美國(guó)司法部控告福建晉華竊取商業(yè)機(jī)密案，導(dǎo)致晉華關(guān)鍵設(shè)備導(dǎo)入與試產(chǎn)計(jì)劃陸續(xù)喊停，美方后續(xù)傳將鎖定合肥長(zhǎng)鑫、睿力集成國(guó)際等中國(guó)大陸記憶體業(yè)指標(biāo)案進(jìn)行調(diào)查，中國(guó)大陸發(fā)展DRAM恐面臨挫敗，業(yè)界原憂(yōu)心陸廠(chǎng)
2018-11-20 09:32:59
2245 自從福建晉華遇到了極大麻煩后，其他本地廠(chǎng)商如合肥長(zhǎng)鑫，西安國(guó)芯的計(jì)劃似乎很有限，不太可能對(duì)全球DRAM市場(chǎng)產(chǎn)生重大影響。但這一看法我想最近要糾正下。原為合肥長(zhǎng)鑫的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)其自制
2019-12-16 17:28:0026019 作為大陸集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上最后發(fā)展的DRAM，DRAM廠(chǎng)到底會(huì)落戶(hù)哪個(gè)地方也受到關(guān)注。最近關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展有了新進(jìn)展，不僅將技術(shù)、研發(fā)、IP作為關(guān)鍵，DRAM廠(chǎng)的爭(zhēng)奪也有了一個(gè)結(jié)果，武漢成為最后的贏家。
2015-06-19 16:36:382152 大陸DRAM和NAND Flash存儲(chǔ)器大戰(zhàn)全面引爆，近期包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫等陣營(yíng)陸續(xù)來(lái)臺(tái)鎖定IC設(shè)計(jì)和DRAM廠(chǎng)強(qiáng)力挖角，目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設(shè)計(jì)公司常憶，以及
2016-11-22 16:06:151867 全球三大DRAM廠(chǎng)三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不約不同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長(zhǎng)鑫、及為福建晉華負(fù)責(zé)研發(fā)的聯(lián)電核心成員，全力防堵DRAM技術(shù)流入中國(guó)大陸。據(jù)了解，合肥長(zhǎng)鑫開(kāi)出現(xiàn)有華亞科三倍的高薪進(jìn)行挖角，且鎖定人數(shù)高達(dá)兩百人，遠(yuǎn)高于紫光集團(tuán)出的雙倍薪，已有不少人決定投效。
2016-12-26 10:12:562894 
業(yè)界消息指出，記憶體大廠(chǎng)三星電子自2月中旬起，陸續(xù)召回部分序號(hào)的18奈米制程DRAM模組，原因在于這些18奈米DRAM會(huì)導(dǎo)致電腦系統(tǒng)出錯(cuò)及出現(xiàn)藍(lán)幕當(dāng)機(jī)。
2017-03-06 09:18:321044 業(yè)界消息指出，存儲(chǔ)器大廠(chǎng)三星電子自2月中旬起，陸續(xù)召回部分序號(hào)的18納米制程DRAM模組，原因在于這些18納米DRAM會(huì)導(dǎo)致電腦系統(tǒng)出錯(cuò)及出現(xiàn)藍(lán)屏當(dāng)機(jī)。由于三星在全球PC DRAM市占過(guò)半，據(jù)傳召回的DRAM模組數(shù)量達(dá)10萬(wàn)條，業(yè)界認(rèn)為將導(dǎo)致3月DRAM缺貨雪上加霜，合約價(jià)將再見(jiàn)飆漲走勢(shì)。
2017-03-06 09:34:281126 
知情人士告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀(guān)察記者，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)三大勢(shì)力之一的合肥長(zhǎng)鑫正式投片，產(chǎn)品規(guī)格為8Gb LPDDR4，這是國(guó)產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個(gè)里程碑，加上早前宣布在3D NAND Flash取得進(jìn)展的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，國(guó)內(nèi)企業(yè)在國(guó)際主流存儲(chǔ)器上都取得了重大突破，為推動(dòng)存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化掀開(kāi)了重要一頁(yè)。
2018-07-17 10:03:056161 在今日舉辦的中國(guó)閃存技術(shù)峰會(huì)（CFMS）上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士做了題為《DRAM技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講，披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)。
