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長鑫存儲淺談未來DRAM技術(shù)的發(fā)展之路

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在談到DRAM技術(shù)未來發(fā)展時,平博士首先強調(diào),DRAM是有它的極限的。我們通過改進,可以將極限推遲。如導入EUV及HKMG三極管以縮小線寬及加強外圍電路性能,就是DRAM產(chǎn)業(yè)的一個選擇,這在未來幾年將可以維持DRAM技術(shù)發(fā)展,滿足大數(shù)據(jù)時代的需求。
2019-09-19 15:06:132836

存儲的野心能否撐起國產(chǎn)替代芯的一片天?

自從福建晉華遇到了極大麻煩后,其他本地廠商如合肥,西安國芯的計劃似乎很有限,不太可能對全球DRAM市場產(chǎn)生重大影響。但這一看法我想最近要糾正下。原為合肥存儲已經(jīng)開始批量生產(chǎn)其自制
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納米制造DRAM已能創(chuàng)造充足的利潤,因此相較于應用處理器(AP)和快閃存儲器(NAND Flash),DRAM的微細制程技術(shù)發(fā)展較緩慢。
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DRAM發(fā)展憑借大基金和挖角就夠?

作為大陸集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上最后發(fā)展DRAM,DRAM廠到底會落戶哪個地方也受到關(guān)注。最近關(guān)于存儲器的發(fā)展有了新進展,不僅將技術(shù)、研發(fā)、IP作為關(guān)鍵,DRAM廠的爭奪也有了一個結(jié)果,武漢成為最后的贏家。
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合肥首座存儲器晶圓廠2017年七月動工

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合肥DRAM正式投片,國產(chǎn)存儲跨出重要一步

知情人士告訴半導體行業(yè)觀察記者,國產(chǎn)存儲三大勢力之一的合肥正式投片,產(chǎn)品規(guī)格為8Gb LPDDR4,這是國產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個里程碑,加上早前宣布在3D NAND Flash取得進展的長江存儲,國內(nèi)企業(yè)在國際主流存儲器上都取得了重大突破,為推動存儲國產(chǎn)化掀開了重要一頁。
2018-07-17 10:03:056161

存儲正在加速從DRAM技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變

在今日舉辦的中國閃存技術(shù)峰會(CFMS)上,存儲副總裁、未來技術(shù)評估實驗室負責人平爾萱博士做了題為《DRAM技術(shù)趨勢與行業(yè)應用》的演講,披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢。
2019-09-26 05:13:004251

原廠DRAM顆粒的臺電騰龍G40內(nèi)存詳細測評方案

是來自于合肥的純國產(chǎn)CXMT DRAM芯片。 合肥作為國產(chǎn)DRAM芯片行業(yè)的代表,曾經(jīng)吸收過奇夢達(Qimonda)的部分資源,這家德國DRAM廠商沒能等到熬過10年前的內(nèi)存寒冬,在破產(chǎn)后將2.8TB的技術(shù)文件以及16000相專利申請轉(zhuǎn)讓給了合肥。 經(jīng)過了足足
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存儲與藍鉑世簽署專利許可協(xié)議

日前,存儲技術(shù)有限公司(以下簡稱存儲)與美國半導體公司Rambus Inc.(以下簡稱藍鉑世)簽署專利許可協(xié)議。依據(jù)此協(xié)議,存儲從藍鉑世獲得大量動態(tài)隨機存取存儲(以下簡稱DRAM技術(shù)
2020-04-27 16:14:435261

存儲與Rambus簽署協(xié)議,可獲取更多有關(guān)DRAM的專利;三星電子目標到 2030 年成為系統(tǒng)半導體領(lǐng)域全球第一…

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DRAM主要廠商新品梳理

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2020-10-24 07:36:009478

存儲LPDDR5X來了!速率高達10667Mbps,躋身國際主流水平!

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2025-10-30 09:12:555305

存儲DDR5/LPDDR5X雙芯亮相,火力全開!

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AI發(fā)展對芯片技術(shù)有什么影響?

現(xiàn)在說AI是未來人類技術(shù)進步的一大方向,相信大家都不會反對。說到AI和芯片技術(shù)的關(guān)系,我覺得主要體現(xiàn)在兩個方面:第一,AI的發(fā)展要求芯片技術(shù)不斷進步;第二,AI可以幫助芯片技術(shù)向前發(fā)展。
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LTE未來將朝什么方向發(fā)展?

