達到定向管理、提高網(wǎng)絡利用率、降低總擁有成本、保護數(shù)據(jù)資產的目的，具有成本較低但運行效率較高的特點，其在家庭娛樂、小型企業(yè)、云存儲、安防監(jiān)控等領域廣泛應用。NAS 設備不斷優(yōu)化數(shù)據(jù)管理功能，提升可擴展性，并通過與AI 技術的融合，進一步增強數(shù)據(jù)處理和
2025-09-01 09:07:05
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短短 60 天內。 由于 NAND Flash 占 SSD 生產成本的 90%，硬件廠商無力消化成本壓力，只能將漲價傳導至終端，直接導致企業(yè)存儲硬件采購支出同比翻倍。與此同時，AI、大數(shù)據(jù)技術的普及讓企業(yè)數(shù)據(jù)量呈指數(shù)級增長，傳統(tǒng)存儲架構 “容量不夠、成本太高” 的矛盾全面爆發(fā)。 如何在控制成本
2025-12-31 12:57:1789 燒結銀：3D封裝中高功率密度和高密度互連的核心材料
2025-12-29 11:16:01111 DRAM 被組織成層次化的陣列，總共由數(shù)十億個 DRAM 單元組成，每個單元存儲一位數(shù)據(jù)。
2025-12-26 15:10:02647 
短板，構建覆蓋芯片設計全流程的自主工具鏈。 ? 聚焦存儲芯片EDA，實現(xiàn)全流程國產化突破 ? 后摩爾時代，芯片性能提升轉向“尺寸微縮、新原理器件、集成芯片”三路徑并行，推動EDA技術演進為貫通“物理極限—架構創(chuàng)新—系統(tǒng)協(xié)同”的使能
2025-12-21 07:51:0010343 XCede HD高密度背板連接器：小尺寸大作為 在電子設備不斷向小型化、高性能發(fā)展的今天，背板連接器的性能和尺寸成為了設計的關鍵因素。XCede HD高密度背板連接器憑借其獨特的設計和出色的性能
2025-12-18 11:25:06164 全球存儲解決方案領域的領軍企業(yè)Kioxia Corporation今日宣布，已研發(fā)出具備高堆疊性的氧化物半導體溝道晶體管技術，該技術將推動高密度、低功耗3D DRAM的實際應用。這項技術已于12月
2025-12-16 16:40:501027 在存儲技術快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機存取存儲器）以其獨特的性能，逐漸成為業(yè)界關注焦點。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來存儲數(shù)據(jù)，兼具高速、耐用與非易失性特點。
2025-12-15 14:39:04242 的重要課題。ICYDOCK憑借在存儲解決方案領域的技術積累，開發(fā)出系列PCIe插槽硬盤盒產品，為企業(yè)用戶提供高密度、易維護的存儲擴展選擇。這些解決方案直接通過PCIe
2025-12-12 16:55:461079 
Amphenol ICC 3000W EnergyEdge? X-treme 卡邊連接器：高功率與高密度的完美結合 在電子設備不斷向高功率、高密度方向發(fā)展的今天，連接器的性能和設計顯得尤為重要
2025-12-12 13:55:06195 Amphenol ICC DDR5 SO - DIMM連接器：高速高密度的理想之選 在當今高速發(fā)展的電子科技領域，內存連接器的性能對于系統(tǒng)的整體表現(xiàn)起著至關重要的作用。Amphenol ICC推出
2025-12-12 11:15:12314 景，下面我們來詳細了解一下。 文件下載： Amphenol Times Microwave Systems TF-047微型同軸電纜組件.pdf 產品概述 TF - 047 是一款多功能的微同軸電纜，有散裝和電纜組件兩種形式可供選擇，并且提供多種接口。它在緊湊的尺寸下，實現(xiàn)了高性能和高可靠性，為高密度應用
2025-12-11 15:15:02233 Amphenol FCI Basics DensiStak? 板對板連接器：高速高密度連接解決方案 在電子設備設計中，板對板連接器的性能對于設備的整體性能和穩(wěn)定性起著至關重要的作用。今天，我們來深入
