硫系化合物隨機(jī)存儲(chǔ)器，簡稱C-RAM。C-RAM單元結(jié)構(gòu)是下電極/相變材料/上電極，其中相變材料是硫系化合物存儲(chǔ)介質(zhì).
2012-04-27 11:05:09
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英特爾與美光科日前發(fā)表新型非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)──3D XPoint，該種內(nèi)存號(hào)稱是自1988年NAND閃存芯片推出以來的首個(gè)新內(nèi)存類別，能徹底改造任何設(shè)備、應(yīng)用、服務(wù)，讓它們能快速存取大量的數(shù)據(jù)，且現(xiàn)已量產(chǎn)。
2015-07-31 09:36:552057 近日，在美國加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit）上，美光科技（Micron）揭示了基于3D XPoint（相變存儲(chǔ)）技術(shù)固態(tài)硬盤的性能數(shù)據(jù)。美光在大會(huì)上展示，相較于
2016-08-12 13:59:381518 受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲(chǔ)容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長，各家存儲(chǔ)器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)
2017-02-07 17:34:129182 
2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息，近日，由國家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲(chǔ)”）與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-16 11:35:241161 近日，由國家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“長江存儲(chǔ)”）與中國科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-17 07:48:232091 ）、氧化物電阻存儲(chǔ)器（OxRAM）。Rambus公司的杰出發(fā)明家和營銷方案副總裁Steven Woo說：“經(jīng)典存儲(chǔ)架構(gòu)中有一個(gè)需要填補(bǔ)的空白。這些新型存儲(chǔ)器中有一兩種會(huì)生存下來，可能是3D XPoint
2017-02-21 11:05:473149 
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在這種環(huán)境下，業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
2017-12-18 10:02:216033 
通過3D堆疊技術(shù)將存儲(chǔ)層層堆疊起來，促成了NAND 技術(shù)進(jìn)一步成熟。
2018-04-16 08:59:5213248 
英特爾周一宣布，下一世代3D XPoint存儲(chǔ)器芯片的研發(fā)計(jì)劃，將轉(zhuǎn)移陣地至新墨西哥州廠。據(jù)新墨西哥州長Susana Martinez表示，英特爾變更布局將為當(dāng)?shù)貛碛?00個(gè)新工作機(jī)會(huì)。（usnews.com）
2018-09-12 11:33:263956 ，大多局限于利基市場(chǎng)。然而，2017年英特爾推出的基于3D XPoint(由Micron和Intel聯(lián)合開發(fā)的技術(shù))的光學(xué)產(chǎn)品可以被視為在主流應(yīng)用中采用新興NVM的決定性時(shí)刻。
2019-04-28 11:22:063487 Intel的傲騰系列閃存上因?yàn)槭褂昧俗钚碌?b class="flag-6" style="color: red">3D XPoint閃存所以其速度和耐用性都給人留下了深刻的印象。而當(dāng)年和Intel一起合作開發(fā)3D XPoint的美光在昨天也終于正式宣布推出自己的首款3D XPoint產(chǎn)品——X100。
2019-11-27 17:01:071214 當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月16日，存儲(chǔ)器大廠美光宣布從即日起將停止對(duì)3D XPoint的開發(fā)，并出售其在猶他州Lehi的3D Xpoint晶圓廠，預(yù)計(jì)可在2021年底之前完成。
2021-03-19 09:19:587151 感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
） 這種存儲(chǔ)器是在EPROM和EEPROM的制造基礎(chǔ)上產(chǎn)生的一種非易失性存儲(chǔ)器。其集成度高，制造成本低于DRAM，既具有SRAM讀寫的靈活性和較快的訪問速度，又具有ROM在斷電后可不丟失信息的特點(diǎn)
2017-12-21 17:10:53
） 這種存儲(chǔ)器是在EPROM和EEPROM的制造基礎(chǔ)上產(chǎn)生的一種非易失性存儲(chǔ)器。其集成度高，制造成本低于DRAM，既具有SRAM讀寫的靈活性和較快的訪問速度，又具有ROM在斷電后可不丟失信息的特點(diǎn)，所以