2019-09-26 05:13:004251 一、前言：長(zhǎng)鑫DRAM芯片的普及需要更多的大陸內(nèi)存廠(chǎng)商 可能很多同學(xué)提到臺(tái)電內(nèi)存，可能會(huì)覺(jué)得他們不是一線(xiàn)頂尖品牌，顆粒使用上也不會(huì)有什么亮點(diǎn)，不過(guò)這一次，臺(tái)電騰龍G40內(nèi)存100%用了原廠(chǎng)顆粒，而且
2020-10-30 15:33:148573 DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說(shuō)我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-12-01 15:18:296409 
6月12日，日經(jīng)新聞引述未具名消息人士報(bào)導(dǎo)，合肥長(zhǎng)鑫已經(jīng)重新設(shè)計(jì)了其DRAM芯片，以盡量減少對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用。 日經(jīng)：長(zhǎng)鑫已重新設(shè)計(jì)DRAM芯片，盡量避免使用美國(guó)原產(chǎn)技術(shù) 據(jù)日經(jīng)新聞亞洲評(píng)論報(bào)導(dǎo)
2019-06-13 18:30:033778 日前，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)）與美國(guó)半導(dǎo)體公司Rambus Inc.（以下簡(jiǎn)稱(chēng)藍(lán)鉑世）簽署專(zhuān)利許可協(xié)議。依據(jù)此協(xié)議，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)從藍(lán)鉑世獲得大量動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)DRAM）技術(shù)
2020-04-27 16:14:435261 4 月 28 日訊，近日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與美國(guó)半導(dǎo)體公司 Rambus 簽署專(zhuān)利許可協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)從 Rambus 獲得大量動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“DRAM”)技術(shù)專(zhuān)利的實(shí)施許可
2020-04-29 09:27:385040 在DRAM市場(chǎng)，三星、SK海力士、美光占據(jù)主導(dǎo)地位，國(guó)產(chǎn)DRAM也在加速發(fā)展，代表性企業(yè)有合肥長(zhǎng)鑫與紫光存儲(chǔ)，但技術(shù)方面與頭部廠(chǎng)商仍有較多大的差距。據(jù)中國(guó)閃存市場(chǎng)2020年二季度DRAM市場(chǎng)營(yíng)收數(shù)據(jù)
2020-10-24 07:36:009478 的適用范圍隨后將通過(guò)超高性能的攝像軟件與人工智能等最新技術(shù)的支持陸續(xù)擴(kuò)大。 SK海力士相關(guān)人士表示：“18GB LPDDR5 移動(dòng)端DRAM與此前16GB產(chǎn)品相比具備更大的容量，有效提升了數(shù)據(jù)臨時(shí)存儲(chǔ)空間?！?此次量產(chǎn)的產(chǎn)品處理速度高達(dá)6400Mb/s，與至今搭載于智能手機(jī)的
2021-03-08 15:03:173190 。SRAM內(nèi)部采用的是雙穩(wěn)態(tài)電路的形式來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。所以SRAM的電路結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因?yàn)槿绱耍攀蛊?b class="flag-6" style="color: red">發(fā)展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU內(nèi)部
2012-08-15 17:11:45
理，相比之下在SRAM存儲(chǔ)芯片上一個(gè)bit通常需要六個(gè)晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低?！ ?b class="flag-6" style="color: red">DRAM存儲(chǔ)原理 DRAM的每一位存儲(chǔ)單元采用一個(gè)晶體管和小電容來(lái)實(shí)現(xiàn)
2020-12-10 15:49:11
DRAM內(nèi)存原理 不管你信不信，RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它們?cè)诒举|(zhì)上講是一樣的。RDRAM、DDR RAM
2009-10-21 18:27:06
