并非所有非易失性或閃存 FPGA 器件都是一樣的。本文探討了真正的非易失性FPGA的優(yōu)勢(shì) - 包括顯著降低功耗、更快的響應(yīng)時(shí)間、無(wú)與倫比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是無(wú)法復(fù)制的。
2022-11-14 15:34:19
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計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、電信、汽車、工業(yè)系統(tǒng)以及無(wú)數(shù)電子設(shè)備和系統(tǒng)都依賴于各種形式的固態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行操作。設(shè)計(jì)人員需要了解易失性和非易失性存儲(chǔ)器件的各種選項(xiàng),以優(yōu)化系統(tǒng)性能。
2023-09-14 16:06:26
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和非易失性存儲(chǔ)器就萬(wàn)事大吉了么?令人糾結(jié)的是,有一種新的存儲(chǔ)器,它既是非易失的,同時(shí)又是能夠高速隨時(shí)讀寫數(shù)據(jù)的,也就是說(shuō)能夠隨機(jī)存取的。這種存儲(chǔ)器就是FRAM(Ferroelectric Random
2012-01-06 22:58:43
1. 存儲(chǔ)器理解存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分,存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件,有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性,可以分“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類,易失和非易
2021-07-16 07:55:26
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器;所謂易失性存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電,存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除,而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)的功能。易失性存儲(chǔ)器主要指
2021-12-10 06:54:11
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機(jī)存取存儲(chǔ)器),三者科技內(nèi)涵各有所長(zhǎng),市場(chǎng)預(yù)測(cè)尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述,并且說(shuō)明在智能電子式電表的設(shè)計(jì)中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢(shì)。圖1顯示的是智能電子式電表的簡(jiǎn)化框圖。非易失性存儲(chǔ)器是一個(gè)電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來(lái)測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量,所以,我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問題:非易失性內(nèi)存有寫入限制,所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制?我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器,每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
非易失性SRAM(nv SRAM)結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下,nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和時(shí)序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了
一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)(RTOS),操作系統(tǒng)通常都是使用
非易失的
存儲(chǔ)器來(lái)運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。
存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊,其中包括電池供電的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問儲(chǔ)存
器),各種各樣的閃存以及串口EEPROM(電可擦的,可編程的只讀
存儲(chǔ)器)?! ?/div>
2019-06-28 08:29:29
數(shù)字電位器存儲(chǔ)類型標(biāo)注具有“易失性”,他的意思是不是說(shuō),假設(shè)當(dāng)前已經(jīng)調(diào)節(jié)好電位器處于3.5kΩ這個(gè)位置,那么斷電再上電后,電位器就回到初始狀態(tài)位置,不再是3.5kΩ這個(gè)位置了。“非易失性”就是斷電再上電后還是3.5KΩ這個(gè)位置。是這個(gè)意思嗎
2024-11-21 07:15:57
存儲(chǔ)器(Volatile Memory),存儲(chǔ)內(nèi)容不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作非易失存儲(chǔ)器(Non-Volatile Memory)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類* RAM (Random Access Memory
2019-04-21 22:57:08
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地,特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的要求更高,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用需要寫入速度極快的高密度存儲(chǔ)器,而
2019-06-26 07:11:05
我應(yīng)該用什么API來(lái)存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)?我使用CYW43907,手冊(cè)上說(shuō)它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
保護(hù)您的嵌入式軟件免受內(nèi)存損壞本文的目的是提供一種軟件方法,解釋如何處理存儲(chǔ)在非易失性設(shè)備(如小型 EEPROM 或閃存)中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞。在微型嵌入式系統(tǒng)中看到這些數(shù)據(jù)集是很常見的,這些系統(tǒng)存儲(chǔ)
2021-12-24 07:27:45
具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性,可以分“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類。易失性存儲(chǔ)器斷電后,里面存儲(chǔ)
2022-02-11 07:51:30
存儲(chǔ)器分類按不同分類標(biāo)準(zhǔn)可作不同的分類。按存儲(chǔ)介質(zhì)不同可分為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(易失或非易失)、磁表面存儲(chǔ)器(非易....
2021-07-26 06:22:47
網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器技術(shù)是如何產(chǎn)生的?怎樣去設(shè)計(jì)一種網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器?
