該UCC27302A是一款堅(jiān)固耐用的柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)半橋或同步降壓配置的N溝道MOSFET，絕對(duì)最大自舉電壓為120V。其3.7A峰值源電流和4.5A峰值灌電流能力使UCC27302A能夠驅(qū)動(dòng)大功率MOSFET，并在通過米勒高原的過渡過程中將開關(guān)損耗降至最低。開關(guān)節(jié)點(diǎn)（HS引腳）可以處理負(fù)瞬態(tài)電壓，從而保護(hù)高側(cè)通道免受寄生電感和雜散電容引起的固有負(fù)電壓的影響。

輸入與電源電壓無關(guān)，能夠承受-10V和+20V絕對(duì)最大額定值。低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器在彼此的導(dǎo)通和關(guān)斷之間匹配為4ns，并分別通過LI和HI輸入引腳進(jìn)行控制。但是，每當(dāng) LI 和 HI 輸入同時(shí)為高電平時(shí)，輸入互鎖邏輯將使兩個(gè)驅(qū)動(dòng)器輸出變?yōu)榈碗娖?。片?nèi)120V額定自舉二極管無需添加分立自舉二極管。為高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器提供欠壓鎖定 （UVLO），提供對(duì)稱的導(dǎo)通和關(guān)斷行為，并在驅(qū)動(dòng)電壓低于指定閾值時(shí)強(qiáng)制輸出為低電平。
*附件：ucc27302a.pdf

特性

• 驅(qū)動(dòng)兩個(gè)半橋配置的 N 溝道 MOSFET
• –40°C 至 +150°C 結(jié)溫范圍
• HB 引腳上的 120V 絕對(duì)最大電壓
• 3.7A 源電流，4.5A 灌電流輸出電流
• 7V 至 17V VDD 工作范圍（最大 20V 絕對(duì)值），帶 UVLO
• –（28–VDD）V 絕對(duì)值HS引腳上的最大負(fù)瞬態(tài)容差（<100ns脈沖）
• –10V 至 +20V abs 最大輸入引腳容差，與電源電壓范圍無關(guān)（TTL 兼容）
• 切換參數(shù)：
  • 20ns典型傳播延遲時(shí)間
  • 1000pF負(fù)載時(shí)，上升時(shí)間為7.2ns，下降時(shí)間為5.5ns
  • 4ns典型延遲匹配
• 集成自舉二極管
• 輸入聯(lián)鎖
• 禁用時(shí)以低電流消耗（典型值3μA）啟用/禁用功能（僅限D(zhuǎn)RC封裝）

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
UCC27302A是德州儀器（TI）推出的高性能半橋驅(qū)動(dòng)器，專為驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET設(shè)計(jì)，適用于同步降壓或半橋配置。關(guān)鍵特性包括：

• ?電壓范圍?：120V絕對(duì)最大HB引腳電壓，7V-17V VDD工作范圍（20V絕對(duì)最大值）
• ?驅(qū)動(dòng)能力?：3.7A源電流/4.5A灌電流
• ?溫度范圍?：-40°C至+150°C結(jié)溫
• ?集成功能?：內(nèi)置120V自舉二極管、輸入互鎖邏輯、使能/禁用控制（僅DRC封裝）

?2. 核心特性?

• ?快速開關(guān)性能?：20ns典型傳播延遲，7.2ns上升/5.5ns下降時(shí)間（1000pF負(fù)載）
• ?抗干擾設(shè)計(jì)?：輸入引腳可耐受-10V至+20V電壓，獨(dú)立于供電電壓
• ?保護(hù)機(jī)制?：高低側(cè)UVLO（欠壓鎖定）、負(fù)瞬態(tài)電壓耐受（HS引腳支持-28V瞬態(tài)）
• ?封裝選項(xiàng)?：DDA（帶PowerPAD?的SOIC-8）、D（SOIC-8）、DRC（VSON-10，支持使能功能）

?3. 典型應(yīng)用?

• 太陽能功率優(yōu)化器和微逆變器
• 電信/工業(yè)電源、UPS系統(tǒng)
• 儲(chǔ)能系統(tǒng)、電池測(cè)試設(shè)備

?4. 功能模塊詳解?

• ?輸入互鎖?：當(dāng)HI和LI輸入同時(shí)為高時(shí)，強(qiáng)制關(guān)閉輸出防止直通。
• ? 使能控制（DRC封裝） ?：EN引腳拉高啟用，拉低或懸停時(shí)僅消耗3μA靜態(tài)電流。
• ?自舉電路?：集成二極管簡(jiǎn)化外部設(shè)計(jì)，需外接0.022-0.1μF電容。
• ?電平轉(zhuǎn)換?：高速低功耗，確保高低側(cè)信號(hào)同步。

?5. 電氣參數(shù)?

• ?UVLO閾值?：VDD上升閾值5.7V（典型），HB上升閾值5.3V（典型）
• ?開關(guān)特性?：4ns典型延遲匹配，優(yōu)化死區(qū)時(shí)間
• ?ESD防護(hù)?：HBM 2000V，CDM 1500V

?6. 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?

• ?布局建議?：低ESR旁路電容需靠近器件引腳，減少寄生電感。
• ?負(fù)壓處理?：HS引腳瞬態(tài)負(fù)壓需通過外部肖特基二極管鉗位（如HO-HS間）。
• ?噪聲抑制?：輸入引腳建議添加1-10nF濾波電容。