9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 國(guó)內(nèi)企業(yè)方面長(zhǎng)江存儲(chǔ)和合肥長(zhǎng)鑫兩個(gè)重大項(xiàng)目的投產(chǎn)，無(wú)疑為其他存儲(chǔ)器企業(yè)增添了信心。東芝存儲(chǔ)收購(gòu)臺(tái)灣光寶SSD業(yè)務(wù)，美光在新加坡閃存廠建立，恢復(fù)向華為供貨，三星和SK也推出了新品。
2019-10-03 08:46:0014195 Micron公司最近推出了第一款QLC閃存產(chǎn)品，為NAND閃存市場(chǎng)又增添一位成員。而英特爾公司也計(jì)劃在2018年下半年推出其首款QLC閃存產(chǎn)品。
2018-06-14 08:55:2619802 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:293528 作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-04-13 14:30:551874 近日，《自然》雜志上發(fā)表了關(guān)于谷歌 DeepMind 使用 AI 診斷眼疾實(shí)現(xiàn)重大突破的文章。結(jié)果顯示，在 997 例患者的掃描測(cè)試中，DeepMind 的算法優(yōu)于英國(guó)莫菲爾眼科醫(yī)院
2018-08-15 11:01:51
，在本次峰會(huì)上介紹了其突破性的技術(shù)-Xtacking，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧先生表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)創(chuàng)新Xtacking在容量、性能、周期上具有突出的表現(xiàn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D技術(shù)從9層開始，到32層，再到64層試片
2018-09-20 17:57:05
什么是QLC？QLC的出現(xiàn)是不是意味著SSD性能在倒退？QLC閃存會(huì)取代TLC、MLC嗎？
2021-06-18 06:27:34
什么是SOI技術(shù)？在實(shí)現(xiàn)CAN收發(fā)器EMC優(yōu)化方面有哪些重大突破？
2021-05-10 06:42:44
用變址尋址原理突破EEPROM存儲(chǔ)器的擦寫壽命極限
2021-03-18 06:00:25
據(jù)新華社等多家媒體報(bào)道！暢能達(dá)科技實(shí)現(xiàn)散熱技術(shù)重大突破
由 廣東暢能達(dá)科技發(fā)展有限公司 自主研發(fā)的高熱流密度散熱相變封裝基板，其散熱性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)現(xiàn)有的金剛石鋁和金剛石銅。該技術(shù)可廣泛運(yùn)用于芯片、微波
2024-05-29 14:39:57
隨著阿法狗大戰(zhàn)李世石，人工智能引發(fā)越來(lái)越多的關(guān)注。百度總裁張亞勤28日表示，百度長(zhǎng)期堅(jiān)持技術(shù)創(chuàng)新，2015年研發(fā)投入超過(guò)100億元，目前在人工智能領(lǐng)域已有重大突破?！ 垇喦谠谔旖蛳募具_(dá)沃斯論壇
2016-07-01 15:22:41
`華爾街日?qǐng)?bào)發(fā)布文章稱，科技產(chǎn)品下一個(gè)重大突破將在芯片堆疊領(lǐng)域出現(xiàn)。Apple Watch采用了先進(jìn)的的3D芯片堆疊封裝技術(shù)作為幾乎所有日常電子產(chǎn)品最基礎(chǔ)的一個(gè)組件，微芯片正出現(xiàn)一種很有意思的現(xiàn)象
2017-11-23 08:51:12
天合光能在開發(fā)單結(jié)晶矽電池技術(shù)方面有重大突破
天合光能(Trina Solar)宣布，在開發(fā)單結(jié)晶矽電池技術(shù)方面有重大突破，配合公司
2010-02-11 08:29:33880 IBM宣布芯片實(shí)現(xiàn)重大突破 可建百萬(wàn)萬(wàn)億次電腦
網(wǎng)易科技訊 北京時(shí)間3月4日消息 據(jù)《自然》雜志報(bào)道，IBM的科學(xué)家當(dāng)日宣布，他們用微型硅電路取代銅線實(shí)現(xiàn)了芯片間
2010-03-04 08:50:13769 IBM宣布半導(dǎo)體技術(shù)重大突破 耗能少傳輸快
IBM研究人員宣布，在半導(dǎo)體傳輸技術(shù)上有了重大突破，可大幅提高傳輸速度，并同時(shí)減少能源損耗。
此項(xiàng)技術(shù)目
2010-03-08 09:34:36834 (Intel)宣布，在微處理器上實(shí)現(xiàn)了50多年來(lái)的最重大突破，成功開發(fā)出世界首個(gè)三維結(jié)構(gòu)晶體管
2011-05-06 08:19:13759 “第三代”光伏發(fā)電技術(shù)，也就是綠色光伏發(fā)電技術(shù)，特點(diǎn)是綠色、高效、價(jià)廉和壽命長(zhǎng)。中國(guó)第三代光伏發(fā)電技術(shù)又取得了重大突破。
2011-11-30 09:34:381197 最近，由華南理工大學(xué)和廣州新視界光電科技有限公司聯(lián)合自主研發(fā)的AMOLED顯示屏技術(shù)上取得重大突破，在國(guó)內(nèi)率先成功開發(fā)出基于金屬氧化物TFT背板技術(shù)的全彩色AMOLED顯示屏，并實(shí)現(xiàn)
