報價。SK海力士、三星電子等諸多廠商的業(yè)績也是屢創(chuàng)新高。多家機構(gòu)預測存儲漲價形勢將延續(xù)到第四季度甚至明年。 ? 漲價形勢 ? 據(jù)韓媒報道，三星電子近日通知主要客戶，將在第四季度上調(diào)產(chǎn)品合約交易（大宗）價格，其中DRAM上漲15%-30%，NAND上漲5
2025-10-10 08:28:00
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? ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）邊緣AI需要更快更大容量的存儲，為了突破接口速率、物理距離等因素，適用于AI推理的新型存儲技術(shù)受到更多的關(guān)注。華邦電子的CUBE、兆易創(chuàng)新的堆疊存儲，以及北京君
2025-09-08 06:05:0011620 
英尚代理的恒爍半導體NOR FLASH存儲器，具備通用SPI接口，覆蓋廣泛的工作電壓與容量選項，為各類嵌入式系統(tǒng)提供可靠的非易失性存儲支持。該系列包括適用于1.8V低電壓環(huán)境的ZB25LD
2026-01-05 16:11:0136 AI(人工智能)極大地增加了物聯(lián)網(wǎng)邊緣的需求。為了滿足這種需求，Etron公司推出了世界上第一款扇入式晶圓級封裝的DRAM——RPC DRAM?支持高帶寬和更小的尺寸。憑借RPC DRAM的性價比和低功耗優(yōu)勢，創(chuàng)新型DRAM是許多可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備上的微型人工智能相機中使用的理想存儲器。
2026-01-05 14:29:3728 AI的飛速發(fā)展，正成為驅(qū)動全球存儲市場增長的核心動力，市場對DRAM、NAND到SSD/ HDD的存儲全棧需求持續(xù)激增。
2025-12-29 10:45:43538 
DRAM 被組織成層次化的陣列，總共由數(shù)十億個 DRAM 單元組成，每個單元存儲一位數(shù)據(jù)。
2025-12-26 15:10:02647 
eMMC全稱為 embedded Multi Media Card，主要用于非易失性存儲，它彌補了 FPGA 芯片自身存儲能力的不足，為 FPGA 提供一個高集成度、大容量、低成本、且易于使用的“硬盤”或“固態(tài)硬盤”解決方案。
2025-12-23 14:19:283972 
全球存儲解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)Kioxia Corporation今日宣布，已研發(fā)出具備高堆疊性的氧化物半導體溝道晶體管技術(shù)，該技術(shù)將推動高密度、低功耗3D DRAM的實際應(yīng)用。這項技術(shù)已于12月
2025-12-16 16:40:501027 在存儲技術(shù)快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機存取存儲器）以其獨特的性能，逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來存儲數(shù)據(jù)，兼具高速、耐用與非易失性特點。
2025-12-15 14:39:04242 把時間撥回到上世紀80年代，個人PC的興起對存儲技術(shù)提出了全新要求，也預示著一場深刻變革的到來。當時間演進至1988年，在存儲技術(shù)的關(guān)鍵分水嶺上，“高密度非易失性存儲”正從實驗室走向產(chǎn)業(yè)化的前沿。也
2025-12-11 08:58:591394 
示波器與探頭的組合是電子測量核心，其兼容性直接決定信號采集真實性與測量精度。多品牌共存場景下，跨品牌搭配已成常態(tài)，但接口失配、參數(shù)沖突易導致測量失真或設(shè)備損壞。本文從兼容性核心要素出發(fā)，拆解判定邏輯
2025-12-08 16:13:05235 
在電子設(shè)備設(shè)計中，數(shù)據(jù)存儲是一個關(guān)鍵環(huán)節(jié)，EEPROM（電可擦可編程只讀存儲器）因其非易失性和可重復編程的特性，成為了眾多應(yīng)用的理想選擇。今天，我們就來深入探討 ON Semiconductor
2025-12-05 15:12:42439 
在內(nèi)存技術(shù)持續(xù)革新的今天，SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）和DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）依然是計算系統(tǒng)中最核心的存儲組件。盡管出現(xiàn)了MRAM、ReRAM等新興存儲方案，但二者憑借成熟的設(shè)計與明確
2025-12-02 13:50:46868 在當今高速發(fā)展的3C領(lǐng)域（計算機外設(shè)、通信及消費電子），對存儲器的性能與功耗提出了更高要求。DRAM動態(tài)隨機存取存儲器作為核心存儲部件，其性能表現(xiàn)直接影響設(shè)備整體效能。Etron憑借其活緩沖DRAM
2025-12-01 13:42:00253 近日，易華錄研發(fā)的“全場景磁光電融合智能分級存儲系統(tǒng)”成功入選《2025年度全球計算產(chǎn)業(yè)應(yīng)用案例匯編》，為全球數(shù)據(jù)存儲行業(yè)提供了創(chuàng)新解決方案。
