā)10nm處理器，但僅限低功耗移動平臺，預(yù)計是Core m或者后綴U系列的低電壓版本。而就在上周，英特爾剛宣布，第一代基于10nm工藝制程Cannon Lake處理器已經(jīng)完工，同時第二代10nm處理器Ice Lake也已經(jīng)完成了最終設(shè)計。
2017-06-15 11:43:441592 第二代10nm工藝即LPP（Low Power Plus），比LPE（Low Power Early）的性能提升了10%，功耗降低了15%，首款商用產(chǎn)品將于明年推出。
2017-11-29 17:40:30997 三星利用二代10納米工藝研發(fā)出了全球最小的DRAM芯片—8Gb DDR4芯片。其中第二代10納米級芯片相比第一代速度提升10%。
2017-12-20 15:40:331579 據(jù)報道，三星第二代10nm級別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了，8Gb DDR4顆粒采取了先進(jìn)的專用電路設(shè)計技術(shù)，比初代10nm級別（1x-nm）的高30%，并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:513481 三星被人稱為世界最賺錢的公司之一，三星Q3凈利潤高達(dá)98.7億美元。近日三星又公布了第二代10納米級8Gb DDR4 DRAM芯片的消息，更是讓人羨慕不已。
2017-12-22 15:31:331812 三星的DRAM市場表現(xiàn)十分強勁，并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場龐大需求，三星將在明年擴大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:381145 據(jù)韓聯(lián)社北京時間12月20日報道，三星電子今天宣布，已開始量產(chǎn)第二代10納米級制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:417019 GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效，近日傳來消息，又迎來意法半導(dǎo)體（ST）的大單進(jìn)補，在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031813 作為科技行業(yè)著名的“牙膏廠”，英特爾一直走在所有廠商前面。因為它的10nm制程已經(jīng)跳票三年之久，每當(dāng)一款新的處理器發(fā)布，眾人翹首以待10nm的到來，可英特爾還是給用戶潑冷水，繼續(xù)跳票10nm工藝。
2018-06-15 15:53:006091 之前傳聞三星Galaxy Note 9將會采用7nm芯片組，但是根據(jù)今日最新消息，或?qū)⒉辉诓捎?nm芯片組，同時三星宣布Galaxy S9智能手機將使用第二代10納米LPP處理器，并且10納米LPP芯片已經(jīng)進(jìn)行批量生產(chǎn)了。
2018-02-01 16:08:401667 
三星旗艦芯片Exynos 9810采用自家第二代10nm LPP工藝打造，官方確認(rèn)支持3D面部識別，單核處理速度可提高約2倍。
2018-02-06 12:54:471176 作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。據(jù)報道，三星悄悄啟動了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128 眾所周知，2016年11月份，三星已經(jīng)開始將10LPE制造技術(shù)應(yīng)用到其生產(chǎn)的SOC中。
2018-07-20 16:52:329746 
根據(jù)報道，三星第二代10nm級別工藝的LPDDR4X內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn)，相比第一代，雖然性能沒有提升，但是功耗再降10％，可使手機平板等移動設(shè)備更省電。
2018-07-26 16:56:231229 12月20日，三星宣布已開始量產(chǎn)第二代10nm級8Gb DDR4 DRAM，并持續(xù)擴大整體10nm級DRAM的生產(chǎn)，有助于滿足全球不斷飆升的DRAM芯片需求，繼續(xù)加強三星市場競爭力。
2018-07-31 14:55:251102 三星宣布推出基于10nm級（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015722 如之前預(yù)告的那樣，在三星開始量產(chǎn)基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片后不久，16Gb 的 GDDR6 內(nèi)存芯片現(xiàn)在也已經(jīng)拍馬趕到了。早些時候官方公布了開始大規(guī)模量產(chǎn)這款零件