2017-10-24 14:31:49
設(shè)計(jì)需求相變存儲(chǔ)器技術(shù)直接解決了當(dāng)今電子系統(tǒng)的需求:密度隨著消費(fèi)者，電腦和通訊電子系統(tǒng)的融合，所有電子系統(tǒng)中代碼均出現(xiàn)指數(shù)性增長，數(shù)據(jù)的增長速度甚至更快.為了滿足這種增長的需要，存儲(chǔ)器密度范圍不僅要
2018-05-17 09:45:35
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)架構(gòu)發(fā)生變化，一個(gè)表現(xiàn)在QLC的大容量，另一個(gè)是3D Xpoint技術(shù)的高性能、低延遲。目前IBM云服務(wù)、騰訊數(shù)據(jù)中心分別采用傲騰和QLC技術(shù)，百度云人工智能更是結(jié)合了QLC和傲騰的優(yōu)勢(shì)，達(dá)到
2018-09-20 17:57:05
Molex推出下一代高性能超低功率存儲(chǔ)器技術(shù)
2021-05-21 07:00:24
代碼執(zhí)行應(yīng)用則要求存儲(chǔ)器的隨機(jī)訪存速度更快。經(jīng)過研究人員對(duì)浮柵存儲(chǔ)技術(shù)的堅(jiān)持不懈的研究，現(xiàn)有閃存的技術(shù)能力在2010年底應(yīng)該有所提升，盡管如此，現(xiàn)在人們?cè)絹碓疥P(guān)注有望至少在2020年末以前升級(jí)到更小
2019-06-26 07:11:05
閱讀哦。 一、存儲(chǔ)器卡 存儲(chǔ)器卡（Memory Card）是一種用電可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）為核心的，能多次重復(fù)使用的IC卡。沒有任何的加密保護(hù)措施 ，對(duì)于卡片上的數(shù)據(jù)可以任意改寫
2020-12-25 14:50:34
據(jù)新華社7月2日?qǐng)?bào)道，相變存儲(chǔ)器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界稱為下一代存儲(chǔ)技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲(chǔ)器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機(jī)領(lǐng)域，并實(shí)現(xiàn)千萬量級(jí)市場(chǎng)化銷售，未來中國在該領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
作者：王烈洋 黃小虎 占連樣 珠海歐比特控制工程股份有限公司隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展， 存儲(chǔ)器的種類日益繁多，每一種存儲(chǔ)器都有其獨(dú)有的操作時(shí)序，為了提高存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試效率，一種多功能存儲(chǔ)器芯片
2019-07-26 06:53:39
擴(kuò)展存儲(chǔ)器讀寫實(shí)驗(yàn)的目的是什么？怎樣去設(shè)計(jì)一種擴(kuò)展存儲(chǔ)器讀寫的電路？擴(kuò)展存儲(chǔ)器讀寫實(shí)驗(yàn)的流程有哪些？
2021-07-14 07:04:49
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯片的可靠性。隨著對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長，其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專用存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法。
2019-11-01 07:01:17
是第一個(gè)推出1Tb級(jí)產(chǎn)品的公司。3D XPoint則是由英特爾和美光科技于2015年7月發(fā)布的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)。英特爾為使用該技術(shù)的存儲(chǔ)設(shè)備冠名Optane，而美光稱之為QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57
英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲(chǔ)介質(zhì)都是相變存儲(chǔ)器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲(chǔ)器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
怎么設(shè)計(jì)一種面向嵌入式存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)的IIP？如何解決設(shè)計(jì)和制造過程各個(gè)階段的良品率問題？嵌入式存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)技術(shù)的未來趨勢(shì)是什么？STAR存儲(chǔ)器系統(tǒng)的功能是什么？
2021-04-15 06:05:51
