賽普拉斯非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (NVRAM) 可確保工業(yè)系統(tǒng)處于“零數(shù)據(jù)風(fēng)險(xiǎn)”狀態(tài)，無(wú)論是在正常運(yùn)行還是故障發(fā)生期間均可以完成安全可靠的數(shù)據(jù)備份。
2017-10-25 10:19:26
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NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見(jiàn)的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤(pán)、固態(tài)硬盤(pán)，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤(pán)除外。
2022-11-10 17:08:322839 
并非所有非易失性或閃存 FPGA 器件都是一樣的。本文探討了真正的非易失性FPGA的優(yōu)勢(shì) - 包括顯著降低功耗、更快的響應(yīng)時(shí)間、無(wú)與倫比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是無(wú)法復(fù)制的。
2022-11-14 15:34:192378 
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，主要有
2023-06-25 14:30:185521 
計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、電信、汽車、工業(yè)系統(tǒng)以及無(wú)數(shù)電子設(shè)備和系統(tǒng)都依賴于各種形式的固態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行操作。設(shè)計(jì)人員需要了解易失性和非易失性存儲(chǔ)器件的各種選項(xiàng)，以優(yōu)化系統(tǒng)性能。
2023-09-14 16:06:263490 
在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲(chǔ)器市場(chǎng)中，有兩種主要的類型：隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器 ( RAM ) 和只讀存儲(chǔ)器 ( ROM )。盡管都是存儲(chǔ)器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:174418 
0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
存取速度分類)：1、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器：SRAM、DRAM、FRAM；2、非隨機(jī)存取存儲(chǔ)器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。差強(qiáng)人意的分類為(按易失性分類)：1、易
2012-01-06 22:58:43
第 4 章 存儲(chǔ)器4.1概述存儲(chǔ)器可分為那些類型現(xiàn)代存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)，為什么要分層一、存儲(chǔ)器分類1.按存儲(chǔ)介質(zhì)分類（1）半導(dǎo)體存儲(chǔ)器TTL、MOS易失（2）磁表面存儲(chǔ)器磁頭、載磁體（3）磁芯存儲(chǔ)器
2021-07-29 07:40:10
1. 存儲(chǔ)器理解存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分，存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器；所謂易失性存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電，存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除，而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)的功能。易失性存儲(chǔ)器主要指
2021-12-10 06:54:11
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)原理
2021-02-26 06:36:26
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，三者科技內(nèi)涵各有所長(zhǎng),市場(chǎng)預(yù)測(cè)尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說(shuō)明在智能電子式電表的設(shè)計(jì)中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢(shì)。圖1顯示的是智能電子式電表的簡(jiǎn)化框圖。非易失性存儲(chǔ)器是一個(gè)電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來(lái)測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問(wèn)題：非易失性內(nèi)存有寫(xiě)入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫(xiě)入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
這個(gè)芯片編程設(shè)置好以后，掉電會(huì)遺失設(shè)置嗎？里面有沒(méi)有非易失存儲(chǔ)器？
2024-11-12 07:16:06
bq4011是一個(gè)非易失性262144位靜態(tài)RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標(biāo)準(zhǔn)SRAM的無(wú)限寫(xiě)入周期相結(jié)合?？刂齐娐烦掷m(xù)監(jiān)測(cè)單個(gè)5V電源是否超出公差條件。當(dāng)
2020-09-16 17:15:13
并行隨機(jī)訪問(wèn)讀取和寫(xiě)入的速度最快為20 ns。 發(fā)生電源故障時(shí)，nv SRAM會(huì)自動(dòng)將SRAM數(shù)據(jù)的副本保存到非易失性存儲(chǔ)器中，該數(shù)據(jù)將受到20多年的保護(hù)。SRAM和非易失性存儲(chǔ)器之間的傳輸是完全并行
2020-04-08 14:58:44
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的存儲(chǔ)器來(lái)運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)儲(chǔ)存器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀存儲(chǔ)器）。
2019-06-28 08:29:29
數(shù)字電位器存儲(chǔ)類型標(biāo)注具有“易失性”，他的意思是不是說(shuō)，假設(shè)當(dāng)前已經(jīng)調(diào)節(jié)好電位器處于3.5kΩ這個(gè)位置，那么斷電再上電后，電位器就回到初始狀態(tài)位置，不再是3.5kΩ這個(gè)位置了?！?b class="flag-6" style="color: red">非易失性”就是斷電再上電后還是3.5KΩ這個(gè)位置。是這個(gè)意思嗎
