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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>?關(guān)于游戲應(yīng)用中的非易失性SRAM(nvSRAM)的講解

?關(guān)于游戲應(yīng)用中的非易失性SRAM(nvSRAM)的講解

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2025-12-05 15:12:42439

破壞檢測(cè)新選擇:鋰電池外殼氣密檢測(cè)儀-岳信儀器

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2025-12-02 14:31:48134

SRAM與DRAM的結(jié)構(gòu)差異和特性區(qū)別

的定位,仍是高性能計(jì)算場(chǎng)景下的重要基石。理解二者的根本差異,有助于我們?cè)诓煌瑧?yīng)用場(chǎng)景做出更合適的技術(shù)選型與優(yōu)化策略。接下來(lái)我們就來(lái)講講SRAM與DRAM具體有哪些區(qū)別。
2025-12-02 13:50:46868

低功耗異步SRAM系列的應(yīng)用優(yōu)點(diǎn)

在各類電子設(shè)備與嵌入式系統(tǒng),存儲(chǔ)器的性能與功耗表現(xiàn)直接影響著整體設(shè)計(jì)的穩(wěn)定與效率。低功耗SRAM,特別是異步SRAM系列,憑借其出色的能效比與高可靠,正成為越來(lái)越多工業(yè)控制、通信設(shè)備及便攜終端的關(guān)鍵部件。
2025-11-25 15:42:56271

雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)原理

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功率放大器在磁場(chǎng)激勵(lì)下對(duì)狹窄結(jié)構(gòu)化液體環(huán)境適應(yīng)研究的應(yīng)用

實(shí)驗(yàn)名稱: 磁場(chǎng)激勵(lì)下對(duì)狹窄結(jié)構(gòu)化液體環(huán)境的卓越環(huán)境適應(yīng)和出色的3D可控驗(yàn)證 研究方向: 在臨床實(shí)踐,天然孔口通常為醫(yī)療器械提供對(duì)各種靶組織的侵入通路。這些體腔/腔(例如泌尿和消化系統(tǒng)
2025-11-25 10:04:59162

stt-marm存儲(chǔ)芯片的結(jié)構(gòu)原理

在存儲(chǔ)技術(shù)快速演進(jìn)的今天,一種名為STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的新型存儲(chǔ)器,正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與特性,更通過(guò)“自旋電流”技術(shù)實(shí)現(xiàn)了信息寫入方式的突破,被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35244

Everspin串口MRAM芯片常見(jiàn)問(wèn)題

在嵌入式存儲(chǔ)應(yīng)用,串口MRAM芯片憑借其、高速度及高耐用受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)的代表,Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41146

TPL0102-100 雙路 256 抽頭數(shù)字電位器產(chǎn)品總結(jié)

TPL0102配備兩個(gè)線性錐形數(shù)字電位器(DPOT),共有256個(gè)擦拭位置。 每個(gè)電位器既可作為三端子電位器,也可以作為兩端子電阻器使用。這 TPL0102-100的端到端電阻為100 kΩ。 TPL0102配備非易失性存儲(chǔ)器(EEPROM),可用于存儲(chǔ)擦刷 位置。這很有好處,因?yàn)橛晁⑽恢眉词乖跀嚯姇r(shí)也會(huì)被存儲(chǔ),且 開(kāi)機(jī)后會(huì)自動(dòng)恢復(fù)。可以訪問(wèn)TPL0102的內(nèi)部寄存器 使用 I^2^C接口。
2025-11-19 11:33:38623

高速數(shù)據(jù)存取同步SRAM與異步SRAM的區(qū)別

在現(xiàn)代高性能電子系統(tǒng),存儲(chǔ)器的讀寫速度往往是影響整體性能的關(guān)鍵因素之一。同步SRAM(Synchronous Static Random Access Memory)正是在這一需求下發(fā)展起來(lái)的重要
2025-11-18 11:13:01242

存儲(chǔ)芯片(煥發(fā)生機(jī))