2018-08-13 11:16:004093 三星電子發(fā)布了其第一款5G基帶處理器Exynos Modem 5100，據(jù)稱這是世界上首款完全兼容3GPP Release 15的5G基帶芯片。這款基于10nm工藝的基帶芯片能夠在單芯片上支持5G及傳統(tǒng)移動服務(wù)（全網(wǎng)通）。
2018-08-29 16:27:374671 三星前硬件設(shè)計工程師近日在LinkedIn透露，三星已經(jīng)完成第二代NPU解決方案的開發(fā)。目前三星第二代NPU規(guī)格和其它細(xì)節(jié)仍不得而知，但據(jù)悉將應(yīng)用于新的Exynos 9820高階智能手機SoC，核心配置核心為2、2和4個。
2018-10-11 10:39:134633 在Samsung Tech Day上，三星宣布7LPP工藝進(jìn)入量產(chǎn)，并表示基于EUV光刻技術(shù)的7LPP工藝對比現(xiàn)有的10nm FinFET工藝，可以提高20%性能、降低50%功耗、提升40%面積能效。
2018-10-22 10:05:404449 晶圓代工領(lǐng)域10nm已成分水嶺，隨著英特爾的10nm制程久攻不下，聯(lián)電和格芯相繼擱置7nm及以下先進(jìn)制程的研發(fā)后，10nm以下的代工廠中只有三星在繼續(xù)與臺積電拼刺刀。
2018-11-16 10:37:374463 三星電子今天宣布，開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝（1y-nm）級別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:551196 1月4日，三星正式發(fā)布了Exynos 9810頂級移動處理器，基于三星第二代10nm FinFET LPP工藝打造，與高通驍龍845使用相同的制造工藝。僅在制程層面，相較第一代LPE （Low Power Early），新工藝就可讓芯片性能提升10%，功耗降低15%。
2019-01-24 11:19:0410659 在2018年初，三星宣布開始批量生產(chǎn)名為0LPP（low power plus）的第二代10nm工藝。在2018年晚些時候，三星推出了名為10LPU（low power ultimate）的第三代
2019-02-25 16:29:087303 
3月21日，三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-21 16:43:083840 ，動態(tài)隨機存取存儲器）。自開始批量生產(chǎn)第二代10nm級（1y-nm）8Gb DDR4以來僅僅16個月，三星不再使用Extreme Ultra-Violet（EUV）處理的情況下開發(fā)1z-nm 8Gb DDR4，說明三星突破了DRAM的擴展極限。
2019-03-21 17:30:542123 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。
2019-03-24 11:36:164320 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個月。量產(chǎn)時間
2019-03-29 07:52:01588 2019年就要正式量產(chǎn)了，6月份就會發(fā)布10nm Ice Lake處理器，今天Intel也正式宣布了第二代10nm工藝的處理器Tiger Lake，將會使用全新的CPU內(nèi)核及GPU內(nèi)核。
2019-05-09 15:19:032265 本周早些時候，這家韓國科技和電子巨頭宣布將批量生產(chǎn)下一代RAM。即將上市的RAM將配備三星的高端智能手機，但不會是我們在三星Galaxy Note 10中找到的芯片。下一代芯片旨在適應(yīng)AI和5G技術(shù)。
2019-07-27 09:26:134237 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網(wǎng)上發(fā)布消息，該公司正式宣布，首次開發(fā)了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態(tài)隨機存取存儲器）。
2019-09-27 17:23:291500 10nm Ice Lake還沒有全面鋪開，Intel第二代10nm Tiger Lake已經(jīng)頻頻亮相，不過首發(fā)還是面向輕薄本等設(shè)備的U系列、Y系列低功耗版本。
2019-10-28 15:13:592331 英特爾10nm制程Ice Lake處理器已經(jīng)發(fā)布，不過首批10nm主要應(yīng)用于低功耗平臺。而第二代10nm平臺將于今年三或四季度發(fā)售，即早前CES公布的Tiger Lake平臺。
2020-02-13 23:04:483333 
隨著Ice Lake處理器的成功，Intel的10nm工藝總算可以長舒一口氣，產(chǎn)能已經(jīng)沒什么問題了。今年的重點是Tiger Lake處理器，這是第二代10nm工藝，CPU及GPU架構(gòu)也會全面升級。
