chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

電子發(fā)燒友App

硬聲App

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀(guān)看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM芯片投產(chǎn) 力爭(zhēng)未來(lái)成為這個(gè)領(lǐng)域的領(lǐng)先者

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM芯片投產(chǎn) 力爭(zhēng)未來(lái)成為這個(gè)領(lǐng)域的領(lǐng)先者

收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦

長(zhǎng)存儲(chǔ)首次公開(kāi)亮相談DARM技術(shù)的未來(lái)

在談到DRAM技術(shù)未來(lái)的發(fā)展時(shí),平博士首先強(qiáng)調(diào),DRAM是有它的極限的。我們通過(guò)改進(jìn),可以將極限推遲。如導(dǎo)入EUV及HKMG三極管以縮小線(xiàn)寬及加強(qiáng)外圍電路性能,就是DRAM產(chǎn)業(yè)的一個(gè)選擇,這在未來(lái)幾年將可以維持DRAM技術(shù)發(fā)展,滿(mǎn)足大數(shù)據(jù)時(shí)代的需求。
2019-09-19 15:06:132836

長(zhǎng)存儲(chǔ)的野心能否撐起國(guó)產(chǎn)替代芯的一片天?

DRAM芯片,中國(guó)存儲(chǔ)廠(chǎng)商進(jìn)軍DRAM行業(yè)的宏偉計(jì)劃可能由此撬動(dòng)。 長(zhǎng)存儲(chǔ)及其野心 據(jù)報(bào)道,長(zhǎng)存儲(chǔ)已為其安徽省合肥市的DRAM項(xiàng)目投資了約1500億元,另外還有約近200億元投入了研發(fā)。該公司最近完成了其Fab 1和R&D工廠(chǎng)的建設(shè),目前每月可生產(chǎn)
2019-12-16 17:28:0026019

3倍薪水猛挖角 大陸存儲(chǔ)器廠(chǎng)瞄準(zhǔn)臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)和DRAM廠(chǎng)

大陸DRAM和NAND Flash存儲(chǔ)器大戰(zhàn)全面引爆,近期包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)等陣營(yíng)陸續(xù)來(lái)臺(tái)鎖定IC設(shè)計(jì)和DRAM廠(chǎng)強(qiáng)力挖角,目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設(shè)計(jì)公司常憶,以及
2016-11-22 16:06:151867

合肥長(zhǎng)首座存儲(chǔ)器晶圓廠(chǎng)2017年七月動(dòng)工

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,大陸紫光集團(tuán)長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)及福建晉華都積極爭(zhēng)取大陸存儲(chǔ)器主導(dǎo)權(quán),隨著三大體系建廠(chǎng)計(jì)劃預(yù)定2018年量產(chǎn),三大體系將正面對(duì)決。長(zhǎng)日前正式曝光相關(guān)投資計(jì)劃,預(yù)定第一期在合肥空港經(jīng)濟(jì)
2016-12-19 14:49:258982

合肥長(zhǎng)DRAM正式投片,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)跨出重要一步

知情人士告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀(guān)察記者,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)三大勢(shì)力之一的合肥長(zhǎng)正式投片,產(chǎn)品規(guī)格為8Gb LPDDR4,這是國(guó)產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個(gè)里程碑,加上早前宣布在3D NAND Flash取得進(jìn)展的長(zhǎng)江存儲(chǔ),國(guó)內(nèi)企業(yè)在國(guó)際主流存儲(chǔ)器上都取得了重大突破,為推動(dòng)存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化掀開(kāi)了重要一頁(yè)。
2018-07-17 10:03:056161

長(zhǎng)存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕向技術(shù)引領(lǐng)轉(zhuǎn)變

在今日舉辦的中國(guó)閃存技術(shù)峰會(huì)(CFMS)上,長(zhǎng)存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士做了題為《DRAM技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講,披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)。
2019-09-26 05:13:004251

長(zhǎng)原廠(chǎng)DRAM顆粒的臺(tái)電騰龍G40內(nèi)存詳細(xì)測(cè)評(píng)方案

一、前言:長(zhǎng)DRAM芯片的普及需要更多的大陸內(nèi)存廠(chǎng)商 可能很多同學(xué)提到臺(tái)電內(nèi)存,可能會(huì)覺(jué)得他們不是一線(xiàn)頂尖品牌,顆粒使用上也不會(huì)有什么亮點(diǎn),不過(guò)這一次,臺(tái)電騰龍G40內(nèi)存100%用了原廠(chǎng)顆粒,而且
2020-10-30 15:33:148573

長(zhǎng)已重新設(shè)計(jì)DRAM芯片,盡量避免使用美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)

6月12日,日經(jīng)新聞引述未具名消息人士報(bào)導(dǎo),合肥長(zhǎng)已經(jīng)重新設(shè)計(jì)了其DRAM芯片,以盡量減少對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用。 日經(jīng):長(zhǎng)已重新設(shè)計(jì)DRAM芯片,盡量避免使用美國(guó)原產(chǎn)技術(shù) 據(jù)日經(jīng)新聞亞洲評(píng)論報(bào)導(dǎo)
2019-06-13 18:30:033778

坂本幸雄談紫光的DRAM計(jì)劃,未來(lái)將瞄準(zhǔn)巨大的中國(guó)內(nèi)需市場(chǎng)!

中國(guó)是DRAM的最大市場(chǎng),然而三星、SK海力士、美光三家卻占據(jù)絕大部分市場(chǎng)份額,這也使得DRAM成為我國(guó)受外部制約最為嚴(yán)重的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一,DRAM是我們急需突破的一個(gè)領(lǐng)域,目前國(guó)內(nèi)的主要參與有紫光
2020-02-26 09:51:315789

長(zhǎng)存儲(chǔ)與藍(lán)鉑世簽署專(zhuān)利許可協(xié)議

日前,長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)長(zhǎng)存儲(chǔ))與美國(guó)半導(dǎo)體公司Rambus Inc.(以下簡(jiǎn)稱(chēng)藍(lán)鉑世)簽署專(zhuān)利許可協(xié)議。依據(jù)此協(xié)議,長(zhǎng)存儲(chǔ)從藍(lán)鉑世獲得大量動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)DRAM)技術(shù)
2020-04-27 16:14:435261

長(zhǎng)存儲(chǔ)與Rambus簽署協(xié)議,可獲取更多有關(guān)DRAM的專(zhuān)利;三星電子目標(biāo)到 2030 年成為系統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)域全球第一…

