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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>長(zhǎng)鑫已重新設(shè)計(jì)DRAM芯片,盡量避免使用美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)

長(zhǎng)鑫已重新設(shè)計(jì)DRAM芯片,盡量避免使用美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)

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長(zhǎng)存儲(chǔ)首次公開(kāi)亮相談DARM技術(shù)的未來(lái)

在談到DRAM技術(shù)未來(lái)的發(fā)展時(shí),平博士首先強(qiáng)調(diào),DRAM是有它的極限的。我們通過(guò)改進(jìn),可以將極限推遲。如導(dǎo)入EUV及HKMG三極管以縮小線寬及加強(qiáng)外圍電路性能,就是DRAM產(chǎn)業(yè)的一個(gè)選擇,這在未來(lái)幾年將可以維持DRAM技術(shù)發(fā)展,滿足大數(shù)據(jù)時(shí)代的需求。
2019-09-19 15:06:132836

長(zhǎng)存儲(chǔ)的野心能否撐起國(guó)產(chǎn)替代芯的一片天?

DRAM芯片,中國(guó)存儲(chǔ)廠商進(jìn)軍DRAM行業(yè)的宏偉計(jì)劃可能由此撬動(dòng)。 長(zhǎng)存儲(chǔ)及其野心 據(jù)報(bào)道,長(zhǎng)存儲(chǔ)已為其安徽省合肥市的DRAM項(xiàng)目投資了約1500億元,另外還有約近200億元投入了研發(fā)。該公司最近完成了其Fab 1和R&D工廠的建設(shè),目前每月可生產(chǎn)
2019-12-16 17:28:0026019

合肥長(zhǎng)DRAM正式投片,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)跨出重要一步

知情人士告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀察記者,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)三大勢(shì)力之一的合肥長(zhǎng)正式投片,產(chǎn)品規(guī)格為8Gb LPDDR4,這是國(guó)產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個(gè)里程碑,加上早前宣布在3D NAND Flash取得進(jìn)展的長(zhǎng)江存儲(chǔ),國(guó)內(nèi)企業(yè)在國(guó)際主流存儲(chǔ)器上都取得了重大突破,為推動(dòng)存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化掀開(kāi)了重要一頁(yè)。
2018-07-17 10:03:056161

長(zhǎng)存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變

在今日舉辦的中國(guó)閃存技術(shù)峰會(huì)(CFMS)上,長(zhǎng)存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士做了題為《DRAM技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講,披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)。
2019-09-26 05:13:004251

使用可擴(kuò)展的PMIC避免重新設(shè)計(jì)汽車攝像頭模塊電源電路

可編程PMIC有兩種類型:軟件可編程PMICs和硬件可編程PMICs。軟件可編程PMICs支持完全可擴(kuò)展的電源管理平臺(tái),而無(wú)需重新設(shè)計(jì)印刷電路板(PCBs)。
2020-06-30 10:18:471068

長(zhǎng)原廠DRAM顆粒的臺(tái)電騰龍G40內(nèi)存詳細(xì)測(cè)評(píng)方案

是來(lái)自于合肥長(zhǎng)的純國(guó)產(chǎn)CXMT DRAM芯片。 合肥長(zhǎng)作為國(guó)產(chǎn)DRAM芯片行業(yè)的代表,曾經(jīng)吸收過(guò)奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)的部分資源,這家德國(guó)DRAM廠商沒(méi)能等到熬過(guò)10年前的內(nèi)存寒冬,在破產(chǎn)后將2.8TB的技術(shù)文件以及16000相專利申請(qǐng)轉(zhuǎn)讓給了合肥長(zhǎng)。 經(jīng)過(guò)了足足
2020-10-30 15:33:148573

長(zhǎng)存儲(chǔ)與藍(lán)鉑世簽署專利許可協(xié)議

日前,長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司(以下簡(jiǎn)稱長(zhǎng)存儲(chǔ))與美國(guó)半導(dǎo)體公司Rambus Inc.(以下簡(jiǎn)稱藍(lán)鉑世)簽署專利許可協(xié)議。依據(jù)此協(xié)議,長(zhǎng)存儲(chǔ)從藍(lán)鉑世獲得大量動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(以下簡(jiǎn)稱DRAM技術(shù)
2020-04-27 16:14:435261

長(zhǎng)存儲(chǔ)與Rambus簽署協(xié)議,可獲取更多有關(guān)DRAM的專利;三星電子目標(biāo)到 2030 年成為系統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)域全球第一…

4 月 28 日訊,近日,長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與美國(guó)半導(dǎo)體公司 Rambus 簽署專利許可協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,長(zhǎng)存儲(chǔ)從 Rambus 獲得大量動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(以下簡(jiǎn)稱“DRAM”)技術(shù)專利的實(shí)施許可
2020-04-29 09:27:385040

長(zhǎng)存儲(chǔ)LPDDR5X來(lái)了!速率高達(dá)10667Mbps,躋身國(guó)際主流水平!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶),日前從長(zhǎng)存儲(chǔ)官網(wǎng)查閱到,長(zhǎng)存儲(chǔ)正式發(fā)布LPDDR5/5X內(nèi)存。 ? 據(jù)官網(wǎng)介紹,LPDDR5/5X 是第五代超低功耗雙倍速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。通過(guò)創(chuàng)新的封裝技術(shù)
2025-10-30 09:12:555305

DRAM技術(shù)或迎大轉(zhuǎn)彎,三星、海力士擱置擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目

高科技產(chǎn)業(yè)的技術(shù)、產(chǎn)品還可長(zhǎng)可久,投資于此,理所當(dāng)然。DRAM制程推進(jìn)很緩慢,目前的制程是1y,有EUV的助力,也許可以推進(jìn)到1z,但是1a呢?很多人持疑。即使可以,也是事倍功半的努力。對(duì)于一個(gè)商業(yè)公司
2018-10-12 14:46:09

DRAM芯片中的記憶單元分析

某16K x 4的存儲(chǔ)體由16個(gè)字長(zhǎng)為1的 DRAM芯片在位方向和字方向同時(shí)擴(kuò)展而成,DRAM芯片中所有的記憶單元排列成行列相等的存儲(chǔ)矩陣。分析:由題得,16個(gè)DRAM芯片需要先在位方向擴(kuò)展為4位得
2022-03-02 06:18:45

DRAM,SRAM,F(xiàn)LASH和新型NVRAM:有何區(qū)別?