。根本原因不在三星、SK宣稱(chēng)的市場(chǎng)因素，目前DRAM市場(chǎng)價(jià)格并不差，反倒是NAND的價(jià)格還在持續(xù)滑落中。擴(kuò)大價(jià)格低落的產(chǎn)品線(xiàn)，不是拿石頭砸自己的腳嗎？同時(shí)也不是媒體所猜測(cè)的國(guó)內(nèi)DRAM產(chǎn)能陸續(xù)釋放，國(guó)內(nèi)
2018-10-12 14:46:09
某16K x 4的存儲(chǔ)體由16個(gè)字長(zhǎng)為1的 DRAM芯片在位方向和字方向同時(shí)擴(kuò)展而成，DRAM芯片中所有的記憶單元排列成行列相等的存儲(chǔ)矩陣。分析：由題得，16個(gè)DRAM芯片需要先在位方向擴(kuò)展為4位得
2022-03-02 06:18:45
在本文中，我們將介紹一種新型的非易失性DRAM，以及它與當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的比較。DRAM是計(jì)算技術(shù)中必不可少的組件，但并非沒(méi)有缺陷。在本文中，我們將研究一種新提出的存儲(chǔ)器-非易失性DRAM-以及它與當(dāng)前
2020-09-25 08:01:20
使用NI的 FPGA，開(kāi)辟了一個(gè)1294*1040大小的DRAM，在60HZ幀頻下按地址一個(gè)MCK一個(gè)地址的刷新DRAM中的數(shù)據(jù)，也就是每個(gè)地址刷新時(shí)間不到17微秒，一開(kāi)始出現(xiàn)一個(gè)數(shù)據(jù)都寫(xiě)不進(jìn)去，我
2018-11-07 23:57:30
各位大神好，我想用FPGA讀寫(xiě)DRAM存儲(chǔ)器，求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
價(jià)格迅速下跌。IC Insights預(yù)測(cè)，隨著更多的產(chǎn)能上線(xiàn)，供應(yīng)限制開(kāi)始緩解，DRAM市場(chǎng)增長(zhǎng)將會(huì)降溫。值得一提的是，據(jù)報(bào)道，三星和SK海力士已推遲了部分?jǐn)U張計(jì)劃，原因是預(yù)計(jì)客戶(hù)需求將出現(xiàn)疲軟，更有
2018-10-18 17:05:17
操作。 另外，采用2個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘是處理時(shí)鐘相位偏移的對(duì)策，DDRSDRAM利用雙向的選通信號(hào)實(shí)施時(shí)鐘相位偏移的處理對(duì)策，而Direct Rambus DRAM預(yù)各了由DRAM向
2008-12-04 10:16:36
比同容量的SRAM更少的地址引腳。二、DRAM芯片的刷新技術(shù)由于DRAM的特性決定，DRAM能存儲(chǔ)電荷的時(shí)間非常短暫，這樣它需要在電荷消失之前進(jìn)行刷新，直到下次寫(xiě)入數(shù)據(jù)或者計(jì)算機(jī)斷電才停止。每次讀寫(xiě)
2010-07-15 11:40:15
，不能再如愿存儲(chǔ)電荷。因此，業(yè)內(nèi)通過(guò)將電容器做成細(xì)長(zhǎng)的圓柱狀來(lái)確保表面積來(lái)確保容量。圓柱的直徑與長(zhǎng)度之比，即寬高比正日益接近100。通常鉛筆的寬高比為22左右，所以DRAM的電容器比例如同跟4根鉛筆連起來(lái)
2015-12-14 13:45:01
存儲(chǔ)器是怎樣進(jìn)行分類(lèi)的？分為哪幾類(lèi)？為什么要對(duì)DRAM進(jìn)行刷新？如何進(jìn)行刷新？
2021-09-28 08:50:24
***地區(qū)廠(chǎng)商達(dá)17.9%。由于三星、海力士與美光等廠(chǎng)商在產(chǎn)能配置上著重于Flash顆粒以及CMOS Image Sensor等產(chǎn)品，2007年僅***地區(qū)廠(chǎng)商大量的擴(kuò)充DRAM產(chǎn)品的產(chǎn)能，因此未來(lái)***地區(qū)廠(chǎng)商DRAM銷(xiāo)售額比重仍將持續(xù)攀高。
2008-05-26 14:43:30
哈弗結(jié)構(gòu)是什么意思？加劇CPU和主存之間速度差異的原因有哪些？導(dǎo)致DRAM比SRAM慢的原因有哪些？虛擬存儲(chǔ)器的最大容量是由什么原因決定的？
2021-08-11 08:07:31
模式也使得DRAM的集成度高于SRAM，一個(gè)DRAM的存儲(chǔ)單元僅需要一個(gè)晶體管和一個(gè)小電容，而每個(gè)SRAM單元需要四道六個(gè)晶體管和其它的零件，故DRAM在大容量以及價(jià)格上會(huì)有優(yōu)勢(shì)。 FlashFLASH
2019-09-18 09:05:09
的消息。 此次增加的60臺(tái)車(chē)輛全部為混合動(dòng)力車(chē)，其中40臺(tái)為18米油電混合鉸接車(chē)，20臺(tái)為12米氣電混合動(dòng)力車(chē)，車(chē)身顏色依然為紅色，即日起將陸續(xù)上線(xiàn)。此次新增的60臺(tái)車(chē)輛上線(xiàn)工作已經(jīng)全部準(zhǔn)備完畢，并
2013-03-22 16:11:43