2025-12-11 09:40:15346 在AI芯片與高速通信芯片飛速發(fā)展的今天，先進封裝技術已成為提升算力與系統(tǒng)性能的關鍵路徑。然而，伴隨芯片集成度的躍升，高密度互連線帶來的信號延遲、功耗上升、波形畸變、信號串擾以及電源噪聲等問題日益凸顯，傳統(tǒng)設計方法在應對這些復雜挑戰(zhàn)時已面臨多重瓶頸。
2025-12-08 10:42:442633 電能質量在線監(jiān)測裝置的監(jiān)測數(shù)據(jù)會通過“本地存儲 + 遠程備份”的雙層架構實現(xiàn)數(shù)據(jù)留存，再通過“裝置本地基礎分析 + 上位機 / 云端深度分析” 的分級模式完成數(shù)據(jù)解讀，整體流程符合 GB/T
2025-12-05 17:58:363240 
數(shù)據(jù)中心、電信基礎設施和大型網(wǎng)絡每天都面臨著不斷增長的數(shù)據(jù)處理和存儲需求。需要更快、更可靠和更高效的解決方案來滿足這些需求，這就是高密度光纖布線技術發(fā)揮作用的地方。這些布線解決方案節(jié)省了網(wǎng)絡基礎設施
2025-12-02 10:28:03292 全球連接與傳感領域領軍企業(yè)TE Connectivity (TE)近日宣布推出的高密度(HD)+ 金手指電源連接器是市場上可實現(xiàn)最高電流密度的金手指電源連接器，能夠支持高達3千瓦的電源功率，從而
2025-11-20 16:33:20
DRAM利用電容存儲數(shù)據(jù)，由于電容存在漏電現(xiàn)象，必須通過周期性刷新來維持數(shù)據(jù)。此外，DRAM采用行列地址復用設計，提高了存儲密度，但增加了控制復雜性。它廣泛用于大容量、低成本存儲場景，如計算機內存。
2025-11-18 11:49:00477 Molex EMI濾波高密度D-Sub連接器為要求苛刻的電子系統(tǒng)中的電磁干擾 (EMI) 集成提供了可靠的解決方案。該高效系列采用標準、高密度和混合布局連接器，可增強信號完整性 (SI) 并符合監(jiān)管
2025-11-18 10:45:35367 Molex MMC線纜組件有助于數(shù)據(jù)中心優(yōu)化空間和密度，以滿足AI驅動的要求，并采用超小尺寸 (VSFF) 設計，在相同占位面積內實現(xiàn)更高密度。106292系列線纜組件每個連接器有16或24根光纖
2025-11-17 11:23:41584 免工具可抽取式硬盤托盤設計，助力高密度存儲ICYDOCKExpressCageMB326SP-1B是一款6盤位2.5英寸SATA/SAS機械硬盤/固態(tài)硬盤硬盤抽取盒，可安裝于標準5.25英寸光驅位
2025-11-14 14:25:50614 
垂直導線扇出（VFO）的封裝工藝，實現(xiàn)最多16層DRAM與NAND芯片的垂直堆疊，這種高密度的堆疊方式將大幅提升數(shù)據(jù)處理速度，為移動設備的AI運算提供強有力的存儲支撐。 ? 根據(jù)早前報道，移動HBM通過堆疊和連接LPDDR DRAM來增加內存帶寬，也同樣采用了
2025-11-14 09:11:212446 
英康仕ESU-1B-838機架式工控機，正是針對這類高密度接入場景的專業(yè)解決方案。本款工控機憑借16個串口與10路AI/DI+4路DO的硬件配置，在標準1U機箱內實現(xiàn)了前所未有的接口密度，為數(shù)據(jù)采集與設備控制建立了優(yōu)勢。
2025-11-12 10:15:52618 
PSRAM（偽靜態(tài)隨機存儲器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內核架構的特殊存儲器。它既保留了SRAM無需復雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢。這種獨特的設計使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動設備領域獲得了廣泛應用。