數(shù)據(jù)重新寫(xiě)回到芯片上,以加強(qiáng)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。DRAM也被破壞性地讀取。這意味著,當(dāng)從DRAM中讀取一個(gè)位時(shí),所訪問(wèn)的存儲(chǔ)位的內(nèi)容將被遺忘,因此需要回寫(xiě)操作。這兩個(gè)問(wèn)題意味著DRAM的性能下降,因?yàn)樗枰?/div>
2020-09-25 08:01:20

美國(guó)登月為什么想用中國(guó)的技術(shù)?

美國(guó)登月也想用中國(guó)的技術(shù)?
2020-12-18 07:08:29

ARM究竟有沒(méi)有美國(guó)技術(shù)?

`  眾所周知,這段時(shí)間對(duì)于華為而言,壓力還是很大的,因?yàn)殡S著美國(guó)芯片禁令升級(jí),所有使用美國(guó)設(shè)備和技術(shù)的廠商,都無(wú)法順暢的為華為提供芯片產(chǎn)品了。  而華為是IC設(shè)計(jì)企業(yè),處于產(chǎn)業(yè)鏈的中游,對(duì)上
2020-06-23 10:48:46

DLM3000內(nèi)部固件與硬件全部重新設(shè)計(jì)并升級(jí)

`  DLM3000內(nèi)部固件與硬件全部重新設(shè)計(jì)并升級(jí)    -沿襲獨(dú)特設(shè)計(jì),演繹更強(qiáng)功能–    橫河測(cè)試測(cè)量宣布推出最新一代混合信號(hào)示波器DLM3000,將于10月30日向全球市場(chǎng)發(fā)售
2018-10-27 09:44:08

HarmonyOS NEXT應(yīng)用元服務(wù)開(kāi)發(fā)控件位置調(diào)整場(chǎng)景與重新設(shè)置新焦點(diǎn)位置的場(chǎng)景

是一致的。例如,桌面圖標(biāo)被托起時(shí),會(huì)播報(bào)托起,移動(dòng)的過(guò)程中,根據(jù)即將放置的位置播報(bào)“移至第幾行,第幾列”,放置后播報(bào)“放至第幾行,第幾列”。應(yīng)用可調(diào)用主動(dòng)播報(bào)的接口來(lái)進(jìn)行主動(dòng)播報(bào)。 二、重新設(shè)
2024-10-25 09:49:24

MPS美國(guó)芯源/電源芯片

MPS美國(guó)芯源 MPS公司具有獨(dú)特的技術(shù)創(chuàng)新系統(tǒng),同時(shí)和客戶保持密切接觸,深度理解客戶和市場(chǎng)的需要,以在應(yīng)用設(shè)計(jì)、工藝上的優(yōu)勢(shì),用體積小、成本低、高性能的芯片為客戶提供最有價(jià)值的應(yīng)用方案。 MPS
2015-08-26 12:16:55

【內(nèi)存知識(shí)】DRAM芯片工作原理

加大增加引腳,但是為了降低成本和功耗,所以還是要減少地址引腳數(shù)量。3.  大容量DRAM芯片一般采用多路尋址技術(shù),這么做雖使DRAM芯片復(fù)雜,同時(shí)也使DRAM接口更加復(fù)雜,但是可以獲得
2010-07-15 11:40:15

樂(lè)WiFi芯片模塊技術(shù)應(yīng)用,ESP32-WROOM-32模組,飛睿科技代理方案

`WiFi是無(wú)線通信主流技術(shù),而物聯(lián)網(wǎng)是無(wú)線通信與Wi-Fi芯片發(fā)展的重要驅(qū)動(dòng)力。近年來(lái)物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的快速發(fā)展,全球整體Wi-Fi芯片市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)步增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),市場(chǎng)空間廣闊。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)
2021-07-17 15:13:14

以編程方式重新設(shè)置Arduino

代碼1:以編程方式重新設(shè)置Arduino,就是利用一個(gè)數(shù)字口,代碼運(yùn)行到那的時(shí)候就將REST置低這里利用數(shù)字口D2int Reset = 2;void setup() { digitalWrite
2022-01-17 07:27:24

使用esP8266作為客戶端通過(guò)連接路由器之后訪問(wèn)別的服務(wù)器如何避免重新設(shè)置?

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2022-01-19 06:38:55

關(guān)于重新設(shè)置PANID

ROUTER會(huì)記住之前的PANID,如果想清除之前加網(wǎng)的PANID,重新入網(wǎng),應(yīng)該怎么做呢?我試過(guò)NLME_SetDefaultNV(),但好像沒(méi)有效果, 也就是有什么辦法在加了NV后,上電重新設(shè)
2018-05-15 11:19:21

求助,請(qǐng)問(wèn)CH579M芯片的網(wǎng)絡(luò)如何重新設(shè)定IP地址?