基于SRAM 和DRAM 結(jié)構(gòu)的大容量FIFO 的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)作者：楊奇 楊瑩摘要：本文分別針對(duì)Hynix 公司的兩款SRAM 和DRAM 器件，介紹了使用CPLD 進(jìn)行接口連接和編程控制，來(lái)構(gòu)成低成本
2010-02-06 10:41:10
45 什么是DRAM DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很
2010-01-07 10:00:451514 DRAM,DRAM是什么意思
RAM (Random Access Memory隨機(jī)存貯器)是指通過(guò)指令可以隨機(jī)地、個(gè)別地對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)、訪(fǎng)問(wèn)所需時(shí)間基本固定、且
2010-03-24 16:04:3315009 DRAM模塊,DRAM模塊是什么意思
DRAM 的英文全稱(chēng)是"Dynamic RAM"，翻譯成中文就是"動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器"。。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，
2010-03-24 16:17:212726 利基型記憶體包括Mobile DRAM、Specialty DRAM，與Graphics DRAM等3大類(lèi)產(chǎn)品線(xiàn)，各產(chǎn)品線(xiàn)主要終端應(yīng)用產(chǎn)品各自不同。加總Mobile DRAM、Specialty DRAM與Graphics DRAM等3大產(chǎn)品總市場(chǎng)需求，DIGITIMES預(yù)估
2011-10-28 09:39:003713 DRAM廠(chǎng)不堪虧損紛降低生產(chǎn)供給過(guò)剩的標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，IC設(shè)計(jì)業(yè)也跟進(jìn)，鈺創(chuàng)(5351)董事長(zhǎng)暨執(zhí)行長(zhǎng)盧超群昨表示，該公司正積極降低DRAM營(yíng)收比重，朝開(kāi)發(fā)整合邏輯IC的特殊DRAM產(chǎn)品發(fā)展;他認(rèn)為
2011-11-25 09:50:08783 DRAMeXchange 表示，2011年對(duì)于DRAM產(chǎn)業(yè)實(shí)屬充滿(mǎn)不確定性因素的一年，不僅是天災(zāi)頻傳，陸續(xù)造成DRAM供給與需求的沖擊以外，由于 PC 產(chǎn)業(yè)受到平板電腦崛起所造成的生態(tài)變化，對(duì) DRAM 的消耗
2011-12-30 09:12:251200 全球三大DRAM廠(chǎng)三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長(zhǎng)鑫、及為福建晉華負(fù)責(zé)研發(fā)的聯(lián)電核心成員，全力防堵DRAM技術(shù)流入中國(guó)大陸，讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國(guó)大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術(shù)人員，遭到空前恫嚇。
2016-12-26 09:44:481040 
隨著系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統(tǒng)會(huì)接入多個(gè) DRAM Devices。而多個(gè) DRAM Devices 不同的組織方式，會(huì)帶來(lái)不同的效果。本文將對(duì)不同的組織方式及其效果進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。
2017-03-28 11:43:371724 
的應(yīng)用。典型的DRAM采用從為基于記錄的采集/生成提供的簡(jiǎn)單本地存儲(chǔ)到用于通道仿真應(yīng)用的長(zhǎng)延遲鏈。本文將探討NI FlexRIO中DRAM的實(shí)現(xiàn)，學(xué)習(xí)如何在NI LabVIEW FPGA模塊使用強(qiáng)大的DRAM抽象和接口。
2017-11-17 17:28:151539 
NOR Flash和NAND Flash作為存儲(chǔ)的兩大細(xì)分領(lǐng)域（另外還有DRAM），目前發(fā)展形勢(shì)一直受到業(yè)界人士關(guān)注。
2018-03-31 08:38:5123827 中國(guó)三大存儲(chǔ)器勢(shì)力還有一大神秘隊(duì)伍合肥長(zhǎng)鑫，看看背后有著怎么樣的神秘。 揭開(kāi)合肥存儲(chǔ)器項(xiàng)目神秘 合肥對(duì)DRAM的謀劃不僅是合肥長(zhǎng)鑫的存儲(chǔ)項(xiàng)目，在2016年3月，就有消息傳出，原爾必達(dá)社長(zhǎng)坂本幸雄成立的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司兆基科技（Sino King Technology）將在中國(guó)主導(dǎo)大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)項(xiàng)目。