2025-11-11 11:39:04497 三星、美光暫停 DDR5 報價的背后，是存儲芯片產業(yè)向高附加值封裝技術的轉型 ——SiP（系統(tǒng)級封裝）正成為 DDR5 與 HBM 的主流封裝方案，而這一轉型正倒逼 PCB 行業(yè)突破高密度布線技術，其核心驅動力，仍是國內存儲芯片封裝環(huán)節(jié)的國產化進程加速。
2025-11-08 16:15:011156 根據(jù)參考信息，?沉金工藝（ENIG）? 是更適合高密度PCB的表面處理工藝?。以下是具體原因： 平整度優(yōu)勢 高密度PCB（如使用BGA、QFN等封裝）的焊盤多且密集，對表面平整度要求極高。噴錫工藝
2025-11-06 10:16:33359 TE Connectivity VITA 87高密度圓形MT連接器可在較小空間內實現(xiàn)下一代加固系統(tǒng)所需的高速度和帶寬。與傳統(tǒng)的Mil圓形38999光纖相比，這些Mil圓形光纖連接器具有更高的密度選項
2025-11-04 09:25:28582 
相對于HBM、GDDR和DRAM，企業(yè)級SSD優(yōu)勢在于彌補了數(shù)據(jù)供給速度與計算速度之間的巨大鴻溝，特別是全新的CPU、GPU在算力、核心數(shù)量、AI吞吐量井噴式的增長，以往的低速存儲很容易造成計算單元空轉，造成數(shù)據(jù)饑餓，進而影響到企業(yè)的時間與支出成本。
2025-11-03 14:46:151492 
機遇與應用落地路徑。QLC（Quad-LevelCell）是存儲技術中的一種，指每個存儲單元存儲4比特數(shù)據(jù)，在相同晶圓面積下實現(xiàn)更高存儲密度。QLC通過四層電壓狀態(tài)
2025-10-31 19:14:541043 
近期，在全球人工智能浪潮的持續(xù)推動下，高算力基礎設施的密集建設、端側設備對本地化AI處理能力的需求爆發(fā)，催生了對高密度、高性能存儲芯片的海量需求。這一趨勢直接導致SSD（固態(tài)硬盤）和DRAM（動態(tài)
2025-10-27 14:43:46877 PSRAM之所以被稱為"偽靜態(tài)"存儲器，主要是因為其采用類SRAM的接口協(xié)議：只需要提供地址和讀寫命令就可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)存取，無需像傳統(tǒng)DRAM一樣需要內存控制器定期刷新數(shù)據(jù)單元。
2025-10-23 14:29:00296 STMicroelectronics PWD5T60三相高密度功率驅動器具有集成柵極驅動器和六個N溝道功率MOSFET。STMicroelectronics PWD5T60驅動器非常適合用于風扇、泵
2025-10-20 13:55:53348 
用戶采用先進的微納工藝從事太赫茲集成器件科研和開發(fā)。在研發(fā)中經常需要進行繁復的高密度多物理量測量。用戶采用傳統(tǒng)分立儀器測試的困難在于高度依賴實驗人員經驗，缺乏標準化、自動化試驗平臺。
2025-10-18 11:22:311220 
工業(yè)級 SLC?存儲卡與存儲芯片的優(yōu)缺點： ? 核心特點與適用場景 ? ? 可靠性與壽命 ?：SLC（單層單元）每單元僅存1 bit，典型P/E?擦寫壽命約 10?萬次，遠高于 MLC/TLC，適合
2025-10-17 11:09:52482 
高密度配線架和中密度配線架的核心區(qū)別在于端口密度、空間利用率、應用場景及管理效率，具體對比如下： 一、核心區(qū)別：端口密度與空間占用 示例： 高密度配線架：1U高度可容納96個LC雙工光纖端口(48芯
2025-10-11 09:56:16264 
實驗室。該實驗室配備了專為多種AI工作負載量身打造的高性能、高密度的存儲測試集群。 這座先進的 AI 中央實驗室坐落于美國蘭喬科爾多瓦的 FarmGPU 設施內，緊鄰 Solidigm 總部。在這里
2025-10-10 17:03:04621 BCM56064A0KFSBG高密度端口支持： 通常支持大量高速端口（具體數(shù)量和速率取決于設計）。線速轉發(fā)： 在所有端口上實現(xiàn)無阻塞的線速L2/L3數(shù)據(jù)包轉發(fā)。高級交換特性： 支持豐富的二層（L2
