Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:44
1092 TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼：TQNT)今天宣布，推出業(yè)內(nèi)首個(gè)雙通道、表面貼裝的光調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器---TGA4947-SL，可降低物料清單和縮小專用于光驅(qū)動(dòng)功能的印刷電路板面積。
2012-10-30 10:06:441359 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 Vishay 12 月12 日推出實(shí)驗(yàn)室樣品套件，讓設(shè)計(jì)者觸手可及精密MELF電阻的常用阻值，簡(jiǎn)化各種電子系統(tǒng)的原型
2012-12-12 09:42:36898 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET?應(yīng)用到更小的封裝尺寸上。
2013-01-09 11:42:301462 Vishay Intertechnology宣布，推出新系列小型柵極驅(qū)動(dòng)變壓器---MGDT，可在高功率的國(guó)防和航天、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用中顯著節(jié)省空間。
2018-03-07 13:57:098754 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311168 Vishay推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。
2019-12-13 15:54:001337 Vishay 推出小型可潤(rùn)濕側(cè)翼DFN1110-3A封裝新款雙向對(duì)稱（BiSy）兩線ESD保護(hù)二極管---VBUS05M2-HT5。
2021-04-19 14:13:061378 
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車(chē)用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
; VSMP0603采用 Vishay 的“Z箔”技術(shù)，可大幅降低電阻元件對(duì)環(huán)境溫度變化 (TCR) 和外加功率變化
2008-09-26 13:42:57
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用金端接，用導(dǎo)電膠合的新系列精密薄膜片式電阻。MC ATAU系列的外形尺寸為0402和0603，可在+ 155 ℃高溫下工
2014-08-08 14:15:16
汽車(chē)級(jí)電阻，節(jié)省電路板空間，工作電壓為450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，擴(kuò)充其TNPV e3系列汽車(chē)級(jí)高壓薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
本文介紹雙通道數(shù)字式磁隔離器ADUM1201在CAN總線通信系統(tǒng)中的應(yīng)用，由于ADUM1201的優(yōu)良特性，用ADUM1201代替?zhèn)鹘y(tǒng)的光電隔離器件，降低了系統(tǒng)功耗，簡(jiǎn)化系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，增加了系統(tǒng)穩(wěn)定性，提高了系統(tǒng)的性能。
2021-05-31 06:52:41
DN407 - 雙通道電流檢測(cè)放大器簡(jiǎn)化了 H 橋負(fù)載監(jiān)視
2019-07-25 14:57:14
基于labview的雙通道示波器設(shè)計(jì)
2012-05-18 18:56:40
(POL)、高效負(fù)載開(kāi)關(guān)和低端切換、穩(wěn)壓器模塊(VRM)以及ORing功能。設(shè)計(jì)人員使用FDMC8010器件，能夠?qū)⒎庋b尺寸從5mmx6mm減小為3.3mmx3.3mm，節(jié)省66%的MOSFET占位面積
2012-04-28 10:21:32
產(chǎn)生，從而減少電源產(chǎn)生的熱量。通過(guò)減少部件數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)這些相同功能，它們還實(shí)現(xiàn)了 PCB 空間的節(jié)約，從而簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，降低了 OEM 廠商的成本。橋式整流器Vishay 推出采用 GSIB-5S 封裝的新款單相直
2015-04-23 11:48:26
點(diǎn)（IIP3）、10dB的噪聲指數(shù)和1.3W功耗。 LTC559x雙通道高性能混頻器系列非常適用于無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施MIMO接收器。此類雙通道解決方案減少了組件數(shù)目、簡(jiǎn)化了LO信號(hào)的布線、以及減小
2019-07-04 08:29:18
：POWI）今日推出適用于流行的“新型雙通道”100mm x 140mm IGBT模塊的SCALE-iFlex? Single門(mén)極驅(qū)動(dòng)器。這款緊湊型新驅(qū)動(dòng)器支持耐壓在3.3kV以內(nèi)的模塊，現(xiàn)可隨時(shí)供貨
2021-09-09 11:00:41
實(shí)現(xiàn)小外形尺寸的設(shè)計(jì)。采用6.0mm x 3.7mm外形尺寸的雙芯片不對(duì)稱功率封裝是MOSFET封裝技術(shù)上的重大進(jìn)步。這種封裝使工程師能夠改善電源的性能，縮小體積，以及簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)現(xiàn)在的消費(fèi)電子產(chǎn)品所要求的高效率或性能。本新聞來(lái)自大聯(lián)大云端`
2013-12-23 11:55:35
1 引 言DAC5687是美國(guó)TI公司出品的一款雙通道、16bit高速數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片。片內(nèi)資源豐富，具有內(nèi)插、調(diào)制等多種功能。FPGA 因其屬于大規(guī)模在系統(tǒng)可編程專用集成電路而且具有高密度、高速度
2019-07-10 08:16:48
的那些家用電器采用的SOT-23 (6.75mm2) 封裝（參見(jiàn)圖2），新型MOSFET的尺寸約有其六分之一左右。它還意味著不僅RDS(ON)降低，還實(shí)現(xiàn)了占位面積大幅減小的優(yōu)點(diǎn)，面積比傳統(tǒng)
2018-08-29 16:09:11