2018-05-02 10:28:009953 DRAM大廠(chǎng)陸續(xù)洽談第3季DRAM合約價(jià)格，維持小漲局面，推升全球本季DRAM產(chǎn)值將再改寫(xiě)新高，臺(tái)系DRAM南亞科（2408）和華邦電等，預(yù)料今年將繳出逐季創(chuàng)新高佳績(jī)。
2018-07-04 17:08:00916 ；華為、OPPO、VIVO和小米等手機(jī)品牌更是早已盤(pán)據(jù)全球智能手機(jī)排行榜前七位；華為、騰訊、百度、阿里巴巴等更是目前全球服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心關(guān)鍵領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商，而各式各樣廣泛的電子產(chǎn)品都需要DRAM存儲(chǔ)器才能充分運(yùn)作，甚至未來(lái)進(jìn)入AI人工智能、挖礦機(jī)和自動(dòng)駕駛車(chē)輛對(duì)于DRAM的需求將更為倚重。
2018-07-23 15:12:2417648 據(jù)國(guó)際電子商情，日前，消息稱(chēng)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式首次投片，啟動(dòng)試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品
2018-07-23 17:12:0313272 
日前，合肥長(zhǎng)鑫的DRAM正式投片，產(chǎn)品的規(guī)格為為8Gb LPDDR4?？梢哉f(shuō)，近期國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片工廠(chǎng)好消息接連不斷
2018-07-24 16:15:509922 根據(jù)集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，DRAM原廠(chǎng)已陸續(xù)與客戶(hù)談定7月份利基型內(nèi)存合約價(jià)，價(jià)格大致和6月相同。
2018-08-08 11:08:264469 DRAM漲勢(shì)不斷，后遺癥逐步顯現(xiàn)，通路商表示，因存儲(chǔ)器漲幅過(guò)大，下游應(yīng)用端，尤其是筆電和部分智能手機(jī)等市場(chǎng)，不堪侵蝕獲利，已開(kāi)始朝降低搭載量抵制，加上部分新產(chǎn)量陸續(xù)在2019年產(chǎn)出，研判明年下半年，DRAM漲勢(shì)將止步，價(jià)格有下修壓力。
2018-08-28 16:22:491110 美國(guó)司法部控告福建晉華竊取商業(yè)機(jī)密案，導(dǎo)致晉華關(guān)鍵設(shè)備導(dǎo)入與試產(chǎn)計(jì)劃陸續(xù)喊停，美方后續(xù)傳將鎖定合肥長(zhǎng)鑫、睿力集成國(guó)際等中國(guó)大陸記憶體業(yè)指標(biāo)案進(jìn)行調(diào)查，中國(guó)大陸發(fā)展DRAM恐面臨挫敗。
2018-11-20 10:32:095006 隨著福建晉華和合肥長(zhǎng)鑫兩大陣營(yíng)投入研發(fā) DRAM 技術(shù)，若兩大廠(chǎng)研發(fā)成功且量產(chǎn)，西安紫光國(guó)芯的DRAM設(shè)計(jì)實(shí)力恐與這兩家再度拉大，合并紫光國(guó)芯后的紫光存儲(chǔ)要如何進(jìn)行大整合，以發(fā)揮集團(tuán)的存儲(chǔ)戰(zhàn)力，還待時(shí)間觀(guān)察。
2019-02-25 10:22:4910153 從福建晉華被美國(guó)宣布列為禁止出口的制裁名單后，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展氣氛轉(zhuǎn)為低調(diào)，業(yè)界更擔(dān)心另一家 DRAM 自主研發(fā)大廠(chǎng)合肥長(zhǎng)鑫會(huì)踩到前人地雷，然合肥長(zhǎng)鑫首席執(zhí)行官朱一明 5 月 15 日在 GSA
2019-05-17 17:00:389805 日前，據(jù)消息人士稱(chēng)，合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)為減少美國(guó)制裁威脅，已經(jīng)重新設(shè)計(jì)了DRAM芯片，以盡量減少對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用。
2019-06-14 10:46:2819830 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)重新設(shè)計(jì)DRAM芯片，以盡量減少對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用。
2019-06-14 15:54:363777 DRAM廠(chǎng)商在面對(duì)DRAM價(jià)格不斷下跌的困境下，已經(jīng)在考慮導(dǎo)入EUV技術(shù)用于制造DRAM，主要目的是為了降低成本。
