9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1919 。 繼96層QLC之后，將于2020年作為Arbordale + DC推出144層QLC 圖1：NAND閃存隨著SLC，MLC，TLC，QLC發(fā)展 3D NAND是當前SSD中常用的閃存技術(shù)。換句話說
2019-10-04 01:41:005916 SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價促使他們削減了產(chǎn)量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:556386 Western Digital和Kioxia宣布成功開發(fā)了最新一代的3D NAND閃存。他們的第五代BiCS 3D NAND已以512 Gbit TLC部件的形式開始生產(chǎn)，但要到今年下半年才能增加到
2020-02-13 01:00:007244 7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個區(qū)域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:231561 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 目前3D NAND僅由三星電子獨家量產(chǎn)。而進入了最近兩個月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨大的情況將畫下
2016-08-11 13:58:0644661 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 國產(chǎn)手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 電子發(fā)燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:293528 作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-04-13 14:30:551874 ，重量輕，強度高，定義閃存科技新鈦度。致鈦將提供高品質(zhì)3D NAND閃存產(chǎn)品及解決方案，讓記憶承載夢想。 長江存儲宣布推出SSD品牌致鈦ZHITAI 據(jù)悉，長江存儲將在未來推出致鈦品牌的SSD產(chǎn)品。根據(jù)官方發(fā)布的海報來看，這款產(chǎn)品應(yīng)該是一款采用M.2接口的SSD硬盤。它
2020-08-28 18:24:143933 11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，刷新行業(yè)紀錄，實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。這款176層NAND產(chǎn)品采用美光第五代3D NAND技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。
2020-11-13 09:40:163599 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。來到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
3D Experience — 產(chǎn)品協(xié)同研發(fā)平臺
2021-01-08 07:30:52
128層甚至更高，外圍電路可能會占到芯片Xtacking技術(shù)將外圍電路連接到存儲單元之上，從而實現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度。據(jù)悉，長江存儲的64層3D NAND閃存產(chǎn)品將在2020年進入
2020-03-19 14:04:57
成功，認真投入3D技術(shù)研發(fā)，而且正要進入量產(chǎn)的一個工廠--武漢存儲基地，原本計劃的是一個10萬片產(chǎn)能的平面一層工廠，現(xiàn)在可以做15萬，2019年這個廠也將真正進入量產(chǎn)，長江存儲正在積極趕上。`
2018-09-20 17:57:05
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081491 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40937 東芝日前宣布，他們成功研發(fā)出了世界首款4比特3D QLC閃存。對于閃存技術(shù)的未來發(fā)展而言，這可謂是相當重大的消息。
2017-06-30 16:43:40832 目前，東芝和西數(shù)先后宣布成功開發(fā)基于四比特單元3D NAND閃存芯片，即QLC閃存，這也意味著QLC SSD將要來臨。那么，它與TLC閃存又有什么區(qū)別，能否取代TLC成為SSD主流閃存之選？
2017-08-01 10:21:1396142 
無論是3D堆疊還是QLC的推出，這些情況均說明了隨著3D NAND技術(shù)走向?qū)嵱没?，國際廠商正在加快推進技術(shù)進步。3D NAND相對2D NAND來說，是一次閃存技術(shù)上的變革。而且不同于基于微縮技術(shù)
2018-06-20 17:17:495087 作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者，紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司（長江存儲）今年將首次參加閃存峰會（Flash Memory Summit），并發(fā)表備受期待的主題演講，闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:015077 隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競爭激烈，其中，三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES報道稱，東芝存儲器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴大出貨，代表著NAND Flash市場霸主之爭正式拉開序幕。
2018-08-05 11:50:161646 7月20日，東芝/西部數(shù)據(jù)宣布成功開發(fā)采用96層BiCS4架構(gòu)的第二代3D QLC NAND（4bits/cell），單Die容量最高可達1.33Tb，預(yù)計將在2018下半年開始批量出貨，并優(yōu)先用于SanDisk品牌下銷售的消費級閃存產(chǎn)品。
2018-08-08 15:10:011063 
昨日長江存儲正式公開了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-10 09:14:395421 紫光集團旗下長江存儲發(fā)展儲存型快閃存儲器（NAND Flash）報捷，已自主開發(fā)完成最先進的64層3D NAND芯片專利，預(yù)計明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002770 作為NAND行業(yè)的新晉者，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱：長江存儲）昨日公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:002244 日本PC Watch網(wǎng)站日前刊發(fā)了長江存儲CEO楊士寧博士在FMS會議上的演講，我們之前也做過簡單的報道，這次他們的介紹更加詳細，我們可以一窺長江存儲的3D NAND閃存現(xiàn)在到底進行到那一步了。