4 月 28 日訊,近日,長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與美國(guó)半導(dǎo)體公司 Rambus 簽署專(zhuān)利許可協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,長(zhǎng)存儲(chǔ)從 Rambus 獲得大量動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“DRAM”)技術(shù)專(zhuān)利的實(shí)施許可
2020-04-29 09:27:385040

威剛導(dǎo)入長(zhǎng)存儲(chǔ)DDR4顆粒,國(guó)產(chǎn)內(nèi)存開(kāi)始發(fā)力

今年2月底,長(zhǎng)存儲(chǔ)官方宣布,符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的自產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4內(nèi)存芯片全面開(kāi)始供貨,這也是DDR4內(nèi)存第一次實(shí)現(xiàn)真正國(guó)產(chǎn),并采用國(guó)產(chǎn)第一代10nm級(jí)工藝制造
2020-05-22 11:47:379678

長(zhǎng)存儲(chǔ)LPDDR5X來(lái)了!速率高達(dá)10667Mbps,躋身國(guó)際主流水平!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶),日前從長(zhǎng)存儲(chǔ)官網(wǎng)查閱到,長(zhǎng)存儲(chǔ)已正式發(fā)布LPDDR5/5X內(nèi)存。 ? 據(jù)官網(wǎng)介紹,LPDDR5/5X 是第五代超低功耗雙倍速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。通過(guò)創(chuàng)新的封裝技術(shù)
2025-10-30 09:12:555305

長(zhǎng)存儲(chǔ)DDR5/LPDDR5X雙芯亮相,火力全開(kāi)!

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,近日,長(zhǎng)存儲(chǔ)首次全面展示DDR5和LPDDR5X兩大產(chǎn)品線(xiàn)最新產(chǎn)品。 ? 長(zhǎng)存儲(chǔ)最新的DDR5產(chǎn)品是中國(guó)首個(gè)自主研發(fā)的DDR5。該產(chǎn)品系列最高速率達(dá)8000Mbps,最高
2025-11-25 08:27:008146

DRAM存儲(chǔ)原理和特點(diǎn)

理,相比之下在SRAM存儲(chǔ)芯片上一個(gè)bit通常需要六個(gè)晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度,單位體積的容量較高因此成本較低?! ?b class="flag-6" style="color: red">DRAM存儲(chǔ)原理  DRAM的每一位存儲(chǔ)單元采用一個(gè)晶體管和小電容來(lái)實(shí)現(xiàn)
2020-12-10 15:49:11

DRAM芯片中的記憶單元分析

某16K x 4的存儲(chǔ)體由16個(gè)字長(zhǎng)為1的 DRAM芯片在位方向和字方向同時(shí)擴(kuò)展而成,DRAM芯片中所有的記憶單元排列成行列相等的存儲(chǔ)矩陣。分析:由題得,16個(gè)DRAM芯片需要先在位方向擴(kuò)展為4位得
2022-03-02 06:18:45

【內(nèi)存知識(shí)】DRAM芯片工作原理

  一般來(lái)說(shuō)DRAM芯片的工作原理,比SRAM要復(fù)雜。這主要是由于DRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的過(guò)程中需要對(duì)于存儲(chǔ)的信息不停的刷新,這就成為DRAM芯片和SRAM芯片之間的最大區(qū)別。一
2010-07-15 11:40:15

為什么說(shuō)賽靈思已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先于A(yíng)ltera?

Altera和賽靈思20年來(lái)都在FPGA這個(gè)窄眾市場(chǎng)激烈的競(jìng)爭(zhēng),然而Peter Larson基于對(duì)兩個(gè)公司現(xiàn)金流折現(xiàn)法的研究表明,賽靈思是目前FPGA市場(chǎng)的絕對(duì)領(lǐng)先者
2019-09-02 06:04:21

國(guó)產(chǎn)MCU有望在未來(lái)成為行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)嗎?

芯片,但隨著國(guó)內(nèi)芯片制造水平的提高,一些國(guó)產(chǎn)MCU產(chǎn)品開(kāi)始逐漸嶄露頭角,并有望在未來(lái)成為行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)。 首先,國(guó)產(chǎn)MCU產(chǎn)品已有一定的市場(chǎng)占有率。一些企業(yè),如華大基因、瑞芯微等,已經(jīng)推出了自己的MCU產(chǎn)品
2023-05-08 17:32:44

在移動(dòng)領(lǐng)域,ARM在哪些方面領(lǐng)先英特爾

現(xiàn)在移動(dòng)領(lǐng)域絕大多數(shù)用的 ARM 提供的芯片授權(quán),就連 iPhone 先是直接從三星(三星的也經(jīng)過(guò) ARM 授權(quán))那里買(mǎi),后來(lái)直接用經(jīng)過(guò) ARM 授權(quán),自己設(shè)計(jì)的 A4 處理器。另外最近 ARM CEO 表示未來(lái)英特爾只會(huì)扮演小角色。在移動(dòng)領(lǐng)域,ARM 在哪些方面領(lǐng)先英特爾?
2020-07-17 06:32:14

手機(jī)無(wú)線(xiàn)充電器一創(chuàng)研是長(zhǎng)這個(gè)樣子的

``手機(jī)無(wú)線(xiàn)充電器一創(chuàng)研是長(zhǎng)這個(gè)樣子的``
2018-01-23 14:14:26

瑞昱RTL8710對(duì)標(biāo)樂(lè)ESP8266 誰(shuí)將成為物聯(lián)網(wǎng)首選 二

。 可以說(shuō),在物聯(lián)網(wǎng)wifi芯片市場(chǎng),瑞昱RTL8710是除樂(lè)ESP8266之外,另一個(gè)值得你考慮的解決方案。在物聯(lián)網(wǎng)wifi芯片領(lǐng)域,瑞昱RTL8710能否與樂(lè)ESP8266一較高下,成為物聯(lián)網(wǎng)方案的首選,答案也只能由用戶(hù)給出,由市場(chǎng)證明。
2016-05-24 11:28:54

DRAM原理 - 1.存儲(chǔ)單元陣列#DRAM

DRAM
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 15:17:53

當(dāng)升科技:低碳經(jīng)濟(jì) 鋰電池正極材料領(lǐng)先者

當(dāng)升科技:低碳經(jīng)濟(jì) 鋰電池正極材料領(lǐng)先者  據(jù)發(fā)改委透露,今年上半年有望出臺(tái)《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展“十二五”規(guī)劃》,發(fā)展七
2010-04-15 08:51:411239