2019-06-21 09:10:012629 紫光集團(tuán)發(fā)展公告，公告顯示，經(jīng)研究決定，決定組建紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群，委任刁石京為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群董事長(zhǎng)，委任高啟全為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群CEO。
2019-08-08 17:54:474023 作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專(zhuān)利，引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00832 昨日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)。作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專(zhuān)利，引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-20 16:06:078443 在深圳舉辦的中國(guó)閃存技術(shù)峰會(huì)上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士進(jìn)行了《DRAM技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講。
2019-09-20 16:52:564030 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體又有一家公司強(qiáng)勢(shì)崛起，這就是長(zhǎng)鑫。就在昨天的世界制造業(yè)大會(huì)上，投資1500億的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片項(xiàng)目宣布投產(chǎn)，一起亮相的還有與國(guó)際主流同步的10nm第一代8Gb DDR4。
2019-09-22 11:16:044280 最新消息，今天在安徽合肥召開(kāi)的2019世界制造業(yè)大會(huì)上，總投資約1500億元的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn)，其與國(guó)際主流DRAM產(chǎn)品同步的10nm級(jí)第一代8Gb DDR4首度亮相，一期
2019-11-14 15:31:363283 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯(lián)合宣布，就原內(nèi)存制造商奇夢(mèng)達(dá)開(kāi)發(fā)的DRAM內(nèi)存專(zhuān)利，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達(dá)成專(zhuān)利許可協(xié)議和專(zhuān)利采購(gòu)協(xié)議。
2019-12-06 09:35:501187 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯(lián)合宣布，就原內(nèi)存制造商奇夢(mèng)達(dá)開(kāi)發(fā)的DRAM內(nèi)存專(zhuān)利，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達(dá)成專(zhuān)利許可協(xié)議和專(zhuān)利采購(gòu)協(xié)議。
2019-12-06 09:37:453817 12 月 5 日訊，在近日召開(kāi)的 2019 世界制造業(yè)大會(huì)上，總投資約 1500 億元的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn)，其與國(guó)際主流 DRAM 產(chǎn)品同步的 10 納米級(jí)第一代 8Gb DDR4 首度亮相，一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能每月 12 萬(wàn)片晶圓。
2019-12-06 10:53:102505 近日，據(jù)外媒報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式宣布其成為了國(guó)內(nèi)第一家也是唯一一家DRAM供應(yīng)商。
2019-12-09 16:18:527140 近日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.聯(lián)合宣布，就原動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）制造商奇夢(mèng)達(dá)開(kāi)發(fā)的DRAM專(zhuān)利，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達(dá)成專(zhuān)利許可協(xié)議和專(zhuān)利采購(gòu)協(xié)議。