2024-11-21 07:15:57
代碼執(zhí)行應(yīng)用則要求存儲(chǔ)器的隨機(jī)訪存速度更快。經(jīng)過(guò)研究人員對(duì)浮柵存儲(chǔ)技術(shù)的堅(jiān)持不懈的研究，現(xiàn)有閃存的技術(shù)能力在2010年底應(yīng)該有所提升，盡管如此，現(xiàn)在人們?cè)絹?lái)越關(guān)注有望至少在2020年末以前升級(jí)到更小
2019-06-26 07:11:05
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)64Kbit-512Kbit.5.PSRAM[Pseudo SRAM,UtRAM(虛擬靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)4Mbit-64Mbit.6.Cellular RAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2013-08-29 10:11:56
MIKROE-2768，F(xiàn)RAM 2 CLICK Board帶有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或F-RAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
我應(yīng)該用什么API來(lái)存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊(cè)上說(shuō)它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫(xiě)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
)4Mbit-64Mbit.4.Cellular RAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)4Mbit-64Mbit.6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存儲(chǔ)器)256Kbit-16Mbit8.Mobile SDRAM
2013-08-23 11:00:03
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器）、FRAM（鐵電存儲(chǔ)器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲(chǔ)器）等。每種類型存儲(chǔ)器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)：存儲(chǔ)器
2019-07-23 06:15:10
存儲(chǔ)器分類按不同分類標(biāo)準(zhǔn)可作不同的分類。按存儲(chǔ)介質(zhì)不同可分為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器（易失或非易失）、磁表面存儲(chǔ)器（非易....
2021-07-26 06:22:47
/Toggle 2.0接口，可為企業(yè)級(jí)SSD廠商提供高性能的同步非易失性存儲(chǔ)器解決方案。全新nvSRAM可直接放在NAND閃存總線上，成為關(guān)鍵非易失性數(shù)據(jù)的有源存儲(chǔ)器空間（見(jiàn)圖6）。全新nvSRAM接口
2018-09-26 09:44:52
（Ferroelectric Random Access Memory）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用
2020-05-07 15:56:37
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57
隨機(jī)靜態(tài)存儲(chǔ)器低能中子單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng):建立了中子單粒子翻轉(zhuǎn)可視化分析方法，對(duì)不同特征尺寸（０．１３～１．５０μｍ）ＣＭＯＳ工藝商用隨機(jī)靜態(tài)存儲(chǔ)器（ＳＲＡＭ）器件
2009-10-31 14:23:42
35 FM25C160 是美國(guó)Ramtron 公司生產(chǎn)的非易失性鐵電介質(zhì)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器。它具有高速讀寫(xiě)，超低功耗和無(wú)限次寫(xiě)入等特性。文中介紹了FM25C160 的性能特點(diǎn)﹑管腳定義﹑內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作
2009-11-12 14:11:0335 Maxim推出帶有用戶可編程非易失(NV)存儲(chǔ)器的質(zhì)詢-響應(yīng)安全認(rèn)證IC DS28E10。采用經(jīng)過(guò)業(yè)內(nèi)認(rèn)證的FIPS 180-3安全散列算法(SHA-1),結(jié)合主控制器提供的可編程私鑰和隨機(jī)質(zhì)詢的命令實(shí)現(xiàn)整個(gè)認(rèn)
2010-08-14 15:12:2617 制造商: ISSI 產(chǎn)品種類: 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS: Yes 存儲(chǔ)容量: 256 kbit 組織
2024-08-02 15:14:36
概述隨著DS32X35系列產(chǎn)品的發(fā)布，Maxim能夠提供無(wú)需電池的非易失存儲(chǔ)器。這些器件采用了鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)技術(shù)，F(xiàn)RAM是非易失存儲(chǔ)器，其讀/寫(xiě)操作與RAM類似。該系列器
2009-04-17 09:42:43891 
摘要：本文討論如何使用安全數(shù)字(SD)媒體格式擴(kuò)展MAXQ2000的非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。 低功耗、低噪聲的MAXQ2000微控制器適合于多種應(yīng)用。MAXQ2000在閃存中存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，
2009-04-23 16:25:251387 
充分利用MAXQ®處理器的非易失存儲(chǔ)服務(wù)
摘要：需要非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用通常都需要使用外部串行EEPROM。這篇文章介紹了僅使用MAXQ微控制器中已有的閃存提供非易失
2009-05-02 09:28:541079 
非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電
2009-12-19 10:37:46946 
非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和
2010-01-11 10:02:22883 AGIGARAM非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達(dá)8GB的存儲(chǔ)密度，從而為系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計(jì)者提供了充分的靈活性，可以專為某些特定應(yīng)用需求量身定制非易失性存儲(chǔ)器。AgigA
