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Ziptronix授權(quán)索尼DBI混合鍵合專利技術(shù)

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2023-07-15 16:28:083164

3D Cu-Cu混合技術(shù)的優(yōu)點和未來發(fā)展

先進半導(dǎo)體封裝的凸塊技術(shù)已取得顯著發(fā)展,以應(yīng)對縮小接觸間距和傳統(tǒng)倒裝芯片焊接相關(guān)限制帶來的挑戰(zhàn)。該領(lǐng)域的一項突出進步是 3D Cu-Cu 混合技術(shù),它提供了一種變革性的解決方案。
2023-09-21 15:42:292585

晶圓的種類和應(yīng)用

晶圓技術(shù)是將兩片不同結(jié)構(gòu)/不同材質(zhì)的晶圓,通過一定的物理方式結(jié)合的技術(shù)。晶圓技術(shù)已經(jīng)大量應(yīng)用于半導(dǎo)體器件封裝、材料及器件堆疊等多種半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-10-24 12:43:242895

什么是混合?為什么要使用混合

 要了解混合,需要了解先進封裝行業(yè)的簡要歷史。當(dāng)電子封裝行業(yè)發(fā)展到三維封裝時,微凸塊通過使用芯片上的小銅凸塊作為晶圓級封裝的一種形式,在芯片之間提供垂直互連。凸塊的尺寸范圍很廣,從 40 μm 間距到最終縮小到 20 μm 或 10 μm 間距。
2023-11-22 16:57:426765

凸點技術(shù)的主要特征

自從IBM于20世紀60年代開發(fā)出可控塌陷芯片連接(Controlled Collapse Chip Connect,C4)技術(shù),或稱倒裝芯片技術(shù),凸點合在微電子封裝領(lǐng)域特別是芯片與封裝基板的
2023-12-05 09:40:003259

鋁質(zhì)焊盤的工藝

共讀好書 姚友誼 吳琪 陽微 胡蓉 姚遠建 (成都西科微波通訊有限公司) 摘要: 從鋁質(zhì)焊盤后易發(fā)生欠和過的故障現(xiàn)象著手,就鋁焊盤上幾種常見方式進行了探討,得出的優(yōu)先級為硅鋁絲
2024-02-02 16:51:482915

金絲引線鍵合的影響因素探究

共讀好書 劉鳳華 中電科思儀科技股份有限公司 摘要: 對設(shè)備性能和人員技能的要求極高,屬于關(guān)鍵控制工序,質(zhì)量的好壞直接影響電路的可靠性。工藝人員需對的影響因素進行整體把控,有針對性地控制
2024-02-02 17:07:181762

人工智能推動混合技術(shù)

領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)Adeia戰(zhàn)略副總裁Seung Kang博士表示,對計算能力的需求正在加速增長,需求將超過當(dāng)前支撐當(dāng)今高性能基礎(chǔ)設(shè)施、平臺和設(shè)備的芯片組技術(shù)的能力。 全球數(shù)字經(jīng)濟的各個垂直領(lǐng)域幾乎都對人工智能的興趣日益濃厚,預(yù)計將推動整個半導(dǎo)體行業(yè)對混合技術(shù)的需求激增。 Ga
2024-02-01 14:42:50747

消息稱三星正在整合混合技術(shù)

據(jù)業(yè)界消息人士透露,為了進一步提升其芯片代工能力,三星正全力推進混合技術(shù)的整合工作。據(jù)悉,應(yīng)用材料公司和Besi Semiconductor已在三星的天安園區(qū)開始安裝先進的混合設(shè)備,這些設(shè)備預(yù)計將用于三星的下一代封裝解決方案,如X-Cube和SAINT。
2024-02-18 11:13:231266

混合技術(shù)大揭秘:優(yōu)點、應(yīng)用與發(fā)展一網(wǎng)打盡

混合技術(shù)是近年來在微電子封裝和先進制造領(lǐng)域引起廣泛關(guān)注的一種新型連接技術(shù)。它通過結(jié)合不同方法的優(yōu)點,實現(xiàn)了更高的封裝密度、更強的機械性能和更好的熱穩(wěn)定性,為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的微型化、高性能化提供了有力支持。
2024-02-18 10:06:194673

美的獲實用新型專利授權(quán)

美的獲實用新型專利授權(quán) 美的新獲得一項實用新型專利授權(quán),該專利名為“一種功放模塊組件、射頻發(fā)生裝置、射頻解凍裝置以及冰箱”,專利申請?zhí)朇N202223387092.2。 該技術(shù)可以幫助解決現(xiàn)有技術(shù)目前功率放大電路散熱結(jié)構(gòu)使用不便的技術(shù)問題;而且非常更適用于小型化設(shè)備中。
2024-02-24 17:18:332246

混合能走多遠?

