和RAM的長(zhǎng)處,不僅具備電子可擦除可編程(EEPROM)的功能,還可以快速讀取數(shù)據(jù),具有NVRAM的優(yōu)勢(shì)(NVRAM:Non-Volatile Random Access Memory,非易失性隨機(jī)訪問(wèn)
2026-01-04 07:10:12
相較于藍(lán)牙和有線連接,2.4G游戲手柄無(wú)線方案在游戲體驗(yàn)上有著更好的體驗(yàn)。在復(fù)雜的Wi-Fi與藍(lán)牙環(huán)境中,普通連接易受干擾導(dǎo)致卡頓。2.4G游戲手柄方案通過(guò)私有協(xié)議建立獨(dú)占高速通道,信號(hào)傳輸更穩(wěn)
2025-12-23 16:22:25
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eMMC全稱為 embedded Multi Media Card,主要用于非易失性存儲(chǔ),它彌補(bǔ)了 FPGA 芯片自身存儲(chǔ)能力的不足,為 FPGA 提供一個(gè)高集成度、大容量、低成本、且易于使用的“硬盤”或“固態(tài)硬盤”解決方案。
2025-12-23 14:19:28
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在存儲(chǔ)技術(shù)快速迭代的今天,MRAM芯片(磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)以其獨(dú)特的性能,逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM,利用磁性而非電荷來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),兼具高速、耐用與非易失性特點(diǎn)。
2025-12-15 14:39:04
242 在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是一個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié),EEPROM(電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)因其非易失性和可重復(fù)編程的特性,成為了眾多應(yīng)用的理想選擇。今天,我們就來(lái)深入探討 ON Semiconductor
2025-12-05 15:12:42
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在鋰電池的生產(chǎn)與應(yīng)用領(lǐng)域,安全始終是重中之重。鋰電池外殼的氣密性直接關(guān)系到電池的性能、壽命以及使用安全。傳統(tǒng)的檢測(cè)方法往往存在一定的局限性,而如今,非破壞性檢測(cè)新選擇——鋰電池外殼氣密性檢測(cè)儀
2025-12-02 14:31:48
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的定位,仍是高性能計(jì)算場(chǎng)景下的重要基石。理解二者的根本差異,有助于我們?cè)诓煌瑧?yīng)用場(chǎng)景中做出更合適的技術(shù)選型與優(yōu)化策略。接下來(lái)我們就來(lái)講講SRAM與DRAM具體有哪些區(qū)別。
2025-12-02 13:50:46
868 在各類電子設(shè)備與嵌入式系統(tǒng)中,存儲(chǔ)器的性能與功耗表現(xiàn)直接影響著整體設(shè)計(jì)的穩(wěn)定與效率。低功耗SRAM,特別是異步SRAM系列,憑借其出色的能效比與高可靠性,正成為越來(lái)越多工業(yè)控制、通信設(shè)備及便攜終端中的關(guān)鍵部件。
2025-11-25 15:42:56
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在各類存儲(chǔ)設(shè)備中,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì),在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色,成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44
275 實(shí)驗(yàn)名稱: 磁場(chǎng)激勵(lì)下對(duì)狹窄非結(jié)構(gòu)化液體環(huán)境的卓越環(huán)境適應(yīng)性和出色的3D可控性驗(yàn)證 研究方向: 在臨床實(shí)踐中,天然孔口通常為醫(yī)療器械提供對(duì)各種靶組織的侵入性通路。這些體腔/腔(例如泌尿和消化系統(tǒng)
2025-11-25 10:04:59
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在存儲(chǔ)技術(shù)快速演進(jìn)的今天,一種名為STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的新型非易失存儲(chǔ)器,正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性,更通過(guò)“自旋電流”技術(shù)實(shí)現(xiàn)了信息寫入方式的突破,被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35
