制造商:Vishay
產品種類:平面電阻器 - 底架安裝
RoHS:
電阻:100 Ohms
功率額定值:800 W
端接類型:Solder Pad
長度:48.26 mm
寬度:26.42 mm
2026-01-05 11:37:39
威兆半導體推出的VS4N65CD是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配高壓小功率電源管理、開關電路等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道增強型功率
2025-12-24 13:04:05
102 
（1）產品的額定電壓是固定的，MOSFET的耐壓選取也就比較容易，由于BVdss具有正溫度系數，在實際的應用中要結合這些因素綜合考慮。
（2）VDS中的最高尖峰電壓如果大于BVdss，即便這個尖峰
2025-12-23 08:37:26
（1）Id電流代表MOSFET能流過的最大電流，反映帶負載能力，超過這個值可能會因為超負荷導致MOSFET損壞。
（2）Id電流參數選擇時，需要考慮連續(xù)工作電流和電涌帶來的尖峰電流，確保
2025-12-23 08:22:48
威兆半導體推出的VS3522AA4是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用DFN22x6.5-8L封裝，適配低壓小型電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道
2025-12-18 17:24:48475 
電壓，選取合適閾值電壓的MOSFET管。
（4）閾值電壓越高抗干擾性能越強，可以減少尖峰脈沖造成的電路誤觸發(fā)。
2025-12-16 06:02:32
：LFUS）是一家多元化的工業(yè)技術制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出 MMIX1T500N20X4 X4級超級結功率MOSFET。這款200 V、480 A
2025-12-12 11:40:40376 
在電子工程領域，功率MOSFET一直是電源設計中的關鍵元件。今天要給大家詳細介紹的是安森美（onsemi）的NTH4L060N065SC1，一款650V、44mΩ、47A的N溝道SiC功率MOSFET，采用TO247 - 4L封裝。
2025-12-08 15:02:32326 
在電子設計領域，功率MOSFET是不可或缺的關鍵元件，它廣泛應用于電源管理、電機驅動等眾多領域。今天就來詳細探討安森美（onsemi）推出的一款單通道N溝道功率MOSFET——NTMFS002N10MCL。
2025-12-08 14:53:47334 
在功率半導體領域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能逐漸成為眾多應用的首選。今天，我們就來深入了解一下onsemi推出的一款650V、57mΩ的碳化硅MOSFET——NTH4L075N065SC1。
2025-12-08 09:33:11438 
在電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET以其出色的性能逐漸成為眾多應用的首選。今天，我們就來深入剖析安森美（onsemi）的一款碳化硅MOSFET——NTH4L075N065SC1。
2025-12-05 16:54:25904 
在電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應用的首選器件。今天，我們就來深入了解一下安森美（onsemi）的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L014N120M3P。
2025-12-05 10:31:17358 
在電子設計領域，MOSFET 作為關鍵的功率開關元件，其性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天，我們來深入了解 onsemi 推出的一款雙 N 溝道 MOSFET——NVMJD010N10MCL，看看它有哪些獨特之處。
2025-12-04 16:50:38677 
在電子工程領域，功率MOSFET作為關鍵的半導體器件，廣泛應用于各類電源轉換和功率控制電路中。今天，我們將深入探討安森美（onsemi）的一款N溝道單通道碳化硅（SiC）功率MOSFET——NVH4L060N065SC1，它采用TO247 - 4L封裝，具備出色的性能特點，適用于汽車等多種應用場景。
2025-12-04 15:42:06429 
在電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應用的首選功率器件。今天，我們就來深入探討安森美（onsemi）推出的一款1200V碳化硅MOSFET——NTH4L013N120M3S。
2025-12-04 15:19:05412 
在電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能正逐漸成為眾多應用的首選功率器件。安森美（onsemi）推出的NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET，更是在性能和可靠性方面表現(xiàn)出色。今天，我們就來詳細解析這款器件。
2025-12-04 14:44:57263 
在當今電子技術飛速發(fā)展的時代，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，在眾多領域得到了廣泛應用。今天，我們就來深入了解一下安森美（onsemi）推出的一款SiC MOSFET——NVBG025N065SC1，看看它有哪些獨特之處，又能為我們的設計帶來怎樣的優(yōu)勢。
2025-12-04 13:34:18370 
威兆半導體推出的VS2646ACL是一款面向20V低壓小電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOT23小型封裝，適配低壓小型化電路的電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型：N溝道
2025-12-04 09:43:35202 