CH579M芯片的網(wǎng)絡(luò)如何重新設(shè)定IP地址?需求:上電后初始化網(wǎng)絡(luò),IP地址為192.168.1.19,設(shè)定為T(mén)CP Server模式,建立監(jiān)聽(tīng),一切運(yùn)行正常。此時(shí)需要對(duì)IP地址進(jìn)行重新設(shè)定,該
2022-08-26 07:42:05

長(zhǎng)顆粒 國(guó)產(chǎn)的光 正道的光#電腦知識(shí) #電腦

電腦配件合肥長(zhǎng)
學(xué)習(xí)硬聲知識(shí)發(fā)布于 2022-11-04 01:27:34

合肥長(zhǎng)即將試產(chǎn)DRAM 2019年底可單月產(chǎn)能2萬(wàn)片

長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司董事長(zhǎng)、睿力集成電路有限公司CEO王寧國(guó)高調(diào)現(xiàn)身合肥集成電路重大項(xiàng)目發(fā)布會(huì)表示,合肥長(zhǎng)作為國(guó)內(nèi)進(jìn)展最快的存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地,近日12吋基地約300臺(tái)研發(fā)設(shè)備已基本全部到位,裝機(jī)后今年下半年將全力投片試生產(chǎn)。
2018-04-23 11:25:0013560

完全重新設(shè)計(jì)的產(chǎn)品頁(yè)面體驗(yàn)

ADI公司重新設(shè)計(jì)了產(chǎn)品頁(yè)面,將所有產(chǎn)品信息匯總到同一頁(yè)面,讓您更容易了解產(chǎn)品,并做出決定。
2018-06-05 13:45:002024

重新設(shè)計(jì)的產(chǎn)品分類導(dǎo)航

整合Power by Linear,ADI公司現(xiàn)已擁有業(yè)界最全面的電源產(chǎn)品組合之一,因此,我們讓您更輕松的在一個(gè)網(wǎng)站內(nèi)找到產(chǎn)品類別選型表,使用具有關(guān)聯(lián)搜索功能的全新產(chǎn)品搜索框,令您能更快找到產(chǎn)品類別,并且,可以在產(chǎn)品菜單頁(yè)查看最近訪問(wèn)過(guò)的產(chǎn)品類別,重新設(shè)計(jì)的導(dǎo)航欄能讓您更快捷的找到所需產(chǎn)品。
2018-06-06 03:45:001954

長(zhǎng)發(fā)布首個(gè)中國(guó)自主研發(fā)的8Gb LPDDR4 DRAM芯片,國(guó)產(chǎn)DRAM跨出重要一步

國(guó)內(nèi)目前有三大存儲(chǔ)芯片基地,紫光主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)以武漢為基地,主要生產(chǎn)3D NAND閃存,預(yù)計(jì)明年正式投產(chǎn)32層堆棧的64Gb閃存,選擇DRAM內(nèi)存芯片作為重點(diǎn)的有兩大陣營(yíng),福建晉華集團(tuán)聯(lián)合臺(tái)聯(lián)電在
2018-07-20 17:48:199888

長(zhǎng)存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式首次投片,國(guó)產(chǎn)DRAM在大力的突破

據(jù)國(guó)際電子商情,日前,消息稱長(zhǎng)存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式首次投片,啟動(dòng)試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品
2018-07-23 17:12:0313272

合肥長(zhǎng)DRAM正式投片 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)的一大步

日前,合肥長(zhǎng)DRAM正式投片,產(chǎn)品的規(guī)格為為8Gb LPDDR4??梢哉f(shuō),近期國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片工廠好消息接連不斷
2018-07-24 16:15:509922

合肥長(zhǎng)嘗試“從0到1”的突破 推動(dòng)中國(guó)存儲(chǔ)器廠邁出了重要的一步

7月16號(hào),中國(guó)DRAM代表廠商合肥長(zhǎng)召開(kāi)存儲(chǔ)器項(xiàng)目首次投片總結(jié)大會(huì),在會(huì)上傳出消息,合肥長(zhǎng)即將進(jìn)行8GB LPDDR4的投片,成為中國(guó)第一家邁向高端存儲(chǔ)投片階段的存儲(chǔ)器廠商。中國(guó)市場(chǎng)的存儲(chǔ)器
2018-11-29 16:51:0518310

紫光存儲(chǔ)新調(diào)整 ,國(guó)微轉(zhuǎn)讓DRAM業(yè)務(wù)

隨著福建晉華和合肥長(zhǎng)兩大陣營(yíng)投入研發(fā) DRAM 技術(shù),若兩大廠研發(fā)成功且量產(chǎn),西安紫光國(guó)芯的DRAM設(shè)計(jì)實(shí)力恐與這兩家再度拉大,合并紫光國(guó)芯后的紫光存儲(chǔ)要如何進(jìn)行大整合,以發(fā)揮集團(tuán)的存儲(chǔ)戰(zhàn)力,還待時(shí)間觀察。
2019-02-25 10:22:4910153

產(chǎn)品分類指引導(dǎo)向的重新設(shè)計(jì)

重新設(shè)計(jì)的產(chǎn)品分類導(dǎo)航
2019-08-28 06:06:005755

長(zhǎng)研發(fā)DRAM技術(shù)基礎(chǔ) 授權(quán)自曾經(jīng)叱咤全球的德系存儲(chǔ)大廠奇夢(mèng)達(dá)

從福建晉華被美國(guó)宣布列為禁止出口的制裁名單后,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展氣氛轉(zhuǎn)為低調(diào),業(yè)界更擔(dān)心另一家 DRAM 自主研發(fā)大廠合肥長(zhǎng)會(huì)踩到前人地雷,然合肥長(zhǎng)首席執(zhí)行官朱一明 5 月 15 日在 GSA
2019-05-17 17:00:389805

避免被封殺!合肥長(zhǎng)重新設(shè)計(jì)DRAM芯片!