網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器技術(shù)是如何產(chǎn)生的？怎樣去設(shè)計(jì)一種網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器？
2021-05-26 07:00:22
)、EEPROM和Flash。這些存儲(chǔ)器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時(shí)功耗大。鐵電存儲(chǔ)器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一
2011-11-19 11:53:09
)、EEPROM和Flash。這些存儲(chǔ)器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時(shí)功耗大。鐵電存儲(chǔ)器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一
2011-11-21 10:49:57
不同的應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)有不同的需求：在運(yùn)行控制任務(wù)時(shí)，需要Cache 匹配速度差異；在處理數(shù)據(jù)流時(shí)，需要片內(nèi)存儲(chǔ)器提高訪問帶寬。本文設(shè)計(jì)了一種基于SRAM 的可配置Cache/SRAM
2010-01-25 11:53:55
24 相變存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)摘要: 介紹了一種新型的相變存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)電路的基本原理, 設(shè)計(jì)了一種依靠電流驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電路, 整體電路由帶隙基準(zhǔn)電壓源電路
2010-05-08 09:42:3343 摘要：磁電存儲(chǔ)器不僅存取速度快、功耗小，而且集動(dòng)態(tài)RAM、磁盤存儲(chǔ)和高速緩沖存儲(chǔ)器功能于一身，因而已成為動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器研究領(lǐng)域的一個(gè)熱點(diǎn)。文章總結(jié)了磁電
2006-03-24 13:01:372315 
相變存儲(chǔ)器技術(shù)基礎(chǔ) 相變存儲(chǔ)器（PCM）是一種非易失存儲(chǔ)設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲(chǔ)信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等
2009-11-21 10:55:551074 相變存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)
相變存儲(chǔ)器（PCM）是一種非易失存儲(chǔ)設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲(chǔ)信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液
2009-11-23 09:19:033661 相變存儲(chǔ)器：能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器
從下面的幾個(gè)重要特性看，相變存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301360 光存儲(chǔ)器,光存儲(chǔ)器特點(diǎn)和常用類型有哪些?
光存儲(chǔ)器是由光盤驅(qū)動(dòng)器和光盤片組成的光盤驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),光存儲(chǔ)技術(shù)是一種通過光學(xué)的方法
2010-03-20 11:41:496823 存儲(chǔ)器卡,存儲(chǔ)器卡是什么意思
存儲(chǔ)器卡(Memory Card)是一種用電可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)為核心的，能多次重復(fù)使用的IC卡。沒
2010-04-01 17:44:073966 Numonyx推出全新相變存儲(chǔ)器系列
該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(chǔ)(PCM)的新一代存儲(chǔ)技術(shù)，具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設(shè)計(jì)簡易性，適用于固線
2010-04-29 11:30:371384 相變存儲(chǔ)器（Phase Change Memory，PCM)是一種新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)。PCM存儲(chǔ)單元是一種極小的GST（鍺、銻和碲）硫族化合物顆粒，通過電脈沖的形式集中加熱的情況下，它能夠從
2010-06-02 11:57:001261 相變存儲(chǔ)器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和