,都屬于集成電路里的核心成員。要是按“斷電后數(shù)據(jù)能不能留在器件里”來(lái)分,存儲(chǔ)芯片能分成兩種。存儲(chǔ)芯片就像電腦的內(nèi)存(像SRAM、DRAM這類
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意法半導(dǎo)體Page EEPROM打破數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的玻璃天花板

EEPROM是一項(xiàng)成熟的存儲(chǔ)(NVM)技術(shù),其特性對(duì)當(dāng)今尖端應(yīng)用的發(fā)展具有非常重要的意義。意法半導(dǎo)體(ST)是全球EEPROM芯片知名廠商和存儲(chǔ)器產(chǎn)品和工藝創(chuàng)新名企之一,其連接安全產(chǎn)品部綜合
2025-11-17 09:30:101633

SRAM是什么,SRAM的芯片型號(hào)都有哪些

在處理器性能持續(xù)攀升的今天,存儲(chǔ)系統(tǒng)的速度已成為制約整體算力的關(guān)鍵瓶頸之一。作為最接近CPU核心的存儲(chǔ)單元,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)承擔(dān)著高速緩存的重要角色,其性能直接影響數(shù)據(jù)處理效率。當(dāng)前
2025-11-12 13:58:08455

PSRAM融合SRAM與DRAM優(yōu)勢(shì)的存儲(chǔ)解決方案

PSRAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲(chǔ)器。它既保留了SRAM無(wú)需復(fù)雜刷新控制的易用特性,又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢(shì)。這種獨(dú)特的設(shè)計(jì)使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2025-11-11 11:39:04497

PCBA 加工如何提高可焊?

PCBA 可焊直接影響產(chǎn)品可靠與良率,指元器件引腳或焊盤快速形成優(yōu)質(zhì)焊點(diǎn)的能力。若可焊差,出現(xiàn)虛焊、設(shè)備故障等問(wèn)題。以下從全流程拆解核心提升手段。
2025-11-06 14:40:31276

高速存儲(chǔ)器sram,帶ECC的異步SRAM系列存儲(chǔ)方案

在要求高性能與高可靠的電子系統(tǒng),存儲(chǔ)器的選擇往往成為設(shè)計(jì)成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列,憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨(dú)有的錯(cuò)誤校正(ECC)能力,為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計(jì)算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲(chǔ)解決方案。
2025-11-05 16:21:39284

串行接口MRAM存儲(chǔ)芯片面向工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的應(yīng)用

、BBSRAM、NVSRAM及NOR存儲(chǔ)器件,專為應(yīng)對(duì)工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式系統(tǒng)及高性能存儲(chǔ)應(yīng)用的嚴(yán)苛需求而設(shè)計(jì)。旨在通過(guò)其高性能、高可靠及廣泛的適用,為下一代存儲(chǔ)架構(gòu)提供支撐。
2025-11-05 15:31:48285

騰達(dá)制造實(shí)力獲評(píng)綠色工廠權(quán)威認(rèn)證

近日,騰達(dá)全資子公司惠州市朗達(dá)工業(yè)有限公司(核心制造基地)成功獲評(píng) “廣東省綠色工廠” 與 “惠州市綠色工廠”,雙重榮譽(yù)加身的背后,是騰達(dá)多年來(lái)堅(jiān)持綠色發(fā)展戰(zhàn)略、深耕可持續(xù)制造領(lǐng)域的必然成果,更彰顯了作為行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè),以自身實(shí)踐推動(dòng)制造業(yè)綠色升級(jí)的責(zé)任與擔(dān)當(dāng)。
2025-10-30 15:55:58387

外置SRAM與芯片設(shè)計(jì)之間的平衡

在存儲(chǔ)解決方案,外置SRAM通常配備并行接口。盡管并口SRAM在數(shù)據(jù)傳輸率方面表現(xiàn)卓越,但其原有的局限性也日益凸顯。最明顯的挑戰(zhàn)在于物理尺寸:不論是占用的電路板空間或是所需的引腳數(shù)量,并行接口都
2025-10-26 17:25:18835

