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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>一種Co/Pt結(jié)構(gòu)的非易失性磁存儲(chǔ)器

一種Co/Pt結(jié)構(gòu)的非易失性磁存儲(chǔ)器

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2021-07-16 07:55:26

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CDCM6208掉電會(huì)遺失設(shè)置嗎?里面有沒有存儲(chǔ)器

這個(gè)芯片編程設(shè)置好以后,掉電會(huì)遺失設(shè)置嗎?里面有沒有存儲(chǔ)器?
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2020-04-08 14:58:44

IMX6UL如何從安全存儲(chǔ) (SNVS) 讀取或?qū)懭耄?/a>

RTOS的存儲(chǔ)器選擇

當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)(RTOS),操作系統(tǒng)通常都是使用存儲(chǔ)器來(lái)運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊,其中包括電池供電的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問儲(chǔ)存),各種各樣的閃存以及串口EEPROM(電可擦的,可編程的只讀存儲(chǔ)器)?! ?/div>
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TPL1401數(shù)字電位的區(qū)別是什么?

數(shù)字電位存儲(chǔ)類型標(biāo)注具有“”,他的意思是不是說(shuō),假設(shè)當(dāng)前已經(jīng)調(diào)節(jié)好電位處于3.5kΩ這個(gè)位置,那么斷電再上電后,電位就回到初始狀態(tài)位置,不再是3.5kΩ這個(gè)位置了。“”就是斷電再上電后還是3.5KΩ這個(gè)位置。是這個(gè)意思嗎
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2019-04-21 22:57:08

關(guān)于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的詳細(xì)介紹

非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的席之地,特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的要求更高,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用需要寫入速度極快的高密度存儲(chǔ)器,而
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如何存儲(chǔ)應(yīng)用程序中使用的數(shù)據(jù)?

我應(yīng)該用什么API來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)?我使用CYW43907,手冊(cè)上說(shuō)它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09

如何處理存儲(chǔ)設(shè)備中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞

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2021-12-24 07:27:45

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2022-02-11 07:51:30

計(jì)算機(jī)組成原理(3)——存儲(chǔ)器 精選資料推薦

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2021-07-26 06:22:47

請(qǐng)問怎樣去設(shè)計(jì)一種網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器?

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鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的切功能,并且和ROM技術(shù)樣,是一種存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了座跨越溝壑的橋梁——一種的RAM。相對(duì)于其它類型的半導(dǎo)體技術(shù)
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Mbit靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器nvSRAM系列

關(guān)鍵詞:賽普拉斯 , 16-Mbit , 存儲(chǔ)器 , nvSRAM 賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票代碼:CY)日前推出了 16-Mbit 靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器 (nvSRAM) 系列,其中
2018-09-30 00:22:02933

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)詳解

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以簡(jiǎn)單分成存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器在過去的幾十年里沒有特別大的變化,依然是以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)為主,存儲(chǔ)器反而不斷有
2019-01-01 08:55:0013982

首款對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的單芯片存儲(chǔ)技術(shù)——FRAM

在許多較早期的系統(tǒng)中,代碼存儲(chǔ)使用ROM或者OTP-EPROM,它們是非的且不能在系統(tǒng)中進(jìn)行修改。因此,設(shè)計(jì)上的主要問題是存儲(chǔ)器的大小、存取時(shí)間,以及工作電壓等基本參數(shù)。 隨著嵌入實(shí)系統(tǒng)的發(fā)展要求對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行應(yīng)用中編程,閃存由于具備可寫入特性被作為較合適的代碼存儲(chǔ)器。
2019-04-21 09:53:041812

可重復(fù)編程FPGA解決方案的應(yīng)用

事實(shí)上,除了這些傳統(tǒng)要求,在前兩代FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)上,萊迪思半導(dǎo)體(Lattice Semiconductor)公司還認(rèn)識(shí)到需要靈活的片上存儲(chǔ)器,以及作為FPGA新要求的用于現(xiàn)場(chǎng)邏輯更新的全面解決方案。
2019-06-16 09:48:472069

為大家詳細(xì)介紹關(guān)于FRAM中的預(yù)充電操作

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是一種特殊工藝的存儲(chǔ)器,它將DRAM的快速讀取和寫入訪問,它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型,與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備
2020-08-18 15:22:321189