2010-11-11 18:09:422586 相變存儲(chǔ)器(PCM)是一種非易失存儲(chǔ)設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來存儲(chǔ)信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態(tài)下存在，這些狀態(tài)都稱為相。相變存
2011-03-31 17:43:21103 英國研究人員最近報(bào)告說，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲(chǔ)設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。
2012-05-21 08:45:53652 長久以來，PC產(chǎn)業(yè)一直都在努力開發(fā)能夠填補(bǔ)RAM和硬盤之間速度差距的新技術(shù)。在去年，英特爾和鎂光聯(lián)合發(fā)布了一種名叫3D XPoint的中間技術(shù)。而在本周，與之相關(guān)的更多信息也得到了公布。
2016-10-20 10:58:401583 一種高可靠星載大容量
存儲(chǔ)器的壞塊表
存儲(chǔ)方案設(shè)計(jì)_李?yuàn)?/div>
2017-01-03 15:24:450 一種基于時(shí)鐘抽取偏置電壓技術(shù)的存儲(chǔ)器位線_楊澤重
2017-01-07 21:45:570 XPoint，打造出25年以來的首款新型態(tài)內(nèi)存技術(shù)。2016年，英特爾發(fā)布采用3D XPoint技術(shù)的Optane品牌儲(chǔ)存產(chǎn)品 ，成為該技術(shù)最先上市的新一代高性能固態(tài)硬盤（SSD）系列。 根據(jù)TechInsights的材料分析，XPoint是一種非揮發(fā)性內(nèi)存（NVM）技術(shù)。位儲(chǔ)存根據(jù)本體（bulk）
2017-09-18 19:39:004 3D Xpoint是自 NAND Flash 推出以來，最具突破性的一項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢(shì)，3D Xpoint被看做是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者： （1）比NAND Flash快1000倍
2018-04-19 14:09:0052236 
耶魯大學(xué)和IBM華生研究中心的研究人員一直在新型相變存儲(chǔ)器研發(fā)領(lǐng)域開展合作，目標(biāo)是使具有潛在革命性的相變存儲(chǔ)技術(shù)更具實(shí)用性和可行性。 近年來，相變存儲(chǔ)器技術(shù)作為一種能改變游戲規(guī)則的新興技術(shù)，逐漸成為替代計(jì)算機(jī)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的潛在選擇。
2018-06-13 09:26:001968 在3D存儲(chǔ)器選通管和高密度阻變存儲(chǔ)器及其集成技術(shù)的研究上開展合作，全力研發(fā)下一代3D存儲(chǔ)芯片，為早日實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器芯片技術(shù)的國產(chǎn)化貢獻(xiàn)力量。
2018-06-11 01:15:002853 Numonyx相變存儲(chǔ)器（PCM）的倡導(dǎo)者Jamshid闡述了什么是相變存儲(chǔ)器，以及它正如何改變著存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的面貌。
2018-06-26 08:55:003838 據(jù)加拿大阿爾伯塔大學(xué)官網(wǎng)近日消息，該?？茖W(xué)家完善相關(guān)技術(shù)，研制出了迄今儲(chǔ)存密度最高的固態(tài)存儲(chǔ)器，其存儲(chǔ)能力相比目前計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備提高了1000倍。
2018-08-05 10:42:475061 長江存儲(chǔ)科技公司表示，盡管仍采用3D分層，但速度卻可提升三倍。
2018-08-09 09:33:164029 多年來，業(yè)界一直致力于各種新興存儲(chǔ)技術(shù)，包括納米管RAM、FRAM、MRAM、相變存儲(chǔ)器和ReRAM。有的已經(jīng)開始出貨，有的還處于研發(fā)階段。這些新的內(nèi)存類型各不相同，而且都是針對(duì)特定應(yīng)用，但是它們都號(hào)稱可以取代當(dāng)今系統(tǒng)內(nèi)存/存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)中的一個(gè)或多個(gè)傳統(tǒng)內(nèi)存。
2018-08-27 09:19:005972 多年來，該行業(yè)一直致力于各種存儲(chǔ)技術(shù)的研究，包括碳納米管RAM、FRAM、MRAM、相變存儲(chǔ)器和ReRAM。有些已推出，有些仍在研發(fā)中。這些不同類型的存儲(chǔ)器都對(duì)應(yīng)特定的應(yīng)用領(lǐng)域，但都勢(shì)必將在存儲(chǔ)器家族中取代一個(gè)或者多個(gè)傳統(tǒng)型存儲(chǔ)。
2018-09-05 15:51:1210175 英特爾在當(dāng)?shù)貢r(shí)間周日開始出貨首批基于3D XPoint新技術(shù)的產(chǎn)品，希望借此重塑計(jì)算機(jī)內(nèi)存市場(chǎng)，協(xié)助公司從科技行業(yè)的數(shù)據(jù)爆炸中獲得更多利潤。