244 在嵌入式存儲(chǔ)應(yīng)用中,串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)的代表,Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41
146 TPL0102配備兩個(gè)線性錐形數(shù)字電位器(DPOT),共有256個(gè)擦拭位置。 每個(gè)電位器既可作為三端子電位器,也可以作為兩端子電阻器使用。這 TPL0102-100的端到端電阻為100 kΩ。
TPL0102配備非易失性存儲(chǔ)器(EEPROM),可用于存儲(chǔ)擦刷 位置。這很有好處,因?yàn)橛晁⑽恢眉词乖跀嚯姇r(shí)也會(huì)被存儲(chǔ),且 開(kāi)機(jī)后會(huì)自動(dòng)恢復(fù)。可以訪問(wèn)TPL0102的內(nèi)部寄存器 使用 I^2^C接口。
2025-11-19 11:33:38
623 
在現(xiàn)代高性能電子系統(tǒng)中,存儲(chǔ)器的讀寫速度往往是影響整體性能的關(guān)鍵因素之一。同步SRAM(Synchronous Static Random Access Memory)正是在這一需求下發(fā)展起來(lái)的重要
2025-11-18 11:13:01
242 ,都屬于集成電路里的核心成員。要是按“斷電后數(shù)據(jù)能不能留在器件里”來(lái)分,存儲(chǔ)芯片能分成易失性和非易失性兩種。易失性存儲(chǔ)芯片就像電腦的內(nèi)存(像SRAM、DRAM這類
2025-11-17 16:35:40
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EEPROM是一項(xiàng)成熟的非易失性存儲(chǔ)(NVM)技術(shù),其特性對(duì)當(dāng)今尖端應(yīng)用的發(fā)展具有非常重要的意義。意法半導(dǎo)體(ST)是全球EEPROM芯片知名廠商和存儲(chǔ)器產(chǎn)品和工藝創(chuàng)新名企之一,其連接安全產(chǎn)品部綜合
2025-11-17 09:30:10
1633 在處理器性能持續(xù)攀升的今天,存儲(chǔ)系統(tǒng)的速度已成為制約整體算力的關(guān)鍵瓶頸之一。作為最接近CPU核心的存儲(chǔ)單元,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)承擔(dān)著高速緩存的重要角色,其性能直接影響數(shù)據(jù)處理效率。當(dāng)前
2025-11-12 13:58:08
455 PSRAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲(chǔ)器。它既保留了SRAM無(wú)需復(fù)雜刷新控制的易用特性,又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢(shì)。這種獨(dú)特的設(shè)計(jì)使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2025-11-11 11:39:04
497 PCBA 可焊性直接影響產(chǎn)品可靠性與良率,指元器件引腳或焊盤快速形成優(yōu)質(zhì)焊點(diǎn)的能力。若可焊性差,易出現(xiàn)虛焊、設(shè)備故障等問(wèn)題。以下從全流程拆解核心提升手段。
2025-11-06 14:40:31
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在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中,存儲(chǔ)器的選擇往往成為設(shè)計(jì)成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列,憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨(dú)有的錯(cuò)誤校正(ECC)能力,為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計(jì)算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲(chǔ)解決方案。
2025-11-05 16:21:39
284 、BBSRAM、NVSRAM及NOR存儲(chǔ)器件,專為應(yīng)對(duì)工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式系統(tǒng)及高性能存儲(chǔ)應(yīng)用的嚴(yán)苛需求而設(shè)計(jì)。旨在通過(guò)其高性能、高可靠性及廣泛的適用性,為下一代存儲(chǔ)架構(gòu)提供支撐。
2025-11-05 15:31:48
285 近日,中易騰達(dá)全資子公司惠州市朗達(dá)工業(yè)有限公司(核心制造基地)成功獲評(píng) “廣東省綠色工廠” 與 “惠州市綠色工廠”,雙重榮譽(yù)加身的背后,是中易騰達(dá)多年來(lái)堅(jiān)持綠色發(fā)展戰(zhàn)略、深耕可持續(xù)制造領(lǐng)域的必然成果,更彰顯了作為行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè),以自身實(shí)踐推動(dòng)制造業(yè)綠色升級(jí)的責(zé)任與擔(dān)當(dāng)。
2025-10-30 15:55:58