2010-08-20 09:27:261002 DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM，包括一個(gè)完備的實(shí)時(shí)時(shí)鐘，兩者均以字節(jié)寬度格式訪問(wèn)。非易失性時(shí)間保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091601 
DS1646是一個(gè)128K的× 8非易失性與全功能實(shí)時(shí)時(shí)鐘，都在一個(gè)字節(jié)寬的格式訪問(wèn)靜態(tài)RAM。非易失性RAM是計(jì)時(shí)功能等同于
2010-10-22 08:55:091169 
賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM)，該存儲(chǔ)器具有I2C和SPI接口，可用于儀表、工業(yè)和汽車應(yīng)用
2011-04-06 19:06:011886 MAXQ器件包含的硬件部分可以實(shí)現(xiàn)偽馮諾依曼架構(gòu)，如同訪問(wèn)數(shù)據(jù)空間一樣訪問(wèn)代碼空間。這種額外的多功能性，結(jié)合MAXQ的效用函數(shù)，可實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器的擦寫(xiě)服務(wù)，為完整的可讀寫(xiě)非易失存
2011-05-31 11:51:501511 
同步靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器SSRAM(Synchronous Static Random Access Memory)，已經(jīng)廣泛地應(yīng)用于通信、無(wú)線基站、網(wǎng)絡(luò)路由交換等需要大容量、高速可靠數(shù)據(jù)傳輸?shù)念I(lǐng)域。隨著通信技術(shù)的發(fā)展，近年來(lái)
2011-07-07 11:47:0462 本內(nèi)容提供了內(nèi)置易失性存儲(chǔ)器的數(shù)字電位計(jì)的各種型號(hào)參數(shù)知識(shí)，來(lái)方便大家選型
2011-12-12 15:24:4829 全球微電子產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)宣布，成立專門(mén)小組委員會(huì)JC64.9制定非易失性無(wú)線存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)。設(shè)立于制定嵌入式存儲(chǔ)器與可插拔存儲(chǔ)卡標(biāo)準(zhǔn)的JC-64委員會(huì)之下的
2012-04-17 09:10:381136 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前推出了16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器 （nvSRAM） 系列，其中包括具備同步 NAND 閃存接口的器件、16-Mbit 并行、nvSRAM和同步NAND 接口，全新系列包含了支持用于
2012-09-13 12:04:25858 什么是F-RAM？ F-RAM：鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言，鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（F-RAM）具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。已經(jīng)確定的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類：易失性和非易失性
2012-10-19 17:16:336818 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，LSI在其用于高性能服務(wù)器、工作站和外部存儲(chǔ)器的12Gb/s SAS主機(jī)總線適配器（HBA）中，選用了賽普拉斯的并行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（nvSRAM
2013-09-10 10:25:451739 非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
2017-01-19 21:22:5414 （phase-change memory, PCM）、磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)（magnetoresistive random access memory, MRAM以及阻變式存儲(chǔ)（resistive random access memory, RRAM）等主要非易失性存儲(chǔ)技術(shù)已經(jīng)有了較長(zhǎng)的開(kāi)發(fā)歷史。
2018-07-04 11:55:007915 
為適應(yīng)底層存儲(chǔ)架構(gòu)的變化，上層數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)已經(jīng)經(jīng)歷了多輪的演化與變革．在大數(shù)據(jù)環(huán)境下，以非易失、大容量、低延遲、按字節(jié)尋址等為特征的新型非易失存儲(chǔ)器件（NVM）的出現(xiàn)，勢(shì)必對(duì)數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)帶來(lái)重大
2018-01-02 19:04:400 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡(jiǎn)單分成易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器，易失存儲(chǔ)器在過(guò)去的幾十年里沒(méi)有特別大的變化，依然是以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）為主，非易失存儲(chǔ)器反而不斷有
2019-01-01 08:55:0013974 
在許多較早期的系統(tǒng)中，代碼存儲(chǔ)使用ROM或者OTP-EPROM，它們是非易失性的且不能在系統(tǒng)中進(jìn)行修改。因此，設(shè)計(jì)上的主要問(wèn)題是存儲(chǔ)器的大小、存取時(shí)間，以及工作電壓等基本參數(shù)。 隨著嵌入實(shí)系統(tǒng)的發(fā)展要求對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行應(yīng)用中編程，閃存由于具備可寫(xiě)入特性被作為較合適的代碼存儲(chǔ)器。
2019-04-21 09:53:041812 事實(shí)上，除了這些傳統(tǒng)要求，在前兩代非易失FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)上，萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor）公司還認(rèn)識(shí)到需要靈活的片上非易失存儲(chǔ)器，以及作為非易失FPGA新要求的用于現(xiàn)場(chǎng)邏輯更新的全面解決方案。