Everspin串口MRAM存儲(chǔ)芯片有哪些型號(hào)

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2025-10-24 15:48:44411

如何利用Verilog HDL在FPGA上實(shí)現(xiàn)SRAM的讀寫測(cè)試

本篇將詳細(xì)介紹如何利用Verilog HDL在FPGA上實(shí)現(xiàn)SRAM的讀寫測(cè)試。SRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,具有高速讀取和寫入的特點(diǎn)。在FPGA實(shí)現(xiàn)SRAM讀寫測(cè)試,包括設(shè)計(jì)SRAM接口模塊
2025-10-22 17:21:384118

OTP存儲(chǔ)器在AI時(shí)代的關(guān)鍵作用

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2025-10-21 10:38:111440

Microchip 23AA04M/23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM技術(shù)解析

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?bq3285E/L 實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片技術(shù)文檔總結(jié)

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云物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)的十大功能

在數(shù)字經(jīng)濟(jì)與產(chǎn)業(yè)智能化深度融合的浪潮下,云物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)以構(gòu)建了一站式智能化管理生態(tài)。平臺(tái)通過(guò)整合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算與大數(shù)據(jù)技術(shù),打破傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)孤島,為企業(yè)提供從底層設(shè)備連接到頂層決策分析的全鏈路賦能。接下來(lái)讓我們走進(jìn)云平臺(tái)十大功能介紹。
2025-07-25 16:33:27843

控智駕與普力達(dá)成戰(zhàn)略合作

近日,普力股份有限公司與控智駕科技股份有限公司在新疆國(guó)際煤炭工業(yè)博覽會(huì)現(xiàn)場(chǎng)簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。
2025-07-21 09:28:16750

【VisionFive 2單板計(jì)算機(jī)試用體驗(yàn)】2、打造復(fù)古游戲機(jī)(Batocera鏡像+FBNeo虛擬機(jī), 多款游戲ROM分享)

衷心感謝電子發(fā)燒友論壇! 1、基本知識(shí) 制作一個(gè)游戲機(jī)系統(tǒng),需要3個(gè)關(guān)鍵步驟: Linux游戲系統(tǒng)發(fā)行版 游戲模擬器 游戲ROM 下面分別介紹: 2、Linux游戲系統(tǒng)發(fā)行版 這節(jié)介紹為 復(fù)古游戲
2025-07-17 21:58:36

稀土永磁同步電動(dòng)機(jī)磁對(duì)電機(jī)損耗的影響

故障的狀態(tài),對(duì)磁放障狀態(tài)下電機(jī)的鋼耗和鐵耗進(jìn)行定量分析,研究稀土永磁同步電動(dòng)機(jī)磁程度與電機(jī)損耗的動(dòng)態(tài)關(guān)系。這些研究表明在電機(jī)設(shè)計(jì)和運(yùn)行過(guò)程采取措施降低其不可逆磁是非常重要的。 純分享帖,點(diǎn)擊
2025-07-15 14:35:06

如何將Flash刷寫程序放到SRAM運(yùn)行?

客戶要求Flash driver不能存儲(chǔ)在Flash,需要在升級(jí)的時(shí)候,由CAN FBL發(fā)送到SRAM,再運(yùn)行SRAM的Flash driver 我應(yīng)該如何實(shí)現(xiàn)這個(gè)要求?如何能把Flash driver分離成一個(gè)單獨(dú)的部分,再由CAN FBL加載到SRAM?你們有相關(guān)的文檔和示例程序嗎?
2025-07-15 07:22:16

【VisionFive 2單板計(jì)算機(jī)試用體驗(yàn)】VisionFive 2一個(gè)霸氣的游戲機(jī)