387 在存儲(chǔ)解決方案中,外置SRAM通常配備并行接口。盡管并口SRAM在數(shù)據(jù)傳輸率方面表現(xiàn)卓越,但其原有的局限性也日益凸顯。最明顯的挑戰(zhàn)在于物理尺寸:不論是占用的電路板空間或是所需的引腳數(shù)量,并行接口都
2025-10-26 17:25:18
835 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來(lái)存儲(chǔ)信息的非易失性存儲(chǔ)器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存(Flash)的非易失性,能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù),同時(shí)具備無(wú)限次擦寫、無(wú)磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中,在單一芯片上實(shí)現(xiàn)了高速、可靠與長(zhǎng)壽命的統(tǒng)一,是存儲(chǔ)技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44
411 本篇將詳細(xì)介紹如何利用Verilog HDL在FPGA上實(shí)現(xiàn)SRAM的讀寫測(cè)試。SRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,具有高速讀取和寫入的特點(diǎn)。在FPGA中實(shí)現(xiàn)SRAM讀寫測(cè)試,包括設(shè)計(jì)SRAM接口模塊
2025-10-22 17:21:38
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一次性可編程(OTP)非易失性存儲(chǔ)器問(wèn)世已久。與其他非易失性存儲(chǔ)技術(shù)相比,OTP的占用面積更小,且無(wú)需額外的制造工序,因此成為存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門選擇。盡管聽(tīng)起來(lái)簡(jiǎn)單,但隨著人工智能(AI)的大規(guī)模部署和對(duì)更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增長(zhǎng),平衡OTP的各項(xiàng)需求變得極具挑戰(zhàn)性。
2025-10-21 10:38:11
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(ECC)邏輯,可確保高可靠性。Microchip Technology 23AA04M和23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM提供256 x 8位組織,具有用于讀取和寫入的字節(jié)、頁(yè)面和順序模式。SRAM具有無(wú)限讀取/寫入周期和外部電池備份支持。這些器件不含鹵素,符合RoHS指令。
2025-10-09 11:16:59
540 CMOS bq3285E/L 是一款低功耗微處理器外設(shè),提供時(shí)間時(shí)鐘和 100 年日歷,具有鬧鐘功能和電池供電功能。bq3285L 支持 3V 系統(tǒng)。bq3285E/L 的其他特性包括三個(gè)可屏蔽中斷源、方波輸出和 242 字節(jié)的通用非易失性存儲(chǔ)。
2025-09-23 10:40:06
698 
博維邏輯MC62W12816是一款2M低功耗SRAM,采用55ns高速訪問(wèn)設(shè)計(jì),為VR設(shè)備提供高性能非易失性存儲(chǔ)解決方案,顯著提升圖像處理與數(shù)據(jù)讀寫效率。
2025-09-22 09:55:00
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在智能家居生態(tài)中,“設(shè)備不互通” 是拓展生態(tài)、用戶享受智能生活的核心阻礙。而中易騰達(dá)新推出的 AI 智能網(wǎng)關(guān)整機(jī)解決方案 憑借對(duì)Wi-Fi、藍(lán)牙、Zigbee、Thread、Matter等多種主流
2025-09-17 11:21:38
952 )旗下子公司冠捷半導(dǎo)體(SST)宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作,雙方將共同打造一款完整的非易失性存儲(chǔ)(NVM)芯粒化封裝解決方案,助力客戶加速采用模塊化、多芯片系統(tǒng)。
2025-09-12 10:52:06
906 近日,2025中國(guó)信息協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)要素應(yīng)用創(chuàng)新大賽在北京圓滿舉行,易華錄的“易資大模型”和“天津津南PPP項(xiàng)目-政務(wù)數(shù)據(jù)一體化服務(wù)底座”兩個(gè)項(xiàng)目,經(jīng)過(guò)多輪遴選和專家評(píng)審,分別榮獲二等獎(jiǎng)、商業(yè)價(jià)值獎(jiǎng)。
2025-09-08 18:20:06
1870 在此前的文章《SRAM PUF:為每顆芯片注入“不可復(fù)制的物理指紋”,守護(hù)芯片安全》中,我們探討了基于SRAM的物理不可克隆功能(PUF)的基本原理,并介紹了SRAM PUF作為一種安全可靠、經(jīng)濟(jì)
2025-09-05 10:46:16