日前,據(jù)消息人士稱,合肥長(zhǎng)存儲(chǔ)為減少美國(guó)制裁威脅,已經(jīng)重新設(shè)計(jì)了DRAM芯片,以盡量減少對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用。
2019-06-14 10:46:2819830

避免觸及美國(guó)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)!長(zhǎng)存儲(chǔ)自研設(shè)計(jì)DRAM芯片

長(zhǎng)存儲(chǔ)已經(jīng)重新設(shè)計(jì)DRAM芯片,以盡量減少對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用。
2019-06-14 15:54:363777

最新紅外收發(fā)器模塊無(wú)需重新設(shè)計(jì)PCB

提供符合 IrDA 標(biāo)準(zhǔn)的紅外(IR)收發(fā)器模塊,這款新器件采用標(biāo)準(zhǔn)6.8mm x 2.8mm x 1.6mm封裝。Vishay Semiconductor 的 TFBR4650 完全可以直接替代其他廠商的器件。在競(jìng)品停產(chǎn)的情況下, 這種直接替換可避免任何重新設(shè)計(jì) PCB。
2019-08-16 01:18:001860

長(zhǎng)存儲(chǔ)亮相閃存技術(shù)峰會(huì) 引領(lǐng)中國(guó)DRAM技術(shù)突破

作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,長(zhǎng)存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變,用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利,引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00832

中國(guó)存儲(chǔ)芯片逐漸起步 可望逐漸降低對(duì)外國(guó)存儲(chǔ)芯片的依賴

在早前長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布它研發(fā)出64層NAND flash芯片之后,近日合肥長(zhǎng)也宣布解決DRAM芯片技術(shù)難題并已進(jìn)入小規(guī)模生產(chǎn),這意味著困擾中國(guó)制造業(yè)的芯片產(chǎn)業(yè)取得了重大突破,這為中國(guó)制造業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)提供有力的支持。
2019-08-30 14:08:09981

長(zhǎng)存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn) 一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能每月12萬(wàn)片晶圓

20日在安徽合肥召開(kāi)的2019世界制造業(yè)大會(huì)上,總投資約1500億元的長(zhǎng)存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn),其與國(guó)際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級(jí)第一代8Gb DDR4首度亮相,一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能每月12萬(wàn)片晶圓。
2019-09-20 15:57:164487

長(zhǎng)存儲(chǔ)副總裁披露DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)

昨日,長(zhǎng)存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)。作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,長(zhǎng)存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變,用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利,引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-20 16:06:078443

長(zhǎng)存儲(chǔ)淺談未來(lái)DRAM技術(shù)的發(fā)展之路

在深圳舉辦的中國(guó)閃存技術(shù)峰會(huì)上,長(zhǎng)存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士進(jìn)行了《DRAM技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講。
2019-09-20 16:52:564030

長(zhǎng)存儲(chǔ)DRAM芯片實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)突破

國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體又有一家公司強(qiáng)勢(shì)崛起,這就是長(zhǎng)。就在昨天的世界制造業(yè)大會(huì)上,投資1500億的長(zhǎng)存儲(chǔ)內(nèi)存芯片項(xiàng)目宣布投產(chǎn),一起亮相的還有與國(guó)際主流同步的10nm第一代8Gb DDR4。
2019-09-22 11:16:044280

長(zhǎng)存儲(chǔ)DRAM芯片投產(chǎn) 力爭(zhēng)未來(lái)成為這個(gè)領(lǐng)域的領(lǐng)先者

最新消息,今天在安徽合肥召開(kāi)的2019世界制造業(yè)大會(huì)上,總投資約1500億元的長(zhǎng)存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn),其與國(guó)際主流DRAM產(chǎn)品同步的10nm級(jí)第一代8Gb DDR4首度亮相,一期
2019-11-14 15:31:363283

Chrome瀏覽器隱私設(shè)置重新設(shè)計(jì)后有什么不同

Chromium小組重新設(shè)計(jì)了Chrome瀏覽器的“隱私設(shè)置”或Chrome 80中的“隱私和安全設(shè)置”卡。
2019-11-16 09:37:022751

合肥長(zhǎng)提升19nm DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能 目標(biāo)是月產(chǎn)4萬(wàn)片晶圓

存儲(chǔ)器產(chǎn)品占到了我國(guó)每年進(jìn)口半導(dǎo)體芯片中的大頭,其中DRAM內(nèi)存芯片占比最高,有20%以上。
2019-11-27 17:01:152508

長(zhǎng)儲(chǔ)存將生產(chǎn)19nm DDR4內(nèi)存,計(jì)劃再建兩個(gè)晶圓廠

根據(jù)AnandTech的報(bào)道,長(zhǎng)存儲(chǔ)科技有限公司已經(jīng)開(kāi)始使用19納米制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前,該公司已經(jīng)制定了至少兩個(gè)10納米級(jí)制造工藝的路線圖,并計(jì)劃在未來(lái)生產(chǎn)所有類型的DRAM。不僅如此,長(zhǎng)存儲(chǔ)還計(jì)劃再建兩個(gè)晶圓廠來(lái)提高產(chǎn)量。
2019-12-03 10:46:224970

長(zhǎng)儲(chǔ)存19nm DDR4內(nèi)存計(jì)劃于2020年第一季度推出

12月3日消息,根據(jù)消息報(bào)道,長(zhǎng)存儲(chǔ)科技有限公司已經(jīng)開(kāi)始使用19納米制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前,該公司已經(jīng)制定了至少兩個(gè)10納米級(jí)制造工藝的路線圖,并計(jì)劃在未來(lái)生產(chǎn)所有類型的DRAM。不僅如此,長(zhǎng)存儲(chǔ)還計(jì)劃再建兩個(gè)晶圓廠來(lái)提高產(chǎn)量。
2019-12-03 14:22:483838

長(zhǎng)存儲(chǔ)獲大量原奇夢(mèng)達(dá)內(nèi)存專利 助力持續(xù)開(kāi)發(fā)DRAM關(guān)鍵技術(shù)

長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯(lián)合宣布,就原內(nèi)存制造商奇夢(mèng)達(dá)開(kāi)發(fā)的DRAM內(nèi)存專利,長(zhǎng)存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購(gòu)協(xié)議。
2019-12-06 09:35:501187

長(zhǎng)存儲(chǔ)采購(gòu)奇夢(mèng)達(dá)DRAM內(nèi)存專利,數(shù)量相當(dāng)可觀

長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯(lián)合宣布,就原內(nèi)存制造商奇夢(mèng)達(dá)開(kāi)發(fā)的DRAM內(nèi)存專利,長(zhǎng)存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購(gòu)協(xié)議。
2019-12-06 09:37:453817