推動了這項技術(shù)的發(fā)展,這項技術(shù)對尖端處理器和存儲器至關(guān)重要。這項技術(shù)被稱為混合,它將兩個或多個芯片堆疊在同一封裝中,使芯片制造商能夠增加處理器和存儲器中的晶體管數(shù)量,盡管曾經(jīng)定義摩爾定律的傳統(tǒng)晶體管
2024-06-18 16:57:512677

金絲強度測試儀試驗方法:拉脫、引線拉力、剪切力

金絲強度測試儀是測量引線鍵合強度,評估強度分布或測定強度是否符合有關(guān)的訂購文件的要求。強度試驗機可應(yīng)用于采用低溫焊、熱壓焊、超聲焊或有關(guān)技術(shù)的、具有內(nèi)引線的器件封裝內(nèi)部的引線
2024-07-06 11:18:592228

SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合技術(shù)

在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次站在了行業(yè)創(chuàng)新的前沿。據(jù)最新消息,該公司計劃于2026年在其高性能內(nèi)存(High Bandwidth Memory, HBM)的生產(chǎn)過程中引入混合技術(shù),這一舉措不僅標(biāo)志著SK海力士在封裝技術(shù)上的重大突破,也預(yù)示著全球半導(dǎo)體行業(yè)將迎來新一輪的技術(shù)革新。
2024-07-17 09:58:191366

混合技術(shù):開啟3D芯片封裝新篇章

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,技術(shù)的每一次革新都標(biāo)志著行業(yè)邁向新的里程碑。近年來,隨著芯片性能需求的不斷提升,傳統(tǒng)的二維封裝技術(shù)已難以滿足日益增長的數(shù)據(jù)處理速度和功耗控制要求。在此背景下,混合(Hybrid
2024-08-26 10:41:542476

混合,成為“芯”寵

要求,傳統(tǒng)互聯(lián)技術(shù)如引線鍵合、倒裝芯片和硅通孔(TSV)等,正逐步顯露其局限。在這種背景下,混合技術(shù)以其革命性的互聯(lián)潛力,正成為行業(yè)的新寵。
2024-10-18 17:54:541776

混合的基本原理和優(yōu)勢

混合(Hybrid Bonding)是半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的新興技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)高密度三維集成,無需傳統(tǒng)的焊料凸點。本文探討混合的基本原理、相比傳統(tǒng)方法的優(yōu)勢,以及該領(lǐng)域的最新發(fā)展。
2024-10-30 09:54:514308

先進封裝技術(shù)激戰(zhàn)正酣:混合合成新星,重塑芯片領(lǐng)域格局

隨著摩爾定律的放緩與面臨微縮物理極限,半導(dǎo)體巨擘越來越依賴先進封裝技術(shù)推動性能的提升。隨著封裝技術(shù)從2D向2.5D、3D推進,芯片堆迭的連接技術(shù)也成為各家公司差異化與競爭力的展現(xiàn)。而“混合
2024-11-08 11:00:542152

三維堆疊封裝新突破:混合技術(shù)揭秘!

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,芯片的性能需求不斷提升,傳統(tǒng)的二維封裝技術(shù)已難以滿足日益增長的數(shù)據(jù)處理速度和功耗控制要求。在此背景下,混合(Hybrid Bonding)技術(shù)應(yīng)運而生,并迅速成為三維
2024-11-13 13:01:323341

晶圓膠的與解方式

晶圓是十分重要的一步工藝,本文對其詳細介紹。???????????????????????????? ? 什么是晶圓膠? 晶圓膠(wafer bonding adhesive)是一種用于
2024-11-14 17:04:443586

混合:開創(chuàng)半導(dǎo)體互聯(lián)技術(shù)新紀元

功能?在眾多關(guān)鍵技術(shù)中,晶圓技術(shù)雖然不像光刻技術(shù)那樣廣為人知,但它卻默默地在我們的手機圖像傳感器、重力加速傳感器、麥克風(fēng)、4G和5G射頻前端,以及部分NAND閃存中發(fā)揮著重要作用。那么,這一技術(shù)中的新興領(lǐng)域——混合
2024-11-18 10:08:051976