2018-08-15 10:50:166345 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構(gòu)相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達1Tb，備受市場高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:462599 快閃存儲器（NANDFlash）控制芯片及儲存解決方案領(lǐng)導(dǎo)群聯(lián)6日正式宣布，搭載美系國際原廠最新QLC規(guī)格64層3DNANDFlash之的SSD控制芯片PS3111－S11T于本月正式出貨。
2018-09-11 16:49:002540 宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨大的情況將畫下句點，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。什么是3D NAND閃存？從新聞到評測
2018-10-08 15:52:39780 11月15日， 國產(chǎn)知名SSD主控芯片原廠聯(lián)蕓科技（MAXIO）再下一城，正式對外宣布MAS0902固態(tài)硬盤主控芯片已全面支持最新96層3D TLC NAND 閃存顆粒，并對外提供搭載聯(lián)蕓科技自主
2018-11-19 17:22:318411 國產(chǎn)存儲芯片再下一城，日前有產(chǎn)業(yè)鏈方面的消息稱，中國長江存儲將如期在今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片，這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:122056 紫光集團旗下的長江存儲YMTC是國內(nèi)三大存儲芯片陣營中主修NAND閃存的公司，也是目前進度最好的，去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存，前不久紫光在深圳第七屆中國電子信息博覽會
2019-04-18 16:18:522545 長江存儲在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后，進一步規(guī)劃在2019年8月開始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局，對比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）進入90層3D NAND芯片生產(chǎn)，長江存儲追趕世界大廠的步伐又大幅邁進一步。
2019-05-17 14:13:281753 現(xiàn)在，長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:003069 根據(jù)官網(wǎng)資料，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。長江存儲為全球工商業(yè)客戶提供存儲器產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動設(shè)備、計算機、數(shù)據(jù)中心和消費電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002725 SK海力士宣布，已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功，并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過去了八個月。
2019-06-27 15:23:283820 SK海力士宣布，該公司已經(jīng)在全世界率先成功研發(fā)出128層4D Nand閃存芯片，將從今年下半年(7月~12月)開始投入量產(chǎn)。
2019-06-28 14:35:206119 SK海力士近日正式宣布，已成功開發(fā)并開始量產(chǎn)世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個月前，該公司宣布了96層4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:153551 長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計并實現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲密度。Xtacking?可實現(xiàn)在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元
2019-09-03 10:07:021788 紫光旗下的長江存儲邁出了國產(chǎn)閃存的重要一步，已經(jīng)開始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，基于長江存儲研發(fā)的Xstacking技術(shù)，核心容量256Gb。
2019-09-06 16:26:452263 據(jù)悉，長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:005147 近日，紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)品將應(yīng)用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用。這是中國首次實現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片的量產(chǎn)，將大幅拉近中國與全球一線存儲廠商間的技術(shù)差距。
2019-09-17 11:45:194095 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144 紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455 紫光集團旗下長江存儲正式宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking？架構(gòu)的中國首款64層256Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-10-08 11:29:181727 英特爾透露,2019年第四季度將會推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品,并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級固態(tài)盤的144層QLC(四級單元)NAND,預(yù)計將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321449 今年一季度，紫光旗下的長江存儲（YMTC）開始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存，容量 256Gb，TLC 芯片，初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:331140 有關(guān)國產(chǎn)閃存技術(shù)的發(fā)展與突破，相信很多人都在翹首期待，希望我們能夠擁有自己的先進閃存產(chǎn)品，而當長江存儲成功發(fā)展出來3D NAND存儲Xtacking架構(gòu)技術(shù)的時候，我們知道，真正的國產(chǎn)存儲即將出現(xiàn)了！