長(zhǎng)自主內(nèi)存芯片投產(chǎn) 國(guó)內(nèi)DRAM產(chǎn)業(yè)迎來(lái)重大突破

12 月 5 日訊,在近日召開(kāi)的 2019 世界制造業(yè)大會(huì)上,總投資約 1500 億元的長(zhǎng)存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn),其與國(guó)際主流 DRAM 產(chǎn)品同步的 10 納米級(jí)第一代 8Gb DDR4 首度亮相,一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能每月 12 萬(wàn)片晶圓。
2019-12-06 10:53:102505

微軟重新設(shè)計(jì)移動(dòng)版Office,使其能夠朗誦郵件

據(jù)外媒報(bào)道,微軟近日發(fā)布了其Outlook、OneDrive、Word、Excel和PowerPoint等移動(dòng)應(yīng)用程序的重新設(shè)計(jì)版本。
2019-12-06 16:16:513386

長(zhǎng)存儲(chǔ)成為國(guó)內(nèi)首家DRAM供應(yīng)商,晶圓廠月產(chǎn)量可達(dá)到20000

近日,據(jù)外媒報(bào)道,長(zhǎng)存儲(chǔ)正式宣布其成為了國(guó)內(nèi)第一家也是唯一一家DRAM供應(yīng)商。
2019-12-09 16:18:527140

長(zhǎng)存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購(gòu)協(xié)議

近日,長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.聯(lián)合宣布,就原動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片DRAM)制造商奇夢(mèng)達(dá)開(kāi)發(fā)的DRAM專利,長(zhǎng)存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達(dá)成專利許可協(xié)議和專利采購(gòu)協(xié)議。
2019-12-10 15:20:393829

長(zhǎng)存儲(chǔ)成國(guó)內(nèi)首家DRAM供應(yīng)商 計(jì)劃自主制造項(xiàng)目總投資1500億元

12 月 10 日訊,長(zhǎng)存儲(chǔ)獲得工信部旗下檢測(cè)機(jī)構(gòu)中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院的量產(chǎn)良率檢測(cè)報(bào)告,將生產(chǎn)國(guó)產(chǎn)第一代 10nm 工藝級(jí) 8Gb DDR4 內(nèi)存芯片。標(biāo)志著長(zhǎng)存儲(chǔ)正式成為了國(guó)內(nèi)第一家也是唯一一家 DRAM 供應(yīng)商。
2019-12-10 16:01:532748

長(zhǎng)國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片的外觀和參數(shù)曝光,使用19納米制造技術(shù)

長(zhǎng)存儲(chǔ)正使用其10G1工藝技術(shù)(即19nm工藝)來(lái)制造4GB和8GB的DDR4內(nèi)存芯片,目標(biāo)是在2020年第一季度上市?,F(xiàn)在,一名用戶就曝光了新款內(nèi)存的外觀和參數(shù)。
2020-02-26 15:01:139620

長(zhǎng)存儲(chǔ)DRAM產(chǎn)品陸續(xù)上線 向更先進(jìn)和更大容量的DRAM發(fā)展

2 月 27 日訊,日前,國(guó)產(chǎn)芯片代表企業(yè)長(zhǎng)存儲(chǔ)官方正式上線 DRAM 產(chǎn)品,包括 8Gb DDR4 芯片、8GB DDR4 內(nèi)存條、2GB/4GB LPDDR4X 產(chǎn)品,均符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
2020-02-28 14:23:352530

合肥長(zhǎng)DDR4內(nèi)存終于對(duì)外供貨 未來(lái)將有更多產(chǎn)品覆蓋

千呼萬(wàn)喚始出來(lái),前兩天國(guó)內(nèi)DRAM內(nèi)存終于迎來(lái)了歷史性一刻——合肥長(zhǎng)的DDR4內(nèi)存終于開(kāi)始對(duì)外供貨了。
2020-02-29 11:16:036311

韓媒稱以長(zhǎng)存儲(chǔ)為代表的中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)的實(shí)力不可小視

據(jù)韓媒Business Korea報(bào)道,長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司啟動(dòng)DRAM芯片銷售,成為中國(guó)第一家DRAM芯片供應(yīng)商。中國(guó)企業(yè)正在逐步增加在DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的份額。
2020-02-29 14:50:563824

合肥長(zhǎng)的DDR4內(nèi)存對(duì)外供貨 進(jìn)軍DDR5/GDDR6/LPDDR5內(nèi)存

嚴(yán)格來(lái)說(shuō),合肥長(zhǎng)的內(nèi)存不是第一款國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片,紫光旗下的紫光國(guó)微之前也有DDR內(nèi)存研發(fā),也曾少量用于國(guó)產(chǎn)的服務(wù)器等產(chǎn)品中,但是紫光國(guó)微沒(méi)有生產(chǎn)能力,DDR內(nèi)存無(wú)法大量供應(yīng)。
2020-03-01 10:15:113548

Google現(xiàn)在開(kāi)始在全球范圍內(nèi)推出Android Auto重新設(shè)計(jì)

從表面上看,這些信息是準(zhǔn)確的,因?yàn)镚oogle現(xiàn)在開(kāi)始在全球范圍內(nèi)推出Android Auto重新設(shè)計(jì),作為4.4版的一部分。
2020-04-22 11:34:383733

FORESEE推出采用長(zhǎng)存儲(chǔ)顆粒的DDR4國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存

江波龍嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE推出了3款國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存,核心DRAM均采用長(zhǎng)存儲(chǔ)的顆粒,這標(biāo)志著中國(guó)存儲(chǔ)在質(zhì)量上開(kāi)始參與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。
2020-05-15 14:18:153534