2021-05-26 07:00:22
和閃存)結(jié)合起來(lái)。鐵電存儲(chǔ)器是一種特殊工藝的非易失性的存儲(chǔ)器,是采用人工合成的鉛鋯鈦(PZT) 材料形成存儲(chǔ)器結(jié)晶體。 FRAM的結(jié)構(gòu)FRAM記憶元件使用了鐵電膜(Ferroelectric film
2020-05-07 15:56:37
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術(shù)一樣,是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術(shù)一樣,是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
FM25C160 是美國(guó)Ramtron 公司生產(chǎn)的非易失性鐵電介質(zhì)讀寫存儲(chǔ)器。它具有高速讀寫,超低功耗和無(wú)限次寫入等特性。文中介紹了FM25C160 的性能特點(diǎn)﹑管腳定義﹑內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作
2009-11-12 14:11:03
35 本文論述了基本非易失存儲(chǔ)器(NVM)的基本概念。第一部分介紹了NVM的基本情況,包括NVM的背景以及常用的存儲(chǔ)器術(shù)語(yǔ)。第二部分我將介紹怎樣通過熱電子注入實(shí)現(xiàn)NVM的編程。第
2010-01-16 15:43:25
54 不同的應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)有不同的需求:在運(yùn)行控制任務(wù)時(shí),需要Cache 匹配速度差異;在處理數(shù)據(jù)流時(shí),需要片內(nèi)存儲(chǔ)器提高訪問帶寬。本文設(shè)計(jì)了一種基于SRAM 的可配置Cache/SRAM
2010-01-25 11:53:55
24 鐵電存儲(chǔ)器FRAM詳解:
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無(wú)限次讀寫、高速讀寫
2008-01-30 09:13:50
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摘要:本文討論如何使用安全數(shù)字(SD)媒體格式擴(kuò)展MAXQ2000的非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。 低功耗、低噪聲的MAXQ2000微控制器適合于多種應(yīng)用。MAXQ2000在閃存中存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù),
2009-04-23 16:25:25
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充分利用MAXQ®處理器的非易失存儲(chǔ)服務(wù)
摘要:需要非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用通常都需要使用外部串行EEPROM。這篇文章介紹了僅使用MAXQ微控制器中已有的閃存提供非易失
2009-05-02 09:28:54
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相變存儲(chǔ)器技術(shù)基礎(chǔ) 相變存儲(chǔ)器(PCM)是一種非易失存儲(chǔ)設(shè)備,它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來(lái)存儲(chǔ)信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等
2009-11-21 10:55:55
1074 相變存儲(chǔ)器(PCM)技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)
相變存儲(chǔ)器(PCM)是一種非易失存儲(chǔ)設(shè)備,它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來(lái)存儲(chǔ)信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液
2009-11-23 09:19:03
3661 非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地,特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電
2009-12-19 10:37:46
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非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地,特別是主要用于手機(jī)和
2010-01-11 10:02:22
883 AGIGARAM非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達(dá)8GB的存儲(chǔ)密度,從而為系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計(jì)者提供了充分的靈活性,可以專為某些特定應(yīng)用需求量身定制非易失性存儲(chǔ)器。AgigA
2010-08-20 09:27:26
1002 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM),該存儲(chǔ)器具有I2C和SPI接口,可用于儀表、工業(yè)和汽車應(yīng)用
2011-04-06 19:06:01
1886 MAXQ器件包含的硬件部分可以實(shí)現(xiàn)偽馮諾依曼架構(gòu),如同訪問數(shù)據(jù)空間一樣訪問代碼空間。這種額外的多功能性,結(jié)合MAXQ的效用函數(shù),可實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器的擦寫服務(wù),為完整的可讀寫非易失存
2011-05-31 11:51:50
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本內(nèi)容提供了內(nèi)置易失性存儲(chǔ)器的數(shù)字電位計(jì)的各種型號(hào)參數(shù)知識(shí),來(lái)方便大家選型
2011-12-12 15:24:48
29 全球微電子產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)宣布,成立專門小組委員會(huì)JC64.9制定非易失性無(wú)線存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)。設(shè)立于制定嵌入式存儲(chǔ)器與可插拔存儲(chǔ)卡標(biāo)準(zhǔn)的JC-64委員會(huì)之下的
2012-04-17 09:10:38
1136 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前推出了16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器 (nvSRAM) 系列,其中包括具備同步 NAND 閃存接口的器件、16-Mbit 并行、nvSRAM和同步NAND 接口,全新系列包含了支持用于
2012-09-13 12:04:25