2025-11-27 17:40:10588 在存儲技術(shù)快速演進的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機存取存儲器）的新型非易失存儲器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過“自旋電流”技術(shù)實現(xiàn)了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35244 在嵌入式存儲應(yīng)用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機存儲器技術(shù)的代表，Everspin磁性隨機存儲器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41146 Ω。
TPL0102配備非易失性存儲器（EEPROM），可用于存儲擦刷 位置。這很有好處，因為雨刷位置即使在斷電時也會被存儲，且 開機后會自動恢復?？梢栽L問TPL0102的內(nèi)部寄存器 使用 I^2^C接口。
2025-11-19 11:33:38623 
DRAM利用電容存儲數(shù)據(jù)，由于電容存在漏電現(xiàn)象，必須通過周期性刷新來維持數(shù)據(jù)。此外，DRAM采用行列地址復用設(shè)計，提高了存儲密度，但增加了控制復雜性。它廣泛用于大容量、低成本存儲場景，如計算機內(nèi)存。
2025-11-18 11:49:00477 ，都屬于集成電路里的核心成員。要是按“斷電后數(shù)據(jù)能不能留在器件里”來分，存儲芯片能分成易失性和非易失性兩種。易失性存儲芯片就像電腦的內(nèi)存（像SRAM、DRAM這類
2025-11-17 16:35:402722 
EEPROM是一項成熟的非易失性存儲（NVM）技術(shù)，其特性對當今尖端應(yīng)用的發(fā)展具有非常重要的意義。意法半導體（ST）是全球EEPROM芯片知名廠商和存儲器產(chǎn)品和工藝創(chuàng)新名企之一，其連接安全產(chǎn)品部綜合
2025-11-17 09:30:101633 PSRAM（偽靜態(tài)隨機存儲器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲器。它既保留了SRAM無需復雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢。這種獨特的設(shè)計使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2025-11-11 11:39:04497 地上傳至主站。以下是具體實現(xiàn)邏輯： 一、暫態(tài)數(shù)據(jù)的本地存儲機制 非易失性存儲介質(zhì) 裝置內(nèi)置工業(yè)級存儲模塊（如 SD 卡、eMMC 閃存或固態(tài)硬盤），容量通常為 8GB~64GB，可支持連續(xù)存儲數(shù)周的高頻暫態(tài)數(shù)據(jù)。例如，某高精度裝置以
2025-11-09 16:43:521103 創(chuàng)飛芯作為國內(nèi)一站式非易失存儲 IP 供應(yīng)商 ，獨立開發(fā)存儲 IP 及 IC ，為客戶提供一站式定制服務(wù)，擁有多項國內(nèi)外發(fā)明專利。
2025-10-30 16:51:43807 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實現(xiàn)了高速、可靠與長壽命的統(tǒng)一，是存儲技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44411 、能耗、性能和可靠性方面面臨日益嚴格的要求。今天，我們將從設(shè)計到出廠的全流程切入，深入剖析存儲芯片（如 DRAM、NAND Flash）制造的制程原理、關(guān)鍵技術(shù)與挑戰(zhàn)。 一、設(shè)計階段：從概念到版圖 # 1. 架構(gòu)與工藝節(jié)點選擇 DRAM ：以 1T1
2025-10-24 08:42:00852 PSRAM之所以被稱為"偽靜態(tài)"存儲器，主要是因為其采用類SRAM的接口協(xié)議：只需要提供地址和讀寫命令就可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)存取，無需像傳統(tǒng)DRAM一樣需要內(nèi)存控制器定期刷新數(shù)據(jù)單元。
2025-10-23 14:29:00296 一次性可編程（OTP）非易失性存儲器問世已久。與其他非易失性存儲技術(shù)相比，OTP的占用面積更小，且無需額外的制造工序，因此成為存儲啟動代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門選擇。盡管聽起來簡單，但隨著人工智能（AI）的大規(guī)模部署和對更先進技術(shù)的需求日益增長，平衡OTP的各項需求變得極具挑戰(zhàn)性。
2025-10-21 10:38:111440 