1152 ISSI IS62WV51216BLL-55TLI是一款8Mb(512K×16)高速異步SRAM,采用55ns訪問(wèn)速度、2.5V~3.6V寬電壓設(shè)計(jì),支持-40℃~85℃工業(yè)級(jí)溫度范圍,適用于車載導(dǎo)航、工業(yè)控制及通信設(shè)備等高可靠性場(chǎng)景。
2025-09-04 10:00:00
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? 在當(dāng)今電商競(jìng)爭(zhēng)激烈的環(huán)境中,蘇寧易購(gòu)作為中國(guó)領(lǐng)先的零售平臺(tái),為店鋪提供了強(qiáng)大的技術(shù)工具——API(應(yīng)用程序接口),幫助商家實(shí)現(xiàn)會(huì)員營(yíng)銷的精準(zhǔn)化。本文將從基礎(chǔ)概念入手,逐步解析蘇寧易購(gòu)API的核心
2025-08-29 11:01:30
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Pygame),確保已安裝`clang`編譯器:`apt install -y clang`
3. 權(quán)限問(wèn)題:若需訪問(wèn)手機(jī)文件,安裝`termux-setup-storage`并授權(quán)存儲(chǔ)訪問(wèn)權(quán)限。
通過(guò)以上步驟,即可在Termux中搭建完整的Python游戲開(kāi)發(fā)環(huán)境,支持從代碼編寫到運(yùn)行調(diào)試的全流程。
2025-08-29 07:06:48
使用 NUC505 時(shí)如何將代碼放入 SRAM 中執(zhí)行?
2025-08-28 08:25:40
如何在Keil開(kāi)發(fā)環(huán)境中查看代碼大小和SRAM使用情況?
2025-08-20 06:38:41
珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司在非易失性存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域再獲突破——基于40nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)的eNT嵌入式eFlash IP已通過(guò)可靠性驗(yàn)證!這一成果進(jìn)一步展現(xiàn)了創(chuàng)飛芯科技有限公司在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上的技術(shù)實(shí)力與工程化能力。
2025-08-14 11:52:59
2247 ,需通過(guò)現(xiàn)有資源實(shí)現(xiàn)類似功能。
技術(shù)可行性:利用FLASH的非易失性特性,通過(guò)軟件算法模擬EEPROM的字節(jié)級(jí)讀寫能力。
核心差異與挑戰(zhàn)
物理限制:FLASH需按扇區(qū)/頁(yè)擦除且寫入前必須全擦除為
2025-08-14 06:13:45
在芯片工藝不斷演進(jìn)的今天,材料的物理特性與器件層面的可靠性測(cè)試正變得前所未有的重要。近日,在泰克云上大講堂關(guān)于《芯片的物理表征和可靠性測(cè)試》的直播中,大家就新型存儲(chǔ)技術(shù)、先進(jìn)材料電學(xué)表征等話題展開(kāi)了熱烈討論。相變存儲(chǔ)作為新一代非易失性存儲(chǔ)的代表,其器件性能的測(cè)試與優(yōu)化自然也成為了焦點(diǎn)之一。
2025-08-11 17:48:37
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NAND閃存芯片是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中。以下是其核心功能、特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景的詳細(xì)分析: 1. 核心功能 數(shù)據(jù)存儲(chǔ):以電信號(hào)形式長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù),斷電后數(shù)據(jù)不丟失。 快速讀寫:支持
2025-08-11 10:43:44
1645 在數(shù)字經(jīng)濟(jì)與產(chǎn)業(yè)智能化深度融合的浪潮下,中易云物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)以構(gòu)建了一站式智能化管理生態(tài)。平臺(tái)通過(guò)整合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算與大數(shù)據(jù)技術(shù),打破傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)孤島,為企業(yè)提供從底層設(shè)備連接到頂層決策分析的全鏈路賦能。接下來(lái)讓我們走進(jìn)中易云平臺(tái)十大功能介紹。
2025-07-25 16:33:27
843 近日,易普力股份有限公司與易控智駕科技股份有限公司在新疆國(guó)際煤炭工業(yè)博覽會(huì)現(xiàn)場(chǎng)簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。
2025-07-21 09:28:16
750 衷心感謝電子發(fā)燒友論壇!