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合肥即將試產(chǎn)DRAM 2019年底可單月產(chǎn)能2萬片

存儲技術(shù)有限公司董事、睿力集成電路有限公司CEO王寧國高調(diào)現(xiàn)身合肥集成電路重大項目發(fā)布會表示,合肥作為國內(nèi)進展最快的存儲器生產(chǎn)基地,近日12吋基地約300臺研發(fā)設備已基本全部到位,裝機后今年下半年將全力投片試生產(chǎn)。
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揭開合肥存儲器項目神秘之處 “打造中國最大DRAM內(nèi)存廠”?

中國三大存儲器勢力還有一大神秘隊伍合肥,看看背后有著怎么樣的神秘。 揭開合肥存儲器項目神秘 合肥對DRAM的謀劃不僅是合肥存儲項目,在2016年3月,就有消息傳出,原爾必達社長坂本幸雄成立的半導體設計公司兆基科技(Sino King Technology)將在中國主導大規(guī)模半導體生產(chǎn)項目。
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合肥存儲DRAM項目,正開始進入試產(chǎn)階段

中國DRAM存儲器產(chǎn)業(yè)自主化更是刻不容緩的一條艱巨道路。中國目前在全球個人計算機、智能手機、服務器/數(shù)據(jù)中心以及未來新時代的AI人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)均扮演關(guān)鍵地位,聯(lián)想品牌已是全球PC市占率最高的廠商
2018-07-23 15:12:2417648

存儲DRAM項目正式首次投片,國產(chǎn)DRAM在大力的突破

據(jù)國際電子商情,日前,消息稱存儲DRAM項目正式首次投片,啟動試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品
2018-07-23 17:12:0313272

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日前,合肥DRAM正式投片,產(chǎn)品的規(guī)格為為8Gb LPDDR4??梢哉f,近期國內(nèi)三大存儲芯片工廠好消息接連不斷
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中國大陸存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,需克服專利及人力等重重障礙

中國大陸存儲器業(yè)者的生產(chǎn)計劃包括福建晉華、合肥、長江存儲、紫光集團,預定投產(chǎn)時間介于2018年下半年-2019年,主要產(chǎn)品包括DRAM、利基型存儲器、NAND Flash,初期產(chǎn)能介于2-5萬片,未來最大產(chǎn)能可望上沖4-10萬片,中長期計劃更將擴大至12.5-30萬片的規(guī)模。
2018-08-29 11:40:00770

傳三星與SK海力士正在研發(fā)EUV技術(shù) 未來有機會藉此將生產(chǎn)DRAM的成本降低

就在臺積電與三星在邏輯芯片制程技術(shù)逐漸導入EUV技術(shù)之后,存儲器產(chǎn)業(yè)也將追隨。也就是全球存儲器龍頭三星在未來1Y納米制程的DRAM存儲器芯片生產(chǎn)上,也在研究導入EUV技術(shù)。而除了三星之外,韓國另一家
2018-10-29 17:03:244026

合肥嘗試“從0到1”的突破 推動中國存儲器廠邁出了重要的一步

7月16號,中國DRAM代表廠商合肥召開存儲器項目首次投片總結(jié)大會,在會上傳出消息,合肥即將進行8GB LPDDR4的投片,成為中國第一家邁向高端存儲投片階段的存儲器廠商。中國市場的存儲
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紫光存儲新調(diào)整 ,國微轉(zhuǎn)讓DRAM業(yè)務

隨著福建晉華和合肥兩大陣營投入研發(fā) DRAM 技術(shù),若兩大廠研發(fā)成功且量產(chǎn),西安紫光國芯的DRAM設計實力恐與這兩家再度拉大,合并紫光國芯后的紫光存儲要如何進行大整合,以發(fā)揮集團的存儲戰(zhàn)力,還待時間觀察。
2019-02-25 10:22:4910153

研發(fā)DRAM技術(shù)基礎(chǔ) 授權(quán)自曾經(jīng)叱咤全球的德系存儲大廠奇夢達

從福建晉華被美國宣布列為禁止出口的制裁名單后,國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展氣氛轉(zhuǎn)為低調(diào),業(yè)界更擔心另一家 DRAM 自主研發(fā)大廠合肥會踩到前人地雷,然合肥首席執(zhí)行官朱一明 5 月 15 日在 GSA
2019-05-17 17:00:389805

避免被封殺!合肥重新設計DRAM芯片!