2012-10-12 09:54:031361 華為最近發(fā)布的石墨烯基鋰離子電池取得重大突破的新聞刷爆炸朋友圈，引外一系列解讀，并且誤讀頗多。華為向記者表示，該款電池不能稱為石墨烯電池，并且該研究只是有重大突破，目前沒(méi)有商用。就讓小編帶領(lǐng)大家來(lái)
2016-12-12 09:35:033850 東芝日前宣布，他們成功研發(fā)出了世界首款4比特3D QLC閃存。對(duì)于閃存技術(shù)的未來(lái)發(fā)展而言，這可謂是相當(dāng)重大的消息。
2017-06-30 16:43:40832 東芝日前發(fā)布世界首個(gè)基于QLC（四比特單元） BiCS架構(gòu)的3D NAND閃存芯片。對(duì)于閃存技術(shù)的未來(lái)發(fā)展而言，這可謂是相當(dāng)重大的消息。
2017-07-04 16:30:52997 
NAND閃存目前已經(jīng)發(fā)展出了四種形態(tài)：SLC單比特單元，性能最好，壽命最長(zhǎng)，但成本也最高；MLC雙比特單元，性能、壽命、成本比較均衡，目前主要用于高端和企業(yè)級(jí)產(chǎn)品；TLC三比特單元，成本低，容量大，但壽命越來(lái)越短；QLC四比特單元，自然延續(xù)了這一趨勢(shì)。
2017-07-06 15:20:511450 
目前，東芝和西數(shù)先后宣布成功開發(fā)基于四比特單元3D NAND閃存芯片，即QLC閃存，這也意味著QLC SSD將要來(lái)臨。那么，它與TLC閃存又有什么區(qū)別，能否取代TLC成為SSD主流閃存之選？
2017-08-01 10:21:1396142 
北京時(shí)間2月14日晚間消息，據(jù)報(bào)道，蘋果公司（以下簡(jiǎn)稱“蘋果”）正與中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司談判，希望采購(gòu)其NAND閃存芯片用于iPhone。
2018-07-19 11:46:001229 ? 前些天，新聞曝光的中芯國(guó)際花了1．2億美元從荷蘭ASML買來(lái)一臺(tái)EUV極紫外光刻機(jī)，未來(lái)可用于生產(chǎn)7nm工藝芯片，而根據(jù)最新消息稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也迎來(lái)了自己的第一臺(tái)光刻機(jī)，國(guó)產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤將迎來(lái)重大突破。
2018-06-29 11:24:0010090 日前，東芝（TOSHIBA）、西數(shù)（WD）等存儲(chǔ)器大廠分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲(chǔ)器，核心容量可達(dá) 1.33TB，單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過(guò)因 QLC 快閃存儲(chǔ)
2018-07-26 18:01:002759 紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）宣布，將首次參加8月份在美舉行的閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit）。
2018-07-30 17:57:274776 作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（長(zhǎng)江存儲(chǔ)）今年將首次參加閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit），并發(fā)表備受期待的主題演講，闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:015077 在位于武漢東湖高新區(qū)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（國(guó)家存儲(chǔ)器基地），紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京透露，中國(guó)首批擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2018-08-07 14:35:146351 作為NAND行業(yè)的新晉者，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱：長(zhǎng)江存儲(chǔ)）昨日公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:002244 日本PC Watch網(wǎng)站日前刊發(fā)了長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士在FMS會(huì)議上的演講，我們之前也做過(guò)簡(jiǎn)單的報(bào)道，這次他們的介紹更加詳細(xì)，我們可以一窺長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D NAND閃存現(xiàn)在到底進(jìn)行到那一步了。