使用可擴(kuò)展的PMIC避免重新設(shè)計(jì)汽車攝像頭模塊電源電路

可編程PMIC有兩種類型:軟件可編程PMICs和硬件可編程PMICs。軟件可編程PMICs支持完全可擴(kuò)展的電源管理平臺(tái),而無(wú)需重新設(shè)計(jì)印刷電路板(PCBs)。
2020-07-01 10:18:252892

長(zhǎng)存儲(chǔ)今年年底產(chǎn)能可達(dá)12萬(wàn)片

年上半逐步量產(chǎn)并順利上市,目前產(chǎn)能從 2 萬(wàn)片逐步擴(kuò)充至 4 萬(wàn)片,而 17nm 技術(shù)進(jìn)度符合預(yù)期,2021 年可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 業(yè)界傳出,長(zhǎng)存儲(chǔ)在年底產(chǎn)能約達(dá) 12 萬(wàn)片,將追上南亞科(不超過(guò) 7 萬(wàn)片),各家存儲(chǔ)模組廠為了進(jìn)軍中國(guó)市
2020-09-03 15:08:006616

PCB制造中如何避免配裝和子配裝的重新設(shè)計(jì)

PCB 裝配和子裝配重新設(shè)計(jì)的原因 電路板 部件和子部件的制造(如果包括)是一個(gè)由制造組成的兩階段過(guò)程。首先,是在物理上構(gòu)建板的位置,然后是組裝,在此期間,將組件牢固地連接到板上。在這些階段以及您
2020-09-17 21:30:451335

長(zhǎng)預(yù)計(jì)在2021年完成低功耗高速率17nm工藝內(nèi)存芯片

在2019年,國(guó)內(nèi)的內(nèi)存以及閃存領(lǐng)域分別有一個(gè)重大的突破,長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)64層3D閃存,合肥長(zhǎng)則量產(chǎn)了DDR4內(nèi)存,而后者在2020年有望成為全球第四大DRAM內(nèi)存芯片廠。
2020-09-18 14:18:463335

力積電董事長(zhǎng)DRAM 芯片明年上半年將供不應(yīng)求

媒體最新的報(bào)道來(lái)看,DRAM 供過(guò)于求的狀況可能并不會(huì)持續(xù)很久,出現(xiàn)了明年上半年可能會(huì)供不應(yīng)求的消息。 認(rèn)為 DRAM 明年上半年可能會(huì)供不應(yīng)求的,是芯片代工商力積電的董事長(zhǎng)黃崇仁,他認(rèn)為明年上半年,全球 DRAM 的供應(yīng)就可能低于需求。 如果 DRAM 在明年上半
2020-12-01 17:39:582292

蘋(píng)果重新設(shè)計(jì)的地圖應(yīng)用在加拿大推出

據(jù)外媒報(bào)道,蘋(píng)果重新設(shè)計(jì)的地圖應(yīng)用在十月份開(kāi)始測(cè)試后現(xiàn)在已經(jīng)可以在加拿大使用了。11個(gè)月前,蘋(píng)果在美國(guó)完成了新版地圖應(yīng)用的發(fā)布。經(jīng)常分享蘋(píng)果地圖更新細(xì)節(jié)信息的Justin O‘Beirne日前又帶來(lái)了蘋(píng)果在加拿大推出這款重新設(shè)計(jì)的地圖應(yīng)用的消息。蘋(píng)果在一份聲明中也強(qiáng)調(diào)了這一點(diǎn)。
2020-12-11 12:13:391937

國(guó)產(chǎn)內(nèi)存加速 DRAM廠商長(zhǎng)存儲(chǔ)完成156億元融資

? DRAM廠商長(zhǎng)存儲(chǔ)完成156億元融資,內(nèi)存芯片的國(guó)產(chǎn)替代之路又獲資金助力。12月14日,工商信息顯示,大基金二期、安徽國(guó)資、兆易創(chuàng)新及另一家朱一明實(shí)控企業(yè)、小米長(zhǎng)江產(chǎn)業(yè)基金等機(jī)構(gòu)入股長(zhǎng)存儲(chǔ)
2020-12-25 17:49:106588

長(zhǎng)存儲(chǔ)母公司完成156.5億元增資,國(guó)產(chǎn)DRAM再獲強(qiáng)勁助力

? 國(guó)產(chǎn)DRAM廠商長(zhǎng)存儲(chǔ)母公司睿力集成電路有限公司已成功完成156.5億元的增資,國(guó)產(chǎn)DRAM發(fā)展再獲強(qiáng)勁助力。 ? 根據(jù)天眼查資料顯示,12月14日,國(guó)產(chǎn)DRAM廠商長(zhǎng)存儲(chǔ)母公司發(fā)生工商信息
2021-01-08 10:36:427501

蘋(píng)果iPhone 13將重新設(shè)計(jì)Face ID和劉海

根據(jù)DigiTimes消息,蘋(píng)果iPhone 13將會(huì)重新設(shè)計(jì)面容ID系統(tǒng),劉海會(huì)縮小。
2021-01-22 09:27:382240

蘋(píng)果或?qū)l(fā)布新MacBook Pro和重新設(shè)計(jì)iMac

1月22日,彭博報(bào)道稱,蘋(píng)果正在研發(fā)一款重新設(shè)計(jì)的MacBook Air,將于2021年底或2021年初發(fā)布。這款經(jīng)過(guò)重新設(shè)計(jì)的MacBook Air將采用更薄更輕的設(shè)計(jì),采用下一代蘋(píng)果M系列處理器和MagSafe充電系統(tǒng)。為了降低設(shè)備的整體輪廓,蘋(píng)果還將縮小顯示屏周圍的擋板。
2021-01-24 10:16:572768

蘋(píng)果重新設(shè)計(jì)款A(yù)RM iMac的Face ID被推遲

外媒 MacRumors 報(bào)道,爆料稱,蘋(píng)果正在研發(fā)重新設(shè)計(jì)的 iMac 新品,這是自 2012 年以來(lái) iMac 產(chǎn)品線最大規(guī)模的設(shè)計(jì)大調(diào)整。不過(guò),根據(jù)彭博社 Mark Gurman 的一份新報(bào)告
2021-01-24 10:20:322051