日前,據(jù)消息人士稱,合肥存儲為減少美國制裁威脅,已經(jīng)重新設計了DRAM芯片,以盡量減少對美國原產(chǎn)技術(shù)的使用。
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避免觸及美國的知識產(chǎn)權(quán)!存儲自研設計DRAM芯片

存儲已經(jīng)重新設計DRAM芯片,以盡量減少對美國原產(chǎn)技術(shù)的使用。
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回顧存儲市場崩盤的可能性分析

來到DRAM方面,國產(chǎn)存儲三大勢力之一的合肥在七月中下旬正式投片,產(chǎn)品規(guī)格為8Gb LPDDR4,這是國產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個里程碑。據(jù)合肥的王寧國之前的披露,合肥的一廠廠房已經(jīng)于2018年1月建設完成,設備也開始安裝。
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存儲亮相閃存技術(shù)峰會 引領(lǐng)中國DRAM技術(shù)突破

作為中國DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導者,存儲正在加速從DRAM技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變,用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利,引領(lǐng)中國實現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00832

存儲副總裁披露DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢

昨日,存儲副總裁、未來技術(shù)評估實驗室負責人平爾萱博士披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢。作為中國DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導者,存儲正在加速從DRAM技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變,用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利,引領(lǐng)中國實現(xiàn)DRAM零的突破。
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存儲DRAM芯片實現(xiàn)重大技術(shù)突破

國產(chǎn)半導體又有一家公司強勢崛起,這就是。就在昨天的世界制造業(yè)大會上,投資1500億的存儲內(nèi)存芯片項目宣布投產(chǎn),一起亮相的還有與國際主流同步的10nm第一代8Gb DDR4。
2019-09-22 11:16:044280

存儲DRAM芯片投產(chǎn) 力爭未來成為這個領(lǐng)域的領(lǐng)先者

最新消息,今天在安徽合肥召開的2019世界制造業(yè)大會上,總投資約1500億元的存儲內(nèi)存芯片自主制造項目宣布投產(chǎn),其與國際主流DRAM產(chǎn)品同步的10nm級第一代8Gb DDR4首度亮相,一期
2019-11-14 15:31:363283

儲存將生產(chǎn)19nm DDR4內(nèi)存,計劃再建兩個晶圓廠

根據(jù)AnandTech的報道,存儲科技有限公司已經(jīng)開始使用19納米制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前,該公司已經(jīng)制定了至少兩個10納米級制造工藝的路線圖,并計劃在未來生產(chǎn)所有類型的DRAM。不僅如此,存儲還計劃再建兩個晶圓廠來提高產(chǎn)量。
2019-12-03 10:46:224970

儲存19nm DDR4內(nèi)存計劃于2020年第一季度推出

12月3日消息,根據(jù)消息報道,存儲科技有限公司已經(jīng)開始使用19納米制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前,該公司已經(jīng)制定了至少兩個10納米級制造工藝的路線圖,并計劃在未來生產(chǎn)所有類型的DRAM。不僅如此,存儲還計劃再建兩個晶圓廠來提高產(chǎn)量。
2019-12-03 14:22:483838

存儲獲大量原奇夢達內(nèi)存專利 助力持續(xù)開發(fā)DRAM關(guān)鍵技術(shù)

存儲技術(shù)有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯(lián)合宣布,就原內(nèi)存制造商奇夢達開發(fā)的DRAM內(nèi)存專利,存儲與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。
2019-12-06 09:35:501187

存儲采購奇夢達DRAM內(nèi)存專利,數(shù)量相當可觀

存儲技術(shù)有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯(lián)合宣布,就原內(nèi)存制造商奇夢達開發(fā)的DRAM內(nèi)存專利,存儲與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。
2019-12-06 09:37:453817

自主內(nèi)存芯片投產(chǎn) 國內(nèi)DRAM產(chǎn)業(yè)迎來重大突破

12 月 5 日訊,在近日召開的 2019 世界制造業(yè)大會上,總投資約 1500 億元的存儲內(nèi)存芯片自主制造項目宣布投產(chǎn),其與國際主流 DRAM 產(chǎn)品同步的 10 納米級第一代 8Gb DDR4 首度亮相,一期設計產(chǎn)能每月 12 萬片晶圓。
2019-12-06 10:53:102505