Ramtron推兩性狀態(tài)存儲(chǔ)器,已獲得AEC-Q100級(jí)資質(zhì)

Ramtron國(guó)際公司推出了兩性狀態(tài)存儲(chǔ)器FM1105-GA 和FM1106-GA,已經(jīng)獲得了AEC-Q100級(jí)資質(zhì)。狀態(tài)保護(hù)存儲(chǔ)所需的狀態(tài)信號(hào),并在開機(jī)時(shí)自動(dòng)恢復(fù)到正常狀態(tài),重新進(jìn)行存儲(chǔ)。F-RAM獨(dú)特的技術(shù),由于其快速寫入時(shí)間、幾乎無(wú)限寫入耐久和低功耗要求而使得這種功能得以實(shí)現(xiàn)。
2020-08-30 09:51:01837

NVM是一種計(jì)算機(jī)即使關(guān)閉電源也能夠保存已保存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器

非易失性存儲(chǔ)器(NVM)是一種計(jì)算機(jī)即使關(guān)閉電源也能夠保存已保存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。與存儲(chǔ)器不同,NVM 不需要定期刷新其存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)。它通常用于二級(jí)存儲(chǔ)或長(zhǎng)期致的存儲(chǔ)。 Non-Volatile
2020-09-15 15:34:151862

NVM是一種計(jì)算機(jī)即使關(guān)閉電源也能夠保存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器

非易失性存儲(chǔ)器(NVM)是一種計(jì)算機(jī)即使關(guān)閉電源也能夠保存已保存數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。與存儲(chǔ)器不同,NVM 不需要定期刷新其存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)。它通常用于二級(jí)存儲(chǔ)或長(zhǎng)期致的存儲(chǔ)。 Non-Volatile
2020-09-18 14:27:351962

FRAM器件提供存儲(chǔ)

FRAM器件提供存儲(chǔ),用10年的數(shù)據(jù)保存時(shí)間,在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲(chǔ)器和MCU器件,工程師們可以放心地在他們盡管間歇的斷電操作
2020-09-19 11:56:482340

MRAM是一種的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器,它有什么優(yōu)點(diǎn)

MRAM是一種的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂是指掉電后﹐仍可以保持存儲(chǔ)內(nèi)容完整,此功能與Flash閃存相同;而隨機(jī)存取是指處理讀取資料時(shí),不定要從頭開始,隨時(shí)都可用相同的速率,從內(nèi)存的任何
2020-09-21 13:50:343890

MRAM將會(huì)成為非易失性存儲(chǔ)器(NVRAM)未來(lái)的關(guān)鍵技術(shù)

在單個(gè)器件中提供了SRAM的高速度和閃存的,它的壽命幾乎是沒有限制的。MRAM芯片器件可以用于高速緩沖﹑配置內(nèi)存,以及其他要求高速且耐用和的商業(yè)應(yīng)用。 Everspin半導(dǎo)體在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)和制造及交付給相關(guān)應(yīng)用方面的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)
2020-09-24 16:19:431948

MRAM是一種的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器,其原理是怎樣的

MRAM是一種的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力,以及DRAM的高集成度,基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。專注于代理銷售MRAM芯片等存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商英尚微電子詳細(xì)介紹關(guān)于MRAM
2020-10-21 14:32:592572

MRAM存儲(chǔ)器在各級(jí)高速緩存中的應(yīng)用

磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM是一種新型存儲(chǔ)器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)中。同時(shí)MRAM存儲(chǔ)器也應(yīng)用于各級(jí)高速緩存
2020-11-09 16:46:481077

NVSRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)講解

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NVSRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)講解.pdf》資料免費(fèi)下載
2020-11-25 11:12:0026

關(guān)于存儲(chǔ)器SRAM基礎(chǔ)知識(shí)的介紹

存儲(chǔ)器概況 存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,主要是用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器存儲(chǔ)特性可分為失和易兩大類。目前常見的多為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。 非易失性存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)器是指在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然
2020-12-07 14:26:136411

關(guān)于0.13μmFRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能

內(nèi)存耐久度指定為存儲(chǔ)單元可以寫入或擦除的次數(shù)。對(duì)于盡管嚴(yán)格和廣泛使用仍需要高數(shù)據(jù)完整的應(yīng)用程序,內(nèi)存耐用是關(guān)鍵的系統(tǒng)性能特征和設(shè)計(jì)考慮因素之。鐵電RAM或FRAM是一種快速,和低功耗
2020-12-22 15:20:05794