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過(guò)汽車(chē)認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
45mm x 34 mm 的電路板面積。其他輸入和輸出大容量電容器位于解決方案尺寸安放面積以外。此設(shè)計(jì)使用 TLP0202 雙通道數(shù)字電位器通過(guò) SPI 總線對(duì)輸出電壓進(jìn)行編程。使用 LMP8481-S
2018-08-17 06:22:10
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過(guò)精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動(dòng)力系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
MOSFET將封裝面積減半-Zetex新款無(wú)鉛型Zetex 新款無(wú)鉛型 MOSFET 將占位面積減半模擬信號(hào)處理及功率管理方案供應(yīng)商Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出其
2008-03-22 14:46:02484 雙通道場(chǎng)效應(yīng)管混頻器射頻電路 (Dual MOSFET mixer RF circuit)
2008-11-21 18:37:051056 
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
日前，Vishay Intertechnology宣布推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT 芯片級(jí)封裝的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點(diǎn)。
Si8422DB 針對(duì)手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:221152 Vishay推出LC EMI/ESD濾波器陣列：四通道的VEMI45LA-HNH和八通道的VEMI85LA-HGK
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款LC EMI/ESD濾波器
2009-05-18 18:29:19568 Vishay宣布推出四通道和八通道的LC EMI/ESD濾波器陣列--LLP1713/LLP3313
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出四通道和八通道的LC EMI/ESD濾波器陣列，在超級(jí)
2009-05-20 15:53:14609 Vishay推出具有最高32V電源電壓的新款IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出兩款新型IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器，豐富了其已
2009-07-01 09:30:55556 TDF859 NXP推出的雙通道D類放大器
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）日前推出了具有頂級(jí)音效和能效的雙通道D類放大器新系列。新型恩智浦TDF8599
2009-08-04 08:20:08814 Vishay推出新款鉭外殼液鉭電容器136D
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器——136D。對(duì)于高可靠性應(yīng)用，136D器件
2009-11-06 08:38:41918 Vishay推出新款高速PIN光敏二極管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝
2009-11-13 09:21:28744 Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:52711 雙通道內(nèi)存技術(shù)的原理
雙通道技術(shù)在當(dāng)今的電腦應(yīng)用越來(lái)越廣泛，相信大家對(duì)雙通道，使普通的DD的詞語(yǔ)并不陌生。那么究竟雙通道技術(shù)是怎么樣的呢？雙通道內(nèi)
2009-12-26 16:11:461513 Vishay推出超小型雙向對(duì)稱單線ESD保護(hù)二極管
日前，Vishay推出采用LLP006封裝的新款雙向對(duì)稱(BiSy)單線ESD保護(hù)二極管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的極
2010-01-09 09:42:28743 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291277 韓國(guó)成功改良NOR芯片 可大幅提升手機(jī)性能
首爾大學(xué)指出，1組韓國(guó)工程師已改良手機(jī)用芯片技術(shù)，可大幅提升手機(jī)性能。
2010-01-28 09:23:52899 
推出汽車(chē)應(yīng)用的新款表面貼裝白光LED：VLMW321xx/VLMW322xx
Vishay推出采用兩種分裝版本的新款表面貼裝白光LED——VLMW321xx LED和VLMW322xx LED。為了與類似器件保持大范圍的引腳
2010-02-08 08:37:19561 什么是雙通道/怎么組建雙通道
雙通道，就是在北橋（又稱之為ＭＣＨ）芯片級(jí)里設(shè)計(jì)兩個(gè)內(nèi)存控制器，這兩個(gè)內(nèi)存控制器可相互獨(dú)
2010-02-25 10:21:322279 Maxim推出雙通道、2線霍爾傳感器接口
Maxim推出帶有模擬和數(shù)字輸出的雙通道、2線霍爾傳感器接口MAX9621。該器件可通過(guò)在模擬輸出端對(duì)線性信息對(duì)應(yīng)的傳感器電流進(jìn)行
2010-03-06 10:20:00884 Vishay推出新款ESD保護(hù)陣列VBUS053BZ-HNH-G-08
Vishay推出具有低容值和低漏電流的新款ESD保護(hù)陣列VBUS053BZ-HNH-G-08，可保護(hù)USB-OTG端口免受瞬態(tài)電壓信號(hào)的損害
2010-03-23 11:53:11987 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 Maxim推出雙通道與四通道超高速DisplayPort無(wú)源開(kāi)關(guān)
Maxim推出具有獨(dú)立AUX和HPD控制的雙通道(MAX4998)和四通道(MAX14998*)超高速DisplayPort 無(wú)源開(kāi)關(guān)。器件
2010-04-09 12:19:21600 
Vishay推出新款薄膜貼片電阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線式、裸芯片貼片式