中國(guó)搶進(jìn)DRAM存儲(chǔ)器 海力士恐成最大潛在受害

工研院 IEK認(rèn)為,為替代進(jìn)口,中國(guó)大陸發(fā)展DRAM已勢(shì)在必行,未來(lái)若中國(guó)大陸成功搶進(jìn)DRAM領(lǐng)域,預(yù)期海力士恐將是最大潛在受害
2016-05-16 08:55:02993

存儲(chǔ)芯片DRAM/NAND/RRAM技術(shù)詳解

日前,存儲(chǔ)芯片主要供應(yīng)商之一美光公司(Micron)在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì),會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649

英特爾由“遲來(lái)者”向“領(lǐng)先者”華麗轉(zhuǎn)身,與臉譜合作研發(fā)AI芯片

英特爾首席執(zhí)行官布萊恩·科再奇近日出席華爾街日?qǐng)?bào)舉辦的“全球技術(shù)大會(huì)”(WSJDLive)時(shí)宣布,正在與臉譜等科技巨頭合作,年底將推出一款專(zhuān)為人工智能設(shè)計(jì)的芯片,以讓該公司在人工智能領(lǐng)域由“遲來(lái)者”向“領(lǐng)先者”華麗轉(zhuǎn)身。
2017-10-23 11:54:08981

中國(guó)的三大存儲(chǔ)芯片企業(yè)有望打破韓美日壟斷存儲(chǔ)芯片的局面

當(dāng)然中國(guó)的存儲(chǔ)芯片企業(yè)在投產(chǎn)后還需要在技術(shù)方面追趕韓美日等存儲(chǔ)芯片企業(yè),長(zhǎng)江存儲(chǔ)當(dāng)下準(zhǔn)備投產(chǎn)的為32層NAND flash而韓國(guó)三星去年就開(kāi)始大規(guī)模投產(chǎn)64層NAND flash,長(zhǎng)江存儲(chǔ)希望在未來(lái)兩三年實(shí)現(xiàn)64層NAND flash的技術(shù)突破,將技術(shù)差距縮短到兩年內(nèi)。
2018-04-17 09:37:1944620

中國(guó)存儲(chǔ)芯片即將起飛,有望打破韓美日壟斷存儲(chǔ)芯片的局面

DRAM和NAND Flash芯片的制造上是零。“在存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)中,韓美日廠(chǎng)商幾乎壟斷了全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)。”上述人士也表示無(wú)奈。 現(xiàn)在長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)、福建晉華擔(dān)起了這個(gè)重任
2018-04-18 09:12:376932

合肥長(zhǎng)即將試產(chǎn)DRAM 2019年底可單月產(chǎn)能2萬(wàn)片

長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司董事長(zhǎng)、睿力集成電路有限公司CEO王寧國(guó)高調(diào)現(xiàn)身合肥集成電路重大項(xiàng)目發(fā)布會(huì)表示,合肥長(zhǎng)作為國(guó)內(nèi)進(jìn)展最快的存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地,近日12吋基地約300臺(tái)研發(fā)設(shè)備已基本全部到位,裝機(jī)后今年下半年將全力投片試生產(chǎn)。
2018-04-23 11:25:0013560

揭開(kāi)合肥存儲(chǔ)器項(xiàng)目神秘之處 “打造中國(guó)最大DRAM內(nèi)存廠(chǎng)”?

中國(guó)三大存儲(chǔ)器勢(shì)力還有一大神秘隊(duì)伍合肥長(zhǎng),看看背后有著怎么樣的神秘。 揭開(kāi)合肥存儲(chǔ)器項(xiàng)目神秘 合肥對(duì)DRAM的謀劃不僅是合肥長(zhǎng)存儲(chǔ)項(xiàng)目,在2016年3月,就有消息傳出,原爾必達(dá)社長(zhǎng)坂本幸雄成立的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司兆基科技(Sino King Technology)將在中國(guó)主導(dǎo)大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)項(xiàng)目。
2018-05-02 10:28:009953

長(zhǎng)發(fā)布首個(gè)中國(guó)自主研發(fā)的8Gb LPDDR4 DRAM芯片,國(guó)產(chǎn)DRAM跨出重要一步

國(guó)內(nèi)目前有三大存儲(chǔ)芯片基地,紫光主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)以武漢為基地,主要生產(chǎn)3D NAND閃存,預(yù)計(jì)明年正式投產(chǎn)32層堆棧的64Gb閃存,選擇DRAM內(nèi)存芯片作為重點(diǎn)的有兩大陣營(yíng),福建晉華集團(tuán)聯(lián)合臺(tái)聯(lián)電在
2018-07-20 17:48:199888

合肥長(zhǎng)存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目,正開(kāi)始進(jìn)入試產(chǎn)階段

中國(guó)DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)自主化更是刻不容緩的一條艱巨道路。中國(guó)目前在全球個(gè)人計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心以及未來(lái)新時(shí)代的AI人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)均扮演關(guān)鍵地位,聯(lián)想品牌已是全球PC市占率最高的廠(chǎng)商
2018-07-23 15:12:2417648

長(zhǎng)存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式首次投片,國(guó)產(chǎn)DRAM在大力的突破

據(jù)國(guó)際電子商情,日前,消息稱(chēng)長(zhǎng)存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式首次投片,啟動(dòng)試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品
2018-07-23 17:12:0313272

合肥長(zhǎng)DRAM正式投片 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)的一大步

日前,合肥長(zhǎng)DRAM正式投片,產(chǎn)品的規(guī)格為為8Gb LPDDR4??梢哉f(shuō),近期國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片工廠(chǎng)好消息接連不斷
2018-07-24 16:15:509922

中國(guó)大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,需克服專(zhuān)利及人力等重重障礙

中國(guó)大陸存儲(chǔ)器業(yè)者的生產(chǎn)計(jì)劃包括福建晉華、合肥長(zhǎng)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、紫光集團(tuán),預(yù)定投產(chǎn)時(shí)間介于2018年下半年-2019年,主要產(chǎn)品包括DRAM、利基型存儲(chǔ)器、NAND Flash,初期產(chǎn)能介于2-5萬(wàn)片,未來(lái)最大產(chǎn)能可望上沖4-10萬(wàn)片,中長(zhǎng)期計(jì)劃更將擴(kuò)大至12.5-30萬(wàn)片的規(guī)模。
2018-08-29 11:40:00770