2018-08-15 10:50:166345 2018年8月7日的美國(guó)閃存峰會(huì)（FMS）上，海力士，三星，東芝，西部數(shù)據(jù)，Intel等NAND廠商紛紛發(fā)布QLC架構(gòu)的快閃存儲(chǔ)器或基于QLC NAND的SSD產(chǎn)品，滿足市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)容量日益激增的需求，那么QLC是什么呢？它的性能真的比SLC、MLC、TLC要好嗎
2018-08-18 08:34:498269 QLC即Quad-Level Cell架構(gòu)，每個(gè)閃存單元內(nèi)可儲(chǔ)存4個(gè)比特?cái)?shù)據(jù)，相比TLC閃存的存儲(chǔ)密度提升33%。為了表達(dá)4比特?cái)?shù)據(jù)，一個(gè)QLC閃存單元擁有多達(dá)16種電壓狀態(tài)，對(duì)閃存品質(zhì)及主控糾錯(cuò)能力提出了很高的要求。
2019-04-09 09:56:536300 據(jù)悉，臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院（ITRI）下屬的電子與光電子系統(tǒng)研究實(shí)驗(yàn)室（EOSRL）日前宣布，在Micro LED芯片巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了重大突破。
2019-05-24 15:29:252508 根據(jù)官網(wǎng)資料，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002725 小“艾”課堂開課啦 | TWS耳機(jī)低功耗重大突破及充電盒設(shè)計(jì)新潮流
2019-07-03 18:24:133863 紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步，已經(jīng)開始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù)，核心容量256Gb。
2019-09-06 16:26:452263 紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步，已經(jīng)開始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù)，核心容量256Gb。
2019-10-02 14:38:001949 中國(guó)的技術(shù)自給自足之路正處于重大突破的邊緣，新生的芯片產(chǎn)業(yè)有望在 2020 年底之前從去年的幾乎為零的產(chǎn)量增長(zhǎng)到世界 5％的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)。
2019-11-22 16:46:581191 紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天宣布，在北京舉行的“2020中國(guó)IC風(fēng)云榜”上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司獲得了備受矚目的年度技術(shù)突破獎(jiǎng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事，紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京代表公司領(lǐng)獎(jiǎng)。
2020-01-03 08:58:233122 根據(jù)消息報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司副董事長(zhǎng)楊道虹表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目經(jīng)過(guò)3年的建設(shè)已經(jīng)取得了階段性成效，自主開發(fā)的64層三維閃存產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-01-15 14:11:143818 1月16日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)召開市場(chǎng)合作伙伴年會(huì)，并在會(huì)前披露了閃存技術(shù)方面的一些新情報(bào)。
2020-01-17 08:48:222693 今天，長(zhǎng)江存儲(chǔ)召開市場(chǎng)合作伙伴新春溝通會(huì)，紫光、群聯(lián)、威剛、慧榮等知名大廠前來(lái)站臺(tái)，其中威剛還宣布將會(huì)率先推出搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存的消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品?，F(xiàn)在根據(jù)科創(chuàng)板電報(bào)的消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存的存儲(chǔ)密度是全球第一，絕不是低端產(chǎn)品。
2020-01-17 10:26:083652 據(jù)介紹，長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)了自己的Xtacking堆棧架構(gòu)，已經(jīng)可以保證可靠性問(wèn)題。就在日前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)確認(rèn)采用Xtacking技術(shù)的64層3D閃存產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并正擴(kuò)充產(chǎn)能，將盡早達(dá)成10萬(wàn)片晶圓的月產(chǎn)能規(guī)模，并按期建成30萬(wàn)片月產(chǎn)能。