2019-10-31 11:37:071248 NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481654 據(jù)介紹，長江存儲研發(fā)了自己的Xtacking堆棧架構(gòu)，已經(jīng)可以保證可靠性問題。就在日前，長江存儲確認采用Xtacking技術(shù)的64層3D閃存產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，并正擴充產(chǎn)能，將盡早達成10萬片晶圓的月產(chǎn)能規(guī)模，并按期建成30萬片月產(chǎn)能。
2020-01-17 11:29:175331 根據(jù)國科微官方的消息，國科微搭載長江存儲3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已完成批量測試。
2020-01-17 15:17:495929 根據(jù)消息報道，西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布，他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開發(fā)成功，第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開始以512 Gb顆粒形式生產(chǎn)，今年下半年可能會實現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)。
2020-02-04 16:25:345210 據(jù)證券時報消息，長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現(xiàn)全員復(fù)工，從中長期來看，這次疫情并不會影響總體進度。128層技術(shù)會按計劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152895 今年初，長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔曾公開表示，長江存儲將跳過如今業(yè)界常見的96層堆疊閃存技術(shù)，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。
2020-04-08 16:38:211265 兩年前，美光發(fā)布了全球首款采用3D QLC NAND閃存顆粒的SSD，型號為5210 ION系列。今天，美光宣布5210 ION已經(jīng)得到全面升級，可以作為機械硬盤的完美替代品。
2020-04-10 09:14:413042 今日（4月13日），長江存儲重磅宣布，其128層QLC 3D閃存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控商場SSD等終端產(chǎn)品上通過驗證。
2020-04-13 09:23:091347 2020年4月13日，中國武漢，長江存儲科技有限責任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。作為業(yè)內(nèi)首款
2020-04-13 09:29:416830 4月13日，長江存儲科技有限責任公司宣布其128層QLC3DNAND閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格
2020-04-13 14:25:114118 2020年4月13日，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-04-13 14:41:523480 4月13日，紫光集團旗下的長江存儲科技有限責任公司（長江存儲）宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功。
2020-04-13 17:14:491750 據(jù)媒體報道指國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)長江存儲已開發(fā)出128層的NAND flash存儲芯片，這是當前國際存儲芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù)，意味著中國的存儲芯片技術(shù)已達到國際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4514823 追求存儲密度以降低存儲成本不斷推動著NAND閃存技術(shù)的發(fā)展。NAND閃存技術(shù)已經(jīng)從最初的SLC時代，跨越MLC、TLC向QLC時代快速演進，并且從最初的2D平面技術(shù)全面切換到3D堆疊技術(shù)。而3D NAND閃存技術(shù)也從最初的32層堆疊，發(fā)展到了目前最新一代的高達128層堆疊。
2020-04-14 15:28:032795 
對3D閃存來說，堆棧層數(shù)越多，容量就越大，存儲密度就越高，這是3D閃存的核心競爭力，2020年全球?qū)⒋笠?guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存。
2020-04-20 09:25:073912 上周中國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術(shù)，QLC類型容量做到了1.33Tb容量，創(chuàng)造了三個世界第一。國產(chǎn)閃存突飛猛進，三星等公司也沒閑著，三星正在開發(fā)160堆棧的3D閃存。
2020-04-20 09:29:47834 長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發(fā)成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-05-04 10:39:003612 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627 長江存儲科技有限責任公司宣布，128層QLC?3D?NAND閃存研發(fā)成功，這標志著國產(chǎn)存儲廠商向世界最先進技術(shù)水準又邁進了一步。
2020-05-07 14:59:225527 長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
2020-05-12 09:54:014518 長江存儲科技有限責任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功。同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號：X2-9060），用以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2020-07-06 16:49:421991 最近關(guān)于QLC閃存的消息不斷，最勁爆的莫過于武漢長江存儲成功研發(fā)全球首款128層QLC 3D NAND閃存，多項技術(shù)世界領(lǐng)先，最快年底量產(chǎn)。