2018-09-16 10:50:153653 根據(jù)紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目開工動(dòng)員活動(dòng)在成都雙流自貿(mào)試驗(yàn)區(qū)舉行。官方稱紫光成都存儲(chǔ)器制造基地占地面積約1200畝，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲(chǔ)器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲(chǔ)器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。
2018-10-16 15:58:402936 新興存儲(chǔ)器(emerging memory)現(xiàn)在多指的是新的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，最主要包括相變半導(dǎo)體(Phase Change Memory；PCM)、可變電阻式存儲(chǔ)器(Resistive RAM；ReRAM)以及MRAM。
2018-10-19 10:41:054935 近期，美光正式宣布，對(duì)IM Flash Technologies，LLC（簡稱“IM Flash”） 中的權(quán)益行使認(rèn)購期權(quán)。IM Flash是美光與英特爾的合資公司，主推市場(chǎng)上的新型存儲(chǔ)芯片技術(shù)3D Xpoint。
2018-11-11 09:54:491418 技術(shù)確實(shí)降低了每千兆字節(jié)的成本。本報(bào)告展示了目前市場(chǎng)上四家存儲(chǔ)器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術(shù)和成本分析。
2018-12-11 09:28:467716 新的技術(shù)出來。除了主流的電荷捕獲（charge trap）存儲(chǔ)器外，還有鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）、相變存儲(chǔ)器（PRAM）、磁存儲(chǔ)器（MRAM）和阻變存儲(chǔ)器（RRAM）。
2019-01-01 08:55:0013980 
在3D NAND Flash大行其道的21世紀(jì)，當(dāng)Intel和美光在2015年首次介紹3D Xpoint的時(shí)候，市場(chǎng)掀起了軒然大波。據(jù)當(dāng)時(shí)的介紹，3D Xpoint會(huì)比NAND Flash快1000倍，且壽命也會(huì)比其長1000倍。
2019-01-19 09:41:381340 近年來，非易失性存儲(chǔ)技術(shù)在許多方面都取得了一些重大進(jìn)展，為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)能效提升帶來了新的契機(jī)，采用新型非易失性存儲(chǔ)技術(shù)來替代傳統(tǒng)的存儲(chǔ)技術(shù)可以適應(yīng)計(jì)算機(jī)技術(shù)發(fā)展對(duì)高存儲(chǔ)能效的需求。以相變存儲(chǔ)器為
2019-03-19 15:43:0110827 
據(jù)介紹，相變存儲(chǔ)器是一種兼具壽命長且斷電后仍可保存數(shù)據(jù)兩種優(yōu)點(diǎn)的存儲(chǔ)器，而目前通用的存儲(chǔ)器技術(shù)主要是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和閃存兩種，占了95%的市場(chǎng)份額。
2019-08-27 17:19:221675 據(jù)外媒報(bào)道，東芝存儲(chǔ)器美國子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321643 長江存儲(chǔ)科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:162374 過去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:411115 物理學(xué)家設(shè)計(jì)了一種3-D量子存儲(chǔ)器，解決了實(shí)現(xiàn)長存儲(chǔ)時(shí)間和快速讀出時(shí)間之間的權(quán)衡，同時(shí)保持了緊湊的形式。新存儲(chǔ)器在量子計(jì)算，量子通信和其他技術(shù)中具有潛在的應(yīng)用。
2019-09-12 11:39:233054 相變存儲(chǔ)器具有很多優(yōu)點(diǎn)，比如可嵌入功能強(qiáng)、優(yōu)異的可反復(fù)擦寫特性、穩(wěn)定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2019-09-18 11:14:402724 
長江存儲(chǔ)打破全球3D NAND技術(shù)壟斷，作為國家重點(diǎn)打造的存儲(chǔ)器大項(xiàng)目，經(jīng)歷多年的研發(fā)，終于走向市場(chǎng)正式向存儲(chǔ)巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:053808 至于原因，東芝認(rèn)為3D XPoint成本太高，在容量/價(jià)格比上難以匹敵3D NAND 技術(shù)，現(xiàn)在市面上96層堆疊的閃存已經(jīng)大量涌現(xiàn)，可以在容量上輕松碾壓3D XPoint。