2025-09-08 16:51:59
本文解析平尚科技高密度MLCC與功率電感集成方案，通過超薄堆疊MLCC、非晶磁粉電感及共腔封裝技術，在8×8mm空間實現(xiàn)100μF+22μH的超緊湊設計。結合關節(jié)模組實測數(shù)據(jù)，展示體積縮減78%、紋波降低76%的突破，并闡述激光微孔與真空焊接工藝對可靠性的保障。
2025-09-08 15:31:37489 
2025年上半年，AI應用從“技術驗證”邁入“商業(yè)放量”新階段，推動存儲產業(yè)進入”結構性升級“新格局。在大模型訓練、AI服務器及智能數(shù)據(jù)中心的強勁拉動下，高端DRAM與高密度NAND需求持續(xù)釋放
2025-09-04 17:24:17961 
，其\'低延時+高密度+高兼容\'的創(chuàng)新組合不僅將推動4K超清傳輸突破傳統(tǒng)場景限制，還通過前瞻性的技術架構預留了戰(zhàn)略級擴展空間。未來，富視智通的這款編解碼器將通過固件迭代無縫增加8K功能，在保持
2025-08-28 13:43:50
超高清8K流媒體錄制與多通道影音同步編輯，對影音錄播設備的存儲提出了極高要求：海量的數(shù)據(jù)吞吐、嚴苛的實時傳輸要求、持續(xù)高負載下的散熱挑戰(zhàn)、頻繁的素材交接效率以及多機位同步回放的即時響應需求，每一項
2025-08-14 17:23:11882 
經世智能復合機器人在智慧檔案庫房行業(yè)主要應用于檔案自動存取與轉運、高密度存儲環(huán)境下精準作業(yè)等環(huán)節(jié)，通過“AGV移動底盤+協(xié)作機械臂+視覺系統(tǒng)”一體化控制方案實現(xiàn)高效自動化作業(yè)。應用場景檔案自動存取
2025-08-12 16:43:40784 
在存儲芯片（DRAM/NAND）制造中，晶圓劃片是將整片晶圓分割成單個芯片（Die）的關鍵后道工序。隨著芯片尺寸不斷縮小、密度持續(xù)增加、晶圓日益變薄（尤其對于高容量3DNAND），傳統(tǒng)劃片工藝帶來
2025-08-08 15:38:061026 
Express 5.0 設計的高性能測試工具，主要針對高密度存儲服務器環(huán)境，適用于 NVMe SSD 的開發(fā)、調試與性能優(yōu)化，能夠以 32GTps 的速度獲取 16 通道上雙向的PCIe 5.0 協(xié)議
2025-08-01 09:07:46
）將多層 DRAM 芯片垂直堆疊，并集成專用控制器邏輯芯片，形成一個緊湊的存儲模塊。這種架構徹底打破了傳統(tǒng) DDR 內存的平面布局限制，實現(xiàn)了超高帶寬、低功耗和小體積高集成度的完美結合，成為支撐 AI、高性能計算（HPC）和高端圖形處理的核心存儲技術。
2025-07-18 14:30:122949 在科技飛速發(fā)展的今天，電子設備正以前所未有的速度迭代更新，從尖端工業(yè)控制系統(tǒng)到精密醫(yī)療成像設備，從高速通信基站到航空航天器，每一個領域都對電子設備的性能、可靠性和集成度提出了更高的要求。而在這些電子設備的背后，有一種核心組件正發(fā)揮著至關重要的作用，那就是高密度互連線路板（HDI）。
2025-07-17 14:43:01867 先進溝槽工藝技術?高密度單元設計實現(xiàn)超低導通電阻
2025-07-10 14:20:54
0 先進溝槽工藝技術?面向超低導通電阻的高密度單元設計
2025-07-10 14:11:550 先進溝槽工藝技術?高密度單元設計實現(xiàn)超低導通電阻
2025-07-10 14:02:310 先進溝槽工藝技術高密度單元設計實現(xiàn)超低導通電阻
2025-07-09 16:56:410 ● 溝槽式功率低壓MOSFET技術?● 卓越的散熱封裝設計?● 高密度單元結構實現(xiàn)低導通電阻?● 無鹵素環(huán)保工藝
2025-07-09 16:04:330 電容存儲電荷（代表0或1）。電容會漏電，需要定時刷新（Refresh）來維持數(shù)據(jù)，所以叫“動態(tài)”。
特點：
優(yōu)點：速度非?？欤{秒級訪問），成本相對較低（單位容量），高密度。
缺點：易失性（斷電數(shù)據(jù)丟失