858 什么是F-RAM? F-RAM:鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)而言,鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(F-RAM)具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。已經(jīng)確定的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類:易失性和非易失性
2012-10-19 17:16:33
6822 DS1855雙路非易失性(NV)數(shù)字電位器和安全存儲(chǔ)器由一個(gè)100級(jí)線性變化電位器、一個(gè)256級(jí)線性變化電阻器、256字節(jié)EEPROM存貯器、和2線接口組成。
2013-02-19 16:53:30
2864 
使用賽道存儲(chǔ)單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南
2017-01-07 21:45:57
1 非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
2017-01-19 21:22:54
14 大型廠商的產(chǎn)品導(dǎo)入、存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存(SCM)的新興應(yīng)用以及五大邏輯代工廠的涉足將推動(dòng)非易失性存儲(chǔ)市場(chǎng)的增長(zhǎng)。 新興非易失性存儲(chǔ)(NON-VOLATILE MEMORY, NVM)有利的市場(chǎng)環(huán)境 相變存儲(chǔ)
2018-07-04 11:55:00
7915 
為適應(yīng)底層存儲(chǔ)架構(gòu)的變化,上層數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)已經(jīng)經(jīng)歷了多輪的演化與變革.在大數(shù)據(jù)環(huán)境下,以非易失、大容量、低延遲、按字節(jié)尋址等為特征的新型非易失存儲(chǔ)器件(NVM)的出現(xiàn),勢(shì)必對(duì)數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)帶來(lái)重大
2018-01-02 19:04:40
0 存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域,主要分為兩類:易失性和非易失性。易失性:斷電以后,存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了,例如 DRAM,主要用來(lái)做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR),兩者各占三成。非易失性:斷電以后
2018-04-09 15:45:33
113864 關(guān)鍵詞:賽普拉斯 , 16-Mbit , 存儲(chǔ)器 , nvSRAM 賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票代碼:CY)日前推出了 16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器 (nvSRAM) 系列,其中
2018-09-30 00:22:02
933 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡(jiǎn)單分成易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器,易失存儲(chǔ)器在過去的幾十年里沒有特別大的變化,依然是以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)為主,非易失存儲(chǔ)器反而不斷有
2019-01-01 08:55:00
13982 
在許多較早期的系統(tǒng)中,代碼存儲(chǔ)使用ROM或者OTP-EPROM,它們是非易失性的且不能在系統(tǒng)中進(jìn)行修改。因此,設(shè)計(jì)上的主要問題是存儲(chǔ)器的大小、存取時(shí)間,以及工作電壓等基本參數(shù)。 隨著嵌入實(shí)系統(tǒng)的發(fā)展要求對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行應(yīng)用中編程,閃存由于具備可寫入特性被作為較合適的代碼存儲(chǔ)器。
2019-04-21 09:53:04
1812 事實(shí)上,除了這些傳統(tǒng)要求,在前兩代非易失FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)上,萊迪思半導(dǎo)體(Lattice Semiconductor)公司還認(rèn)識(shí)到需要靈活的片上非易失存儲(chǔ)器,以及作為非易失FPGA新要求的用于現(xiàn)場(chǎng)邏輯更新的全面解決方案。
2019-06-16 09:48:47
2069 鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是一種特殊工藝的非易失性的存儲(chǔ)器,它將DRAM的快速讀取和寫入訪問,它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型,與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一
2020-08-18 15:22:32
1189 
Ramtron國(guó)際公司推出了兩種非易失性狀態(tài)存儲(chǔ)器FM1105-GA 和FM1106-GA,已經(jīng)獲得了AEC-Q100一級(jí)資質(zhì)。狀態(tài)保護(hù)器能存儲(chǔ)所需的狀態(tài)信號(hào),并在開機(jī)時(shí)自動(dòng)恢復(fù)到正常狀態(tài),重新進(jìn)行存儲(chǔ)。F-RAM獨(dú)特的技術(shù),由于其快速寫入時(shí)間、幾乎無(wú)限寫入耐久性和低功耗要求而使得這種功能得以實(shí)現(xiàn)。
2020-08-30 09:51:01
837 非易失性存儲(chǔ)器(NVM)是一種計(jì)算機(jī)即使關(guān)閉電源也能夠保存已保存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。與易失性存儲(chǔ)器不同,NVM 不需要定期刷新其存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)。它通常用于二級(jí)存儲(chǔ)或長(zhǎng)期一致的存儲(chǔ)。 Non-Volatile
2020-09-15 15:34:15
1862 非易失性存儲(chǔ)器(NVM)是一種計(jì)算機(jī)即使關(guān)閉電源也能夠保存已保存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。與易失性存儲(chǔ)器不同,NVM 不需要定期刷新其存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)。它通常用于二級(jí)存儲(chǔ)或長(zhǎng)期一致的存儲(chǔ)。 Non-Volatile
2020-09-18 14:27:35
1962 FRAM器件提供非易失性存儲(chǔ),用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間,在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲(chǔ)器和MCU器件,工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作