1、基本知識(shí)
制作一個(gè)游戲機(jī)系統(tǒng),需要3個(gè)關(guān)鍵步驟:
Linux游戲系統(tǒng)發(fā)行版
游戲模擬器
游戲ROM
下面分別介紹:
2、Linux游戲系統(tǒng)發(fā)行版
這節(jié)介紹為 復(fù)古游戲
2025-07-17 21:58:36
故障的狀態(tài),對(duì)失磁放障狀態(tài)下電機(jī)的鋼耗和鐵耗進(jìn)行定量分析,研究稀土永磁同步電動(dòng)機(jī)失磁程度與電機(jī)損耗的動(dòng)態(tài)關(guān)系。這些研究表明在電機(jī)設(shè)計(jì)和運(yùn)行過(guò)程中采取措施降低其不可逆失磁是非常重要的。
純分享帖,點(diǎn)擊
2025-07-15 14:35:06
客戶要求Flash driver不能存儲(chǔ)在Flash中,需要在升級(jí)的時(shí)候,由CAN FBL發(fā)送到SRAM中,再運(yùn)行SRAM中的Flash driver
我應(yīng)該如何實(shí)現(xiàn)這個(gè)要求?如何能把Flash driver分離成一個(gè)單獨(dú)的部分,再由CAN FBL加載到SRAM中?你們有相關(guān)的文檔和示例程序嗎?
2025-07-15 07:22:16
,switch,PS2,PS3,PS4上面的游戲統(tǒng)統(tǒng)可以在VisionFive2上面玩,甚至有條件還可以接上英偉達(dá)的GXT4090顯卡來(lái)玩大型顯卡殺手單機(jī)游戲。完爆樹(shù)莓派5。
下面就來(lái)講解如何將
2025-07-13 20:41:46
。 ? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按照斷電后數(shù)據(jù)是否繼續(xù)保存,可分為易失性(Volatile)存儲(chǔ)和非易失性(Non-Volatile)存儲(chǔ)。利基型DRAM屬于易失性存儲(chǔ),NOR?Flash、SLC?NAND?Flash屬于非
2025-06-29 06:43:00
1768 
應(yīng)用的四種不同實(shí)現(xiàn)方法中得到的結(jié)果的詳細(xì)分析。提供了按給定準(zhǔn)則對(duì)各拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行比較分析和排名。還包括根據(jù)以上章節(jié)描述的結(jié)果給設(shè)計(jì)師提供的指南。
第六章為以上章節(jié)中提出的拓?fù)涮峁┝藶闈M足 FCC 關(guān)于
2025-06-25 15:58:40
,代表不同數(shù)據(jù)狀態(tài)(如SLC=1bit, MLC=2bits, TLC=3bits, QLC=4bits)。數(shù)據(jù)以“塊”為單位擦除和寫入。
特點(diǎn):
優(yōu)點(diǎn):非易失性,容量大(單位成本低),抗震抗摔(無(wú)機(jī)
2025-06-24 09:09:39
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2025-06-20 17:42:06
國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的一站式存儲(chǔ)NVM IP供應(yīng)商創(chuàng)飛芯在非易失性存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域取得的一項(xiàng)重要成果 —— 基于130nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā),為客戶定制開(kāi)發(fā)的EEPROM IP,已順利通過(guò)客戶全流程的PVT測(cè)試
2025-06-12 17:42:07
1062 在高性能計(jì)算、邊緣物聯(lián)網(wǎng)、人工智能和云計(jì)算等應(yīng)用領(lǐng)域,要確保先進(jìn)SoC設(shè)計(jì)的安全性與正確配置,一次性可編程(OTP)非易失性內(nèi)存(NVM)至關(guān)重要。隨著這些技術(shù)朝著先進(jìn)FinFET節(jié)點(diǎn)發(fā)展,OTP
2025-06-03 10:41:50
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DS4520是9位非易失(NV) I/O擴(kuò)展器,具有通過(guò)I2C兼容的串行接口控制的64字節(jié)NV用戶存貯器。與用來(lái)控制數(shù)字邏輯節(jié)點(diǎn)的硬件跳線和機(jī)械開(kāi)關(guān)相比,DS4520為用戶提供了數(shù)字可編程的替代方案
2025-05-26 15:41:31
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DS4510是CPU監(jiān)控電路,具有內(nèi)部集成的64字節(jié)EEPROM存儲(chǔ)器和四個(gè)可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)I2C接口,使用快速模式(400kbps)或標(biāo)準(zhǔn)模式(100kbps
2025-05-26 10:13:41
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DS4550是9位,非易失(NV) I/O擴(kuò)展器,具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲(chǔ)器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機(jī)械開(kāi)關(guān),實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)
2025-05-26 09:50:50
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深圳市易飛揚(yáng)通信技術(shù)有限公司將攜多款創(chuàng)新非相干與相干DWDM解決方案,亮相新加坡CommunicAsia 2025展會(huì)(5月27-29日,展位號(hào)3E2-5),展現(xiàn)高速、低功耗、低成本及長(zhǎng)距離光傳輸領(lǐng)域的最新突破。