鍵技術(shù)的特點與價值。 Q1：什么是DRAM緩存，它在SSD中起什么作用？ DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）在固態(tài)硬盤中扮演著"高速緩沖區(qū)"的角色。具體到天碩G55 Pro M.2 NVMe工業(yè)級SSD，其DRAM緩存主要承擔兩項關(guān)鍵任務(wù)：存儲FTL映射表和管理數(shù)據(jù)傳輸?shù)呐R
2025-10-20 17:59:28655 
近日，兆易創(chuàng)新（GigaDevice）與南京南瑞繼保電氣有限公司（以下簡稱“南瑞繼?！保┻_成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。此舉旨在充分聚合雙方優(yōu)勢，將兆易創(chuàng)新在國產(chǎn)MCU、存儲及模擬器件領(lǐng)域的產(chǎn)品技術(shù)經(jīng)驗，與南
2025-10-14 18:05:52718 CMOS bq3285E/L 是一款低功耗微處理器外設(shè)，提供時間時鐘和 100 年日歷，具有鬧鐘功能和電池供電功能。bq3285L 支持 3V 系統(tǒng)。bq3285E/L 的其他特性包括三個可屏蔽中斷源、方波輸出和 242 字節(jié)的通用非易失性存儲。
2025-09-23 10:40:06698 
兆易創(chuàng)新NOR Flash以其高速讀取、車規(guī)級可靠性和XIP技術(shù)，為車載導航系統(tǒng)提供快速啟動、實時數(shù)據(jù)存儲和完整路徑規(guī)劃支持，顯著提升系統(tǒng)響應(yīng)速度和數(shù)據(jù)安全性。
2025-09-23 09:22:003759 
博維邏輯MC62W12816是一款2M低功耗SRAM，采用55ns高速訪問設(shè)計，為VR設(shè)備提供高性能非易失性存儲解決方案，顯著提升圖像處理與數(shù)據(jù)讀寫效率。
2025-09-22 09:55:00525 
NAND Flash是什么？NAND Flash（閃存）是一種非易失性存儲器技術(shù)，主要用于數(shù)據(jù)存儲。與傳統(tǒng)的DRAM或SRAM不同，NAND Flash在斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它通過電荷的存儲與釋放來實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲。
2025-09-08 09:51:206272 
科技云報到：西湖大學、智元機器人都選它，存儲成為AI下一個風口
2025-09-03 11:24:35568 功能，并展示如何利用它提升營銷效果。通過本文，您將學會如何通過數(shù)據(jù)驅(qū)動的方法，讓您的店鋪會員營銷更高效、更個性化。 一、什么是蘇寧易購API？ API是應(yīng)用程序接口的縮寫，它允許不同軟件系統(tǒng)之間進行數(shù)據(jù)交換和功能調(diào)用。蘇寧易
2025-08-29 11:01:30577 
的高速度、NAND的非易失性以及低能耗特性。IQE公司成功將Quinas創(chuàng)始人在蘭卡斯特大學首次開發(fā)的化合物半導體層技術(shù)擴展到工業(yè)化工藝。這個為期一年的項目開發(fā)了先進的銻化鎵和銻化鋁外延技術(shù)，被譽為可擴展
2025-08-29 09:22:436365 
珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司在非易失性存儲技術(shù)領(lǐng)域再獲突破——基于40nm標準工藝平臺開發(fā)的eNT嵌入式eFlash IP已通過可靠性驗證！這一成果進一步展現(xiàn)了創(chuàng)飛芯科技有限公司在先進工藝節(jié)點上的技術(shù)實力與工程化能力。
2025-08-14 11:52:592247 的Agilent 34401A萬用表為基礎(chǔ)設(shè)計而成。它具有 34410A 的全部特性，以及 50000 讀數(shù)/秒、1M 易失性存儲器、模擬觸發(fā)電平調(diào)節(jié)和可編程的前觸發(fā)/后觸發(fā)等特性。 安捷
2025-08-13 16:31:16787 
在芯片工藝不斷演進的今天，材料的物理特性與器件層面的可靠性測試正變得前所未有的重要。近日，在泰克云上大講堂關(guān)于《芯片的物理表征和可靠性測試》的直播中，大家就新型存儲技術(shù)、先進材料電學表征等話題展開了熱烈討論。相變存儲作為新一代非易失性存儲的代表，其器件性能的測試與優(yōu)化自然也成為了焦點之一。
2025-08-11 17:48:371171 
NAND閃存芯片是一種非易失性存儲技術(shù)，廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中。以下是其核心功能、特點和應(yīng)用場景的詳細分析： 1. 核心功能 數(shù)據(jù)存儲：以電信號形式長期保存數(shù)據(jù)，斷電后數(shù)據(jù)不丟失。 快速讀寫：支持
2025-08-11 10:43:441645 在存儲芯片（DRAM/NAND）制造中，晶圓劃片是將整片晶圓分割成單個芯片（Die）的關(guān)鍵后道工序。隨著芯片尺寸不斷縮小、密度持續(xù)增加、晶圓日益變?。ㄓ绕鋵τ诟呷萘?DNAND），傳統(tǒng)劃片工藝帶來