,switch,PS2,PS3,PS4上面的游戲統(tǒng)統(tǒng)可以在VisionFive2上面玩,甚至有條件還可以接上英偉達(dá)的GXT4090顯卡來(lái)玩大型顯卡殺手單機(jī)游戲。完爆樹(shù)莓派5。 下面就來(lái)講解如何將
2025-07-13 20:41:46

全球?qū)S眯痛鎯?chǔ)產(chǎn)品市場(chǎng)分析

。 ? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按照斷電后數(shù)據(jù)是否繼續(xù)保存,可分為(Volatile)存儲(chǔ)和(Non-Volatile)存儲(chǔ)。利基型DRAM屬于存儲(chǔ),NOR?Flash、SLC?NAND?Flash屬于
2025-06-29 06:43:001768

電源設(shè)計(jì)功率因數(shù)校正講解

應(yīng)用的四種不同實(shí)現(xiàn)方法得到的結(jié)果的詳細(xì)分析。提供了按給定準(zhǔn)則對(duì)各拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行比較分析和排名。還包括根據(jù)以上章節(jié)描述的結(jié)果給設(shè)計(jì)師提供的指南。 第六章為以上章節(jié)中提出的拓?fù)涮峁┝藶闈M足 FCC 關(guān)于
2025-06-25 15:58:40

半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片核心解析

,代表不同數(shù)據(jù)狀態(tài)(如SLC=1bit, MLC=2bits, TLC=3bits, QLC=4bits)。數(shù)據(jù)以“塊”為單位擦除和寫入。 特點(diǎn): 優(yōu)點(diǎn):,容量大(單位成本低),抗震抗摔(無(wú)機(jī)
2025-06-24 09:09:39

同步電機(jī)步淺析

純分享帖,需要者可點(diǎn)擊附件免費(fèi)獲取完整資料~~~*附件:同步電機(jī)步淺析.pdf【免責(zé)聲明】本文系網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問(wèn)題,請(qǐng)第一時(shí)間告知,刪除內(nèi)容!
2025-06-20 17:42:06

創(chuàng)飛芯130nm EEPROM IP通過(guò)客戶產(chǎn)品級(jí)考核

國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的一站式存儲(chǔ)NVM IP供應(yīng)商創(chuàng)飛芯在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域取得的一項(xiàng)重要成果 —— 基于130nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā),為客戶定制開(kāi)發(fā)的EEPROM IP,已順利通過(guò)客戶全流程的PVT測(cè)試
2025-06-12 17:42:071062

新思科技先進(jìn)OTP IP賦能高安全SoC設(shè)計(jì):構(gòu)建抗篡改的可靠芯片架構(gòu)

在高性能計(jì)算、邊緣物聯(lián)網(wǎng)、人工智能和云計(jì)算等應(yīng)用領(lǐng)域,要確保先進(jìn)SoC設(shè)計(jì)的安全與正確配置,一次可編程(OTP)內(nèi)存(NVM)至關(guān)重要。隨著這些技術(shù)朝著先進(jìn)FinFET節(jié)點(diǎn)發(fā)展,OTP
2025-06-03 10:41:501780

DS4520 9位、I2C、、輸入/輸出擴(kuò)展器與存儲(chǔ)器技術(shù)手冊(cè)

DS4520是9位(NV) I/O擴(kuò)展器,具有通過(guò)I2C兼容的串行接口控制的64字節(jié)NV用戶存貯器。與用來(lái)控制數(shù)字邏輯節(jié)點(diǎn)的硬件跳線和機(jī)械開(kāi)關(guān)相比,DS4520為用戶提供了數(shù)字可編程的替代方案
2025-05-26 15:41:31457

DS4510 CPU監(jiān)控電路,具有存儲(chǔ)器和可編程輸入/輸出技術(shù)手冊(cè)

DS4510是CPU監(jiān)控電路,具有內(nèi)部集成的64字節(jié)EEPROM存儲(chǔ)器和四個(gè)可編程的(NV) I/O引腳。它配備了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)I2C接口,使用快速模式(400kbps)或標(biāo)準(zhǔn)模式(100kbps
2025-05-26 10:13:41748