2025-06-24 09:09:39
感器2000次/秒的超高速采樣，支持多臺設備同時接入。
實時性、低延時：平臺數(shù)據(jù)采集、分析、控制實時性。實現(xiàn)采樣數(shù)據(jù)無卡頓、無丟失，微秒級轉發(fā)、既時存儲、實時呈現(xiàn)。
高密度數(shù)據(jù)采集的突破性能力
海量數(shù)據(jù)
2025-06-19 14:51:40
DD3118可以支持各種類型的存儲卡，如Secure Digital TM（SD）、SDHC、mini SD和microSD（T-Flash）集成在一個芯片上。它還支持高密度存儲卡（容量高達2TB
2025-06-16 16:06:343 擴展的系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的通道密度。ADGS2414D高密度開關的連續(xù)電流高達768mA，典型導通電阻為0.56?。這些開關包括集成的無源元件和具有錯誤檢測功能的SPI接口。ADGS2414D開關的最大
2025-06-16 10:51:13671 
貞光科技作為業(yè)內知名的車規(guī)及工業(yè)元器件供應商，現(xiàn)已成為紫光國芯存儲芯片的授權代理商。在半導體存儲芯片國產化的關鍵時期，這一合作為推動DRAM等關鍵器件的國產替代開辟了新的渠道。紫光國芯在存儲芯片領域
2025-06-13 15:41:271298 
高密度配線架與中密度配線架的核心區(qū)別體現(xiàn)在端口密度、空間利用率、應用場景適配性、成本結構及擴展能力等方面，以下為具體分析： 一、端口密度與空間利用率 高密度配線架 端口密度：每單位空間(如1U機架
2025-06-13 10:18:58697 MPO高密度光纖配線架的安裝需遵循標準化流程，結合設備特性和機房環(huán)境進行操作。以下是分步驟的安裝方法及注意事項： 一、安裝前準備 環(huán)境檢查 確認機房溫度(建議0℃~40℃)、濕度(10%~90
2025-06-12 10:22:42791 高密度ARM服務器的散熱設計融合了硬件創(chuàng)新與系統(tǒng)級優(yōu)化技術，以應對高集成度下的散熱挑戰(zhàn)，具體方案如下： 一、核心散熱技術方案 高效散熱架構? 液冷技術主導?：冷板式液冷方案通過直接接觸CPU/GPU
2025-06-09 09:19:38660 
應用和技術細節(jié)：1.劃片機的基本作用晶圓切割：將完成光刻、蝕刻等工藝的晶圓切割成獨立的存儲芯片單元。高精度要求：存儲芯片（如NAND、DRAM）的電路密度極高，切割精
2025-06-03 18:11:11843 
與外接存儲
升級示波器內存
策略：從1Mpts升級至10Mpts或100Mpts。
成本：中高端示波器通常支持內存擴展（如泰克MDO4000系列支持100Mpts）。
外接存儲設備
策略：通過LAN或
2025-05-27 14:39:32
日志驗證數(shù)據(jù)完整性。
通過以上措施的系統(tǒng)性實施，可顯著降低存儲示波器的崩潰風險，并確保在崩潰發(fā)生時快速恢復數(shù)據(jù)和系統(tǒng)。核心原則是預防為主、備份為輔、快速響應，結合硬件冗余和操作規(guī)范，構建可靠的測試環(huán)境。
2025-05-23 14:47:04
產品集成11顆芯片，58個無源元件，采用雙面陶瓷管殼作為載體，進行雙層芯片疊裝和組裝，實現(xiàn)高密度集成。殼體工藝采用高溫多層陶瓷共燒工藝，可以最大限度地增加布線密度和縮短互連線長度，從而提高組件密度
2025-05-14 10:49:47921 
、DRAM、嵌入式存儲等領域布局各具特色，推動國產替代提速。貞光科技代理的品牌紫光國芯，專注DRAM技術，覆蓋嵌入式存儲與模組解決方案，為多領域客戶提供高可靠性產品
2025-05-12 16:01:114743 
一季度，SK海力士憑借在HBM領域的絕對優(yōu)勢，終結三星長達四十多年的市場統(tǒng)治地位，以36.7%的市場份額首度登頂全球DRAM市場第一。 ? 當前國際存儲大廠轉向更多投資HBM、并逐步放棄部分DRAM產品的產能，疊加關稅出口等這些因素對存儲的后續(xù)市場產生影響。 ?