存儲成為國內(nèi)首家DRAM供應商,晶圓廠月產(chǎn)量可達到20000

近日,據(jù)外媒報道,存儲正式宣布其成為了國內(nèi)第一家也是唯一一家DRAM供應商。
2019-12-09 16:18:527140

存儲與WiLAN全資子公司達成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議

近日,存儲技術(shù)有限公司與Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.聯(lián)合宣布,就原動態(tài)隨機存取存儲芯片(DRAM)制造商奇夢達開發(fā)的DRAM專利,存儲與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達成專利許可協(xié)議和專利采購協(xié)議。
2019-12-10 15:20:393829

存儲成國內(nèi)首家DRAM供應商 計劃自主制造項目總投資1500億元

12 月 10 日訊,存儲獲得工信部旗下檢測機構(gòu)中國電子技術(shù)標準化研究院的量產(chǎn)良率檢測報告,將生產(chǎn)國產(chǎn)第一代 10nm 工藝級 8Gb DDR4 內(nèi)存芯片。標志著存儲正式成為了國內(nèi)第一家也是唯一一家 DRAM 供應商。
2019-12-10 16:01:532748

存儲DRAM產(chǎn)品陸續(xù)上線 向更先進和更大容量的DRAM發(fā)展

2 月 27 日訊,日前,國產(chǎn)芯片代表企業(yè)存儲官方正式上線 DRAM 產(chǎn)品,包括 8Gb DDR4 芯片、8GB DDR4 內(nèi)存條、2GB/4GB LPDDR4X 產(chǎn)品,均符合國際通行標準規(guī)范
2020-02-28 14:23:352530

合肥DDR4內(nèi)存終于對外供貨 未來將有更多產(chǎn)品覆蓋

千呼萬喚始出來,前兩天國內(nèi)DRAM內(nèi)存終于迎來了歷史性一刻——合肥的DDR4內(nèi)存終于開始對外供貨了。
2020-02-29 11:16:036311

韓媒稱以存儲為代表的中國半導體企業(yè)的實力不可小視

據(jù)韓媒Business Korea報道,存儲技術(shù)有限公司啟動DRAM芯片銷售,成為中國第一家DRAM芯片供應商。中國企業(yè)正在逐步增加在DRAM和NAND閃存市場的份額。
2020-02-29 14:50:563824

網(wǎng)絡存儲技術(shù)存儲協(xié)議詳細說明

本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是網(wǎng)絡存儲技術(shù)存儲協(xié)議詳細說明包括了:1.了解各種存儲協(xié)議,2.了解各種存儲協(xié)議的主要區(qū)別,3.iSCSI協(xié)議是存儲未來發(fā)展之路。
2020-03-24 12:47:0215

合肥協(xié)調(diào)海關(guān)助力存儲設備進口

據(jù)合肥在線報道,3月25日晚,一架搭載2臺共34噸精密設備的波音747全貨機在合肥新橋國際機場落地,解決了本地存儲公司疫情期間設備進口的燃眉之急。
2020-04-03 16:42:054588

FORESEE推出采用存儲顆粒的DDR4國產(chǎn)化內(nèi)存

江波龍嵌入式存儲品牌FORESEE推出了3款國產(chǎn)化內(nèi)存,核心DRAM均采用存儲的顆粒,這標志著中國存儲在質(zhì)量上開始參與市場競爭。
2020-05-15 14:18:153534

江波龍嵌入式存儲品牌FORESEE推出DDR4國產(chǎn)化內(nèi)存

國產(chǎn)化內(nèi)存的品質(zhì)之路 FORESEE國產(chǎn)化內(nèi)存的核心DRAM率先采用存儲的10nm級最新版本8Gb顆粒,該顆粒已
2020-05-22 15:24:523650

國內(nèi)兩大存儲芯片廠商引領(lǐng)國產(chǎn)存儲發(fā)展駛?cè)肟燔嚨?/a>

DRAM和NAND技術(shù)發(fā)展和面臨的挑戰(zhàn)