DS4550 I2C和JTAG、、9位、輸入/輸出擴(kuò)展器與存儲(chǔ)器技術(shù)手冊(cè)

DS4550是9位,(NV) I/O擴(kuò)展器,具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲(chǔ)器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機(jī)械開(kāi)關(guān),實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)
2025-05-26 09:50:50683

飛揚(yáng)亮相CommunicAsia 2025,展示相干和相干DWDM經(jīng)濟(jì)型光傳輸解決方案

深圳市飛揚(yáng)通信技術(shù)有限公司將攜多款創(chuàng)新相干與相干DWDM解決方案,亮相新加坡CommunicAsia 2025展會(huì)(5月27-29日,展位號(hào)3E2-5),展現(xiàn)高速、低功耗、低成本及長(zhǎng)距離光傳輸領(lǐng)域的最新突破。
2025-05-23 17:43:04630

微控制器讀取閃存的軟件信息時(shí),軟件信息部署在哪里? 是 SRAM 嗎?

我對(duì) PMG1 閃光燈有疑問(wèn)。 1.微控制器讀取閃存的軟件信息時(shí),軟件信息部署在哪里? 是 SRAM 嗎? 2.微控制器加載軟件時(shí),在部署之前是否檢查 SRAM 是否復(fù)位?
2025-05-23 06:22:31

騰達(dá)IOTSWC 2025圓滿落幕

作為全球物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的重要展會(huì),IOTSWC 2025匯聚了行業(yè)頂尖企業(yè)與技術(shù)。騰達(dá)以“多協(xié)議覆蓋、多場(chǎng)景賦能”為主題,展示了覆蓋Wi-Fi 6E/6/5/4、Bluetooth/Zigbee、Matter/Thread 等系列通信模組,為工業(yè)、家居、能源等場(chǎng)景提供靈活高效的無(wú)線連接方案。
2025-05-22 14:21:07747

游戲手柄振動(dòng)馬達(dá):沉浸式游戲體驗(yàn)的核心

游戲手柄振動(dòng)馬達(dá)是現(xiàn)代游戲設(shè)備不可或缺的一部分,它為玩家提供了更加沉浸式的游戲體驗(yàn)。通過(guò)精確的振動(dòng)反饋,游戲手柄振動(dòng)馬達(dá)能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">游戲中的動(dòng)作、碰撞、爆炸等效果傳遞給玩家,增強(qiáng)游戲的代入感。這種技術(shù)不僅提升了游戲的趣味,還讓玩家能夠更直觀地感受到游戲中的每一個(gè)細(xì)節(jié)。
2025-05-17 00:05:32744

DS3911具有溫度控制的、四通道、I2C接口DAC技術(shù)手冊(cè)

DS3911是一款4通道、10位Σ-Δ輸出、(NV)控制器,內(nèi)置溫度傳感器和相應(yīng)的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。集成溫度傳感器提供分辨率為2°C的NV查找表(LUT)索引,溫度范圍為-40°C至
2025-05-12 09:41:29713

MAX32510基于DeepCover安全Arm Cortex-M3的閃存微控制器技術(shù)手冊(cè)

的解決方案,用于構(gòu)建新一代安全防護(hù)設(shè)備。MAX32510包括Arm^?^ Cortex ^?^ -M3核心、512KB嵌入式閃存、96KB系統(tǒng)RAM、1KB電池備份AES自加密內(nèi)存(NVSRAM
2025-05-08 16:33:13625

艾為電子芯片產(chǎn)品在游戲手柄的應(yīng)用方案

隨著游戲設(shè)備的升級(jí),游戲手柄作為核心交互設(shè)備持續(xù)技術(shù)革新。在主機(jī)游戲中,高精度操作適配動(dòng)作格斗、模擬駕駛等多種游戲類型,顯著提升玩家沉浸感。在云游戲場(chǎng)景,先進(jìn)手柄技術(shù)突破設(shè)備性能限制,實(shí)現(xiàn)跨平臺(tái)的穩(wěn)定精準(zhǔn)操控。
2025-04-15 09:42:111483