2020-01-02 09:27:343123 未來十年，存儲(chǔ)市場(chǎng)仍將繼續(xù)追求存儲(chǔ)的密度、速度和需求的平衡點(diǎn)。盡管各個(gè)廠家的技術(shù)側(cè)重點(diǎn)不盡相同，但鎧俠（原東芝存儲(chǔ)器）對(duì) 3D XPoint 之類的堆疊類存儲(chǔ)方案的前景并不看好。
2020-01-02 16:02:115268 
相變存儲(chǔ)器具有很多優(yōu)點(diǎn)，比如可嵌入功能強(qiáng)、優(yōu)異的可反復(fù)擦寫特性、穩(wěn)定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2020-01-07 15:17:516097 在此前高調(diào)地宣布“分道揚(yáng)鑣”之后，英特爾近日又與美光簽署了新的 3D XPoint 存儲(chǔ)器晶圓供應(yīng)協(xié)議。分析人士指出，鑒于英特爾是當(dāng)前唯一的 3D XPoint 制造商，其需要向美光支付較以往更多的費(fèi)用。
2020-03-17 14:21:142525 目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲(chǔ)器
2020-04-25 11:05:573525 
新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FeRAM），磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM），相變存儲(chǔ)器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:312446 良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵，包括測(cè)試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級(jí)別進(jìn)行質(zhì)量控制測(cè)試。新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的制造和測(cè)試，這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng)，人工智能以及先進(jìn)
2020-06-09 13:46:161487 
存儲(chǔ)器是集成電路最重要的技術(shù)之一，是集成電路核心競(jìng)爭(zhēng)力的重要體現(xiàn)。然而，我國作為IC產(chǎn)業(yè)最大的消費(fèi)國，相較于國外三星、英特爾等大型半導(dǎo)體公司的存儲(chǔ)器技術(shù)與產(chǎn)品而言，我國存儲(chǔ)器的自給能力還相對(duì)
2020-09-26 12:01:182396 。以相變存儲(chǔ)器為代表的多種新型存儲(chǔ)器技術(shù)因具備高集成度、低功耗等特點(diǎn)而受到國內(nèi)外研究者的廣泛關(guān)注，本文介紹相變存儲(chǔ)器的工作原理、技術(shù)特點(diǎn)及其國內(nèi)外最新研究進(jìn)展。 一、相變存儲(chǔ)器的工作原理 相變存儲(chǔ)器（Phase Change
2022-12-20 18:33:252207 提供，也就是仰仗美光。據(jù)美光最新表態(tài)，3D Xpoint仍是公司關(guān)注的領(lǐng)域和業(yè)務(wù)，且有明確的路線圖。 日前出席伯恩斯坦運(yùn)營決策會(huì)議時(shí)，美光CFO David Zinsner坦言，3D Xpoint的收入幾乎全來自外售存儲(chǔ)芯片。換言之，自家第一款也是唯一的3D Xpoint固態(tài)盤X100銷量低迷，還沒有產(chǎn)
2020-11-29 11:54:412026 對(duì)于存儲(chǔ)器，大家都有所了解，比如我們每天使用的手機(jī)內(nèi)就具備存儲(chǔ)器。為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)只讀存儲(chǔ)器的種類予以介紹，并對(duì)相變存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器生命周期、技術(shù)進(jìn)行對(duì)比。如果你對(duì)存儲(chǔ)器相關(guān)內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-12-06 10:31:009204 。 據(jù)了解，在新型存儲(chǔ)器中，相變存儲(chǔ)器（PCM）是與CMOS工藝最兼容，技術(shù)最成熟的存儲(chǔ)技術(shù)。 2015年，Intel和Micron推出了傲騰三維相變存儲(chǔ)芯片，速度和壽命比固態(tài)閃存硬盤要快一千倍，其三維堆疊技術(shù)也使容量高出了十倍。 然而，由于在相變過程中需
2022-01-21 13:15:001047 本系列文章的第1 部分解釋了內(nèi)存如何影響汽車中區(qū)域和域系統(tǒng)的計(jì)算性能、功耗、可靠性和成本。現(xiàn)在，讓我們談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">一種特定類型的非易失性存儲(chǔ)器 (NVM) — 相變存儲(chǔ)器 (PCM) — 在 MCU 的關(guān)鍵
2022-07-19 11:58:022123 