如何選擇SRAM,如何解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題

一種由普通SRAM、后備電池以及相應(yīng)控制電路集成的新型存儲(chǔ)器SRAM(NVSRAM)。 為解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題,國(guó)外著名半導(dǎo)體公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)也有同類產(chǎn)品相繼問世。面對(duì)眾多的NVSRAM產(chǎn)品,廣大用戶如何選擇質(zhì)優(yōu)價(jià)廉的產(chǎn)品呢?建議用戶根據(jù)以
2021-01-11 16:44:202306

富士通FRAM是斷電情況下也能保留數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器

富士通FRAM是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器(內(nèi)存)。FRAM的數(shù)據(jù)保持,不僅不需要備用電池,而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器
2021-04-08 15:42:021621

富士通的鐵電存儲(chǔ)器FRAM有著廣泛的應(yīng)用

富士通半導(dǎo)體主要提供高質(zhì)量、高可靠鐵電存儲(chǔ)器FRAM, 富士通半導(dǎo)體早在1995年已開始研發(fā)FRAM存儲(chǔ)器,F(xiàn)RAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,以及醫(yī)療
2021-04-26 15:49:161154

賽普拉斯FM25V05-GTR是鐵電存儲(chǔ)器

賽普拉斯FM25V05-GTR是鐵電存儲(chǔ)器,采用先進(jìn)鐵電工藝的512Kb非易失性存儲(chǔ)器。主要提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時(shí)消除了由串行閃存,EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器
2021-06-08 16:32:201314

串口MRAM存儲(chǔ)器MR25H256CDF概述及特征

MRAM是一種存儲(chǔ)技術(shù),可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用?;贛RAM的設(shè)備可以為“黑匣子”應(yīng)用提供解決方案,因?yàn)樗許RAM
2021-06-23 16:16:261347

64Kbit鐵電存儲(chǔ)器FM25640B的功能及特征

低功耗設(shè)計(jì)的植入人體的增強(qiáng)生命的患者監(jiān)護(hù)設(shè)備,小尺寸內(nèi)存,賽普拉斯FRAM 提供即時(shí)和幾乎無(wú)限的耐用,而不會(huì)影響速度或能源效率。本篇文章介紹64Kbit鐵電存儲(chǔ)器FM25640B。
2021-06-30 15:42:462413

存儲(chǔ)器MRAM芯片MR25H10CDC介紹

Everspin公司生產(chǎn)的MRAM用于數(shù)據(jù)持久和應(yīng)用的市場(chǎng)和應(yīng)用。Everspin MRAM應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心和云存儲(chǔ)、汽車和運(yùn)輸市場(chǎng)。MRAM是一種利用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力——能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與 SRAM 的速度相結(jié)合,同時(shí)具有和節(jié)能。
2021-08-17 16:26:192880

存儲(chǔ)器理解

所謂的寄存、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器分為存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器;所謂存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電,存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除,而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)的功能。存儲(chǔ)器主要指RAM,而RAM分為動(dòng)態(tài)RAM(
2021-11-26 19:36:0437

AN4808_STM32L0和STM32L1系列微控制上不干擾代碼執(zhí)行寫存儲(chǔ)器

AN4808_STM32L0和STM32L1系列微控制上不干擾代碼執(zhí)行寫存儲(chǔ)器
2022-11-21 17:06:490

新興的記憶存儲(chǔ)器問世了嗎

新興的存儲(chǔ)器涵蓋了廣泛的技術(shù),但是需要注意的關(guān)鍵是MRAM,PCRAM和ReRAM。已經(jīng)有些離散的MRAM器件問世了,但是有很多關(guān)于代工廠使用專用芯片構(gòu)建ASIC并用選項(xiàng)代替存儲(chǔ)器的討論。這將是最大的推動(dòng)因素之
2022-11-25 14:23:33790

存儲(chǔ)器(VM)

在過去幾十年內(nèi),存儲(chǔ)器沒有特別大的變化,主要分為DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。它在任何時(shí)候都可以讀寫,RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:464852