2025-05-23 17:43:04
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我對(duì) PMG1 閃光燈有疑問(wèn)。
1.微控制器讀取閃存中的軟件信息時(shí),軟件信息部署在哪里? 是 SRAM 嗎?
2.微控制器加載軟件時(shí),在部署之前是否檢查 SRAM 是否復(fù)位?
2025-05-23 06:22:31
作為全球物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的重要展會(huì),IOTSWC 2025匯聚了行業(yè)頂尖企業(yè)與技術(shù)。中易騰達(dá)以“多協(xié)議覆蓋、多場(chǎng)景賦能”為主題,展示了覆蓋Wi-Fi 6E/6/5/4、Bluetooth/Zigbee、Matter/Thread 等系列通信模組,為工業(yè)、家居、能源等場(chǎng)景提供靈活高效的無(wú)線連接方案。
2025-05-22 14:21:07
747 游戲手柄振動(dòng)馬達(dá)是現(xiàn)代游戲設(shè)備中不可或缺的一部分,它為玩家提供了更加沉浸式的游戲體驗(yàn)。通過(guò)精確的振動(dòng)反饋,游戲手柄振動(dòng)馬達(dá)能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">游戲中的動(dòng)作、碰撞、爆炸等效果傳遞給玩家,增強(qiáng)游戲的代入感。這種技術(shù)不僅提升了游戲的趣味性,還讓玩家能夠更直觀地感受到游戲中的每一個(gè)細(xì)節(jié)。
2025-05-17 00:05:32
744 DS3911是一款4通道、10位Σ-Δ輸出、非易失(NV)控制器,內(nèi)置溫度傳感器和相應(yīng)的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。集成溫度傳感器提供分辨率為2°C的NV查找表(LUT)索引,溫度范圍為-40°C至
2025-05-12 09:41:29
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的解決方案,用于構(gòu)建新一代安全防護(hù)設(shè)備。MAX32510包括Arm^?^ Cortex ^?^ -M3核心、512KB嵌入式閃存、96KB系統(tǒng)RAM、1KB電池備份AES自加密非易失內(nèi)存(NVSRAM
2025-05-08 16:33:13
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隨著游戲設(shè)備的升級(jí),游戲手柄作為核心交互設(shè)備持續(xù)技術(shù)革新。在主機(jī)游戲中,高精度操作適配動(dòng)作格斗、模擬駕駛等多種游戲類型,顯著提升玩家沉浸感。在云游戲場(chǎng)景中,先進(jìn)手柄技術(shù)突破設(shè)備性能限制,實(shí)現(xiàn)跨平臺(tái)的穩(wěn)定精準(zhǔn)操控。
2025-04-15 09:42:11
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本文詳細(xì)闡述了在一個(gè)testbench中,應(yīng)該如何使用阻塞賦值與非阻塞賦值。首先說(shuō)結(jié)論,建議在testbench中,對(duì)時(shí)鐘信號(hào)(包括分頻時(shí)鐘)使用阻塞賦值,對(duì)其他同步信號(hào)使用非阻塞賦值。
2025-04-15 09:34:24
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eMMC(Embedded Multi Media Card)是一種專為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的非易失性存儲(chǔ)解決方案,它將NAND閃存、主控芯片和接口協(xié)議封裝在一個(gè)BGA(Ball Grid Array
2025-04-14 00:00:00
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中圖儀器CEM3000簡(jiǎn)單易操作超高分辨率掃描電鏡高易用性快速成像、一鍵成片,無(wú)需過(guò)多人工調(diào)節(jié)。超高分辨率優(yōu)于4nm(SE),優(yōu)于8nm(BSE)@20kV,超大景深毫米級(jí)別景深,具有高空間分辨率
2025-04-10 10:11:16
芯片燒錄領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代,并公布了一系列新增兼容芯片型號(hào)。在此次更新中,恒爍半導(dǎo)體(Zbit)推出的非易失性閃存ZB25VQ16CS已被昂科燒錄程序芯片燒錄設(shè)備
2025-04-09 15:22:11
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2025國(guó)際星閃聯(lián)盟創(chuàng)新展圓滿落幕。中易騰達(dá)攜最新產(chǎn)品與技術(shù)成果驚艷亮相,與行業(yè)伙伴共繪星閃生態(tài)新圖景!
2025-04-02 14:47:54
835 如何使用 S32 Design Studio for ARM 將自定義數(shù)據(jù)放入 SRAM 中以進(jìn)行S32K146?
2025-04-01 08:27:32
(“.int_sram_no_cacheable”))) 工作中
2) __attribute__((section(“.int_dtcm”))) 不工作
3) __attribute__((section
2025-03-27 07:16:12
,又可再對(duì)它寫入,為可讀/寫存儲(chǔ)器, 或隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器。? 易失性
p 若存儲(chǔ)器在斷電之后,仍能保存其中的內(nèi)容,則稱為非易失性存儲(chǔ)器;否則,為易失性存儲(chǔ)器;
p 只讀存儲(chǔ)器(ROM)是非易失性的,隨機(jī)
2025-03-26 11:12:24
NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲(chǔ)中,具有高速讀寫和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。