Racetrack存儲(chǔ)器可以存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)，這些數(shù)據(jù)可以非?？焖俚卦L問。現(xiàn)在，在一項(xiàng)新的研究中，科學(xué)家們發(fā)現(xiàn)了3D racetrack存儲(chǔ)設(shè)備，這可能會(huì)極大地提高這項(xiàng)技術(shù)的潛力。
2022-10-25 11:55:393019 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器（Semiconductor Memory）是一種電子元件，用于存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)。它由半導(dǎo)體材料制成，采用了半導(dǎo)體技術(shù)，是計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中最常用的存儲(chǔ)器。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩種
2024-02-01 17:19:055136 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲(chǔ)器）的一種。
2024-03-17 15:31:392376 
相變存儲(chǔ)器（Phase-Change Random Access Memory，簡稱 PCRAM 或者PCM），是一種非易失性存儲(chǔ)器，利用電能(熱量)使相變材料在晶態(tài)(低阻)與非晶態(tài)(高阻)之間的相互轉(zhuǎn)換來實(shí)現(xiàn)信息的存儲(chǔ)和擦除，通過測(cè)量電阻的變化讀出信息。
2024-04-27 06:35:002196 
定義： RAM（Random Access Memory）：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是一種易失性存儲(chǔ)器，主要用于計(jì)算機(jī)和其他設(shè)備的臨時(shí)存儲(chǔ)。 ROM（Read-Only Memory）：只讀存儲(chǔ)器，是一種
2024-08-06 09:17:482549 高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache），通常簡稱為緩存，是一種具有高速存取能力的存儲(chǔ)器。其原始意義是指存取速度比一般隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）更快的一種RAM。高速緩沖存儲(chǔ)器一般采用靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM
2024-09-10 14:09:284406 在探討存儲(chǔ)器中訪問速度最快的是哪一種時(shí)，我們首先需要了解計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)以及各類存儲(chǔ)器的特性和功能。計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)通常包括多個(gè)層次的存儲(chǔ)器，從速度最快、容量最小的寄存器開始，到速度較慢、容量較大的外存儲(chǔ)器結(jié)束。這些存儲(chǔ)器在訪問速度、容量、價(jià)格等方面各有優(yōu)劣，共同構(gòu)成了計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)體系。
2024-10-12 17:01:055359 ，Read-Only Memory）。 一、隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM） 隨機(jī)存儲(chǔ)器的定義和特點(diǎn) 隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）是一種可讀寫的存儲(chǔ)器，其特點(diǎn)是可以隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器中的任何位置，并且讀寫速度相對(duì)較快。RAM的主要作用是為計(jì)算機(jī)的中央處理器（CPU）提供臨時(shí)存儲(chǔ)空間，以便快速處理數(shù)據(jù)和執(zhí)
2024-10-14 09:54:114300 HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲(chǔ)器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。其核心設(shè)計(jì)是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122961 2030年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊的3D NAND存儲(chǔ)器。 ? 3D NAND似乎已經(jīng)成為各大存儲(chǔ)企業(yè)競(jìng)相追逐的“工業(yè)明珠”，包括三星、海力士、美光、鎧俠、長江存儲(chǔ)等都在這一領(lǐng)域投入大量資源，而比拼的就是堆疊層數(shù)。 ? 3D NAND 為何如此重要？ ? 隨著數(shù)字化信息的爆炸性增長，對(duì)對(duì)存儲(chǔ)容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061 
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