在testbench如何使用阻塞賦值和阻塞賦值

本文詳細(xì)闡述了在一個(gè)testbench,應(yīng)該如何使用阻塞賦值與阻塞賦值。首先說(shuō)結(jié)論,建議在testbench,對(duì)時(shí)鐘信號(hào)(包括分頻時(shí)鐘)使用阻塞賦值,對(duì)其他同步信號(hào)使用阻塞賦值。
2025-04-15 09:34:241084

硬件電路設(shè)計(jì):深度解析eMMC的性能與應(yīng)用

eMMC(Embedded Multi Media Card)是一種專為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)解決方案,它將NAND閃存、主控芯片和接口協(xié)議封裝在一個(gè)BGA(Ball Grid Array
2025-04-14 00:00:004127

簡(jiǎn)單操作超高分辨率掃描電鏡

圖儀器CEM3000簡(jiǎn)單操作超高分辨率掃描電鏡高易用快速成像、一鍵成片,無(wú)需過(guò)多人工調(diào)節(jié)。超高分辨率優(yōu)于4nm(SE),優(yōu)于8nm(BSE)@20kV,超大景深毫米級(jí)別景深,具有高空間分辨率
2025-04-10 10:11:16

昂科燒錄器支持Zbit恒爍半導(dǎo)體的閃存ZB25VQ16CS

芯片燒錄領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代,并公布了一系列新增兼容芯片型號(hào)。在此次更新,恒爍半導(dǎo)體(Zbit)推出的閃存ZB25VQ16CS已被昂科燒錄程序芯片燒錄設(shè)備
2025-04-09 15:22:11735

騰達(dá)亮相2025國(guó)際星閃聯(lián)盟創(chuàng)新展

2025國(guó)際星閃聯(lián)盟創(chuàng)新展圓滿落幕。騰達(dá)攜最新產(chǎn)品與技術(shù)成果驚艷亮相,與行業(yè)伙伴共繪星閃生態(tài)新圖景!
2025-04-02 14:47:54835

如何使用S32 Design Studio for ARM將自定義數(shù)據(jù)放入SRAM以進(jìn)行S32K146?

如何使用 S32 Design Studio for ARM 將自定義數(shù)據(jù)放入 SRAM 以進(jìn)行S32K146?
2025-04-01 08:27:32

S32K312無(wú)法使用int_sram_shareable SRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)怎么解決?

(“.int_sram_no_cacheable”))) 工作 2) __attribute__((section(“.int_dtcm”))) 不工作 3) __attribute__((section
2025-03-27 07:16:12

嵌入式硬件基礎(chǔ)知識(shí)匯總(附帶與硬件密切相關(guān)的軟件介紹)

,又可再對(duì)它寫入,為可讀/寫存儲(chǔ)器, 或隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器。? p 若存儲(chǔ)器在斷電之后,仍能保存其中的內(nèi)容,則稱為非易失性存儲(chǔ)器;否則,為存儲(chǔ)器; p 只讀存儲(chǔ)器(ROM)是非的,隨機(jī)
2025-03-26 11:12:24

NAND閃存的工作原理和結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

NAND閃存是一種存儲(chǔ)技術(shù),廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲(chǔ),具有高速讀寫和耐用強(qiáng)的特點(diǎn)。
2025-03-12 10:21:145318

無(wú)感直流BLDC,大占空比情況下步怎么解決?