在電子工程師的日常設計工作中，MOSFET 作為關鍵的功率器件，其性能直接影響著整個電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來詳細探討 onsemi 推出的一款高性能 N 溝道 MOSFET——NTBLS1D5N10MC。
2025-12-03 11:52:04437 
在電子工程領域，MOSFET 作為關鍵的功率器件，其性能直接影響著各類電源和電路的效率與穩(wěn)定性。今天，我們就來深入了解一款由 onsemi 推出的 N 溝道屏蔽柵 PowerTrench MOSFET——NTMFS7D5N15MC，看看它在實際應用中能為我們帶來哪些驚喜。
2025-12-02 14:31:27327 
在電子工程師的日常設計工作中，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管）是不可或缺的關鍵元件。今天，我們聚焦于ON Semiconductor推出的一款單N溝道功率MOSFET——NVMYS4D5N04C，深入剖析其特性、參數及應用場景。
2025-12-01 14:41:37268 
在電子設計領域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管）作為關鍵的功率器件，其性能表現(xiàn)對整個電路的性能起著至關重要的作用。今天，我們就來深入了解一款由onsemi推出的單N溝道MOSFET——NVTYS014N08HL。
2025-12-01 09:42:59233 
Wolfspeed 宣布推出最新的車規(guī)級 1200 V E4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于業(yè)界領先的第四代 (Gen 4) 技術平臺開發(fā)， 為汽車車載充電器、DC/DC 轉換器、電子壓縮機和加熱與冷卻系統(tǒng)等應用提供了優(yōu)異的性能。
2025-11-30 16:14:51658 Wolfspeed 宣布推出最新的工業(yè)級 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于業(yè)界領先的第四代 (Gen 4) 技術平臺開發(fā)，為硬開關應用提供了優(yōu)異的性能。
2025-11-30 16:13:27564 在電子設計領域，MOSFET 作為關鍵的半導體器件，其性能表現(xiàn)直接影響著整個電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來深入剖析 onsemi 推出的 NVMFS4C306N 單通道 N 溝道 MOSFET，看看它在實際應用中究竟有哪些獨特的優(yōu)勢。
2025-11-27 16:29:57334 
在現(xiàn)代電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應用的首選功率器件。今天，我們就來深入了解Onsemi推出的一款優(yōu)秀的碳化硅MOSFET——NTH4L018N075SC1。
2025-11-27 10:46:29248 
安森美 (onsemi) NVMFWS4D0N04XM MOSFET具有低R~DS(on)~ 和低電容，采用符合AEC-Q101標準的封裝。該MOSFET具有40V漏極-源極電壓、80A連續(xù)漏極電流
2025-11-24 09:49:40335 
考慮導通損耗，也要對RDS(on)進行降額。
問題4：不同測試條件會影響功率MOSFET管VGS(th)和BVDSS嗎？ATE是如何判斷？
回復：不同測試條件，結果會不同，因此，在數據表中會
2025-11-19 06:35:56
Vishay Semiconductors VOMDA1271汽車用MOSFET驅動器提供從隔離柵低壓一次側紅外發(fā)射器驅動內部電路所需的全部電流。該款汽車級光隔離MOSFET驅動器無需電源即可
2025-11-14 11:08:31443 
Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET，采用PowerPAK ? 8 x 8LR封裝。該MOSFET可為
2025-11-14 10:32:18365 
Vishay/BC Components NTCC201E4增強型無引線NTC熱敏電阻裸片提供多功能安裝選項，頂部和底部設有觸點。這些模塊支持鋁線鍵合，兼容真空或甲酸/氮氫混合氣體中的回流焊、SAC
2025-11-14 09:22:48318 SiC544采用緊湊型4.5mm x 3.5mm MLP封裝。SiC544支持高達40A的每相持續(xù)電流。內部功率MOSFET采用Vishay的先進第四代TrenchFET^?^ 技術，可最大限度地降低開關和導通損耗，實現(xiàn)行業(yè)領先的性能。
2025-11-13 15:00:01348 
Vishay SiRS5700DP N溝道150V（D-S）MOSFET是一款TrenchFET?第五代功率MOSFET，具有非常低的R~DS~ x Q~g~ 品質因數（FOM）。Vishay
2025-11-13 11:21:53430 
Vishay/Siliconix SiJK140E N溝道40V（D-S）MOSFET采用TrenchFET^?^ 第五代功率技術。該MOSFET優(yōu)化了功率效率，R~DS(on)~ 可最大限度地降低
2025-11-12 14:12:58319 Vishay/MCB Industrie RAMK/RAME USB編碼器接口是一款設計用于Vishay MCB編碼器（AMK和RAME系列，包括霍爾效應）的電子板。該接口板只需使用隨附的USB
2025-11-12 11:51:54549 Vishay/Dale IFLNx共模扼流圈是高阻抗表面貼裝扼流圈，采用緊湊型SMD封裝。這些扼流圈具有高達2Ω 的最大DCR（+25°C）、高達360mA的典型熱額定直流電流以及高達11k
2025-11-12 11:37:35437 
Vishay MRSE1PK表面貼裝快速開關整流器是一款1A、800V微型表面貼裝快速整流器，非常適合用于自動貼裝應用。MRSE1PK具有低正向電壓降、漏電流和噪聲。Vishay MRSE1PK整流器采用超薄外形，具有氧化物平面芯片結，典型高度為0.65mm MicroSMP封裝。
2025-11-12 11:08:42358 
Vishay Semiconductors VOFD343A IGBT和MOSFET驅動器是采用加長SO-6封裝的緊湊型高設計、快速開關IGBT和MOSFET驅動器。VOFD343A光耦合器