合肥長(zhǎng)嘗試“從0到1”的突破 推動(dòng)中國(guó)存儲(chǔ)器廠(chǎng)邁出了重要的一步

7月16號(hào),中國(guó)DRAM代表廠(chǎng)商合肥長(zhǎng)召開(kāi)存儲(chǔ)器項(xiàng)目首次投片總結(jié)大會(huì),在會(huì)上傳出消息,合肥長(zhǎng)即將進(jìn)行8GB LPDDR4的投片,成為中國(guó)第一家邁向高端存儲(chǔ)投片階段的存儲(chǔ)器廠(chǎng)商。中國(guó)市場(chǎng)的存儲(chǔ)
2018-11-29 16:51:0518310

紫光存儲(chǔ)新調(diào)整 ,國(guó)微轉(zhuǎn)讓DRAM業(yè)務(wù)

隨著福建晉華和合肥長(zhǎng)兩大陣營(yíng)投入研發(fā) DRAM 技術(shù),若兩大廠(chǎng)研發(fā)成功且量產(chǎn),西安紫光國(guó)芯的DRAM設(shè)計(jì)實(shí)力恐與這兩家再度拉大,合并紫光國(guó)芯后的紫光存儲(chǔ)要如何進(jìn)行大整合,以發(fā)揮集團(tuán)的存儲(chǔ)戰(zhàn)力,還待時(shí)間觀(guān)察。
2019-02-25 10:22:4910153

長(zhǎng)研發(fā)DRAM技術(shù)基礎(chǔ) 授權(quán)自曾經(jīng)叱咤全球的德系存儲(chǔ)大廠(chǎng)奇夢(mèng)達(dá)

從福建晉華被美國(guó)宣布列為禁止出口的制裁名單后,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展氣氛轉(zhuǎn)為低調(diào),業(yè)界更擔(dān)心另一家 DRAM 自主研發(fā)大廠(chǎng)合肥長(zhǎng)會(huì)踩到前人地雷,然合肥長(zhǎng)首席執(zhí)行官朱一明 5 月 15 日在 GSA
2019-05-17 17:00:389805

避免被封殺!合肥長(zhǎng)重新設(shè)計(jì)DRAM芯片!

日前,據(jù)消息人士稱(chēng),合肥長(zhǎng)存儲(chǔ)為減少美國(guó)制裁威脅,已經(jīng)重新設(shè)計(jì)了DRAM芯片,以盡量減少對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用。
2019-06-14 10:46:2819830

避免觸及美國(guó)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)!長(zhǎng)存儲(chǔ)自研設(shè)計(jì)DRAM芯片

長(zhǎng)存儲(chǔ)已經(jīng)重新設(shè)計(jì)DRAM芯片,以盡量減少對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用。
2019-06-14 15:54:363777

DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格不斷下跌 海力士推遲無(wú)錫新廠(chǎng)投產(chǎn)計(jì)劃

據(jù)外媒報(bào)道,由于DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格不斷下跌,近期又有華為事件的影響,SK海力士正在計(jì)劃推遲位于中國(guó)無(wú)錫的全球最先進(jìn)內(nèi)存芯片工廠(chǎng)的投產(chǎn)計(jì)劃。
2019-06-21 11:33:154426

回顧存儲(chǔ)市場(chǎng)崩盤(pán)的可能性分析

來(lái)到DRAM方面,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)三大勢(shì)力之一的合肥長(zhǎng)在七月中下旬正式投片,產(chǎn)品規(guī)格為8Gb LPDDR4,這是國(guó)產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個(gè)里程碑。據(jù)合肥長(zhǎng)的王寧國(guó)之前的披露,合肥長(zhǎng)的一廠(chǎng)廠(chǎng)房已經(jīng)于2018年1月建設(shè)完成,設(shè)備也開(kāi)始安裝。
2019-08-30 11:22:221657

長(zhǎng)存儲(chǔ)亮相閃存技術(shù)峰會(huì) 引領(lǐng)中國(guó)DRAM技術(shù)突破

作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo),長(zhǎng)存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕向技術(shù)引領(lǐng)轉(zhuǎn)變,用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專(zhuān)利,引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00832

中國(guó)存儲(chǔ)芯片逐漸起步 可望逐漸降低對(duì)外國(guó)存儲(chǔ)芯片的依賴(lài)

在早前長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布它已研發(fā)出64層NAND flash芯片之后,近日合肥長(zhǎng)也宣布已解決DRAM芯片的技術(shù)難題并已進(jìn)入小規(guī)模生產(chǎn),這意味著困擾中國(guó)制造業(yè)的芯片產(chǎn)業(yè)取得了重大突破,這為中國(guó)制造業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)提供有力的支持。
2019-08-30 14:08:09981

紫光加持DRAM 行業(yè)正在回暖

8月27日,重慶市人民政府與紫光集團(tuán)簽署紫光存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目合作協(xié)議。紫光集團(tuán)將在重慶建設(shè)包括DRAM總部研發(fā)中心在內(nèi)的紫光DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲(chǔ)芯片制造工廠(chǎng),據(jù)悉,DRAM存儲(chǔ)芯片制造工廠(chǎng)計(jì)劃于2019年底開(kāi)工建設(shè),預(yù)計(jì)2021年建成投產(chǎn)
2019-08-30 14:21:29859

長(zhǎng)存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn) 一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能每月12萬(wàn)片晶圓

20日在安徽合肥召開(kāi)的2019世界制造業(yè)大會(huì)上,總投資約1500億元的長(zhǎng)存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn),其與國(guó)際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級(jí)第一代8Gb DDR4首度亮相,一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能每月12萬(wàn)片晶圓。
2019-09-20 15:57:164487

長(zhǎng)存儲(chǔ)副總裁披露DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)

昨日,長(zhǎng)存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)。作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)長(zhǎng)存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕向技術(shù)引領(lǐng)轉(zhuǎn)變,用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專(zhuān)利,引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-20 16:06:078443

長(zhǎng)存儲(chǔ)淺談未來(lái)DRAM技術(shù)的發(fā)展之路

在深圳舉辦的中國(guó)閃存技術(shù)峰會(huì)上,長(zhǎng)存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士進(jìn)行了《DRAM技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講。
2019-09-20 16:52:564030

長(zhǎng)存儲(chǔ)DRAM芯片實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)突破

國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體又有一家公司強(qiáng)勢(shì)崛起,這就是長(zhǎng)。就在昨天的世界制造業(yè)大會(huì)上,投資1500億的長(zhǎng)存儲(chǔ)內(nèi)存芯片項(xiàng)目宣布投產(chǎn),一起亮相的還有與國(guó)際主流同步的10nm第一代8Gb DDR4。
2019-09-22 11:16:044280