無(wú)感直流BLDC,大占空比情況下步問(wèn)題
2025-03-11 08:00:38

EPM1270T144C5N TQFP-144 0℃~+85℃ 可編程邏輯芯片

特性低成本、低功耗的復(fù)雜可編程邏輯器件(CPLD)即時(shí)啟動(dòng),架構(gòu)待機(jī)電流低至 2 毫安提供快速的傳播延遲和時(shí)鐘到輸出時(shí)間提供四個(gè)全局時(shí)鐘,每個(gè)邏輯陣列塊(LAB)有兩個(gè)時(shí)鐘可用高達(dá) 8 千
2025-03-07 15:19:03

力旺電子攜手熵碼科技推出后量子加密解決方案

全球嵌入式內(nèi)存(eNVM)解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商力旺電子,與旗下專注于PUF(物理不可克隆功能)安全I(xiàn)P的子公司熵碼科技,今日正式推出全球首款結(jié)合PUF技術(shù)的后量子加密(PQC)解決方案。此
2025-03-05 11:43:101003

MXD1210RAM控制器技術(shù)手冊(cè)

MXD1210RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路,可將標(biāo)準(zhǔn)()CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器。它還會(huì)持續(xù)監(jiān)控電源,以在RAM的電源處于邊際(超出容限)條件時(shí)提供RAM寫保護(hù)。當(dāng)電源開(kāi)始出現(xiàn)故障時(shí),RAM受到寫保護(hù),并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16917

DS1243 64k NV SRAM,帶有隱含時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

帶幻象時(shí)鐘的DS1243Y 64K NV SRAM是一款內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘、完全靜態(tài)的RAM(結(jié)構(gòu)為8192個(gè)字x 8位)。DS1243Y具有獨(dú)立的鋰能源和控制電路,可持續(xù)監(jiān)控VCC是否發(fā)生超出容
2025-02-28 10:31:43994

DS9034PCX PowerCap,帶有晶振技術(shù)手冊(cè)

DS9034PCX PowerCap作為計(jì)時(shí)RAM的鋰電源,采用Dallas Semiconductor的直接表面貼裝PowerCap模塊(PCM)封裝。PowerCap模塊板焊接到位并清潔
2025-02-28 10:07:12805

DS1321靈活的失控制器,帶有鋰電池技術(shù)手冊(cè)

帶鋰電池監(jiān)控器的DS1321靈活控制器是一款CMOS電路,解決了將CMOS SRAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問(wèn)題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測(cè)到這種情況時(shí),芯片使能輸出會(huì)被
2025-02-28 10:00:43985

DS1314 3V、失控制器,帶有鋰電池監(jiān)測(cè)器技術(shù)手冊(cè)

帶電池監(jiān)控器的DS1314控制器是一個(gè)CMOS電路,解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問(wèn)題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測(cè)到這種情況時(shí),芯片使能會(huì)被禁止以實(shí)現(xiàn)
2025-02-28 09:53:17806

DS1312失控制器,帶有鋰電池監(jiān)測(cè)器技術(shù)手冊(cè)

帶電池監(jiān)控器的DS1312控制器是一個(gè)CMOS電路,解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問(wèn)題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測(cè)到這種情況時(shí),芯片使能會(huì)被禁止以實(shí)現(xiàn)
2025-02-28 09:48:45744

DS1746 Y2K兼容、失時(shí)鐘RAM技術(shù)手冊(cè)

DS1746是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和128k x 8靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1746內(nèi)所有寄存器的訪問(wèn)都通過(guò)字節(jié)寬接口實(shí)現(xiàn),如圖1所示。RTC
2025-02-27 17:20:04913

DS1557 4M、Y2K兼容時(shí)鐘RAM技術(shù)手冊(cè)

DS1557是一款全功能、符合-2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC),具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和512k x 8靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1557內(nèi)所有
2025-02-27 17:11:32932

結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)臺(tái):企業(yè)AI應(yīng)用安全落地的核心引擎

在數(shù)字化轉(zhuǎn)型浪潮,結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)(如文檔、圖片、音視頻等)已成為企業(yè)核心資產(chǎn),其價(jià)值挖掘能力直接影響AI應(yīng)用的效能與安全。然而,數(shù)據(jù)分散、多模態(tài)處理復(fù)雜、安全合規(guī)風(fēng)險(xiǎn)高等問(wèn)題,嚴(yán)重制約了企業(yè)AI
2025-02-27 17:06:03927