2025-05-10 00:58:008822 在人工智能（AI）驅動的產業(yè)革命浪潮中，數(shù)據(jù)中心正迎來深刻變革。面對迅猛增長的人工智能算力需求，部署高密度AI集群已成為數(shù)據(jù)中心發(fā)展的必然選擇。
2025-04-19 16:54:131355 
本文聚焦高密度系統(tǒng)級封裝技術，闡述其定義、優(yōu)勢、應用場景及技術發(fā)展，分析該技術在熱應力、機械應力、電磁干擾下的可靠性問題及失效機理，探討可靠性提升策略，并展望其未來發(fā)展趨勢，旨在為該領域的研究與應用提供參考。
2025-04-14 13:49:36910 
光纖高密度ODF(Optical Distribution Frame，光纖配線架) 是一種用于光纖通信系統(tǒng)中，專門設計用于高效管理和分配大量光纖線路的設備。它通過高密度設計，實現(xiàn)了光纖線路的集中化
2025-04-14 11:08:001582 二次回流工藝因高密度封裝需求、混合元件焊接剛需及制造經濟性提升而普及，主要應用于消費電子芯片堆疊、服務器多 Die 整合、汽車電子混合焊接、大尺寸背光模組、陶瓷 LED 與制冷芯片等場景。專用錫膏
2025-04-11 11:41:04855 
內部的離子會發(fā)生遷移，從而導致材料的電阻狀態(tài)發(fā)生改變，一般可分為高阻態(tài)和低阻態(tài)，分別對應邏輯 “0” 和 “1”。通過檢測存儲單元的電阻值來讀取存儲的數(shù)據(jù)。 ? RRAM具有讀寫速度較快、低功耗、高密度、耐久性等特點，能夠滿足
2025-04-10 00:07:002088 分布式存儲通過業(yè)界最高密設計，可承載EB級數(shù)據(jù)量，同時最低功耗特性有效應對直播、XR游戲等新興業(yè)務的數(shù)據(jù)存儲需求?。浪潮SA5248M4服務器采用模塊化設計，實現(xiàn)4倍計算密度提升，并通過軟硬件調優(yōu)降低10%以上功耗?。 ARM架構的能效優(yōu)勢? ARM陣列云通過低功耗架
2025-04-01 08:25:05913 
近日，曙光存儲全新升級AI存儲方案，秉持“AI加速”理念，面向AI訓練、AI推理和AI成本等需求，全面重塑AI存儲架構。
2025-03-31 11:27:561154 一、核心定義與技術原理 MPO(Multi-fiber Push On)高密度光纖配線架是一種專為多芯光纖連接設計的配線設備，通過單個連接器集成多根光纖(如12芯、24芯)，實現(xiàn)高密度、高效率的光纖
2025-03-26 10:11:001437 、阻抗不匹配、電磁干擾（EMI）成為關鍵。捷多邦采用高密度互連（HDI）**工藝，通過精密布線設計，減少信號干擾，提升PCB的電氣性能。 1. 高密度布線（HDI）如何減少串擾？ 串擾（Crosstalk）是指相鄰信號線之間的電磁干擾，可能導致信號畸變。捷多
2025-03-21 17:33:46781 1U 144芯高密度光纖配線架是專為數(shù)據(jù)中心、電信機房等高密度布線場景設計的緊湊型光纖管理解決方案。其核心特點在于超小空間(1U)與高容量(144芯)的平衡，以下為詳細說明： 核心特性 空間效率
2025-03-21 09:57:30776 地址訪問 單元密度相對較低 NAND 特性 串聯(lián)存儲單元結構（8-32 個單元串聯(lián)） 僅支持順序訪問 高單元密度設計 二、接口
2025-03-18 12:06:501167 在今日開幕的MemoryS 2025中國閃存市場峰會上，Solidigm亞太區(qū)銷售副總裁倪錦峰發(fā)表題為《加速存儲創(chuàng)新，擁抱AI時代》的演講，深入闡述了Solidigm的AI存儲哲學——通過包括大容量