2019-12-10 15:20:393829 12 月 10 日訊，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)獲得工信部旗下檢測(cè)機(jī)構(gòu)中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院的量產(chǎn)良率檢測(cè)報(bào)告，將生產(chǎn)國(guó)產(chǎn)第一代 10nm 工藝級(jí) 8Gb DDR4 內(nèi)存芯片。標(biāo)志著長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式成為了國(guó)內(nèi)第一家也是唯一一家 DRAM 供應(yīng)商。
2019-12-10 16:01:532748 據(jù)韓媒Business Korea報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司啟動(dòng)DRAM芯片銷(xiāo)售，成為中國(guó)第一家DRAM芯片供應(yīng)商。中國(guó)企業(yè)正在逐步增加在DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的份額。
2020-02-29 14:50:563824 江波龍嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE推出了3款國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存，核心DRAM均采用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的顆粒，這標(biāo)志著中國(guó)存儲(chǔ)在質(zhì)量上開(kāi)始參與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。
2020-05-15 14:18:153534 DRAM是Dynamic random access memory 的縮寫(xiě)，稱(chēng)為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。主要運(yùn)用在對(duì)功耗要求不太高、系統(tǒng)緩存要求容量比較大速度要求比較快的系統(tǒng)。
2020-07-16 10:39:175876 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，其中DRAM和SRAM是兩種常見(jiàn)形態(tài)的存儲(chǔ)器。DRAM的特點(diǎn)是需要定時(shí)刷新，才可以保存數(shù)據(jù)，SRAM只要存入數(shù)據(jù)了，不刷新也不會(huì)丟掉數(shù)據(jù)。DRAM和SRAM各有各的優(yōu)勢(shì)及不足，本文探討的DRAM和NAND當(dāng)前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)及發(fā)展前景。
2020-07-22 14:04:192373 理，相比之下在SRAM存儲(chǔ)芯片上一個(gè)bit通常需要六個(gè)晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子本篇文章主要介紹關(guān)于DRAM的基本知識(shí)。 DRAM存儲(chǔ)原理 DRAM的每一位存儲(chǔ)單元采用一個(gè)晶體管和小電容來(lái)實(shí)現(xiàn)。若寫(xiě)入位
2020-12-11 15:11:294696 
? DRAM廠(chǎng)商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)完成156億元融資，內(nèi)存芯片的國(guó)產(chǎn)替代之路又獲資金助力。12月14日，工商信息顯示，大基金二期、安徽國(guó)資、兆易創(chuàng)新及另一家朱一明實(shí)控企業(yè)、小米長(zhǎng)江產(chǎn)業(yè)基金等機(jī)構(gòu)入股長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)
2020-12-25 17:49:106588 ? 國(guó)產(chǎn)DRAM廠(chǎng)商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)母公司睿力集成電路有限公司已成功完成156.5億元的增資，國(guó)產(chǎn)DRAM發(fā)展再獲強(qiáng)勁助力。 ? 根據(jù)天眼查資料顯示，12月14日，國(guó)產(chǎn)DRAM廠(chǎng)商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)母公司發(fā)生工商信息
2021-01-08 10:36:427501 可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存。 SRAM存儲(chǔ)原理 SRAM采用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來(lái)作存儲(chǔ)元件，不存在電容的刷新問(wèn)題
2021-01-11 16:48:1822496 據(jù)央視報(bào)道，網(wǎng)約車(chē)?yán)夏臧孳浖呀?jīng)陸續(xù)上線(xiàn)，字號(hào)相比普通版本更大，支持一鍵叫車(chē)，方便老人出行。