我國(guó)集成電路市場(chǎng)增速領(lǐng)跑全球市場(chǎng) 但產(chǎn)業(yè)仍存在一些薄弱環(huán)節(jié)有待補(bǔ)強(qiáng)

在9月20日-23日安徽合肥舉行的2019世界制造業(yè)大會(huì)上,長(zhǎng)存儲(chǔ)宣布DRAM生產(chǎn)線(xiàn)投產(chǎn)。這標(biāo)志著我國(guó)在內(nèi)存芯片領(lǐng)域取得重大突破。合肥將依托長(zhǎng)存儲(chǔ)引進(jìn)芯片設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、裝備材料、智能終端類(lèi)項(xiàng)目,打造空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園。
2019-09-24 15:40:052418

各國(guó)都力爭(zhēng)搶占AI領(lǐng)域制高點(diǎn) 意圖成為領(lǐng)域領(lǐng)先者

近日,在莫斯科舉行的國(guó)際人工智能會(huì)議(AI Journey)上,俄羅斯總統(tǒng)普京出席會(huì)議并發(fā)表了自己的看法。
2019-11-12 09:17:12710

合肥長(zhǎng)提升19nm DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能 目標(biāo)是月產(chǎn)4萬(wàn)片晶圓

存儲(chǔ)器產(chǎn)品占到了我國(guó)每年進(jìn)口半導(dǎo)體芯片中的大頭,其中DRAM內(nèi)存芯片占比最高,有20%以上。
2019-11-27 17:01:152508

長(zhǎng)儲(chǔ)存將生產(chǎn)19nm DDR4內(nèi)存,計(jì)劃再建兩個(gè)晶圓廠(chǎng)

根據(jù)AnandTech的報(bào)道,長(zhǎng)存儲(chǔ)科技有限公司已經(jīng)開(kāi)始使用19納米制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前,該公司已經(jīng)制定了至少兩個(gè)10納米級(jí)制造工藝的路線(xiàn)圖,并計(jì)劃在未來(lái)生產(chǎn)所有類(lèi)型的DRAM。不僅如此,長(zhǎng)存儲(chǔ)還計(jì)劃再建兩個(gè)晶圓廠(chǎng)來(lái)提高產(chǎn)量。
2019-12-03 10:46:224970

長(zhǎng)儲(chǔ)存19nm DDR4內(nèi)存計(jì)劃于2020年第一季度推出

12月3日消息,根據(jù)消息報(bào)道,長(zhǎng)存儲(chǔ)科技有限公司已經(jīng)開(kāi)始使用19納米制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前,該公司已經(jīng)制定了至少兩個(gè)10納米級(jí)制造工藝的路線(xiàn)圖,并計(jì)劃在未來(lái)生產(chǎn)所有類(lèi)型的DRAM。不僅如此,長(zhǎng)存儲(chǔ)還計(jì)劃再建兩個(gè)晶圓廠(chǎng)來(lái)提高產(chǎn)量。
2019-12-03 14:22:483838

長(zhǎng)存儲(chǔ)獲大量原奇夢(mèng)達(dá)內(nèi)存專(zhuān)利 助力持續(xù)開(kāi)發(fā)DRAM關(guān)鍵技術(shù)

長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯(lián)合宣布,就原內(nèi)存制造商奇夢(mèng)達(dá)開(kāi)發(fā)的DRAM內(nèi)存專(zhuān)利,長(zhǎng)存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達(dá)成專(zhuān)利許可協(xié)議和專(zhuān)利采購(gòu)協(xié)議。
2019-12-06 09:35:501187

長(zhǎng)存儲(chǔ)采購(gòu)奇夢(mèng)達(dá)DRAM內(nèi)存專(zhuān)利,數(shù)量相當(dāng)可觀(guān)

長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日聯(lián)合宣布,就原內(nèi)存制造商奇夢(mèng)達(dá)開(kāi)發(fā)的DRAM內(nèi)存專(zhuān)利,長(zhǎng)存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達(dá)成專(zhuān)利許可協(xié)議和專(zhuān)利采購(gòu)協(xié)議。
2019-12-06 09:37:453817

長(zhǎng)自主內(nèi)存芯片投產(chǎn) 國(guó)內(nèi)DRAM產(chǎn)業(yè)迎來(lái)重大突破

12 月 5 日訊,在近日召開(kāi)的 2019 世界制造業(yè)大會(huì)上,總投資約 1500 億元的長(zhǎng)存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn),其與國(guó)際主流 DRAM 產(chǎn)品同步的 10 納米級(jí)第一代 8Gb DDR4 首度亮相,一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能每月 12 萬(wàn)片晶圓。
2019-12-06 10:53:102505

長(zhǎng)存儲(chǔ)成為國(guó)內(nèi)首家DRAM供應(yīng)商,晶圓廠(chǎng)月產(chǎn)量可達(dá)到20000

近日,據(jù)外媒報(bào)道,長(zhǎng)存儲(chǔ)正式宣布其成為了國(guó)內(nèi)第一家也是唯一一家DRAM供應(yīng)商。
2019-12-09 16:18:527140

長(zhǎng)存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司達(dá)成專(zhuān)利許可協(xié)議和專(zhuān)利采購(gòu)協(xié)議

近日,長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.聯(lián)合宣布,就原動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片DRAM)制造商奇夢(mèng)達(dá)開(kāi)發(fā)的DRAM專(zhuān)利,長(zhǎng)存儲(chǔ)與WiLAN全資子公司Polaris Innovations Limited達(dá)成專(zhuān)利許可協(xié)議和專(zhuān)利采購(gòu)協(xié)議。
2019-12-10 15:20:393829

長(zhǎng)存儲(chǔ)成國(guó)內(nèi)首家DRAM供應(yīng)商 計(jì)劃自主制造項(xiàng)目總投資1500億元

12 月 10 日訊,長(zhǎng)存儲(chǔ)獲得工信部旗下檢測(cè)機(jī)構(gòu)中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院的量產(chǎn)良率檢測(cè)報(bào)告,將生產(chǎn)國(guó)產(chǎn)第一代 10nm 工藝級(jí) 8Gb DDR4 內(nèi)存芯片。標(biāo)志著長(zhǎng)存儲(chǔ)正式成為了國(guó)內(nèi)第一家也是唯一一家 DRAM 供應(yīng)商。
2019-12-10 16:01:532748