DS1554 256k、Y2K兼容時(shí)鐘RAM技術(shù)手冊(cè)

DS1554是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC),具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和32k x 8靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1554內(nèi)所有
2025-02-27 16:54:351041

DS1747 Y2K兼容、失時(shí)鐘RAM技術(shù)手冊(cè)

DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8SRAM。用戶可通過(guò)如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對(duì)DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問(wèn)。RTC
2025-02-27 15:51:09872

DS1251 4096k NV SRAM,帶有隱含時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)RAM (按照8位、512k字排列),內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍,一旦超出容差,鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài),寫保護(hù)將無(wú)條件使能、以防存儲(chǔ)器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:44:58890

DS1248 1024k NV SRAM,帶有隱含時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)RAM (按照8位、128k字排列),內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍,一旦超出容差,鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài),寫保護(hù)將無(wú)條件使能、以防存儲(chǔ)器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:38:41747

DS1244系列256k NV SRAM,帶有隱含時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列),內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC
2025-02-27 10:10:50931

DS1265AB 8MSRAM技術(shù)手冊(cè)

DS1265 8MSRAM為8,388,608位、全靜態(tài)SRAM,按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54819

DS1249AB 2048kSRAM技術(shù)手冊(cè)

DS1249 2048k(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)SRAM,按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09949

DS1511系列看門狗實(shí)時(shí)時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC),具有RTC報(bào)警、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)(NV) SRAM以及一個(gè)32.768kHz的頻率
2025-02-26 16:38:17905

DS1501系列看門狗實(shí)時(shí)時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC),具有RTC報(bào)警、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)(NV) SRAM以及一個(gè)32.768kHz的頻率
2025-02-26 16:23:11836

RK3588 EVB開(kāi)發(fā)板原理圖講解【六】

: RK3588 EVB實(shí)際的emmc電路如下 整體概述該原理圖展示了eMMC Flash與主控芯片之間的連接關(guān)系,以及相關(guān)的電源、信號(hào)線路和去耦電容等元件的配置。eMMC是一種常見(jiàn)的
2025-02-26 11:07:52

MICRON/美光 MT25QL512ABB8ESF-0SIT SOP16閃存存儲(chǔ)芯片

可達(dá)90 MB/s?STR和DTR支持的協(xié)議——擴(kuò)展I/O協(xié)議——雙I/O協(xié)議——四I/O協(xié)議?就地執(zhí)行(XIP)?程序/擦除暫停操作?配置設(shè)置?軟
2025-02-19 16:15:14

STT-MRAM新型磁隨機(jī)存儲(chǔ)器

2025-02-14 13:49:27

閃速存儲(chǔ)器是u盤嗎,閃速存儲(chǔ)器一般用來(lái)做什么的

在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天,閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其高速度、大容量和的特性,成為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的重要成員。而U盤,作為閃速存儲(chǔ)器的一種常見(jiàn)應(yīng)用形式,更是憑借其便攜和易用,在
2025-01-29 15:12:001449

昂科燒錄器支持Zbit恒爍半導(dǎo)體的閃存ZB25VQ32DS

在此次更新,恒爍半導(dǎo)體(Zbit)推出的閃存ZB25VQ32DS已被昂科的程序燒錄專業(yè)芯片燒錄設(shè)備AP8000所支持。昂科技術(shù)自主研發(fā)的AP8000萬(wàn)用燒錄器,支持包括一拖一及一拖八配置
2025-01-17 09:30:20872

TPL0501-100上電后,它的抽頭到一端的電阻是多少?

有人用過(guò)數(shù)字電位器TPL0501-100么?器件比較說(shuō)它采用的是存儲(chǔ)介質(zhì),但是datasheet關(guān)于這點(diǎn)只字未提,不知道上電后,它的抽頭到一端的電阻是多少?
2025-01-14 08:37:07

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