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      新品 | 用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1200V EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET

      英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2023-07-31 16:57 ? 次閱讀
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      5750388a-2f80-11ee-bbcf-dac502259ad0.jpg

      增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC MOSFET的EasyDUAL 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測(cè)NTC，并有使用預(yù)涂的熱界面材料（TIM）版本。

      產(chǎn)品型號(hào)：

      FF17MR12W1M1H_B11

      17mΩ 1200V

      FF17MR12W1M1H_B70

      17mΩ 1200V 低熱阻

      FF17MR12W1M1HP_B11

      17mΩ 1200V TIM版本

      FF33MR12W1M1H_B11

      33mΩ 1200V

      FF33MR12W1M1HP_B11

      33mΩ 1200V TIM版本

      產(chǎn)品特點(diǎn)

      1200V CoolSiC MOSFET

      Easy1B封裝

      Best-in-class 12毫米高度模塊封裝

      非常低的模塊寄生電感

      RBSOA反向工作安全區(qū)寬

      柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口大

      PressFIT引腳

      兩個(gè)阻值型號(hào)都有帶有熱界面材料版本

      應(yīng)用價(jià)值

      擴(kuò)展了柵源電壓最大值：+23V和-10V

      在過(guò)載條件下，Tvjop最高可達(dá)175°C

      最佳的性價(jià)比，可降低系統(tǒng)成本

      可工作在高開(kāi)關(guān)頻率，并改善對(duì)冷卻要求

      競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

      引入新的M1H增強(qiáng)型1代芯片系列模塊，Best-in-class 1200V Easy1B模塊

      采用英飛凌WBG材料，達(dá)到功率和效率的新水平

      緊跟市場(chǎng)的新趨勢(shì)，支持多種目標(biāo)應(yīng)用

      應(yīng)用領(lǐng)域

      電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)

      不間斷電源(UPS)

      電動(dòng)汽車充電

      光伏系統(tǒng)的解決方案

      儲(chǔ)能系統(tǒng)

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      • MOSFET
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