長(zhǎng)存儲(chǔ)DRAM產(chǎn)品陸續(xù)上線(xiàn) 向更先進(jìn)和更大容量的DRAM發(fā)展

2 月 27 日訊,日前,國(guó)產(chǎn)芯片代表企業(yè)長(zhǎng)存儲(chǔ)官方正式上線(xiàn) DRAM 產(chǎn)品,包括 8Gb DDR4 芯片、8GB DDR4 內(nèi)存條、2GB/4GB LPDDR4X 產(chǎn)品,均符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
2020-02-28 14:23:352530

合肥長(zhǎng)DDR4內(nèi)存終于對(duì)外供貨 未來(lái)將有更多產(chǎn)品覆蓋

千呼萬(wàn)喚始出來(lái),前兩天國(guó)內(nèi)DRAM內(nèi)存終于迎來(lái)了歷史性一刻——合肥長(zhǎng)的DDR4內(nèi)存終于開(kāi)始對(duì)外供貨了。
2020-02-29 11:16:036311

韓媒稱(chēng)以長(zhǎng)存儲(chǔ)為代表的中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)的實(shí)力不可小視

據(jù)韓媒Business Korea報(bào)道,長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司啟動(dòng)DRAM芯片銷(xiāo)售,成為中國(guó)第一家DRAM芯片供應(yīng)商。中國(guó)企業(yè)正在逐步增加在DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的份額。
2020-02-29 14:50:563824

合肥協(xié)調(diào)海關(guān)助力長(zhǎng)存儲(chǔ)設(shè)備進(jìn)口

據(jù)合肥在線(xiàn)報(bào)道,3月25日晚,一架搭載2臺(tái)共34噸精密設(shè)備的波音747全貨機(jī)在合肥新橋國(guó)際機(jī)場(chǎng)落地,解決了本地長(zhǎng)存儲(chǔ)公司疫情期間設(shè)備進(jìn)口的燃眉之急。
2020-04-03 16:42:054588

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層NAND flash存儲(chǔ)芯片 中國(guó)存儲(chǔ)芯片國(guó)際領(lǐng)先

據(jù)媒體報(bào)道指國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)已開(kāi)發(fā)出128層的NAND flash存儲(chǔ)芯片,這是當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù),意味著中國(guó)的存儲(chǔ)芯片技術(shù)已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4514823

FORESEE推出采用長(zhǎng)存儲(chǔ)顆粒的DDR4國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存

江波龍嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE推出了3款國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存,核心DRAM均采用長(zhǎng)存儲(chǔ)的顆粒,這標(biāo)志著中國(guó)存儲(chǔ)在質(zhì)量上開(kāi)始參與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。
2020-05-15 14:18:153534

中芯國(guó)際14納米FinFET代工的移動(dòng)芯片,實(shí)現(xiàn)了規(guī)?;慨a(chǎn)和商業(yè)化

近年來(lái),以中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)為代表的本土半導(dǎo)體制造企業(yè)正分別在邏輯電路芯片、3DNAND存儲(chǔ)芯片、DRAM存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域布局先進(jìn)制程產(chǎn)能,也是中國(guó)半導(dǎo)體制程工藝技術(shù)走在最前沿的企業(yè)。
2020-07-14 14:49:454203

長(zhǎng)存儲(chǔ)今年年底產(chǎn)能可達(dá)12萬(wàn)片

長(zhǎng)存儲(chǔ)今年年底產(chǎn)能可達(dá)12萬(wàn)片,預(yù)計(jì)將超越南亞科技,屆時(shí)市占率將僅次于三大巨頭。此外,長(zhǎng) 17nm工藝即將出世,明年可實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。 報(bào)道稱(chēng),長(zhǎng)存儲(chǔ) 19nm DRAM 工藝已于 2020
2020-09-03 15:08:006616

長(zhǎng)預(yù)計(jì)在2021年完成低功耗高速率17nm工藝內(nèi)存芯片

在2019年,國(guó)內(nèi)的內(nèi)存以及閃存領(lǐng)域分別有一個(gè)重大的突破,長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)64層3D閃存,合肥長(zhǎng)則量產(chǎn)了DDR4內(nèi)存,而后者在2020年有望成為全球第四大DRAM內(nèi)存芯片廠(chǎng)。
2020-09-18 14:18:463335

存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加快!吹響存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化號(hào)角

趨勢(shì)。 在DRAM方面,公司自研DRAM將于今年年底開(kāi)始流片,2021年上半年交由長(zhǎng)存儲(chǔ)大批量投產(chǎn),直接采用17nm/19nm制程,制程較競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手顯著領(lǐng)先,有望快速提升市場(chǎng)份額
2020-11-03 12:27:323601

國(guó)產(chǎn)內(nèi)存加速 DRAM廠(chǎng)商長(zhǎng)存儲(chǔ)完成156億元融資

? DRAM廠(chǎng)商長(zhǎng)存儲(chǔ)完成156億元融資,內(nèi)存芯片的國(guó)產(chǎn)替代之路又獲資金助力。12月14日,工商信息顯示,大基金二期、安徽國(guó)資、兆易創(chuàng)新及另一家朱一明實(shí)控企業(yè)、小米長(zhǎng)江產(chǎn)業(yè)基金等機(jī)構(gòu)入股長(zhǎng)存儲(chǔ)
2020-12-25 17:49:106588

長(zhǎng)存儲(chǔ)母公司完成156.5億元增資,國(guó)產(chǎn)DRAM再獲強(qiáng)勁助力

? 國(guó)產(chǎn)DRAM廠(chǎng)商長(zhǎng)存儲(chǔ)母公司睿力集成電路有限公司已成功完成156.5億元的增資,國(guó)產(chǎn)DRAM發(fā)展再獲強(qiáng)勁助力。 ? 根據(jù)天眼查資料顯示,12月14日,國(guó)產(chǎn)DRAM廠(chǎng)商長(zhǎng)存儲(chǔ)母公司發(fā)生工商信息
2021-01-08 10:36:427501

合肥長(zhǎng)規(guī)劃2021年完成17nm技術(shù)研發(fā)

合肥長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司于 2016 年成立,從事 DRM 內(nèi)存顆粒的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售,目前已建成一座 12 英寸晶圓廠(chǎng)并投產(chǎn),其生產(chǎn)的 DDR4 內(nèi)存顆粒被威剛、江波龍、臺(tái)電廠(chǎng)商等應(yīng)用。
2021-03-05 10:49:037032

合肥長(zhǎng)12英寸存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)了從投產(chǎn)到量產(chǎn)再到批量銷(xiāo)售的關(guān)鍵跨越

3月5日,合肥產(chǎn)投集團(tuán)官微發(fā)文《潮起正是揚(yáng)帆時(shí)——合肥產(chǎn)投集團(tuán)成立六周年發(fā)展紀(jì)實(shí)》,透露了合肥長(zhǎng)國(guó)產(chǎn)內(nèi)存的產(chǎn)能情況。
2021-03-09 14:15:394379

600 MHz TigerSHARC處理器:性能密度的領(lǐng)先者

600 MHz TigerSHARC處理器:性能密度的領(lǐng)先者
2021-05-17 16:23:371

存儲(chǔ)前景未來(lái)可期 NAND Flash何去何從?