微流控多層技術(shù)

一、超聲鍵合輔助的多層技術(shù) 基于微導(dǎo)能陣列的超聲鍵合多層技術(shù): 在超聲鍵合微流控芯片多層研究中,有基于微導(dǎo)能陣列的聚碳酸酯微流控芯片超聲鍵合技術(shù)。研究對比了大量方法,認為超聲鍵合方式
2024-11-19 13:58:001070

從發(fā)展歷史、研究進展和前景預(yù)測三個方面對混合(HB)技術(shù)進行分析

摘要: 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,傳統(tǒng)倒裝焊( FC) 已難以滿足高密度、高可靠性的三維( 3D) 互連技術(shù)的需求。混合( HB) 技術(shù)是一種先進的3D 堆疊封裝技術(shù),可以實現(xiàn)焊盤直徑≤1 μm
2024-11-22 11:14:464487

帶你一文了解什么是引線鍵合(WireBonding)技術(shù)

微電子封裝中的引線鍵合技術(shù)引線鍵合技術(shù)在微電子封裝領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色,它通過金屬線將半導(dǎo)體芯片與外部電路相連,實現(xiàn)電氣互連和信息傳遞。在理想條件下,金屬引線與基板之間的連接可以達到原子級別的
2024-12-24 11:32:042832

微流控芯片技術(shù)

微流控芯片技術(shù)的重要性 微流控芯片的技術(shù)是實現(xiàn)其功能的關(guān)鍵步驟之一,特別是在密封技術(shù)方面。技術(shù)的選擇直接影響到微流控芯片的整體性能和可靠性。 不同材料的方式 玻璃材料:通常通過熱鍵
2024-12-30 13:56:311248

引線鍵合的基礎(chǔ)知識

引線鍵合 引線鍵合,又稱壓焊,是半導(dǎo)體封裝工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),對封裝的可靠性和最終產(chǎn)品的測試良率具有決定性影響。 以下是對引線鍵合的分述: 引線鍵合概述 引線鍵合設(shè)備 引線鍵合方法 1 引線鍵合概述
2025-01-02 10:18:012679

混合中的銅連接:或成摩爾定律救星

混合3D芯片技術(shù)將拯救摩爾定律。 為了繼續(xù)縮小電路尺寸,芯片制造商正在爭奪每一納米的空間。但在未來5年里,一項涉及幾百乃至幾千納米的更大尺度的技術(shù)可能同樣重要。 這項技術(shù)被稱為“混合”,可以
2025-02-09 09:21:431230

Cu-Cu混合的原理是什么

本文介紹了Cu-Cu混合主要用在哪方面以及原理是什么。
2025-02-26 17:35:111575

什么是金屬共晶

金屬共晶是利用金屬間的化學(xué)反應(yīng),在較低溫度下通過低溫相變而實現(xiàn)的,后的金屬化合物熔點高于溫度。該定義更側(cè)重于從材料科學(xué)的角度定義。
2025-03-04 14:14:411922

一文詳解共晶技術(shù)

技術(shù)主要分為直接和帶有中間層的。直接如硅硅,陽極條件高,如高溫、高壓等。而帶有中間層的,所需的溫度更低,壓力也更小。帶金屬的中間層技術(shù)主要包括共晶、焊料、熱壓和反應(yīng)等。本文主要對共晶進行介紹。
2025-03-04 17:10:522636

芯片封裝技術(shù)工藝流程以及優(yōu)缺點介紹

為邦定。 目前主要有四種技術(shù):傳統(tǒng)而可靠的引線鍵合(Wire Bonding)、性能優(yōu)異的倒裝芯片(Flip Chip)、自動化程度高的載帶自動(TAB, Tape Automated Bonding),以及代表未來趨勢的混合(Hybrid Bonding)技術(shù)。本文將簡要介紹這四種
2025-03-22 09:45:315450

面向臨時/解TBDB的ERS光子解技術(shù)

,半導(dǎo)體制造商傾向于采用厚度小于 100 μm的薄晶圓。然而,晶圓越薄就越容易破損,為此,行業(yè)開發(fā)了各種臨時和解 (TBDB) 技術(shù),利用專用膠將器件晶圓臨時固定在剛性載板上,以提升制造過程的穩(wěn)定性和良率。 現(xiàn)有解方法的局限
2025-03-28 20:13:59790