2020-07-30 11:40:1021165 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:162690 Xtacking 3D NAND閃存，包括長江存儲最新研發(fā)成功的128層Xtacking 3D TLC/QLC閃存，為全球市場注入更完整及更多元化的存儲解決方案。 隨著長江存儲在3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:342586 龍宇燃油公布，合同已經(jīng)公司于2020年4月10日召開的第四屆董事會第二十九次會議審議通過，根據(jù)《公司章程》的規(guī)定，該合同無需提交股東大會批準。該合同標的位于北京市順義區(qū)臨空經(jīng)濟核心區(qū)天柱西路8號，雙方因其業(yè)務(wù)發(fā)展的需要，由北京金漢王技術(shù)有限公司在位于北京市順義區(qū)臨空經(jīng)濟核心區(qū)天柱西路8號的數(shù)據(jù)中心向阿里云計算有限公司提供數(shù)據(jù)中心托管服務(wù)。
2020-09-18 11:06:282732 據(jù)國外媒體報道，專注于3D NAND閃存設(shè)計制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:493038 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀錄，實現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:572623 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696 / s，高于其96層和128層閃存的 1200MT/s。與 96L NAND相比，讀（寫）延遲提高了35% 以上，與128LNAND 相比，提高了25%以上。美光表示其176層3D NAND已開始批量生產(chǎn)
2020-11-13 14:25:132185 依托于先進工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰會
2020-11-20 17:15:444306 NAND應(yīng)運而生，可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲容量，在需要存儲海量數(shù)據(jù)的時代有著重大價值。 ? ? ? ?依托于先進工藝的3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的3D NAND將如何發(fā)展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？ 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:493617 層3D NAND；長江存儲于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉(zhuǎn)眼來到2020年末，美光和SK海力士相繼發(fā)布了176層3D NAND。這也是唯二進入176層的存儲廠商。不得不說，存儲之戰(zhàn)沒有最烈，只有更烈。
2020-12-09 14:55:374583 12 月 16 日消息 根據(jù)英特爾官方的消息，在今天的 2020 英特爾內(nèi)存存儲日活動上，英特爾正式發(fā)布了英特爾固態(tài)盤 670p，采用了英特爾下一代 144 層 QLC 3D NAND。 IT之家
2020-12-17 09:30:223066 近日，Intel全球首發(fā)了144層堆疊的QLC NAND閃存顆粒，并用于D7-P5510、D5-P5316、670p、H20等不同SSD產(chǎn)品，不過對于主控芯片，Intel一直守口如瓶。
2020-12-28 09:36:392737 此前4月13日，長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。這標志著國內(nèi)3D NAND領(lǐng)域正式進入國際先進水平。
2021-01-17 10:19:203430 2020年4月13日，長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，這也是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存。同年8月14日，長江存儲128層QLC 3D NAND閃存芯片在紫光集團展臺上正式亮相展出。
2021-02-05 15:17:362729 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進至128層。
2022-06-14 15:21:153354 
長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展狀態(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:218286 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃，預(yù)計在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達到280層
2023-07-04 17:03:293142 三星將在IEEE國際固態(tài)電路研討會上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
2024-02-01 10:35:311299 美光科技近期宣布，其創(chuàng)新的232層QLC NAND芯片已成功實現(xiàn)量產(chǎn)并已開始出貨。這一里程碑式的成就標志著美光在NAND技術(shù)領(lǐng)域再次取得了顯著進步，鞏固了其在全球存儲解決方案市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2024-04-29 10:36:341553 美光科技近日宣布了重大技術(shù)突破，其先進的232層QLC NAND閃存已成功實現(xiàn)量產(chǎn)，并已部分應(yīng)用于Crucial英睿達固態(tài)硬盤（SSD）中。此外，美光還推出了2500 NVMeTM SSD，該產(chǎn)品已面向企業(yè)級存儲客戶大規(guī)模生產(chǎn)，并向PCOEM廠商提供了樣品。
2024-05-06 10:59:251099 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道長江存儲4月13日重磅發(fā)布兩款128層3D NAND產(chǎn)品引起業(yè)界高度關(guān)注，其中128層QLC產(chǎn)品為目前業(yè)內(nèi)發(fā)布的首款單顆Die容量達1.33Tb的NAND閃存，容量、性能均優(yōu)于主要
2020-04-14 09:17:336072 在CITE 2020上，紫光集團帶來了大量產(chǎn)品，其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822
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