 中國(guó)存儲(chǔ)器的努力已縮小到兩個(gè)最有前途的參與,即 NAND 的 YMTC 和 DRAM長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù) (CXMT),它們得到了蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的支持。
2022-05-10 15:04:114586

長(zhǎng)存儲(chǔ)入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價(jià)值公司”

日前,甲子光年舉辦的“2022科技產(chǎn)業(yè)投資峰會(huì)”長(zhǎng)存儲(chǔ)入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價(jià)值公司”。長(zhǎng)存儲(chǔ)作為國(guó)內(nèi)專(zhuān)業(yè)從事DRAM芯片設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售領(lǐng)軍企業(yè),是唯一實(shí)現(xiàn)
2022-08-04 16:23:143700

全球IC載板進(jìn)入高速發(fā)展期 國(guó)產(chǎn)替代環(huán)境已經(jīng)具備

對(duì)于BT載板,存儲(chǔ)芯片是重要應(yīng)用領(lǐng)域,中國(guó)大陸廠(chǎng)商長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)存儲(chǔ)對(duì)NANDFlash、DRAM存儲(chǔ)芯片的擴(kuò)產(chǎn)使國(guó)產(chǎn)BT載板的配套放量成為發(fā)展趨勢(shì),有利于提升國(guó)產(chǎn)BT載板的市場(chǎng)占有率;對(duì)于A(yíng)BF載板,HPC、AI芯片等高性能芯片成為ABF載板需求增長(zhǎng)最快的領(lǐng)域
2023-02-08 13:56:441434

新一代存儲(chǔ)芯片將打破現(xiàn)有模式?它們會(huì)成為主導(dǎo)嗎?

相信電子行業(yè)的伙伴們都知道三星和SK海力士,在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域中也是其中的佼佼,在行業(yè)內(nèi)排名前兩位。據(jù)媒體報(bào)道,這兩家巨頭正在加速3D DRAM的商業(yè)化,以改變內(nèi)存行業(yè)的游戲規(guī)則。事實(shí)上,在DRAM
2023-03-31 18:00:041358

納芯微:力爭(zhēng)成為全球領(lǐng)先的模擬和混合信號(hào)IC供應(yīng)商

矩陣不斷豐富,核心競(jìng)爭(zhēng)力持續(xù)提升。未來(lái),公司將積極進(jìn)行全球化布局,圍繞應(yīng)用創(chuàng)新,精細(xì)化管理,著手打造納芯微的全產(chǎn)業(yè)鏈能力,力爭(zhēng)成為全球領(lǐng)先的模擬和混合信號(hào)IC供應(yīng)商。 ? 整體業(yè)績(jī)良好 持續(xù)加大研發(fā) 公開(kāi)資料顯示,納芯微是一家高性能
2023-05-15 09:28:591069

華為是5G領(lǐng)先者為什么卻發(fā)明不出5G芯片?

華為是5G領(lǐng)先者為什么卻發(fā)明不出5G芯片?? 華為是5G領(lǐng)先者,這一點(diǎn)是毫無(wú)疑問(wèn)的。但為什么華為會(huì)發(fā)明不出5G芯片?這個(gè)問(wèn)題看似矛盾,但實(shí)際上是可以得到解答的。 首先,值得注意的是,華為并不是沒(méi)有
2023-09-01 16:48:509074

網(wǎng)絡(luò)芯片哪家強(qiáng)?專(zhuān)業(yè)科普:原來(lái)這個(gè)領(lǐng)域要比你想的更復(fù)雜!

網(wǎng)絡(luò)芯片是組建高性能網(wǎng)絡(luò)的核心器件,國(guó)際領(lǐng)先的科技巨頭無(wú)疑都是芯片領(lǐng)域的奠基與引領(lǐng),國(guó)內(nèi)也同樣有一群為芯片事業(yè)嘔心瀝血,其中井芯微電子就以高性能、高可靠性的網(wǎng)絡(luò)芯片,成為領(lǐng)域的引領(lǐng)。
2023-10-10 16:44:456850

國(guó)內(nèi)首家,長(zhǎng)存儲(chǔ)推出多款 LPDDR5產(chǎn)品

長(zhǎng)存儲(chǔ)12gb lpddr5芯片目前已經(jīng)在韓國(guó)主流手機(jī)制造商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成了驗(yàn)證。lpddr5是長(zhǎng)存儲(chǔ)針對(duì)中高端移動(dòng)機(jī)器市場(chǎng)推出的產(chǎn)品,市場(chǎng)化將進(jìn)一步完善長(zhǎng)存儲(chǔ)dram半導(dǎo)體產(chǎn)品配置。
2023-11-29 09:31:102769

長(zhǎng)存儲(chǔ)推出自主研發(fā)的LPDDR5 DRAM存儲(chǔ)芯片

長(zhǎng)12GB LPDDR5芯片由8個(gè)12Gb顆粒封裝,這是長(zhǎng)存儲(chǔ)首款采用層疊封裝(Package on Package)的芯片產(chǎn)品。
2023-11-29 11:11:332566

國(guó)內(nèi)首家!長(zhǎng)存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)DDR5零突破

與上一代LPDDR4X相比,長(zhǎng)存儲(chǔ)LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%,分別達(dá)到12Gb和6400Mbps,同時(shí)功耗降低30%。長(zhǎng)存儲(chǔ)LPDDR5芯片加入了RAS功能,通過(guò)內(nèi)置糾錯(cuò)碼(On-die ECC)等技術(shù),實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)糾錯(cuò),減少系統(tǒng)故障,確保數(shù)據(jù)安全,增強(qiáng)穩(wěn)定性。
2023-11-30 17:39:062775

長(zhǎng)存儲(chǔ)取得時(shí)鐘信號(hào)生成技術(shù)專(zhuān)利

據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告,長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司取得一項(xiàng)名為“時(shí)鐘信號(hào)生成電路、方法及存儲(chǔ)器”的專(zhuān)利,授權(quán)公告號(hào)CN116631469B,申請(qǐng)日期為2023年7月。
2023-12-04 10:03:441191