2020-01-17 11:29:175331 1月16號(hào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)召開市場(chǎng)合作伙伴新春溝通會(huì)，紫光、群聯(lián)、威剛、慧榮等知名大廠前來(lái)站臺(tái)，其中威剛還宣布將會(huì)率先推出搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存的消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品。現(xiàn)在根據(jù)科創(chuàng)板電報(bào)的消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存的存儲(chǔ)密度是全球第一，絕不是低端產(chǎn)品。
2020-01-17 14:43:554289 長(zhǎng)江存儲(chǔ)確認(rèn)自主研發(fā)的64層已經(jīng)在去年投入量產(chǎn)(256Gb TLC)，并正擴(kuò)充產(chǎn)能，將盡早達(dá)成10萬(wàn)片晶圓的月產(chǎn)能規(guī)模。
2020-01-17 15:06:232412 中國(guó)已經(jīng)發(fā)射了一顆量子加密衛(wèi)星，如果它被證明是真正的“防黑客技術(shù)”，它可以證明是網(wǎng)絡(luò)安全的重大突破。
2020-03-27 16:19:112349 近日，我國(guó)在基于量子中繼的量子通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)方面取得重大突破，在國(guó)際上首次實(shí)現(xiàn)相距50公里光纖的存儲(chǔ)器間的量子糾纏。
2020-04-03 17:58:443811 今年初，長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售資深副總裁龔翔曾公開表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將跳過(guò)如今業(yè)界常見的96層堆疊閃存技術(shù)，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。
2020-04-08 16:38:211265 在今年，全球閃存廠商都在集體奔向100+層，例如SK海力士的128層已經(jīng)穩(wěn)定出貨，并計(jì)劃在年底推出196層內(nèi)存，三星、鎂光、西數(shù)、Intel也都已經(jīng)突破了百層。近期，國(guó)內(nèi)長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售資深副總裁龔翔表示，將跳過(guò)96層，直接投入128層閃存的技術(shù)研發(fā)和量產(chǎn)。
2020-04-11 16:47:514000 今日（4月13日），長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅宣布，其128層QLC 3D閃存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控商場(chǎng)SSD等終端產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 09:23:091347 2020年4月13日，中國(guó)武漢，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款
2020-04-13 09:29:416830 4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC3DNAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格
2020-04-13 14:25:114118 2020年4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-13 14:41:523480 4月13日，紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（長(zhǎng)江存儲(chǔ)）宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功。
2020-04-13 17:14:491750 長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功，型號(hào)為X2-6070，并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制器廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:063603 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發(fā)成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:003612 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功，這標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商向世界最先進(jìn)技術(shù)水準(zhǔn)又邁進(jìn)了一步。