2020-03-04 15:31:041845 隨著Ice Lake處理器的成功，Intel的10nm工藝總算可以長舒一口氣，產(chǎn)能已經(jīng)沒什么問題了。今年的重點是Tiger Lake處理器，這是第二代10nm工藝，CPU及GPU架構(gòu)也會全面升級。
2020-03-04 15:35:203486 根據(jù)外媒WCCFTECH的報道，爆料消息稱英偉達(dá)的下一代GPU架構(gòu)將基于三星10nm制程，而不是之前報道的臺積電7nm工藝，據(jù)稱使用的10nm制程更接近于三星提供的8LPP技術(shù)，另外新的Tegra芯片也將使用相同的制程。
2020-03-12 16:28:463370 4月7日消息，在 5nm 工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，3nm 工藝就成了臺積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點。三星電子旗下的三星晶圓代工，此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn) 3nm工藝。
2020-04-08 14:41:143230 EUV，依靠現(xiàn)有的DUV（深紫外光刻）是玩不轉(zhuǎn)的。 有意思的是，三星最近竟然將EUV與相對上古的10nm工藝結(jié)合，用于量產(chǎn)旗下首批16Gb容量的LPDDR5內(nèi)存芯片。 據(jù)悉，三星的新一代內(nèi)存芯片是基于第三代10nm級（1z）工藝打造，請注意16Gb容量的后綴，是Gb而不是GB，16Gb對應(yīng)的其實是
2020-09-01 14:00:293544 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在10nm及以下先進(jìn)制程的競爭中，臺積電與三星已經(jīng)成為了唯二的對手。在2020年5nm實現(xiàn)量產(chǎn)時，同樣的Cortex-A76內(nèi)核在基于三星的5nm制程芯片上，同頻功耗
2021-10-12 11:16:232425 據(jù)媒體報道稱，谷歌第二代Tensor芯片將于這個月開始量產(chǎn)，代工方為三星，將會采用4nm制程工藝大規(guī)模生產(chǎn)該芯片。 Tensor是谷歌公司為其智能手機自研的芯片，第一代在去年8月發(fā)布，而第二代
2022-06-02 14:52:451942 （FinFET）的進(jìn)階，4D（GAA）技術(shù)被認(rèn)為是“下一代”的晶體管技術(shù)。根據(jù)三星的數(shù)據(jù)，相較三星5納米（nm）而言，優(yōu)化的3納米（nm）工藝，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面積減少16%。 另外，每一個新工藝新制程的成本和良品率，都是影響新工藝新制程是否能夠大范圍普及的重
2022-06-30 20:21:522069 據(jù)消息報道，三星電子近日宣布，該公司已與AMD共同研發(fā)第二代智能固態(tài)硬盤（SmartSSD），這將搶占未來市場。
2022-07-22 17:03:433079 采用了GAA晶體管，芯片整體尺寸得到了縮減，性能和功耗方面也比上一代芯片優(yōu)化了不少，并且三星已經(jīng)在著手于第二代3nm芯片技術(shù)的研發(fā)了，相較之下，臺積電的3nm芯片目前還沒有量產(chǎn)的消息，而且臺積電的3nm芯片還是會采用FinFET晶體管，因此目前來
2022-07-25 11:46:102256 近期，科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:141890 三星電子近日宣布，將在7月的巴黎Galaxy Unpacked活動中，向全球展示其最新研發(fā)的3nm技術(shù)芯片Exynos W1000。這款尖端芯片將首次應(yīng)用于下一代Galaxy系列智能手表Galaxy Watch7和高端智能手機Galaxy S25，標(biāo)志著三星在智能設(shè)備核心技術(shù)領(lǐng)域的重大突破。
2024-05-14 10:27:39776 據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來，每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點（SF4X）進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713208 三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù)；據(jù)悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術(shù)，相比第二代3nm工藝，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面積縮小5%。
2025-11-19 15:34:341119
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