重大突破!首款國(guó)產(chǎn)LPDDR5存儲(chǔ)芯片來(lái)了,容量、速率均提升50%

LPDDR5芯片目前已在國(guó)內(nèi)主流手機(jī)廠(chǎng)商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成驗(yàn)證。LPDDR5是長(zhǎng)存儲(chǔ)面向中高端移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)推出的產(chǎn)品,它的市場(chǎng)化落地將進(jìn)一步完善長(zhǎng)存儲(chǔ)DRAM芯片的產(chǎn)品布局。 其中,12GB
2023-12-13 11:12:081383

長(zhǎng)科技融資108億元!增資助推DRAM業(yè)務(wù)騰飛,估值達(dá)1400億元

本輪所有投資人均以相同條款及價(jià)格,與長(zhǎng)科技、上述三個(gè)早期股東簽署增資協(xié)議,并將簽署《關(guān)于長(zhǎng)科技集團(tuán)股份有限公司之股東協(xié)議》,共同參與長(zhǎng)科技增資事項(xiàng)。
2024-03-30 14:48:504668

兆易創(chuàng)新: 擬15億元對(duì)長(zhǎng)科技增資,深化DRAM業(yè)務(wù)合作

1.88%股權(quán)。 兆易創(chuàng)新表示,本次對(duì)長(zhǎng)科技投資,有利于加深雙方戰(zhàn)略合作關(guān)系,發(fā)揮在代工產(chǎn)能和技術(shù)優(yōu)勢(shì)等方面的產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同,通過(guò)強(qiáng)化協(xié)同聯(lián)動(dòng),在存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)領(lǐng)域持續(xù)深化合作,實(shí)現(xiàn)互利共贏(yíng)。長(zhǎng)科技本輪融資完成后,將繼續(xù)推進(jìn)產(chǎn)
2024-04-02 15:27:351710

DRAM芯片的基本結(jié)構(gòu)

如果內(nèi)存是一個(gè)巨大的矩陣,那么DRAM芯片就是這個(gè)矩陣的實(shí)體化。如下圖所示,一個(gè)DRAM芯片包含了8個(gè)array,每個(gè)array擁有1024行和256列的存儲(chǔ)單元。
2024-07-26 11:41:302710

長(zhǎng)迅速擴(kuò)產(chǎn) 引發(fā)韓國(guó)業(yè)界及媒體關(guān)注

來(lái)源:銳芯聞 據(jù)韓國(guó)媒體 ZDNet Korea 報(bào)道,CXMT(長(zhǎng)存儲(chǔ)科技)等中國(guó)內(nèi)存制造商正在積極擴(kuò)大生產(chǎn),可能會(huì)對(duì)DRAM市場(chǎng)的盈利產(chǎn)生影響。據(jù)說(shuō)三星和 SK 海力士都在密切關(guān)注這些事態(tài)發(fā)展
2024-09-11 12:11:56993

萬(wàn)里紅入選《2024中國(guó)數(shù)字安全新質(zhì)百?gòu)?qiáng)》榮膺“領(lǐng)先者

近日,國(guó)內(nèi)數(shù)字化產(chǎn)業(yè)第三方調(diào)研與咨詢(xún)機(jī)構(gòu)數(shù)世咨詢(xún)正式發(fā)布了萬(wàn)里紅參編的《數(shù)字安全藍(lán)皮書(shū):本質(zhì)屬性與重要特征》(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“藍(lán)皮書(shū)”)以及《2024中國(guó)數(shù)字安全新質(zhì)百?gòu)?qiáng)》(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“報(bào)告”)。萬(wàn)里紅憑借在數(shù)字安全領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新力及市場(chǎng)影響力入選百?gòu)?qiáng)報(bào)告“實(shí)力百?gòu)?qiáng)·領(lǐng)先者”。
2024-09-14 17:40:122124

今日看點(diǎn):長(zhǎng)存儲(chǔ)官宣發(fā)布LPDDR5X,蘋(píng)果自研 5G 芯片 C2 曝光

? 長(zhǎng)存儲(chǔ)官宣發(fā)布LPDDR5X 據(jù)長(zhǎng)存儲(chǔ)官方網(wǎng)站信息更新,長(zhǎng)存儲(chǔ)已正式推出LPDDR5X產(chǎn)品,最高速率達(dá)到10667Mbps。據(jù)官網(wǎng)產(chǎn)品信息介紹,“LPDDR5/5X 是第五代超低功耗雙倍
2025-10-30 09:53:28937

公布最新技術(shù)路線(xiàn)圖!長(zhǎng)存儲(chǔ)計(jì)劃再建兩座 DRAM 晶圓廠(chǎng)

據(jù)報(bào)道,長(zhǎng)存儲(chǔ)技術(shù)有限公司(CXMT)公布了最新的DRAM技術(shù)路線(xiàn)圖,從其路線(xiàn)規(guī)劃來(lái)看,其研發(fā)的產(chǎn)品線(xiàn)包括 DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5、GDDR6, 雖然未公布具體時(shí)間節(jié)點(diǎn)
2019-12-03 18:18:1323542

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片新格局:2020年真正實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)!

價(jià)格一路走跌, 2019 年底稍有回暖跡象。 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片在剛剛過(guò)去的 2019 年成長(zhǎng)顯著,兆易創(chuàng)新受益于 TWS 業(yè)績(jī)一路攀升,長(zhǎng)江存儲(chǔ) 64 層 256 Gb 3D NAND 量產(chǎn),長(zhǎng)存儲(chǔ) 10
2020-01-06 08:30:0026712

國(guó)產(chǎn)內(nèi)存條量產(chǎn),DRAM芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展提速!

近兩年,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,包括NANDFLASH和DRAM。去年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)相繼宣布64層3DNAND量產(chǎn)、DDR4內(nèi)存芯片量產(chǎn),實(shí)現(xiàn)從0到1的突破。 今年,基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層
2020-07-14 09:26:5712533

長(zhǎng)科創(chuàng)板IPO受理:四季度有望爆賺95億,營(yíng)收或高達(dá)580億!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)終于!國(guó)內(nèi)DRAM龍頭長(zhǎng)科技在2025年的尾巴向上交所遞交招股書(shū),擬在科創(chuàng)板掛牌上市。成立于2016年的長(zhǎng)專(zhuān)注于DRAM存儲(chǔ)芯片的全產(chǎn)業(yè)鏈布局,填補(bǔ)了中國(guó)大陸本土
2026-01-01 04:09:009251

已全部加載完成