芯片封裝中的四種方式:技術(shù)演進與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用

自動混合四種主流技術(shù),它們在工藝流程、技術(shù)特點和應(yīng)用場景上各具優(yōu)勢。本文將深入剖析這四種方式的技術(shù)原理、發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢,為產(chǎn)業(yè)界提供技術(shù)參考。
2025-04-11 14:02:252633

引線鍵合替代技術(shù)有哪些

電氣性能制約隨著片外數(shù)據(jù)傳輸速率持續(xù)提升及節(jié)距不斷縮小,引線鍵合技術(shù)暴露出電感與串?dāng)_兩大核心問題。高頻信號傳輸時,引線電感產(chǎn)生的感抗會阻礙信號快速通過,而相鄰引線間的串?dāng)_則造成信號干擾,這些問題嚴重限制了其在高速電子系統(tǒng)中的應(yīng)用場景。
2025-04-23 11:48:35867

混合(Hybrid Bonding)工藝介紹

所謂混合(hybrid bonding),指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過金屬互連的混合工藝,來實現(xiàn)三維集成,在Hybrid Bonding前,2D,2.5D及3D封裝都是采用
2025-07-10 11:12:172722

LG電子重兵布局混合設(shè)備研發(fā),鎖定2028年大規(guī)模量產(chǎn)目標(biāo)

近日,LG 電子宣布正式啟動混合設(shè)備的開發(fā)項目,目標(biāo)在 2028 年實現(xiàn)該設(shè)備的大規(guī)模量產(chǎn),這一舉措標(biāo)志著 LG 電子在半導(dǎo)體先進封裝領(lǐng)域邁出了重要一步。混合技術(shù)作為半導(dǎo)體制造中的前沿工藝
2025-07-15 17:48:02530

鋁絲的具體步驟

鋁絲常借助超聲楔焊技術(shù),通過超聲能量實現(xiàn)鋁絲與焊盤的直接。由于所用劈刀工具頭為楔形,使得點兩端同樣呈楔形,因而該技術(shù)也被叫做楔形壓焊。超聲焊工藝較為復(fù)雜,劈刀的運動、線夾動作
2025-07-16 16:58:241461

突破堆疊瓶頸:三星電子擬于16層HBM導(dǎo)入混合技術(shù)

成為了全球存儲芯片巨頭們角逐的焦點。三星電子作為行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),一直致力于推動 HBM 技術(shù)的革新。近日有消息傳出,三星電子準備從 16 層 HBM 開始引入混合技術(shù),這一舉措無疑將在存儲芯片領(lǐng)域掀起新的波瀾。 編輯 ? 編輯 ? 技術(shù)背景:HBM 發(fā)展的必然趨
2025-07-24 17:31:16632

3D集成賽道加速!混合技術(shù)開啟晶體管萬億時代

當(dāng)傳統(tǒng)制程微縮逼近物理極限,芯片巨頭們正在另一條賽道加速沖刺——垂直方向。Counterpoint Research最新報告指出,混合(Hybrid Bonding) 技術(shù)已成為實現(xiàn)“單顆芯片
2025-07-28 16:32:54384

芯片制造中的技術(shù)詳解

技術(shù)是通過溫度、壓力等外部條件調(diào)控材料表面分子間作用力或化學(xué),實現(xiàn)不同材料(如硅-硅、硅-玻璃)原子級結(jié)合的核心工藝,起源于MEMS領(lǐng)域并隨SOI制造、三維集成需求發(fā)展,涵蓋直接(如SiO
2025-08-01 09:25:591770

詳解先進封裝中的混合技術(shù)

在先進封裝中, Hybrid bonding( 混合)不僅可以增加I/O密度,提高信號完整性,還可以實現(xiàn)低功耗、高帶寬的異構(gòu)集成。它是主要3D封裝平臺(如臺積電的SoIC、三星的X-Cube
2025-09-17 16:05:361475

芯片工藝技術(shù)介紹

在半導(dǎo)體封裝工藝中,芯片(Die Bonding)是指將晶圓芯片固定到封裝基板上的關(guān)鍵步驟。工藝可分為傳統(tǒng)方法和先進方法:傳統(tǒng)方法包括芯片(Die Bonding)和引線鍵合(Wire
2025-10-21 17:36:162062

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