2025-08-08 15:38:061026 
在計算機和嵌入式系統(tǒng)中，各種存儲技術(shù)扮演著不同的角色，它們的性能特點和應(yīng)用場景各不相同。很多人對DRAM、SRAM、HBM、ROM、NOR Flash、NAND Flash、eMMC、UFS 等術(shù)語
2025-07-24 11:34:542490 HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）。其核心設(shè)計是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122949 在AIoT技術(shù)快速演進的時代背景下，AI IPC行業(yè)正在經(jīng)歷前所未有的技術(shù)變革。作為中國存儲芯片行業(yè)的領(lǐng)軍者，兆易創(chuàng)新憑借其在NOR/NAND Flash領(lǐng)域二十年的技術(shù)沉淀和持續(xù)創(chuàng)新，正為AI
2025-07-14 09:40:521907 
制程升級推動下，DDR4減產(chǎn)與DDR5產(chǎn)能升級的窗口期疊加，行業(yè)正面臨結(jié)構(gòu)性變革。在轉(zhuǎn)型期存儲廠商需平衡新舊技術(shù)銜接：既要保障存量設(shè)備穩(wěn)定運行，又要加速DRAM新架構(gòu)產(chǎn)
2025-07-09 11:11:241702 
。 ? 企業(yè)級SSD的核心部件示意圖 ? 主控芯片（控制大腦） 控制數(shù)據(jù)讀寫，直接決定SSD 的性能、可靠性固件（操作系統(tǒng)） 確保SSD高效穩(wěn)定運行 NAND Flash、DRAM（存儲介質(zhì)） NAND Flash是主要存儲介質(zhì)，用于存儲用戶數(shù)據(jù)；DRAM提供數(shù)據(jù)緩存 。 ? 企業(yè)級SSD總線? ? 總線是
2025-07-06 05:34:006821 
。 ? 半導體存儲器按照斷電后數(shù)據(jù)是否繼續(xù)保存，可分為易失性(Volatile)存儲和非易失性(Non-Volatile)存儲。利基型DRAM屬于易失性存儲，NOR?Flash、SLC?NAND?Flash屬于非
2025-06-29 06:43:001768 
，是信息時代的基石。
2. 核心分類：斷電后數(shù)據(jù)還在嗎？
這是最根本的分類依據(jù)：
易失性存儲器：斷電后數(shù)據(jù)立刻消失。
特點：速度快，通常用作系統(tǒng)運行的“工作臺”。
代表：DRAM (動態(tài)隨機存取存儲
2025-06-24 09:09:39
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2025-06-20 17:42:06
貞光科技作為業(yè)內(nèi)知名的車規(guī)及工業(yè)元器件供應(yīng)商，現(xiàn)已成為紫光國芯存儲芯片的授權(quán)代理商。在半導體存儲芯片國產(chǎn)化的關(guān)鍵時期，這一合作為推動DRAM等關(guān)鍵器件的國產(chǎn)替代開辟了新的渠道。紫光國芯在存儲芯片領(lǐng)域
2025-06-13 15:41:271298 
國內(nèi)領(lǐng)先的一站式存儲NVM IP供應(yīng)商創(chuàng)飛芯在非易失性存儲技術(shù)領(lǐng)域取得的一項重要成果 —— 基于130nm標準工藝平臺開發(fā)，為客戶定制開發(fā)的EEPROM IP，已順利通過客戶全流程的PVT測試
2025-06-12 17:42:071062 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，基于產(chǎn)品和市場特性，DRAM可分為主流DRAM和利基DRAM。主流DRAM產(chǎn)品具有大容量、高傳輸速率的特點，主要應(yīng)用于智能手機、個人計算機、服務(wù)器等大規(guī)模標準化電子設(shè)備。其市場
2025-06-07 00:01:004203 
劃片機（DicingSaw）在半導體制造中主要用于將晶圓切割成單個芯片（Die），這一過程在內(nèi)存儲存卡（如NAND閃存芯片、SSD、SD卡等）的生產(chǎn)中至關(guān)重要。以下是劃片機在存儲芯片制造中的關(guān)鍵
2025-06-03 18:11:11843 
14FLASHFLASH的工作原理與應(yīng)用OWEIS1什么是FLASH?Flash閃存是一種非易失性半導體存儲器，它結(jié)合了ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機訪問存儲器）的優(yōu)點，具有電子可擦除和可編程
2025-05-27 13:10:411722 
DS4520是9位非易失(NV) I/O擴展器，具有通過I2C兼容的串行接口控制的64字節(jié)NV用戶存貯器。與用來控制數(shù)字邏輯節(jié)點的硬件跳線和機械開關(guān)相比，DS4520為用戶提供了數(shù)字可編程的替代方案
2025-05-26 15:41:31457 
DS4510是CPU監(jiān)控電路，具有內(nèi)部集成的64字節(jié)EEPROM存儲器和四個可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業(yè)標準I2C接口，使用快速模式(400kbps)或標準模式(100kbps