2025-03-13 15:36:331030 NAND）接口與主機設備連接，主機設備通過文件系統(tǒng)接口來訪問 SD卡（SD NAND），對存儲扇區(qū)分配表的操作是通過文件系統(tǒng)的函數(shù)和接口來間接實現(xiàn)的。
用法：
NAND Flash：在嵌入式系統(tǒng)開發(fā)中
2025-03-13 10:45:59
高密度封裝技術在近些年迅猛發(fā)展，同時也給失效分析過程帶來新的挑戰(zhàn)。常規(guī)的失效分析手段難以滿足結構復雜、線寬微小的高密度封裝分析需求，需要針對具體分析對象對分析手法進行調整和改進。
2025-03-05 11:07:531288 
的話題，稍微復雜一點的系統(tǒng)都需要用到DRAM，并且DRAM是除CPU之外，最為復雜也最貴的核心部件了，其設計，仿真，調試，焊接，等等都非常復雜，且重要。對DRAM使用的熟練情況，直接關系到系統(tǒng)設計的優(yōu)劣。本文試著用比較通俗系統(tǒng)的圖片和文字來解說，DRAM中一個基本電路單元的工作原理。
2025-03-04 14:45:072241 
當前的存儲壽命，用來在設備存儲壽命降低到自定義閾值時發(fā)送報警信號做 特定處理。
應用可以實時查看系統(tǒng)的健康信息，評估存儲的寫放大系數(shù)，用來評估應用軟件升級對存儲帶 來的影響，進而估算剩余壽命。
（2
2025-02-28 14:17:24
隨著超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的迅速崛起，其復雜性與日俱增。高密度光連接器逐漸成為提升整體資源效率的核心關鍵，旨在助力實現(xiàn)更快部署、優(yōu)化運營并確保基礎設施在未來繼續(xù)保持領先。 市場研究機構Synergy
2025-02-25 11:57:031432 UCC28782 是一款用于 USB Type C? PD 應用的高密度有源鉗位反激式 （ACF） 控制器，通過在整個負載范圍內恢復漏感能量和自適應 ZVS 跟蹤，效率超過 93%。
最大頻率
2025-02-25 09:24:491207 
特點4Gb雙數(shù)據(jù)速率3（DDR3（L））DRAM是一種高速CMOS SDRAM，包含4294967296位。它內部配置為八進制存儲體DRAM。4Gb芯片由64Mbit x 8 I/O x 8存儲體
2025-02-20 11:44:07
的變革。 研究人員巧妙地利用了晶體中的單原子缺陷，將其作為存儲數(shù)據(jù)的媒介。通過將數(shù)據(jù)的二進制形式——1和0，精確地存儲在這些單原子缺陷中，他們實現(xiàn)了數(shù)據(jù)的高密度存儲。這一方法不僅極大地提高了數(shù)據(jù)存儲的密度，還為數(shù)
2025-02-18 13:50:45673 MF系列干簧繼電器具備超高密度，其表面尺寸在SANYU產品線中是最小的，僅為4.35mm x 4.35mm。這種尺寸允許您滿足集成電路行業(yè)的KGD需求：通過在8英寸板上安裝500個繼電器和在12英寸
2025-02-17 13:40:48
存儲正在進行著哪些變革。 上期我們對QLC SSD、TLC SSD以及HDD分別進行了優(yōu)勢對比，并得出了成本分析。本期將重點介紹QLC SSD在設計上存在的諸多挑戰(zhàn)及解決之道。 更大的內部扇區(qū)尺寸 從硬件設計及成本上考慮，高密度QLC SSD存儲容量增加時，其配置的DRAM容量通
2025-02-17 11:35:22846 