2025-11-11 16:22:341412 表面貼裝封裝，尺寸為4mmx4mmx1.8mm。Vishay/Dale IFSC1616AH-01屏蔽型SMD鐵氧體功率電感器無鉛、無鹵，符合RoHS指令。IFSC1616AH-01系列的應用包括噪聲抑制和濾波、直流/直流電源、便攜式和手持設備以及HDD和SSD存儲。
2025-11-11 15:36:24416 
Vishay Semiconductors VOR1060M4 1A型1式固態(tài)繼電器在表面貼裝4引腳SOP封裝中進行光隔離。VOR1060M4具有50mA負載電流、600V負載電壓以及40Ω低導通電
2025-11-11 15:15:04395 
Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^?^ 第四代N溝道MOSFET設計用于高效電源開關應用。SiEH4800EW采用緊湊型PowerPAK
2025-11-11 13:53:18343 Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET，具有100V漏源電壓。該MOSFET具有536W最大功耗（+25°C
2025-11-11 13:42:26335 
Semiconductors SiC674采用緊湊型5mm x 5mm MLP封裝。SiC674支持每相持續(xù)電流高達55A的穩(wěn)壓器設計。其內部功率MOSFET采用Vishay先進的TrenchFET^?^ 技術，最大限度地降低了開關和傳導損耗，實現(xiàn)了業(yè)界領先的性能。
2025-11-11 10:25:45352 
Semiconductors SiC653A采用緊湊型5mm x 5mm MLP封裝，可讓穩(wěn)壓器每相提供高達50A的持續(xù)電流。SiC653A采用Vishay的第四代TrenchFET MOSFET技術，最大限度地降低了開關
2025-11-11 10:16:53381 
Vishay Semiconductors VOR1003M4固態(tài)繼電器是一種采用表面貼裝4針SOP封裝的光隔離1形式A固態(tài)繼電器。該繼電器具有30V負載電壓、5A連續(xù)負載電流 、0.7Ω低導通電
2025-11-10 15:40:17360 
Vishay SiC658A 50A VRPower ^?^ 集成功率級具備高效率和出色的散熱性能，非常適合大電流應用。Vishay SiC658A憑借先進的MOSFET技術，可確保最佳電源轉換并
2025-11-10 11:35:58464 
Vishay/Sfernice TSM41 4mm方形SMT微型微調電位器設計用于表面貼裝應用，采用符合EIA SMD標準微調電位器占位的4mm設計。這些微調電位器具有容積效率、高性能和穩(wěn)定性，以及
2025-11-10 11:25:45437 
Vishay/BC Components PTCES SMD PTC熱敏電阻具有正溫度系數，主要用于限制浪涌電流和過載保護。PTEC PTC熱敏電阻是直接加熱的陶瓷基摻雜鈦酸鋇熱敏電阻。這些
2025-11-10 10:38:57361 
Vishay Semiconductors VORA1150固態(tài)繼電器是一款符合AEC-Q102標準的1 Form A固態(tài)繼電器，采用創(chuàng)新的4引腳SMD-8封裝 。該繼電器由紅外發(fā)射極組成，該
2025-11-09 17:57:281402 
Vishay Semiconductors VEMD4210FX02 環(huán)境光傳感器是一款高速、高靈敏度的 PIN 光電二極管。它是一款微型表面貼裝器件 (SMD)，敏感區(qū)域為0.42mm^2
2025-11-09 16:31:17528 
仁懋電子（MOT）推出的MOT4N70D是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低柵極電荷、快速開關特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-11-06 16:12:24294 
仁懋電子（MOT）推出的MOT4N65F是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、高輸入阻抗及RoHS合規(guī)性，廣泛適用于電子鎮(zhèn)流器、電子變壓器、開關模式電源等領域
2025-11-04 15:59:03238 及TO-247-3和TO-247-4封裝擴展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V（連續(xù)）和455V（瞬態(tài)）的TOLL封裝新產品
2025-10-31 11:00:59297 仁懋電子（MOT）推出的MOT4N65D是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借高開關速度、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓特性，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-10-30 14:53:11280 意法半導體 STL320N4LF8 N溝道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8溝槽式MOSFET技術制造而成。 該器件完全符合工業(yè)級標準。STL320N4LF8可降低
2025-10-29 15:48:51507 
意法半導體STL325N4LF8AG N溝道功率MOSFET采用STripFET F8技術，具有增強型溝槽柵極結構。 STL325N4LF8AG可確保非常低的導通電阻。該器件還降低內部電容和柵極電荷，實現(xiàn)更快、更高效的開關。
2025-10-29 15:34:56474 
仁懋電子（MOT）推出的MOT4N70C是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借700V耐壓、快速開關特性及穩(wěn)定雪崩能力，廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等
2025-10-28 17:48:45783 圣邦微電子推出 SGMNQ12340，一款 40V 耐壓、低導通電阻、輸入電容低、切換速度快、高性能的 N 溝道 MOSFET。該器件可應用于 VBUS 過壓保護開關、AMOLED 顯示控制器、電池充放電開關及 DC/DC 轉換器。
