DRV8343-Q1 器件是用于三相應用的集成柵極驅(qū)動器。該器件提供三個半橋柵極驅(qū)動器,每個驅(qū)動器能夠驅(qū)動高側和低側 N 溝道功率 MOSFET。專用的源極和漏極引腳支持獨立的 MOSFET 控制,用于螺線管應用。DRV8343-Q1 使用足以用于高側 MOSFET 的集成電荷泵和用于低側 MOSFET 的線性穩(wěn)壓器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓。智能柵極驅(qū)動架構支持高達 1A 源極和 2A 的峰值柵極驅(qū)動電流。DRV8343-Q1 可采用單個電源供電,并支持柵極驅(qū)動器的 5.5 至 60 V 寬輸入電源范圍。
*附件:drv8343-q1.pdf
6x、3x、1x 和獨立輸入 PWM 模式允許與控制器電路進行簡單接口。柵極驅(qū)動器和器件的配置設置可通過 SPI 或硬件 (H/W) 接口進行高度配置。DRV8343-Q1器件集成了三個低側電流檢測放大器,允許在驅(qū)動級的所有三相上進行雙向電流檢測。
提供低功耗睡眠模式以實現(xiàn)低靜態(tài)電流。為欠壓鎖定、電荷泵故障、MOSFET過流、MOSFET短路、相節(jié)點電源和接地短路、柵極驅(qū)動器故障和過熱提供內(nèi)部保護功能。故障情況通過SPI器件變體的器件寄存器在nFAULT引腳上指示,并具有詳細信息。
特性
- 符合 AEC-Q100 標準,適用于汽車應用
- 溫度等級 1:–40°C ≤ T
一個≤ 125°C
- 溫度等級 1:–40°C ≤ T
- 三個獨立的半橋柵極驅(qū)動器
- 專用源極 (SHx) 和漏極 (DLx) 引腳,支持獨立的 MOSFET 控制
- 驅(qū)動 3 個高側和 3 個低側 N 溝道 MOSFET (NMOS)
- 智能門驅(qū)動架構
- 可調(diào)節(jié)的壓擺率控制
- 1.5mA 至 1A 峰值源電流
- 3mA 至 2A 峰值灌電流
- 柵極驅(qū)動器電荷泵,實現(xiàn) 100% 占空比
- 3 集成電流檢測放大器 (CSA)
- 可調(diào)增益 (5、10、20、40 V/V)
- 雙向或單向支持
- 提供SPI(S)和硬件(H)接口
- 6x、3x、1x 和獨立 PWM 模式
- 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入
- 電荷泵輸出可用于驅(qū)動反向電源保護MOSFET
- 線性穩(wěn)壓器,3.3 V,30 mA
- 集成保護功能
參數(shù)
方框圖
?1. 產(chǎn)品概述?
DRV8343-Q1是德州儀器(TI)推出的汽車級三相柵極驅(qū)動單元(GDU),專為12V/24V汽車電機控制設計,具有以下核心特性:
- ?AEC-Q100認證?:支持-40°C至125°C工作溫度。
- ?集成三路半橋驅(qū)動?:獨立控制高/低側N溝道MOSFET,支持峰值1A源電流和2A灌電流。
- ?智能柵極驅(qū)動架構?:可調(diào)壓擺率控制,支持動態(tài)柵極電流調(diào)整(1.5mA至2A范圍)。
- ?集成電流檢測放大器?:3路低側雙向電流檢測,增益可調(diào)(5/10/20/40 V/V)。
- ?多重保護機制?:包括欠壓鎖定(UVLO)、電荷泵故障(CPUV)、MOSFET過流保護(OCP)及熱關斷(OTSD)。
?2. 核心功能模塊?
- ?控制模式?:支持8種PWM輸入模式(6x/3x/1x PWM、獨立半橋/獨立MOSFET模式),兼容BLDC/BDC電機驅(qū)動。
- ?電流檢測?:
- ?保護功能?:| ?故障類型? | ?觸發(fā)條件? | ?響應措施? |
| ------------------------ | ------------------------ | ----------------------------- |
| VDS過流(OCP) | VDS > VVDS_OCP閾值 | 自動重試/鎖存關閉(可配置) |
| 熱關斷(OTSD) | TJ > 170°C(典型) | 自動恢復(降至160°C以下) |
| 開環(huán)檢測(OLD) | 負載斷開 | 通過nFAULT引腳報告 |
?3. 典型應用?
- ?汽車電機驅(qū)動?:燃油泵、散熱風扇、BLDC電機模塊。
- ?保護電路設計?:
- ?VDS監(jiān)控?:通過外部MOSFET的RDS(on)實現(xiàn)過流保護(例:100A電流需VVDS_OCP > 0.288V)。
- ?柵極驅(qū)動配置?:根據(jù)MOSFET的Qgd選擇IDRIVE(例:14nC Qgd需IDRIVEP ≥ 14mA)。
?4. 關鍵參數(shù)?
- ?電源管理?:
- 工作電壓:5.5V至60V(支持12V/24V系統(tǒng))。
- 電荷泵輸出(VCP):8.4V至12.5V(VM=24V時)。
- ?SPI編程?(僅SPI版本):
- 可配置死區(qū)時間(500ns至4000ns)、故障重試時間(2ms至8ms)。
- 寄存器映射包含14個控制寄存器,支持實時診斷數(shù)據(jù)讀取。
?5. 布局與熱管理?
?6. 文檔結構?
數(shù)據(jù)手冊包含引腳定義、電氣特性、時序圖、典型應用電路及SPI寄存器詳解,附錄提供熱性能曲線和布局示例。
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