半導體存儲器已經(jīng)得到了廣泛的應用,其中DRAM和SRAM是兩種常見形態(tài)的存儲器。DRAM的特點是需要定時刷新,才可以保存數(shù)據(jù),SRAM只要存入數(shù)據(jù)了,不刷新也不會丟掉數(shù)據(jù)。DRAM和SRAM各有各的優(yōu)勢及不足,本文探討的DRAM和NAND當前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)及發(fā)展前景。
2020-07-22 14:04:192373

探討未來存儲技術(shù)將會如何發(fā)展

未來存儲技術(shù)會是什么樣子呢?對于基于NVMe的傳統(tǒng)Flash技術(shù),我們應該繼續(xù)期望更高的容量。例如,在QLC NAND技術(shù)之后會出現(xiàn)什么?只有時間才能告訴我們答案。下一代NVMe規(guī)范將引入跨更多
2020-07-29 14:19:381202

存儲今年年底產(chǎn)能可達12萬片

存儲今年年底產(chǎn)能可達12萬片,預計將超越南亞科技,屆時市占率將僅次于三大巨頭。此外, 17nm工藝即將出世,明年可實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。 報道稱,存儲 19nm DRAM 工藝已于 2020
2020-09-03 15:08:006616

未來存儲技術(shù)發(fā)展是什么樣的

未來存儲技術(shù)會是什么樣子呢?對于基于NVMe的傳統(tǒng)Flash技術(shù),我們應該繼續(xù)期望更高的容量。
2020-09-18 14:39:121599

預計在2021年完成低功耗高速率17nm工藝內(nèi)存芯片

在2019年,國內(nèi)的內(nèi)存以及閃存領(lǐng)域分別有一個重大的突破,長江存儲量產(chǎn)64層3D閃存,合肥則量產(chǎn)了DDR4內(nèi)存,而后者在2020年有望成為全球第四大DRAM內(nèi)存芯片廠。
2020-09-18 14:18:463335

國產(chǎn)內(nèi)存加速 DRAM廠商存儲完成156億元融資

? DRAM廠商存儲完成156億元融資,內(nèi)存芯片的國產(chǎn)替代之路又獲資金助力。12月14日,工商信息顯示,大基金二期、安徽國資、兆易創(chuàng)新及另一家朱一明實控企業(yè)、小米長江產(chǎn)業(yè)基金等機構(gòu)入股長存儲
2020-12-25 17:49:106588

存儲母公司完成156.5億元增資,國產(chǎn)DRAM再獲強勁助力

? 國產(chǎn)DRAM廠商存儲母公司睿力集成電路有限公司已成功完成156.5億元的增資,國產(chǎn)DRAM發(fā)展再獲強勁助力。 ? 根據(jù)天眼查資料顯示,12月14日,國產(chǎn)DRAM廠商存儲母公司發(fā)生工商信息
2021-01-08 10:36:427501

存儲前景未來可期 NAND Flash何去何從?

 中國存儲器的努力已縮小到兩個最有前途的參與者,即 NAND 的 YMTC 和 DRAM存儲技術(shù) (CXMT),它們得到了蓬勃發(fā)展的半導體生態(tài)系統(tǒng)的支持。
2022-05-10 15:04:114586

佰維存儲技術(shù)引領(lǐng)發(fā)展之路,打造創(chuàng)新驅(qū)動新增長

佰維存儲IPO:以技術(shù)引領(lǐng)發(fā)展之路 打造創(chuàng)新驅(qū)動新增長極
2022-05-17 14:27:00772

存儲入選“2021—2022年度半導體與集成電路最具投資價值公司”

規(guī)模量產(chǎn)DRAM芯片的中國廠商,且量產(chǎn)產(chǎn)品為目前主流型號內(nèi)存芯片,并已經(jīng)成功導入華為、小米、聯(lián)想、威剛等知名廠商,有望充分享受到國產(chǎn)替代這一廣闊的市場空間。 2016年5月,存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一
2022-08-04 16:23:143700

國內(nèi)首家,存儲推出多款 LPDDR5產(chǎn)品

存儲12gb lpddr5芯片目前已經(jīng)在韓國主流手機制造商小米、傳音等品牌機型上完成了驗證。lpddr5是存儲針對中高端移動機器市場推出的產(chǎn)品,市場化將進一步完善存儲dram半導體產(chǎn)品配置。
2023-11-29 09:31:102769