2020-05-07 14:59:225527 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-12 09:54:014518 日前，快商通在民營(yíng)醫(yī)療行業(yè)的知識(shí)圖譜項(xiàng)目「醫(yī)療知識(shí)圖譜工程平臺(tái)」獲得重大突破，11年耕耘產(chǎn)生質(zhì)變。
2021-03-16 16:31:221612 SSD硬盤現(xiàn)在已經(jīng)開始從TLC閃存向著QLC閃存升級(jí)，未來(lái)很快還會(huì)升級(jí)到PLC，容量還會(huì)增加，但是代價(jià)就是寫入壽命越來(lái)越低。從行業(yè)報(bào)告來(lái)看，PLC閃存的P/E壽命最短只有35次。
2020-06-30 15:54:1411952 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功。同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號(hào)：X2-9060），用以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2020-07-06 16:49:421991 最近關(guān)于QLC閃存的消息不斷，最勁爆的莫過(guò)于武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功研發(fā)全球首款128層QLC 3D NAND閃存，多項(xiàng)技術(shù)世界領(lǐng)先，最快年底量產(chǎn)。
2020-07-30 11:40:1021165 Xtacking 3D NAND閃存，包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038 閃存是最常用器件之一，在諸如SSD等存儲(chǔ)設(shè)備中均存在閃存。但是，大家對(duì)閃存真的足夠了解嗎?為增進(jìn)大家對(duì)閃存的了解和認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)QLC閃存以及TLC閃存相關(guān)內(nèi)容予以介紹。如果你對(duì)閃存具有興趣，不妨
2020-11-06 17:38:5889196 
在2019年9月份之前，國(guó)內(nèi)廠商在全球閃存市場(chǎng)上幾乎沒(méi)有存在感，國(guó)產(chǎn)率基本上為0，一年之后國(guó)產(chǎn)閃存已經(jīng)進(jìn)入全球第七了，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的產(chǎn)能占比已經(jīng)達(dá)到了全球1%。 中國(guó)閃存市場(chǎng)日前公布了Q3季度全球閃存
2020-11-19 15:33:223191 長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年9月份國(guó)內(nèi)第一個(gè)宣布量產(chǎn)64層堆棧3D閃存，一提到國(guó)產(chǎn)閃存，很多人都說(shuō)沒(méi)看見，實(shí)際上已經(jīng)有多款產(chǎn)品用上了國(guó)產(chǎn)閃存，華為Mate40系列手機(jī)現(xiàn)在也使用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的閃存。 日前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2020-11-20 18:15:273578 據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道稱，臺(tái)積電（TSMC） 在實(shí)現(xiàn)2nm工藝方面取得了重大突破，該工藝可以生產(chǎn)數(shù)十億個(gè)晶體管，可能會(huì)突破摩爾定律放慢的局限。
2020-11-24 16:54:061494 
得益于容量大、價(jià)格低的優(yōu)勢(shì)，如今越來(lái)越多的SSD硬盤轉(zhuǎn)向QLC閃存，大家擔(dān)心的主要是QLC閃存的壽命，具體來(lái)說(shuō)就是P/E擦寫次數(shù)，通常在1000次左右，而IBM現(xiàn)在解決了QLC壽命問(wèn)題，做到了史無(wú)前例的16000次擦寫壽命，壽命比SLC還強(qiáng)。
2020-12-08 09:40:035086 昨天日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)2021年的產(chǎn)能將翻倍，達(dá)到10萬(wàn)片晶圓/月，年中還有192層閃存的試產(chǎn)，不過(guò)長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天否認(rèn)相關(guān)內(nèi)容。
2021-01-14 10:21:382726 此前4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。這標(biāo)志著國(guó)內(nèi)3D NAND領(lǐng)域正式進(jìn)入國(guó)際先進(jìn)水平。