2010-04-17 16:12:54676 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術(shù)的非對(duì)稱雙通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:23923 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。
2011-01-26 09:04:081506 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301341 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出可在-55℃～+215℃寬溫范圍內(nèi)工作的新款精密低TCR薄膜電阻---PLTT
2011-03-28 11:04:301388 Vishay Intertechnology, Inc.推出采用GSIB-5S封裝的新款單相直排橋式整流器--- LVB1560和LVB2560。
2011-04-13 10:52:351399 日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。
2011-08-18 09:42:40850 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出雙通道 (LTC2158-14) 和單通道 (LTC2153-14) 高 IF 采樣 14 位、310Msps 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC)，這兩款器件專為多種帶寬數(shù)字預(yù)失真 (DPD) 線性化應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
2011-10-28 09:06:53521 
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過(guò)JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出最新款雙通道 500 MSPS 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC)，可為寬帶傳輸系統(tǒng)降低材料清單成本。該 12 位 DAC3162 與 10 位 DAC3152 是同類產(chǎn)品中尺寸最小、成本最低和功耗最低的
2011-11-07 09:34:29765 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用新型超小尺寸LLP2510封裝的新款4線ESD保護(hù)陣列---VBUS54ED-FBL。VBUS54ED-FBL的占位面積只有2.5mmx1.0mm，高度低至0.55mm，其低電容
2011-11-08 09:14:11485 全球高性能模擬混合信號(hào)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司（納斯達(dá)克全球交易代碼：ISIL）宣布，今天推出一款節(jié)省空間和通過(guò)了AEC-Q100認(rèn)證的雙通道同步降壓直流/直流穩(wěn)壓器---I
2011-11-10 13:49:41793 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有14pF低容量的新款雙向非對(duì)稱(BiSy)單線ESD保護(hù)二極管--- VCUT07B1-HD1，該器件采用超小LLP1006-2L封裝。
2012-06-25 12:00:022816 本文詳細(xì)介紹內(nèi)存的單通道與雙通道是什么意思，同時(shí)還有內(nèi)存的單通道與雙通道的區(qū)別。
2012-07-05 16:54:5515847 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款采用鐵粉材料，符合WPC(無(wú)線充電聯(lián)盟)標(biāo)準(zhǔn)的接收線圈--- IWAS-3827EC-50
2012-07-13 18:42:57791 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 瑞薩電子宣布推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過(guò)最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲(chǔ)存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10938 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出用于汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用的新款通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的表面貼裝透射式光傳感器---單通道TCPT1350X01和雙通道TCUT1350X01。
2013-06-26 11:39:171047 賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用2.4mm
2013-12-05 10:30:05898 的采用非對(duì)稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車(chē)載
2013-12-13 15:07:13843 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 Vishay發(fā)布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET? Gen IV技術(shù)的新款30V非對(duì)稱雙片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:51890 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、熱增強(qiáng)PowerPAK? SC-70封裝的新款-30V、12V VGS P溝道
2014-04-29 16:30:44885 賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 2 月9 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出4040外形尺寸的新款汽車(chē)級(jí)IHLP?低高度、大電流電感器---IHLP-4040DZ-8A，可在+180℃高溫下連續(xù)工作。