適馬重新設(shè)計(jì)Foven全畫(huà)幅傳感器

適馬日前曾宣布,由于美國(guó)合作商的技術(shù)存在瑕疵,尤其是A/D轉(zhuǎn)換的供電等技術(shù)難題,因此適馬決定將以自身研發(fā)為主導(dǎo),從一張白紙開(kāi)始重新設(shè)計(jì)Foven全畫(huà)幅傳感器。
2021-03-03 09:50:21774

國(guó)產(chǎn)DRAM龍頭合肥長(zhǎng)正計(jì)劃進(jìn)行超百億級(jí)別的融資

合肥長(zhǎng)的子公司睿力集成電路有限公司于 2020 年 12 月 14 日實(shí)施了一輪戰(zhàn)略投資,引入安徽國(guó)資、兆易創(chuàng)新、小米長(zhǎng)江產(chǎn)業(yè)基金等投資,總金額高達(dá) 156.50 億元。
2021-03-08 14:42:277263

長(zhǎng)存儲(chǔ)入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價(jià)值公司”

規(guī)模量產(chǎn)DRAM芯片的中國(guó)廠商,且量產(chǎn)產(chǎn)品為目前主流型號(hào)內(nèi)存芯片,并已經(jīng)成功導(dǎo)入華為、小米、聯(lián)想、威剛等知名廠商,有望充分享受到國(guó)產(chǎn)替代這一廣闊的市場(chǎng)空間。 2016年5月,長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一
2022-08-04 16:23:143700

使用可擴(kuò)展的電源管理集成電路避免重新設(shè)計(jì)汽車攝像頭模塊電源電路

使用可擴(kuò)展的電源管理集成電路避免重新設(shè)計(jì)汽車攝像頭模塊電源電路
2022-10-31 08:23:260

定時(shí)開(kāi)關(guān)怎么重新設(shè)置時(shí)間?

定時(shí)開(kāi)關(guān):又稱時(shí)控開(kāi)關(guān)、藍(lán)牙定時(shí)開(kāi)關(guān)、定時(shí)器,是控制用電器自動(dòng)定時(shí)開(kāi)啟、關(guān)閉的電氣裝置。 定時(shí)開(kāi)關(guān) 定時(shí)開(kāi)關(guān) 定時(shí)開(kāi)關(guān)怎么重新設(shè)置時(shí)間:清空之前設(shè)置的定時(shí)時(shí)間,再根據(jù)需求重新設(shè)置定時(shí)開(kāi)、關(guān)時(shí)間
2022-12-29 09:50:344064

重新設(shè)計(jì)的MCP23017分線

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《重新設(shè)計(jì)的MCP23017分線.zip》資料免費(fèi)下載
2023-01-30 11:35:485

樂(lè)物聯(lián)網(wǎng)芯片全球累計(jì)出貨量突破10 億顆

樂(lè)科技 (688018.SH) 高興地宣布,其物聯(lián)網(wǎng)芯片全球累計(jì)出貨量突破10 億顆。這一里程碑標(biāo)志著樂(lè)作為全球領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)軟硬件和解決方案提供商,以其創(chuàng)新的前沿技術(shù)和卓越的產(chǎn)品性能,贏得了
2023-09-23 10:36:152158

國(guó)內(nèi)首家,長(zhǎng)存儲(chǔ)推出多款 LPDDR5產(chǎn)品

長(zhǎng)存儲(chǔ)12gb lpddr5芯片目前已經(jīng)在韓國(guó)主流手機(jī)制造商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成了驗(yàn)證。lpddr5是長(zhǎng)存儲(chǔ)針對(duì)中高端移動(dòng)機(jī)器市場(chǎng)推出的產(chǎn)品,市場(chǎng)化將進(jìn)一步完善長(zhǎng)存儲(chǔ)的dram半導(dǎo)體產(chǎn)品配置。
2023-11-29 09:31:102769

長(zhǎng)存儲(chǔ)推出自主研發(fā)的LPDDR5 DRAM存儲(chǔ)芯片

長(zhǎng)12GB LPDDR5芯片由8個(gè)12Gb顆粒封裝,這是長(zhǎng)存儲(chǔ)首款采用層疊封裝(Package on Package)的芯片產(chǎn)品。
2023-11-29 11:11:332566

國(guó)內(nèi)首家!長(zhǎng)存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)DDR5零突破

與上一代LPDDR4X相比,長(zhǎng)存儲(chǔ)LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%,分別達(dá)到12Gb和6400Mbps,同時(shí)功耗降低30%。長(zhǎng)存儲(chǔ)LPDDR5芯片加入了RAS功能,通過(guò)內(nèi)置糾錯(cuò)碼(On-die ECC)等技術(shù),實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)糾錯(cuò),減少系統(tǒng)故障,確保數(shù)據(jù)安全,增強(qiáng)穩(wěn)定性。
2023-11-30 17:39:062775

長(zhǎng)存儲(chǔ)取得時(shí)鐘信號(hào)生成技術(shù)專利

據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告,長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司取得一項(xiàng)名為“時(shí)鐘信號(hào)生成電路、方法及存儲(chǔ)器”的專利,授權(quán)公告號(hào)CN116631469B,申請(qǐng)日期為2023年7月。
2023-12-04 10:03:441191

中國(guó)長(zhǎng)存儲(chǔ)自主研發(fā) LPDDR5 完成

長(zhǎng)存儲(chǔ)最近在其官網(wǎng)上宣布,研發(fā)出中國(guó)首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片,并即將推出包括12GB LPDDR5、POP封裝的12GB LPDDR5及DSC封裝的6GB LPDDR5等一系列
2023-12-03 11:30:001854