2025-05-26 10:13:41748 
DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機械開關(guān)，實現(xiàn)對數(shù)
2025-05-26 09:50:50683 
、DRAM、嵌入式存儲等領(lǐng)域布局各具特色，推動國產(chǎn)替代提速。貞光科技代理的品牌紫光國芯，專注DRAM技術(shù)，覆蓋嵌入式存儲與模組解決方案，為多領(lǐng)域客戶提供高可靠性產(chǎn)品
2025-05-12 16:01:114743 
DS3911是一款4通道、10位Σ-Δ輸出、非易失(NV)控制器，內(nèi)置溫度傳感器和相應(yīng)的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。集成溫度傳感器提供分辨率為2°C的NV查找表(LUT)索引，溫度范圍為-40°C至
2025-05-12 09:41:29713 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）高帶寬存儲HBM因數(shù)據(jù)中心、AI訓練而大熱，HBM三強不同程度地受益于這一存儲產(chǎn)品的營收增長，甚至就此改變了DRAM市場的格局。根據(jù)CFM閃存市場的分析數(shù)據(jù)，2025年
2025-05-10 00:58:008822 與指令執(zhí)行，速度最快（納秒級），但容量極小（通常為KB級）。 功能?： 存儲臨時操作數(shù)、地址指針及狀態(tài)標志。 支持低延遲的數(shù)據(jù)處理，確保實時控制類任務(wù)的高效執(zhí)行。 二、片上SRAM層（高速易失存儲） 定位?：CPU主內(nèi)存，用于存儲運行時變量、
2025-05-09 10:21:09618 實現(xiàn)這些系統(tǒng)功能的關(guān)鍵基石。 在電子發(fā)燒友網(wǎng)《人形機器人的電機控制和傳感器》專題中，兆易創(chuàng)新微處理器事業(yè)部產(chǎn)品市場總監(jiān)陳思偉表示，兆易創(chuàng)新憑借在存儲、MCU 及模擬芯片領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累，構(gòu)建起了覆蓋 GD32 MCU、Flash、利基型
2025-05-07 11:08:332272 
一季度在AI服務(wù)器保持穩(wěn)健推動對服務(wù)器DRAM需求，PC和移動需求復蘇力度也較預期更為明顯，此外疊加關(guān)稅觸發(fā)的部分補庫存需求的共同影響下，2025年一季度整體表現(xiàn)優(yōu)于預期，全球DRAM市場規(guī)模同比
2025-05-06 15:50:231210 
、工業(yè)控制等領(lǐng)域。兆易創(chuàng)新存儲器事業(yè)部市場總監(jiān)薛霆在接受電子發(fā)燒友網(wǎng)記者采訪時表示，隨著AI硬件爆發(fā)和新能源汽車智能化加速，高可靠性、高性能存儲芯片的需求正迎來新一輪增長。今年的SPI NOR Flash市場前景看好。 ? 兆易創(chuàng)新存儲器事業(yè)部市場總監(jiān)薛霆 AI 終端與服
2025-04-23 11:12:543405 
UV-EPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法，閃速存儲器的結(jié)構(gòu)與使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法， 特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法 ，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-04-16 16:04:56
eMMC（Embedded Multi Media Card）是一種專為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計的非易失性存儲解決方案，它將NAND閃存、主控芯片和接口協(xié)議封裝在一個BGA（Ball Grid Array
2025-04-14 00:00:004127 
非易失性存儲器（NVM）芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中，從智能手機、個人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng)，都是不可或缺的關(guān)鍵組件，它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性，還極大地增強了系統(tǒng)的整體性能。此外，為了滿足
2025-04-10 14:02:241333 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，RRAM（阻變存儲器）存儲是一種新興的非易失性存儲技術(shù)，它基于材料的電阻變化來存儲數(shù)據(jù)。其存儲單元通常由兩個電極和中間的阻變材料組成。當在電極上施加一定的電壓脈沖時，阻變材料