2021-01-17 10:19:203430 2020年4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，這也是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存。同年8月14日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團(tuán)展臺(tái)上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362729 SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發(fā)展下來(lái)，容量密度越來(lái)越高，成本越來(lái)越低，性能和壽命卻越來(lái)越渣，不得不依靠各種技術(shù)以及主控優(yōu)化來(lái)輔助，但依然不容樂(lè)觀。
2021-02-22 09:26:422092 SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發(fā)展下來(lái)，容量密度越來(lái)越高，成本越來(lái)越低，性能和壽命卻越來(lái)越渣，不得不依靠各種技術(shù)以及主控優(yōu)化來(lái)輔助，但依然不容樂(lè)觀。 TLC依然是目前市場(chǎng)
2021-02-22 09:53:272195 
SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存一路發(fā)展下來(lái)，容量密度越來(lái)越高，成本越來(lái)越低，性能和壽命卻越來(lái)越渣，不得不依靠各種技術(shù)以及主控優(yōu)化來(lái)輔助，但依然不容樂(lè)觀。
2021-02-22 10:00:493891 
在2021 IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)上，IBM和三星聯(lián)合宣布，他們?cè)诎雽?dǎo)體設(shè)計(jì)方面取得一項(xiàng)重大突破。
2022-03-16 09:56:02732 2022年4月19日，中國(guó)武漢，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦
2022-04-19 11:08:462880 昨日消息，國(guó)內(nèi)專注于3D NAND閃存及存儲(chǔ)器解決方案的半導(dǎo)體集成電路企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出UFS 3.1通用閃存-UC023。
2022-04-20 11:47:522797 蘋果公司將長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YTMC）納入供應(yīng)商名單。蘋果與YTMC合作的目的是通過(guò)使供應(yīng)商多樣化來(lái)降低NAND閃存的價(jià)格。
2022-09-08 11:55:23995 部署QLC存儲(chǔ)設(shè)備。 QLC可以給存儲(chǔ)設(shè)備帶來(lái)更低的成本，作為消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品的嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備，未來(lái)引入QLC也是勢(shì)在必行。 但和當(dāng)前主流TLC相比，QLC在性能和壽命上都相差很大，從下面某原廠TLC和QLC在性能和壽命方面的一個(gè)對(duì)比可見一斑。 （ Table 1:某原廠TLC和
2023-02-14 15:05:051083 SK海力士收購(gòu)Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重組而來(lái)的Solidigm，就發(fā)布了一款QLC閃存的企業(yè)級(jí)產(chǎn)品P5-D5430，可以說(shuō)是QLC SSD的一個(gè)代表作。
2023-06-09 10:41:431841 
長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)將3D NAND閃存做到了232層堆疊，存儲(chǔ)密度15.47Gb每平方毫米，而且傳輸速度高達(dá)2400MT/s，妥妥的世界第一，結(jié)果被美國(guó)一直禁令給攔住了，死死限制在128層，但我們肯定不會(huì)坐以待斃。
2023-07-20 09:44:313337 
基于四級(jí)單元（QLC）的存儲(chǔ)陣列采用軟件支持的ASIC或FPGA邏輯（以克服生命周期限制、提高耐用性和性能），目前已部署用于通用塊存儲(chǔ)用例。它們還被部署在備份和災(zāi)難恢復(fù)用例中，在這些用例中，取代 TLC 介質(zhì)設(shè)備陣列的性能并不那么重要。
2023-08-16 10:26:451680 
華為芯片迎重大突破：目前華為的麒麟系列芯片已經(jīng)成為世界上最強(qiáng)大的移動(dòng)芯片之一，被廣泛應(yīng)用于華為自家的旗艦手機(jī)以及平板電腦等設(shè)備上。 華為一直是全球領(lǐng)先的芯片設(shè)計(jì)和制造企業(yè)之一，近年來(lái)通過(guò)自主研發(fā)
2023-09-06 11:14:564987 長(zhǎng)江存儲(chǔ)1Tb TLC芯片的存儲(chǔ)密度已達(dá)15.47Gb每平方毫米，1Tb QLC更是高達(dá)19.8Gb每平方毫米，在兩種閃存類型中都無(wú)出其右者。
2023-11-02 11:11:463853 