2025-10-14 17:34:482209 
PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開關器件能夠提供增強的動態(tài)均流功能，專為需要并聯(lián)多個匹配MOSFET的高功率48 V應用設計。此類應用涵蓋叉車、電動滑板車、代步設備等電動交通工具的電機驅動系統(tǒng)，或高功率工業(yè)電機。
2025-10-10 11:22:27700 Vishay 宣布，推出新系列一類瓷介徑向引線高壓直插瓷片電容，該系列產品具有低介質損耗因子(DF)和低直流偏壓的特性，適用于工業(yè)和醫(yī)療應用。
2025-09-30 10:56:06816 Nexperia（安世半導體）近日推出40-100 V汽車MOSFET產品組合，該系列采用行業(yè)標準微引腳封裝，專為車身控制、信息娛樂、電池防反保護及LED照明應用設計。
2025-09-12 09:38:45630 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1
2025-09-01 16:33:492081 
新潔能研發(fā)團隊溝槽型工藝平臺推出耐壓30V 1mΩ級別增強型N溝道MOSFET 系列產品。
2025-08-22 18:02:351527 
Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，專為嚴苛的汽車環(huán)境設計。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持續(xù)工作，助力動力總成系統(tǒng)實現(xiàn)最大性能。
2025-08-11 16:54:232327 基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術，在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
兩款國產1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設計中廣受歡迎
2025-07-23 18:10:061027 
圣邦微電子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應用于 PWM 應用、電源負載開關、電池管理和無線充電器。
2025-07-10 17:21:522287 
電子電路中，封裝技術是MOSFET應用最需要先注意的。這決定了MOS管能否嵌入手機、可穿戴設備中，或者成為其驅動電機的開始。今天，我們聚焦合科泰三款N溝道MOSFET，以SOT-23與SOT-523封裝為錨點，探尋不同封裝如何解鎖差異化應用場景。
2025-07-10 09:44:411115 
三款新品驅動工業(yè)新效能！采用溝槽工藝MOSFET和肖特基二極管 產品介紹 合科泰新推出三款新品，均為TO-252封裝。兩款MOSFET型號分別為HKTD80N03A和3080K，一款肖特基二極管
2025-06-27 18:24:35447 
揚杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產品，產品采用特殊優(yōu)化的SGT技術，具有較低的導通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導通和開關損耗，同時提升了MOSFET抗沖擊電流能力，非常適合應用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。
2025-06-27 09:43:531352 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C
2025-05-22 14:51:22901 
在 COMPUTEX 2025，NVIDIA 發(fā)布多項內容?，F(xiàn)在已有超過 125 款游戲和應用支持 DLSS 4 多幀生成，并有 10 款新游戲即將發(fā)布，《毀滅戰(zhàn)士：黑暗時代》將于 6 月更新支持路徑追蹤與 DLSS 光線重建，《傳送門 RTX 版》推出全新更新。
2025-05-22 10:10:231349 在服務器電源、工業(yè)驅動及新能源領域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達半導體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強型MOS)憑借3.5mΩ低導通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術，為同步整流、電機驅動等場景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100 
圣邦微電子推出 SGMNQ36430，一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。該器件可應用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉換器、功率負載開關以及筆記本電池管理等領域。
2025-05-09 16:57:26971 
愛普生4月再度引領行業(yè)創(chuàng)新，推出了首款平臺式UV打印機——Epson SureColor V1080(以下簡寫為SC-V1080)。
2025-04-28 15:14:381220 電子發(fā)燒友網綜合報道 近日英飛凌推出全球首款集成SBD（肖特基二極管）的工業(yè)用GaN晶體管產品系列CoolGaN G5，該產品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進一步提升整體系統(tǒng)效率
2025-04-28 00:19:003055 
VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導體技術創(chuàng)新——第4.5代650VE系列電源MOSFET，型號為SiHK050N65E。該產品的推出旨在提升電信、工業(yè)
2025-03-27 11:49:46945 
MOSFET和IGBT內部結構不同,決定了其應用領域的不同.