2019-06-16 09:48:472069 關(guān)于SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及結(jié)構(gòu)。 SRAM隨機(jī)存儲(chǔ)器的特點(diǎn) 隨機(jī)存儲(chǔ)器最大的特點(diǎn)就是可以隨時(shí)對(duì)它進(jìn)行讀寫(xiě)操作，但當(dāng)電源斷開(kāi)時(shí)，存儲(chǔ)信息便會(huì)消失。隨機(jī)存儲(chǔ)器依照數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式的不同，主要可以分為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）與靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2020-04-30 15:48:133900 
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM），為太空工業(yè)提供輻射硬化，高度可靠的非易失性不受單事件翻轉(zhuǎn)（SEU），低壓?jiǎn)问录V鎖（SEL）和單事件門(mén)破裂（SEGR）影響的存儲(chǔ)器。該產(chǎn)品還在-40C至+ 105C的溫度范圍內(nèi)提供
2020-05-14 12:01:151276 鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是一種特殊工藝的非易失性的存儲(chǔ)器，它將DRAM的快速讀取和寫(xiě)入訪問(wèn)，它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型，與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣
2020-08-18 15:22:321189 
。本文存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子先帶大家認(rèn)識(shí)一下非易失性NV-SRAM。 NV-SRAM簡(jiǎn)介 在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，存在大量?jī)?nèi)存。其中大多數(shù)是名稱不合時(shí)宜的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）。這個(gè)名稱意義不大，因?yàn)楫?dāng)今所有內(nèi)存都是隨機(jī)訪問(wèn)的。當(dāng)工程
2020-09-11 16:09:322230 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂非易失性是指掉電后﹐仍可以保持存儲(chǔ)內(nèi)容完整，此功能與Flash閃存相同;而隨機(jī)存取是指處理器讀取資料時(shí)，不定要從頭開(kāi)始，隨時(shí)都可用相同的速率，從內(nèi)存的任何
2020-09-21 13:50:343890 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有SRAM的高速讀取寫(xiě)入能力，以及DRAM的高集成度，基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。專注于代理銷售MRAM芯片等存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商英尚微電子詳細(xì)介紹關(guān)于MRAM
2020-10-21 14:32:592571 
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM是一種新型存儲(chǔ)器，其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)中。同時(shí)非易失性MRAM存儲(chǔ)器也應(yīng)用于各級(jí)高速緩存
2020-11-09 16:46:481077 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《非易失性NVSRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)講解.pdf》資料免費(fèi)下載
2020-11-25 11:12:0026 可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。常見(jiàn)的設(shè)備如電腦硬盤(pán)、TF卡、SD卡、U盤(pán)等。 易失性存儲(chǔ)器 易失存儲(chǔ)器是指在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候數(shù)據(jù)丟失。常見(jiàn)的設(shè)備如電腦內(nèi)存、高速緩存、顯示器顯存等。 易失性存儲(chǔ)器-RAM 易失性存儲(chǔ)器主要是指隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器
2020-12-07 14:26:136410 
的游戲機(jī)使用靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ram）來(lái)存儲(chǔ)關(guān)鍵且連續(xù)變化的運(yùn)行時(shí)處理數(shù)據(jù)，機(jī)器狀態(tài)以及與游戲相關(guān)的其他配置詳細(xì)信息。處理器可以輕松地將RAM連接到其標(biāo)準(zhǔn)地址，數(shù)據(jù)和控制I/O，并且可以以最少的固件開(kāi)銷訪問(wèn)設(shè)備，而磁盤(pán)驅(qū)
2020-12-22 15:16:431221 
一種由普通SRAM、后備電池以及相應(yīng)控制電路集成的新型存儲(chǔ)器：非易失性SRAM（NVSRAM）。 為解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問(wèn)題，國(guó)外著名半導(dǎo)體公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列產(chǎn)品，國(guó)內(nèi)也有同類產(chǎn)品相繼問(wèn)世。面對(duì)眾多的NVSRAM產(chǎn)品，廣大用戶如何選擇質(zhì)優(yōu)價(jià)廉的產(chǎn)品呢？建議用戶根據(jù)以
2021-01-11 16:44:202306 富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持，不僅不需要備用電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器
2021-04-08 15:42:021621 
MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用。基于MRAM的設(shè)備可以為“黑匣子”應(yīng)用提供解決方案，因?yàn)樗許RAM
2021-06-23 16:16:261347 低功耗設(shè)計(jì)的植入人體的增強(qiáng)生命的患者監(jiān)護(hù)設(shè)備，小尺寸內(nèi)存，賽普拉斯FRAM 提供即時(shí)非易失性和幾乎無(wú)限的耐用性，而不會(huì)影響速度或能源效率。本篇文章介紹64Kbit非易失性鐵電存儲(chǔ)器FM25640B。