長(zhǎng)江存儲(chǔ)在以上起訴書中稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)不再是新秀（upstart），而已成為全球3D NAND市場(chǎng)的重要參與者。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，去年11月，分析和跟蹤閃存市場(chǎng)的TechInsights公司得出結(jié)論：長(zhǎng)江存儲(chǔ)是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，超過(guò)了美光。
2023-11-13 16:53:041658 
”；這是我國(guó)在光存儲(chǔ)領(lǐng)域獲重大突破。有助于解決大容量和節(jié)能的存儲(chǔ)技術(shù)難題。 利用國(guó)際首創(chuàng)的雙光束調(diào)控聚集誘導(dǎo)發(fā)光超分辨光存儲(chǔ)技術(shù)，實(shí)驗(yàn)上首次在信息寫入和讀出均突破了衍射極限的限制，實(shí)現(xiàn)了點(diǎn)尺寸為54nm、道間距為70
2024-02-22 18:28:452307 值得注意的是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)首席技術(shù)官（CTO）霍宗亮指出，NAND閃存行業(yè)已經(jīng)在飽受煎熬的2023年逐步復(fù)蘇，并有望在2023~2027年間實(shí)現(xiàn)21%的復(fù)合增長(zhǎng)率以及20%的累計(jì)設(shè)備平均容量增長(zhǎng)。
2024-03-28 13:57:572348 美光科技近日宣布了重大技術(shù)突破，其先進(jìn)的232層QLC NAND閃存已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并已部分應(yīng)用于Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤（SSD）中。此外，美光還推出了2500 NVMeTM SSD，該產(chǎn)品已面向企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)客戶大規(guī)模生產(chǎn)，并向PCOEM廠商提供了樣品。
2024-05-06 10:59:251099 在當(dāng)今這個(gè)數(shù)據(jù)爆炸的時(shí)代，存儲(chǔ)技術(shù)的每一次革新都牽動(dòng)著整個(gè)科技行業(yè)的神經(jīng)。近日，西部數(shù)據(jù)在投資者活動(dòng)上揭開了一項(xiàng)令人矚目的技術(shù)突破——業(yè)界最高密度的2TB QLC NAND閃存芯片，這款名為BiCS8的芯片不僅代表了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的新高度，更是為未來(lái)的數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用描繪了一幅宏偉的藍(lán)圖。
2024-06-15 11:42:462094 長(zhǎng)江存儲(chǔ)PC41Q是一款基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)第四代3DNAND芯片打造的QLC商用消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤，具有高性能、低功耗和更高能耗比的特點(diǎn)。這款SSD主要面向OEM市場(chǎng)，適用于筆記本電腦、超薄本、臺(tái)式機(jī)和一體機(jī)等電腦終端。
2024-11-06 18:20:319458 
近日，中軟國(guó)際成功中標(biāo)某全國(guó)性股份制銀行2025年大模型算力擴(kuò)容項(xiàng)目，標(biāo)志著中軟國(guó)際在大型銀行AI項(xiàng)目領(lǐng)域實(shí)現(xiàn)重大突破，進(jìn)一步鞏固了其在金融科技領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2025-05-06 11:46:06925 
近日，在陜北某區(qū)塊煤巖氣井測(cè)試中，達(dá)坦能源自主研發(fā)的TAPP智能無(wú)線井下壓力監(jiān)測(cè)系統(tǒng)取得重大突破。
2025-07-31 11:16:151196 型號(hào)TiPlus7100s。你沒(méi)看錯(cuò)，在型號(hào)命名上只是多了個(gè)s，但是結(jié)果呈現(xiàn)別有洞天，在技術(shù)與性能層面相對(duì)上代產(chǎn)品均實(shí)現(xiàn)了重大突破。
2025-11-14 09:50:292263 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道長(zhǎng)江存儲(chǔ)4月13日重磅發(fā)布兩款128層3D NAND產(chǎn)品引起業(yè)界高度關(guān)注，其中128層QLC產(chǎn)品為目前業(yè)內(nèi)發(fā)布的首款單顆Die容量達(dá)1.33Tb的NAND閃存，容量、性能均優(yōu)于主要
2020-04-14 09:17:336072 在CITE 2020上，紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品，其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822
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