2025-03-12 10:21:14
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無(wú)感直流BLDC,大占空比情況下失步問(wèn)題
2025-03-11 08:00:38
特性低成本、低功耗的復(fù)雜可編程邏輯器件(CPLD)即時(shí)啟動(dòng),非易失性架構(gòu)待機(jī)電流低至 2 毫安提供快速的傳播延遲和時(shí)鐘到輸出時(shí)間提供四個(gè)全局時(shí)鐘,每個(gè)邏輯陣列塊(LAB)有兩個(gè)時(shí)鐘可用高達(dá) 8 千
2025-03-07 15:19:03
全球嵌入式非易失性內(nèi)存(eNVM)解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商力旺電子,與旗下專注于PUF(物理不可克隆功能)安全I(xiàn)P的子公司熵碼科技,今日正式推出全球首款結(jié)合PUF技術(shù)的后量子加密(PQC)解決方案。此
2025-03-05 11:43:10
1003 MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路,可將標(biāo)準(zhǔn)(易失性)CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器。它還會(huì)持續(xù)監(jiān)控電源,以在RAM的電源處于邊際(超出容限)條件時(shí)提供RAM寫保護(hù)。當(dāng)電源開(kāi)始出現(xiàn)故障時(shí),RAM受到寫保護(hù),并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16
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帶幻象時(shí)鐘的DS1243Y 64K NV SRAM是一款內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘、完全靜態(tài)的非易失性RAM(結(jié)構(gòu)為8192個(gè)字x 8位)。DS1243Y具有獨(dú)立的鋰能源和控制電路,可持續(xù)監(jiān)控VCC是否發(fā)生超出容
2025-02-28 10:31:43
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DS9034PCX PowerCap作為非易失性計(jì)時(shí)RAM的鋰電源,采用Dallas Semiconductor的直接表面貼裝PowerCap模塊(PCM)封裝。PowerCap模塊板焊接到位并清潔
2025-02-28 10:07:12
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帶鋰電池監(jiān)控器的DS1321靈活非易失性控制器是一款CMOS電路,解決了將CMOS SRAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問(wèn)題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測(cè)到這種情況時(shí),芯片使能輸出會(huì)被
2025-02-28 10:00:43
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帶電池監(jiān)控器的DS1314非易失性控制器是一個(gè)CMOS電路,解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問(wèn)題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測(cè)到這種情況時(shí),芯片使能會(huì)被禁止以實(shí)現(xiàn)
2025-02-28 09:53:17
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帶電池監(jiān)控器的DS1312非易失性控制器是一個(gè)CMOS電路,解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用問(wèn)題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測(cè)到這種情況時(shí),芯片使能會(huì)被禁止以實(shí)現(xiàn)
2025-02-28 09:48:45
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DS1746是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和128k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1746內(nèi)所有寄存器的訪問(wèn)都通過(guò)字節(jié)寬接口實(shí)現(xiàn),如圖1所示。RTC
2025-02-27 17:20:04
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DS1557是一款全功能、符合-2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC),具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和512k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1557內(nèi)所有
2025-02-27 17:11:32
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在數(shù)字化轉(zhuǎn)型浪潮中,非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)(如文檔、圖片、音視頻等)已成為企業(yè)核心資產(chǎn),其價(jià)值挖掘能力直接影響AI應(yīng)用的效能與安全性。然而,數(shù)據(jù)分散、多模態(tài)處理復(fù)雜、安全合規(guī)風(fēng)險(xiǎn)高等問(wèn)題,嚴(yán)重制約了企業(yè)AI