2025-04-10 00:07:002088 芯片燒錄領(lǐng)導者昂科技術(shù)近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型號。在此次更新中，恒爍半導體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ16CS已被昂科燒錄程序芯片燒錄設(shè)備
2025-04-09 15:22:11735 
一、什么是飛易云平臺 飛易云平臺是一個基于物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的云平臺,經(jīng)過軟硬件結(jié)合，用戶可以通過平臺進行設(shè)備定位管理、數(shù)據(jù)傳輸，商品廣告展示等可視化操作。它的優(yōu)勢為平臺操作簡單，能夠提高效率，節(jié)約
2025-03-28 15:28:37684 
，又可再對它寫入，為可讀/寫存儲器， 或隨機訪問存儲器。? 易失性
p 若存儲器在斷電之后，仍能保存其中的內(nèi)容，則稱為非易失性存儲器；否則，為易失性存儲器；
p 只讀存儲器（ROM）是非易失性的，隨機
2025-03-26 11:12:24
非易失存儲：斷電后數(shù)據(jù)不丟失 可重復編程：支持擦寫操作（需先擦除后寫入） 二進制操作：擦除后全為 1，寫操作將 1 變?yōu)?0 核心差異 一、物理結(jié)構(gòu)對比 NOR 特性 獨立存儲單元并聯(lián)架構(gòu) 支持隨機
2025-03-18 12:06:501167 NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機存儲中，具有高速讀寫和耐用性強的特點。
2025-03-12 10:21:145318 
無感直流BLDC，大占空比情況下失步問題
2025-03-11 08:00:38
比特的用戶閃存模塊（UFM）用于非易失性存儲多電壓核心使能，可將外部電源電壓設(shè)為 3.3V、2.5V 或 1.8V多電壓 I/O 接口，支持 3.3V、2.5V、1
2025-03-07 15:19:03
本書主要介紹了UV-EPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法，閃速存儲器的結(jié)構(gòu)和使用方法，EEPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法， SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法，
2025-03-07 10:52:47
本文要點提示：? ? ? ? ?? 1. DRAM 的工作原理圖文解說，包括讀寫以及存儲；? ? ? ? ? 2. 揭秘DRAM便宜但SRAM貴之謎。? ? ?? 內(nèi)存應(yīng)該是每個硬件工程師都繞不開
2025-03-04 14:45:072242 
存儲產(chǎn)品千千萬，選來選去怎么辦？ 戴小編來獻妙策，匹配需求不為難！分布式存儲和集中式儲是存儲系統(tǒng)中十分重要的兩種架構(gòu)類型，但這兩者有何區(qū)別？適合怎樣的業(yè)務(wù)需求？今天戴小編就來一一解答。
2025-02-28 10:56:242521 MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標準（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器。它還會持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護。當電源開始出現(xiàn)故障時，RAM受到寫保護，并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16917 
帶鋰電池監(jiān)控器的DS1321靈活非易失性控制器是一款CMOS電路，解決了將CMOS SRAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當檢測到這種情況時，芯片使能輸出會被
2025-02-28 10:00:43985 
帶電池監(jiān)控器的DS1314非易失性控制器是一個CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當檢測到這種情況時，芯片使能會被禁止以實現(xiàn)
2025-02-28 09:53:17806 
帶電池監(jiān)控器的DS1312非易失性控制器是一個CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當檢測到這種情況時，芯片使能會被禁止以實現(xiàn)
2025-02-28 09:48:45744 
DS1557是一款全功能、符合-2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監(jiān)控器和512k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1557內(nèi)所有
2025-02-27 17:11:32932 
DS1554是一款全功能、符合2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監(jiān)控器和32k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1554內(nèi)所有