2020-09-19 11:56:48
2340 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂非易失性是指掉電后﹐仍可以保持存儲(chǔ)內(nèi)容完整,此功能與Flash閃存相同;而隨機(jī)存取是指處理器讀取資料時(shí),不定要從頭開始,隨時(shí)都可用相同的速率,從內(nèi)存的任何
2020-09-21 13:50:34
3890 在單個(gè)器件中提供了SRAM的高速度和閃存的非易失性,它的壽命幾乎是沒有限制的。MRAM芯片器件可以用于高速緩沖器﹑配置內(nèi)存,以及其他要求高速且耐用和非易失性的商業(yè)應(yīng)用。 Everspin半導(dǎo)體在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)和制造及交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)
2020-09-24 16:19:43
1948 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力,以及DRAM的高集成度,基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。專注于代理銷售MRAM芯片等存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商英尚微電子詳細(xì)介紹關(guān)于MRAM
2020-10-21 14:32:59
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磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM是一種新型存儲(chǔ)器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)中。同時(shí)非易失性MRAM存儲(chǔ)器也應(yīng)用于各級(jí)高速緩存
2020-11-09 16:46:48
1077 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《非易失性NVSRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)講解.pdf》資料免費(fèi)下載
2020-11-25 11:12:00
26 存儲(chǔ)器概況 存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,主要是用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)特性可分為非易失和易失兩大類。目前常見的多為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。 非易失性存儲(chǔ)器 非易失存儲(chǔ)器是指在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然
2020-12-07 14:26:13
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內(nèi)存耐久度指定為存儲(chǔ)單元可以寫入或擦除的次數(shù)。對(duì)于盡管嚴(yán)格和廣泛使用仍需要高數(shù)據(jù)完整性的應(yīng)用程序,內(nèi)存耐用性是關(guān)鍵的系統(tǒng)性能特征和設(shè)計(jì)考慮因素之一。鐵電RAM或FRAM是一種快速,非易失性和低功耗
2020-12-22 15:20:05
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一種由普通SRAM、后備電池以及相應(yīng)控制電路集成的新型存儲(chǔ)器:非易失性SRAM(NVSRAM)。 為解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題,國(guó)外著名半導(dǎo)體公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)也有同類產(chǎn)品相繼問世。面對(duì)眾多的NVSRAM產(chǎn)品,廣大用戶如何選擇質(zhì)優(yōu)價(jià)廉的產(chǎn)品呢?建議用戶根據(jù)以
2021-01-11 16:44:20
2306 富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(內(nèi)存)。FRAM的數(shù)據(jù)保持,不僅不需要備用電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器
2021-04-08 15:42:02
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富士通半導(dǎo)體主要提供高質(zhì)量、高可靠性的非易失性鐵電存儲(chǔ)器FRAM, 富士通半導(dǎo)體早在1995年已開始研發(fā)FRAM存儲(chǔ)器,F(xiàn)RAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,以及醫(yī)療
2021-04-26 15:49:16
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賽普拉斯FM25V05-GTR是一款非易失性鐵電存儲(chǔ)器,采用先進(jìn)鐵電工藝的512Kb非易失性存儲(chǔ)器。主要提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時(shí)消除了由串行閃存,EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器
2021-06-08 16:32:20
1314 MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用?;贛RAM的設(shè)備可以為“黑匣子”應(yīng)用提供解決方案,因?yàn)樗許RAM
2021-06-23 16:16:26
1347 低功耗設(shè)計(jì)的植入人體的增強(qiáng)生命的患者監(jiān)護(hù)設(shè)備,小尺寸內(nèi)存,賽普拉斯FRAM 提供即時(shí)非易失性和幾乎無(wú)限的耐用性,而不會(huì)影響速度或能源效率。本篇文章介紹64Kbit非易失性鐵電存儲(chǔ)器FM25640B。
2021-06-30 15:42:46
2413 Everspin公司生產(chǎn)的MRAM用于數(shù)據(jù)持久性和應(yīng)用的市場(chǎng)和應(yīng)用。Everspin MRAM應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心和云存儲(chǔ)、汽車和運(yùn)輸市場(chǎng)。MRAM是一種利用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力——能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與 SRAM 的速度相結(jié)合,同時(shí)具有非易失性和節(jié)能性。
2021-08-17 16:26:19
2880 所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器;所謂易失性存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電,存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除,而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)的功能。易失性存儲(chǔ)器主要指RAM,而RAM分為動(dòng)態(tài)RAM(