存儲推出自主研發(fā)的LPDDR5 DRAM存儲芯片

12GB LPDDR5芯片由8個12Gb顆粒封裝,這是存儲首款采用層疊封裝(Package on Package)的芯片產(chǎn)品。
2023-11-29 11:11:332566

國內(nèi)首家!存儲實現(xiàn)國內(nèi)DDR5零突破

與上一代LPDDR4X相比,存儲LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%,分別達到12Gb和6400Mbps,同時功耗降低30%。存儲LPDDR5芯片加入了RAS功能,通過內(nèi)置糾錯碼(On-die ECC)等技術(shù),實現(xiàn)實時糾錯,減少系統(tǒng)故障,確保數(shù)據(jù)安全,增強穩(wěn)定性。
2023-11-30 17:39:062775

存儲取得時鐘信號生成技術(shù)專利

據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告,存儲技術(shù)有限公司取得一項名為“時鐘信號生成電路、方法及存儲器”的專利,授權(quán)公告號CN116631469B,申請日期為2023年7月。
2023-12-04 10:03:441191

三星正在研發(fā)新型LLW DRAM存儲

近日,三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器,這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性,有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)發(fā)展。
2024-01-12 14:42:031225

科技融資108億元!增資助推DRAM業(yè)務騰飛,估值達1400億元

本輪所有投資人均以相同條款及價格,與科技、上述三個早期股東簽署增資協(xié)議,并將簽署《關(guān)于科技集團股份有限公司之股東協(xié)議》,共同參與科技增資事項。
2024-03-30 14:48:504668

兆易創(chuàng)新: 擬15億元對科技增資,深化DRAM業(yè)務合作

1.88%股權(quán)。 兆易創(chuàng)新表示,本次對科技投資,有利于加深雙方戰(zhàn)略合作關(guān)系,發(fā)揮在代工產(chǎn)能和技術(shù)優(yōu)勢等方面的產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同,通過強化協(xié)同聯(lián)動,在存儲器業(yè)務領(lǐng)域持續(xù)深化合作,實現(xiàn)互利共贏。科技本輪融資完成后,將繼續(xù)推進產(chǎn)
2024-04-02 15:27:351710

迅速擴產(chǎn) 引發(fā)韓國業(yè)界及媒體關(guān)注

來源:銳芯聞 據(jù)韓國媒體 ZDNet Korea 報道,CXMT(存儲科技)等中國內(nèi)存制造商正在積極擴大生產(chǎn),可能會對DRAM市場的盈利產(chǎn)生影響。據(jù)說三星和 SK 海力士都在密切關(guān)注這些事態(tài)發(fā)展
2024-09-11 12:11:56993

今日看點:存儲官宣發(fā)布LPDDR5X,蘋果自研 5G 芯片 C2 曝光

速率動態(tài)隨機存儲器。通過創(chuàng)新的封裝技術(shù)和優(yōu)化的內(nèi)存設計,存儲 LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有顯著提升,目前提供12Gb和16Gb兩種單顆粒容量,最高速率達到10667Mbps ,達到國際主流
2025-10-30 09:53:28937

公布最新技術(shù)路線圖!存儲計劃再建兩座 DRAM 晶圓廠

據(jù)報道,存儲技術(shù)有限公司(CXMT)公布了最新的DRAM技術(shù)路線圖,從其路線規(guī)劃來看,其研發(fā)的產(chǎn)品線包括 DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5、GDDR6, 雖然未公布具體時間節(jié)點
2019-12-03 18:18:1323542

國產(chǎn)內(nèi)存條量產(chǎn),DRAM芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展提速!

近兩年,國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,包括NANDFLASH和DRAM。去年,長江存儲、合肥相繼宣布64層3DNAND量產(chǎn)、DDR4內(nèi)存芯片量產(chǎn),實現(xiàn)從0到1的突破。 今年,基于長江存儲64層
2020-07-14 09:26:5712532

科創(chuàng)板IPO受理:四季度有望爆賺95億,營收或高達580億!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)終于!國內(nèi)DRAM龍頭科技在2025年的尾巴向上交所遞交招股書,擬在科創(chuàng)板掛牌上市。成立于2016年的專注于DRAM存儲芯片的全產(chǎn)業(yè)鏈布局,填補了中國大陸本土
2026-01-01 04:09:009251

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