2015-02-09 16:17:201144 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出一對(duì)MOSFET H橋，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產(chǎn)品通過(guò)減少元件數(shù)量及縮減50%的印刷電路板占位面積，簡(jiǎn)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電感無(wú)線充電電路。
2015-03-03 10:43:401459 賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 3 月4 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、熱增強(qiáng)
2015-03-05 16:30:04855 安華高科技推出一對(duì)雙通道高速光電隔離MOSFET輸出固態(tài)繼電器
2016-01-06 17:28:12
0 Vishay推出新系列厚膜電阻---CDMV系列，其在高壓工業(yè)和新能源設(shè)備應(yīng)用中可幫助分壓設(shè)計(jì)節(jié)約寶貴空間，簡(jiǎn)化生產(chǎn)設(shè)計(jì)，提高設(shè)計(jì)靈活性。
2016-06-14 10:14:19843 
安立公司在其市場(chǎng)領(lǐng)先的 E 系列 Site Master?、Spectrum Master? 和 Cell Master? 手持式現(xiàn)場(chǎng)分析儀中推出 CPRI RF 測(cè)量性能，可大幅簡(jiǎn)化安裝在 4G 塔上的遠(yuǎn)端射頻頭 (RRH) 的測(cè)試過(guò)程，并降低相關(guān)成本。
2016-07-06 16:47:451052 Vishay宣布，推出業(yè)內(nèi)首批通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的采用雙片不對(duì)稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽車(chē)應(yīng)用的高效同步降壓
2016-07-11 14:33:171004 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證的新系列中壓厚膜片式電阻。Vishay Techno CRMA系列電阻是針對(duì)
2018-01-17 11:30:378618 Vishay推出輸入電壓為4.5V～60V的新款2A～10A器件---SiC46X，擴(kuò)充其microBUCK同步降壓穩(wěn)壓器。Vishay Siliconix SiC46X器件十分節(jié)省空間，在小尺寸
2018-05-21 10:56:001893 AS5200L采用緊湊型堆疊式裸片結(jié)構(gòu)，可配合更小的磁鐵使用，在嚴(yán)苛的汽車(chē)線控驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中，能有效節(jié)省空間艾邁斯半導(dǎo)體（ams AG）今日推出了 AS5200L。這款配備 I2C 接口的雙通道旋轉(zhuǎn)磁性位置傳感器，是可在安全性至關(guān)重要的汽車(chē)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)節(jié)省空間的新型設(shè)計(jì)
2018-06-30 08:02:004907 Vishay推出新款2020外形尺寸器件---IHLP-2020BZ-5A，擴(kuò)展其汽車(chē)級(jí)IHLP薄形大電流電感器。Vishay Dale IHLP-2020BZ-5A工作溫度+155 C，高度2mm
2019-05-16 14:26:463078 內(nèi)存插三條不會(huì)影響雙通道，雙通道只在這兩個(gè)通道之間互相作用；如果是三根內(nèi)存，系統(tǒng)會(huì)將處于雙通道位置的兩條組建為雙通道，剩下的一條使用單通道，但一般不建議這樣搭配。具體介紹如下：
2020-05-22 09:36:038823 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP，這是采用PowerPAK? SO-8L
2020-12-15 16:09:501556 DN407 - 雙通道電流檢測(cè)放大器簡(jiǎn)化了 H 橋負(fù)載監(jiān)視
2021-03-20 22:39:079 ADP2323：雙通道、3 A、20 V同步降壓調(diào)節(jié)器，集成高端MOSFET
2021-03-21 05:13:3110 ADP2325：雙通道、5 A、20 V同步降壓調(diào)節(jié)器，集成高端MOSFET
2021-03-21 05:31:346 ADP3629_3630_3631：高速雙通道2 A MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2021-04-17 15:29:101 意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
2022-02-15 14:23:261103 
意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。
2022-02-17 10:06:141783 （NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出面向電感-電感-電容（LLC）應(yīng)用，變壓器和集成電感采用單體封裝的新型諧振變壓器---MRTI5R5EZ。5.5 kW Vishay Custom
2022-09-29 16:43:00419 
中。 Vishay Siliconix SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 適用于計(jì)算和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換，在提高能效的同時(shí)，減少元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。 日前發(fā)布的雙通道 MOSFET 可用來(lái)取代兩個(gè) PowerPAK 1212 封裝分立器件，節(jié)省 50% 基板空間，同時(shí)
2023-02-04 06:10:04502 
SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)異導(dǎo)通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型導(dǎo)通電阻分別為2.02 m和2.93 m，SiZF5302DT相同條件下導(dǎo)通電阻分別為2.7 m和4.4 m。
2023-02-06 14:44:22257 PowerPAIR? 3x3FS封裝，30V對(duì)稱雙通道MOSFET
2023-02-06 15:34:15576 
近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0294
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