2025-02-27 16:54:351041 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54819 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09949 
應(yīng)用市場疲軟的影響下，四季度DRAM和NAND Flash市場表現(xiàn)已經(jīng)出現(xiàn)了明顯分化。 站在現(xiàn)階段的時間節(jié)點，存儲市場的供需關(guān)系再度站上十字路口。 在1Q25存儲行情全面下行的情況下，下半年需求市場的預期回暖能否如期發(fā)生，存儲價格究竟何時企穩(wěn)？而又隨著供應(yīng)減產(chǎn)，是按需備貨還
2025-02-21 16:00:361308 
特點4Gb雙數(shù)據(jù)速率3（DDR3（L））DRAM是一種高速CMOS SDRAM，包含4294967296位。它內(nèi)部配置為八進制存儲體DRAM。4Gb芯片由64Mbit x 8 I/O x 8存儲體
2025-02-20 11:44:07
可達90 MB/s?STR和DTR支持的協(xié)議——擴展I/O協(xié)議——雙I/O協(xié)議——四I/O協(xié)議?就地執(zhí)行（XIP）?程序/擦除暫停操作?易失性和非易失性配置設(shè)置?軟
2025-02-19 16:15:14
未來發(fā)展趨勢。 DRAM 介紹 動態(tài)隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，縮寫為 DRAM）是一種易失性存儲設(shè)備。這意味著，一旦停止供電，它所存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。DRAM 的工作原理依賴于電容器來保存電荷，以此記錄數(shù)據(jù)。然而，電容器中的電荷會
2025-02-14 10:24:401444 
MT48LC4M32B2P-6A:L是一款高性能的動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），由MICRON制造，專為滿足各種電子設(shè)備的內(nèi)存需求而設(shè)計。該產(chǎn)品具備出色的存儲性能和穩(wěn)定性，適用于多種應(yīng)用場景。目前
2025-02-14 07:28:17
器? ? 非易失性存儲器是一種應(yīng)用于計算機及智能手機等設(shè)備中的存儲裝置（存儲器），在沒有外部電源提供的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。 現(xiàn)今的計算機中央處理器（CPU：Central Processing Unit）中，直接、高速處理的數(shù)據(jù)通常保存在易失性存儲器中（
2025-02-13 12:42:142470 
)的性能，并顯著降低生成式人工智能系統(tǒng)對DRAM的需求。 Kioxia的AiSAQ?軟件采用了專為SSD優(yōu)化的新型“近似最近鄰”搜索(ANNS)算法。該算法通過直接在SSD上進行搜索，無需將索引數(shù)據(jù)存儲
2025-02-10 11:21:471054 半導體（STMicroelectronics）推出的一款高性能 EEPROM 存儲器，具有 16 Kbit 的存儲容量，專為需要非易失性存儲的應(yīng)用設(shè)計。這款器件采
2025-02-10 07:41:41
近日，據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報告指出，DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場近期均呈現(xiàn)出低迷的走勢。 特別是在DRAM市場方面，春節(jié)長假過后，消費者對于DRAM的需求并未如預期
2025-02-06 14:47:47930 在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天，閃速存儲器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成為數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的重要成員。而U盤，作為閃速存儲器的一種常見應(yīng)用形式，更是憑借其便攜性和易用性，在
2025-01-29 15:12:001449 在此次更新中，恒爍半導體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ32DS已被昂科的程序燒錄專業(yè)芯片燒錄設(shè)備AP8000所支持。昂科技術(shù)自主研發(fā)的AP8000萬用燒錄器，支持包括一拖一及一拖八配置
2025-01-17 09:30:20872 
有人用過數(shù)字電位器TPL0501-100么？器件比較中說它采用的是易失性存儲介質(zhì)，但是datasheet中關(guān)于這點只字未提，不知道上電后，它的抽頭到一端的電阻是多少？
2025-01-14 08:37:07
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