2025-02-27 17:06:03
927 DS1554是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC),具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和32k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1554內(nèi)所有
2025-02-27 16:54:35
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DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過(guò)如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對(duì)DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問(wèn)。RTC
2025-02-27 15:51:09
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具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列),內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍,一旦超出容差,鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài),寫保護(hù)將無(wú)條件使能、以防存儲(chǔ)器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:44:58
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具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列),內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍,一旦超出容差,鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài),寫保護(hù)將無(wú)條件使能、以防存儲(chǔ)器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:38:41
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具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列),內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC
2025-02-27 10:10:50
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DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54
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DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09
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DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC),具有RTC報(bào)警、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個(gè)32.768kHz的頻率
2025-02-26 16:38:17
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DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC),具有RTC報(bào)警、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個(gè)32.768kHz的頻率
2025-02-26 16:23:11
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RK3588 EVB實(shí)際的emmc電路如下
整體概述該原理圖展示了eMMC Flash與主控芯片之間的連接關(guān)系,以及相關(guān)的電源、信號(hào)線路和去耦電容等元件的配置。eMMC是一種常見(jiàn)的非易失性
2025-02-26 11:07:52
可達(dá)90 MB/s?STR和DTR支持的協(xié)議——擴(kuò)展I/O協(xié)議——雙I/O協(xié)議——四I/O協(xié)議?就地執(zhí)行(XIP)?程序/擦除暫停操作?易失性和非易失性配置設(shè)置?軟
2025-02-19 16:15:14
在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天,閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其高速度、大容量和非易失性的特性,成為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的重要成員。而U盤,作為閃速存儲(chǔ)器的一種常見(jiàn)應(yīng)用形式,更是憑借其便攜性和易用性,在
2025-01-29 15:12:00
1449 在此次更新中,恒爍半導(dǎo)體(Zbit)推出的非易失性閃存ZB25VQ32DS已被昂科的程序燒錄專業(yè)芯片燒錄設(shè)備AP8000所支持。昂科技術(shù)自主研發(fā)的AP8000萬(wàn)用燒錄器,支持包括一拖一及一拖八配置
2025-01-17 09:30:20
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有人用過(guò)數(shù)字電位器TPL0501-100么?器件比較中說(shuō)它采用的是易失性存儲(chǔ)介質(zhì),但是datasheet中關(guān)于這點(diǎn)只字未提,不知道上電后,它的抽頭到一端的電阻是多少?
2025-01-14 08:37:07
評(píng)論