? 動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）是現(xiàn)代計算機系統(tǒng)中不可或缺的核心組件，廣泛應用于個人計算機、服務器、移動設備及高性能計算領域。本文將探討DRAM的基本工作原理、存儲單元結構及制造工藝演進，并分析
2025-02-14 10:24:401444 
隨著半導體技術的飛速發(fā)展，芯片集成度和性能要求日益提升。傳統(tǒng)的二維封裝技術已經難以滿足現(xiàn)代電子產品的需求，因此，高密度3-D封裝技術應運而生。3-D封裝技術通過垂直堆疊多個芯片或芯片層，實現(xiàn)前所未有的集成密度和性能提升，成為半導體封裝領域的重要發(fā)展方向。
2025-02-13 11:34:381613 
)的性能，并顯著降低生成式人工智能系統(tǒng)對DRAM的需求。 Kioxia的AiSAQ?軟件采用了專為SSD優(yōu)化的新型“近似最近鄰”搜索(ANNS)算法。該算法通過直接在SSD上進行搜索，無需將索引數(shù)據(jù)存儲
2025-02-10 11:21:471054 近年來，隨著互聯(lián)網(wǎng)、大模型、IoT等技術的發(fā)展，相關應用的規(guī)模也迅速增長，由此產生了大量數(shù)據(jù)存儲和處理需求。據(jù)估計【1】，2023年全世界產生了147 ZB數(shù)據(jù)，到2025年這個數(shù)字將變成181
2025-01-24 16:24:531577 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高密度400W DC/DC電源模塊，集成平面變壓器和半橋GaN IC.pdf》資料免費下載
2025-01-22 15:39:5312 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AI革命的高密度電源.pdf》資料免費下載
2025-01-22 15:03:321 在大數(shù)據(jù)和人工智能時代，數(shù)據(jù)存儲需求呈指數(shù)級增長，市場對存儲媒介的性能、容量和能效提出了更高要求。隨著閃存技術向高存儲密度發(fā)展，一個存儲單元可以存儲四比特單位的QLC（Quad-LevelCell
2025-01-21 16:00:051727 
在數(shù)字化時代，傳統(tǒng)的電腦已經無法滿足我們對高效、便捷計算的需求。云電腦以其強大的功能和靈活的使用方式，成為了新時代的寵兒。今天就為大家介紹如何快速找到電腦相片云存儲位置。 ? ?在現(xiàn)代辦公和生活中
2025-01-16 10:44:274587 
高密度互連（HDI）PCB因其細線、更緊密的空間和更密集的布線等特點，在現(xiàn)代電子設備中得到了廣泛應用。 一、HDI PCB具有以下顯著優(yōu)勢： 細線和高密度布線：允許更快的電氣連接，同時減少了PCB
2025-01-10 17:00:001532 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN77-適用于大電流應用的高效率、高密度多相轉換器.pdf》資料免費下載
2025-01-08 14:26:180 ? ? ?云存儲是一種通過互聯(lián)網(wǎng)將數(shù)據(jù)存儲在遠程服務器上的技術?，用戶可以通過互聯(lián)網(wǎng)隨時隨地訪問和管理自己的數(shù)據(jù)。云存儲解決了傳統(tǒng)存儲方式的一些問題，如存儲容量有限、存儲設備易損壞、難以備份和恢復等
2025-01-07 16:43:381870 
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