1,由于MOSFET的結構,通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強,IXYS有一款MOSFET
2025-03-25 13:43:17
)與電源轉換技術來提高電源轉換效率之外，新式功率器件在高效能轉換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應用于各種電源轉換器中。本文將簡述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44
Nexperia（安世半導體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001232 Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達克代碼:AOSL）推出兩款先進的表面貼片封裝選項，擴展其行業(yè)領先的高功率MOSFET產品組合。全新的 GTPAK
2025-03-13 13:51:461305 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社今日宣布，最新推出一款可用于驅動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型
2025-03-11 15:11:55512 
隨著市場對高性能功率半導體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長，新潔能（NCE）產品研發(fā)部門推出HO系列MOSFET產品，優(yōu)化了SOA工作區(qū)間，可滿足熱插拔、緩啟動、電子保險絲、電機驅動、BMS
2025-03-04 14:40:341237 
電子發(fā)燒友網站提供《LTH004SRU-4L 40V互補增強型功率MOSFET規(guī)劃書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 15:35:35
0 近日，碳化硅技術領域的全球領軍企業(yè)Wolfspeed推出了其全新的第4代MOSFET技術平臺。該平臺在設計之初就充分考慮了耐久性和高效性，旨在為高功率應用帶來突破性的性能表現(xiàn)。 作為碳化硅技術
2025-02-17 10:28:44943 電子發(fā)燒友網站提供《PSMN1R4-100CSF N溝道MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-13 16:45:560 日前，全球領先的電子元件制造商威世科技(Vishay Intertechnology, Inc.)宣布推出一款創(chuàng)新產品——TSM3系列多匝表面貼裝金屬陶瓷微調電位器。 TSM3系列電位器專為在惡劣
2025-02-08 10:35:251087 科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款適用于工業(yè)等應用于嚴苛要求的基于感應技術的新型高精度位置傳感器---RAIK060。與基于磁技術的解決方案
2025-02-07 14:58:28550 — 202 5 年 2 月 5 日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一系列新的多匝表面貼裝金屬陶瓷微調電位器--- TSM3
2025-02-06 17:32:00963 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，最新推出七款配備Cortex-M4內核的32位微控制器，進一步擴大其電機控制微控制器產品線。其中，六款產品組成新的產品組合——M4K組（1）[1]，另外一款產品加入M470組。
2025-01-22 18:05:341394 
全球領先的半導體解決方案提供商瑞薩電子，近日宣布了一項重要技術創(chuàng)新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1，成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET：RBA300N10EANS
2025-01-22 17:04:06991 近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導體制造商SemiQ正式發(fā)布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉換應用設計。
2025-01-22 11:03:221221 
近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產品專為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應用而設計，以其卓越的高電流開關性能和行業(yè)領先的技術表現(xiàn)成為市場焦點。新型
2025-01-13 11:41:38957 
圣邦微電子推出 SGMNQ32430，一款 30V，功率型，3.1mΩ 超低導通電阻，單通道 N 型，采用 TDFN-2×2-6BL 及 PDFN-3.3×3.3-8L 超小封裝的 MOSFET 器件。該器件可應用于 VBUS 過電壓保護開關，電池充放電開關和直流-直流轉換器。
2025-01-08 16:34:241182
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工商網監(jiān)
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