STT-MRAM存儲(chǔ)器特點(diǎn)及應(yīng)用

STT-MRAM隨機(jī)存取存儲(chǔ)器款像SRAM樣 高速、高耐久、單字節(jié)訪問的工作,也可以像ROM/Flash揮發(fā)性,保留時(shí)間長(zhǎng)的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:582187

簡(jiǎn)單的門控

作為使用PAL、GAL或CPLD器件實(shí)現(xiàn)門控功能的替代方案,這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位(MAX5427或MAX5527)存儲(chǔ)門控信號(hào)(模塊或發(fā)送)。
2023-01-12 11:30:521731

Netsol存儲(chǔ)Parallel STT-MRAM系列

英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有特性和幾乎無(wú)限的耐用。對(duì)于需要快速存儲(chǔ)和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來(lái)說(shuō),這是最理想的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器??商娲鶱OR?Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和特性。
2023-02-23 14:52:55585

我們常用存儲(chǔ)器知道有哪些嘛

存儲(chǔ)器存儲(chǔ)介質(zhì)特性來(lái)說(shuō),可以分為兩類,類就是存儲(chǔ)器,類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看,存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存,而非存儲(chǔ)器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:433198

Netsol并口STT-MRAM存儲(chǔ)S3R8016

其數(shù)據(jù)始終是非的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的和幾乎無(wú)限的續(xù)航特性,它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。
2023-05-12 16:31:39882

使用XOD訪問ESP32存儲(chǔ)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用XOD訪問ESP32存儲(chǔ).zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-15 14:35:410

鐵電存儲(chǔ)器FRAM與其他內(nèi)存的比較

FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢(shì)和使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久和快速寫入速度。
2021-07-15 16:46:561791

回顧存儲(chǔ)器發(fā)展史

存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史,本期內(nèi)容我們將回顧存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),但在關(guān)閉時(shí)將其擦除,但是
2023-06-28 09:05:282450

ram是什么存儲(chǔ)器斷電后會(huì)丟失嗎

是Volatile RAM(存儲(chǔ)器),又稱為SRAM(Static Random Access Memory,靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器);另一種是Non-volatile RAM(非易失性存儲(chǔ)器),又稱
2024-01-12 17:27:154718

中芯國(guó)際獲存儲(chǔ)裝置及其制作方法專利

該專利涉及一種新型存儲(chǔ)裝置及其制作工藝。具體而言,其步驟如下:首先,制備包含器件區(qū)與器件區(qū)的基底;接著,在基底上依次沉積第電極材料層及絕緣材料層;然后,在絕緣材料層上形成犧牲層,該層覆蓋器件區(qū)并露出器件區(qū);
2024-05-06 10:33:02886

ram存儲(chǔ)器和rom存儲(chǔ)器的區(qū)別是什么

定義: RAM(Random Access Memory):隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是一種存儲(chǔ)器,主要用于計(jì)算機(jī)和其他設(shè)備的臨時(shí)存儲(chǔ)。 ROM(Read-Only Memory):只讀存儲(chǔ)器,是一種
2024-08-06 09:17:482550

存儲(chǔ)器芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及其引腳類型

存儲(chǔ)器芯片是計(jì)算機(jī)和其他電子設(shè)備中用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的關(guān)鍵組件。它們可以是的,如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM),也可以是非的,如閃存(Flash)。存儲(chǔ)器芯片
2024-09-18 11:04:033477

鐵電存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

鐵電存儲(chǔ)器(Ferroelectric RAM, FRAM)是一種結(jié)合了RAM的快速讀寫能力和存儲(chǔ)特性的存儲(chǔ)技術(shù)。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)主要體現(xiàn)在其獨(dú)特的材料構(gòu)成、工作原理、物理結(jié)構(gòu)以及所展現(xiàn)出的優(yōu)越性能上。
2024-09-29 15:18:541757

磁存儲(chǔ)器HS4MANSQ1A-DS1可以應(yīng)用于汽車和消費(fèi)電子領(lǐng)域

隨著技術(shù)的進(jìn)步和磁存儲(chǔ)器的發(fā)展,其應(yīng)用領(lǐng)域在進(jìn)步擴(kuò)大。例如,磁存儲(chǔ)器(MRAM)作為一種新型的磁存儲(chǔ)器,具有高速、低功耗和等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是未來(lái)存儲(chǔ)技術(shù)的重要發(fā)展方向之,在嵌入式存儲(chǔ)器方面
2024-04-11 10:00:06

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