2021-01-29 10:15:522152 MICRON最近宣布，我們正在發(fā)貨使用全球最先進(jìn)的DRAM工藝制造的存儲(chǔ)芯片。這個(gè)過(guò)程被神秘地稱(chēng)為“1α”（1-alpha）。這是什么意思，有多神奇？
2021-09-15 17:00:522714 在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲(chǔ)單元的充放電過(guò)程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對(duì)于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū)
2022-08-01 10:22:261686 
規(guī)模量產(chǎn)DRAM芯片的中國(guó)廠(chǎng)商，且量產(chǎn)產(chǎn)品為目前主流型號(hào)內(nèi)存芯片，并已經(jīng)成功導(dǎo)入華為、小米、聯(lián)想、威剛等知名廠(chǎng)商，有望充分享受到國(guó)產(chǎn)替代這一廣闊的市場(chǎng)空間。 2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一
2022-08-04 16:23:143700 
DRAM包括：SDRAM、DDRx、SDR、LPDDRx、LPSDR、GDDR、RLDRAMx（Reduced Latency DRAM）、EDO DRAM、FPM DRAM、Mobile DRAM等等。
2023-01-12 09:12:4810600 
在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器。先進(jìn)的 DRAM 存儲(chǔ)單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:5712490 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)12gb lpddr5芯片目前已經(jīng)在韓國(guó)主流手機(jī)制造商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成了驗(yàn)證。lpddr5是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)針對(duì)中高端移動(dòng)機(jī)器市場(chǎng)推出的產(chǎn)品，市場(chǎng)化將進(jìn)一步完善長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的dram半導(dǎo)體產(chǎn)品配置。
2023-11-29 09:31:102769 長(zhǎng)鑫12GB LPDDR5芯片由8個(gè)12Gb顆粒封裝，這是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首款采用層疊封裝（Package on Package）的芯片產(chǎn)品。
2023-11-29 11:11:332566 dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類(lèi)型的存儲(chǔ)器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:0011547 eSUN易生PLA基礎(chǔ)（PLA-Basic）、PETG基礎(chǔ)（PETG-Basic）等基礎(chǔ)（Basic）系列產(chǎn)品已陸續(xù)上線(xiàn)，它們的主要特點(diǎn)在于出色的性?xún)r(jià)比，在保持價(jià)格優(yōu)勢(shì)的同時(shí)，也為用戶(hù)提供較好的打印使用體驗(yàn)。
2025-06-20 15:38:151439 
據(jù)報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（CXMT）公布了最新的DRAM技術(shù)路線(xiàn)圖，從其路線(xiàn)規(guī)劃來(lái)看，其研發(fā)的產(chǎn)品線(xiàn)包括 DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5、GDDR6， 雖然未公布具體時(shí)間節(jié)點(diǎn)
2019-12-03 18:18:1323542 3DNAND的SSD陸續(xù)上市，基于合肥長(zhǎng)鑫DDR4芯片的光威奕Pro系列內(nèi)存條也開(kāi)始量產(chǎn)，有網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)，事實(shí)上紫光也已于今年3月在各電商平臺(tái)上架了采用自主存儲(chǔ)顆粒的內(nèi)存條，存儲(chǔ)顆粒由旗下紫光國(guó)芯提供。 圖：基于合肥長(zhǎng)鑫DDR4芯片的光威奕Pro系列內(nèi)存條 光威奕Pro系列和紫光DDR4-2400內(nèi)存條的量
2020-07-14 09:26:5712533
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