2021-11-26 19:36:04
37 AN4808_STM32L0和STM32L1系列微控制器上不干擾代碼執(zhí)行寫非易失存儲(chǔ)器
2022-11-21 17:06:49
0 新興的存儲(chǔ)器涵蓋了廣泛的技術(shù),但是需要注意的關(guān)鍵是MRAM,PCRAM和ReRAM。已經(jīng)有一些離散的MRAM器件問世了,但是有很多關(guān)于代工廠使用專用芯片構(gòu)建ASIC并用非易失性選項(xiàng)代替易失性存儲(chǔ)器的討論。這將是最大的推動(dòng)因素之一。
2022-11-25 14:23:33
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在過去幾十年內(nèi),易失性存儲(chǔ)器沒有特別大的變化,主要分為DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。它在任何時(shí)候都可以讀寫,RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:46
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STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作,也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性,保留時(shí)間長(zhǎng)的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:58
2187 作為使用PAL、GAL或CPLD器件實(shí)現(xiàn)非易失性門控功能的替代方案,這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位器(MAX5427或MAX5527)存儲(chǔ)門控信號(hào)(模塊或發(fā)送)。
2023-01-12 11:30:52
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英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和幾乎無(wú)限的耐用性。對(duì)于需要快速存儲(chǔ)和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來(lái)說(shuō),這是最理想的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器??商娲鶱OR?Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:55
585 存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來(lái)說(shuō),可以分為兩類,一類就是易失性存儲(chǔ)器,一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看,易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:43
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其數(shù)據(jù)始終是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無(wú)限的續(xù)航特性,它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。
2023-05-12 16:31:39
882 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用XOD訪問ESP32非易失性存儲(chǔ).zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-15 14:35:41
0 FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:56
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易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史,本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),但在關(guān)閉時(shí)將其擦除,但是
2023-06-28 09:05:28
2450 是Volatile RAM(易失性存儲(chǔ)器),又稱為SRAM(Static Random Access Memory,靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器);另一種是Non-volatile RAM(非易失性存儲(chǔ)器),又稱
2024-01-12 17:27:15
4718 該專利涉及一種新型非易失性存儲(chǔ)裝置及其制作工藝。具體而言,其步驟如下:首先,制備包含器件區(qū)與非器件區(qū)的基底;接著,在基底上依次沉積第一電極材料層及絕緣材料層;然后,在絕緣材料層上形成犧牲層,該層覆蓋非器件區(qū)并露出器件區(qū);
2024-05-06 10:33:02
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定義: RAM(Random Access Memory):隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是一種易失性存儲(chǔ)器,主要用于計(jì)算機(jī)和其他設(shè)備的臨時(shí)存儲(chǔ)。 ROM(Read-Only Memory):只讀存儲(chǔ)器,是一種
2024-08-06 09:17:48
2550 存儲(chǔ)器芯片是計(jì)算機(jī)和其他電子設(shè)備中用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的關(guān)鍵組件。它們可以是易失性的,如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM),也可以是非易失性的,如閃存(Flash)。存儲(chǔ)器芯片
2024-09-18 11:04:03
3477 鐵電存儲(chǔ)器(Ferroelectric RAM, FRAM)是一種結(jié)合了RAM的快速讀寫能力和非易失性存儲(chǔ)特性的存儲(chǔ)技術(shù)。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)主要體現(xiàn)在其獨(dú)特的材料構(gòu)成、工作原理、物理結(jié)構(gòu)以及所展現(xiàn)出的優(yōu)越性能上。
2024-09-29 15:18:54
1757 隨著技術(shù)的進(jìn)步和磁存儲(chǔ)器的發(fā)展,其應(yīng)用領(lǐng)域在進(jìn)一步擴(kuò)大。例如,磁存儲(chǔ)器(MRAM)作為一種新型的磁存儲(chǔ)器,具有高速、低功耗和非易失性等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是未來(lái)存儲(chǔ)技術(shù)的重要發(fā)展方向之一,在嵌入式存儲(chǔ)器方面
2024-04-11 10:00:06
評(píng)論