長(zhǎng)科技融資108億元!增資助推DRAM業(yè)務(wù)騰飛,估值達(dá)1400億元

本輪所有投資人均以相同條款及價(jià)格,與長(zhǎng)科技、上述三個(gè)早期股東簽署增資協(xié)議,并將簽署《關(guān)于長(zhǎng)科技集團(tuán)股份有限公司之股東協(xié)議》,共同參與長(zhǎng)科技增資事項(xiàng)。
2024-03-30 14:48:504668

兆易創(chuàng)新: 擬15億元對(duì)長(zhǎng)科技增資,深化DRAM業(yè)務(wù)合作

1.88%股權(quán)。 兆易創(chuàng)新表示,本次對(duì)長(zhǎng)科技投資,有利于加深雙方戰(zhàn)略合作關(guān)系,發(fā)揮在代工產(chǎn)能和技術(shù)優(yōu)勢(shì)等方面的產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同,通過(guò)強(qiáng)化協(xié)同聯(lián)動(dòng),在存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)領(lǐng)域持續(xù)深化合作,實(shí)現(xiàn)互利共贏。長(zhǎng)科技本輪融資完成后,將繼續(xù)推進(jìn)產(chǎn)
2024-04-02 15:27:351710

長(zhǎng)迅速擴(kuò)產(chǎn) 引發(fā)韓國(guó)業(yè)界及媒體關(guān)注

來(lái)源:銳芯聞 據(jù)韓國(guó)媒體 ZDNet Korea 報(bào)道,CXMT(長(zhǎng)存儲(chǔ)科技)等中國(guó)內(nèi)存制造商正在積極擴(kuò)大生產(chǎn),可能會(huì)對(duì)DRAM市場(chǎng)的盈利產(chǎn)生影響。據(jù)說(shuō)三星和 SK 海力士都在密切關(guān)注這些事態(tài)發(fā)展
2024-09-11 12:11:56993

三星或重新設(shè)計(jì)1a DRAM以提升HBM質(zhì)量

 三星電子正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn),特別是在其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域。除了代工業(yè)務(wù)停滯的問(wèn)題,該公司在高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力也引發(fā)了廣泛關(guān)注。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,為了提升在HBM領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力,三星可能會(huì)著手重新設(shè)計(jì)部分1a DRAM電路。
2024-10-22 14:37:411371

CTS MicroStar BGA停產(chǎn)并重新設(shè)計(jì)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《CTS MicroStar BGA停產(chǎn)并重新設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-11-24 14:24:460

HSSC MicroStar BGA停產(chǎn)并重新設(shè)計(jì)

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2024-11-25 15:24:590

三星否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM

據(jù)DigiTimes報(bào)道,三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM(1b DRAM)的報(bào)道予以否認(rèn)。 此前,ETNews曾有報(bào)道稱,三星電子內(nèi)部為解決12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能
2025-01-23 10:04:151361

三星電子否認(rèn)1b DRAM重新設(shè)計(jì)報(bào)道

據(jù)報(bào)道,三星電子正式否認(rèn)了有關(guān)其將重新設(shè)計(jì)第五代10nm級(jí)DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對(duì)三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新一輪關(guān)注。 此前有報(bào)道指出,三星電子為應(yīng)對(duì)其12nm級(jí)
2025-01-23 15:05:11923

商務(wù)部宣布對(duì)原產(chǎn)美國(guó)的進(jìn)口相關(guān)模擬芯片進(jìn)行反傾銷調(diào)查

商務(wù)部于9月13日宣布對(duì)原產(chǎn)美國(guó)的進(jìn)口通用接口和柵極驅(qū)動(dòng)芯片發(fā)起反傾銷立案調(diào)查。申請(qǐng)材料顯示,2022至2024年間,這些美國(guó)芯片進(jìn)口量累計(jì)增長(zhǎng)37%,價(jià)格卻大幅下降52%,嚴(yán)重壓制了國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)發(fā)展
2025-09-19 12:18:27600

今日看點(diǎn):長(zhǎng)存儲(chǔ)官宣發(fā)布LPDDR5X,蘋(píng)果自研 5G 芯片 C2 曝光

? 長(zhǎng)存儲(chǔ)官宣發(fā)布LPDDR5X 據(jù)長(zhǎng)存儲(chǔ)官方網(wǎng)站信息更新,長(zhǎng)存儲(chǔ)正式推出LPDDR5X產(chǎn)品,最高速率達(dá)到10667Mbps。據(jù)官網(wǎng)產(chǎn)品信息介紹,“LPDDR5/5X 是第五代超低功耗雙倍
2025-10-30 09:53:28937

公布最新技術(shù)路線圖!長(zhǎng)存儲(chǔ)計(jì)劃再建兩座 DRAM 晶圓廠

據(jù)報(bào)道,長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司(CXMT)公布了最新的DRAM技術(shù)路線圖,從其路線規(guī)劃來(lái)看,其研發(fā)的產(chǎn)品線包括 DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5、GDDR6, 雖然未公布具體時(shí)間節(jié)點(diǎn)
2019-12-03 18:18:1323542

國(guó)產(chǎn)內(nèi)存條量產(chǎn),DRAM芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展提速!

近兩年,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,包括NANDFLASH和DRAM。去年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)相繼宣布64層3DNAND量產(chǎn)、DDR4內(nèi)存芯片量產(chǎn),實(shí)現(xiàn)從0到1的突破。 今年,基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層
2020-07-14 09:26:5712532

長(zhǎng)科創(chuàng)板IPO受理:四季度有望爆賺95億,營(yíng)收或高達(dá)580億!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)終于!國(guó)內(nèi)DRAM龍頭長(zhǎng)科技在2025年的尾巴向上交所遞交招股書(shū),擬在科創(chuàng)板掛牌上市。成立于2016年的長(zhǎng)專注于DRAM存儲(chǔ)芯片的全產(chǎn)業(yè)鏈布局,填補(bǔ)了中國(guó)大陸本土
2026-01-01 04:09:009251

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