2021-06-30 15:42:462410 Everspin公司生產(chǎn)的MRAM用于數(shù)據(jù)持久性和應(yīng)用的市場(chǎng)和應(yīng)用。Everspin MRAM應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心和云存儲(chǔ)、汽車和運(yùn)輸市場(chǎng)。MRAM是一種利用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力——能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與 SRAM 的速度相結(jié)合，同時(shí)具有非易失性和節(jié)能性。
2021-08-17 16:26:192880 AN4808_STM32L0和STM32L1系列微控制器上不干擾代碼執(zhí)行寫(xiě)非易失存儲(chǔ)器
2022-11-21 17:06:490 在過(guò)去幾十年內(nèi)，易失性存儲(chǔ)器沒(méi)有特別大的變化，主要分為DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。它在任何時(shí)候都可以讀寫(xiě)，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:464852 
STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問(wèn)的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時(shí)間長(zhǎng)的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:582187 作為使用PAL、GAL或CPLD器件實(shí)現(xiàn)非易失性門(mén)控功能的替代方案，這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位器（MAX5427或MAX5527）存儲(chǔ)門(mén)控信號(hào)（模塊或發(fā)送）。
2023-01-12 11:30:521731 
英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和幾乎無(wú)限的耐用性。對(duì)于需要快速存儲(chǔ)和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來(lái)說(shuō)，這是最理想的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器?？商娲鶱OR?Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:55585 其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無(wú)限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。
2023-05-12 16:31:39882 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用XOD訪問(wèn)ESP32非易失性存儲(chǔ).zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-15 14:35:410 ，非易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)仍保留在計(jì)算機(jī)中。易失性存儲(chǔ)器的主要特征是它們需要電源來(lái)維持其存儲(chǔ)狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:282448 后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失存儲(chǔ)器（Volatile Memory），存儲(chǔ)內(nèi)容不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作非易失存儲(chǔ)器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類 1、按功能分為 （1）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:012864 
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。按照電源在關(guān)斷后數(shù)據(jù)是否依舊被保存的方式區(qū)分，存儲(chǔ)器可分為非易失性存儲(chǔ)器 (Non-volatile Memory，NVM)和易失性存儲(chǔ)器 （volatile Memory
2023-11-16 09:14:062013 非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (NVSRAM) 是一種即使斷電也能保留數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，提供非易失性存儲(chǔ)。
2023-12-05 10:09:561722 是Volatile RAM（易失性存儲(chǔ)器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲(chǔ)器），又稱
2024-01-12 17:27:154717 非易失性存儲(chǔ)器，主要用于存儲(chǔ)固件、操作系統(tǒng)和其他重要數(shù)據(jù)。 存儲(chǔ)方式： RAM存儲(chǔ)器使用動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（DRAM）或靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。 ROM存儲(chǔ)器使用各種類型的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，如PROM
2024-08-06 09:17:482545 （DRAM）那樣周期性地刷新以維持?jǐn)?shù)據(jù)。然而，與只讀存儲(chǔ)器（ROM）或閃存不同，SRAM在電力供應(yīng)停止時(shí)，其儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)仍然會(huì)消失，因此也被歸類為易失性存儲(chǔ)器（volatile memory）。
2024-09-26 16:25:308016 
運(yùn)行時(shí)的主要存儲(chǔ)器，因?yàn)樗峁┝丝焖俚臄?shù)據(jù)訪問(wèn)速度，這對(duì)于執(zhí)行程序和處理數(shù)據(jù)至關(guān)重要。 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的特點(diǎn) 快速訪問(wèn)速度 ：RAM的訪問(wèn)時(shí)間非常短，通常在納秒級(jí)別，這使得它能夠快速響應(yīng)CPU的指令和數(shù)據(jù)請(qǐng)求。 易失性 ：RAM是一種易失性存儲(chǔ)器，這意味著一
2024-10-14 09:51:232474 在各類存儲(chǔ)設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì)，在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44275
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