在精密測量的世界里，加速度計如同感知萬物運動的“神經(jīng)末梢”，無論是智能手機的自動旋轉，汽車安全氣囊的瞬間觸發(fā)，還是航天器的精準導航，都離不開它的核心運作。而支撐其工作的關鍵力學原理，便是扭矩平衡
2025-12-25 14:32:25
514 
能否詳細介紹一下MOSFET在電機控制中的作用？
2025-12-22 13:11:42
本文主要介紹如何為機智云Gokit3的MCU模式進行程序燒錄（ST-Link版）。由于Gokit3底板采用的是STM32芯片，針對ST的MCU，推薦使用以下兩種燒錄方式。首先，使用ST
2025-12-17 18:46:28218 
刷新率的顯示設備提供了強大的支持。而在實現(xiàn) DisplayPort 2.1 信號傳輸?shù)倪^程中，TDP20MB421 這樣的線性轉接驅動器發(fā)揮著至關重要的作用。今天，我們就來詳細了解一下德州儀器（TI
2025-12-15 17:40:09908
DJNZ direct,rel
第一條指令在前面的例程中有詳細的分析，這里就不多談了。第二條指令，只是將Rn改成直接地址，其它一樣，也不多說了，給一個例程。
DJNZ 10H，LOOP
3．調用與返回
2025-12-15 08:01:08
昆泰芯KTM1302MB-ST3 TMR傳感器憑借30高斯高靈敏度和-40℃至125℃寬溫域工作特性，為航天舵面監(jiān)測提供高精度位置檢測解決方案，其超低功耗與卓越溫度穩(wěn)定性顯著提升飛行控制系統(tǒng)可靠性。
2025-12-10 09:46:00256 
級、帶觸控功能的 Flash 微控制器 SC95F8767 開發(fā)。本文檔詳細介紹 MB0036 核心開發(fā)板的相關功能。
開發(fā)板功能：
開發(fā)板主控MCU 芯片型號為 SC95F8767，集成觸控模塊
2025-12-04 22:38:48
在微觀世界中，電子的“自旋”是其基本屬性之一，如同一個個微小的磁針。材料的許多宏觀特性，如磁鐵的磁性或超導體的零電阻，都源于這些微觀“磁針”的排列與相互作用。 研究人員介紹，探測單個自旋，對物質世界
2025-12-03 18:22:461903 
中國科學技術大學與浙江大學合作，在納米尺度量子精密測量領域取得進展，首次實現(xiàn)了噪聲環(huán)境下糾纏增強的納米尺度單自旋探測。 01 測量最基礎的磁性單元 探測單個自旋，測量物質世界最基礎的磁性單元，能夠
2025-12-01 18:42:171665 
開發(fā)板為硬件測試平臺，其核心板搭載了256MB RAM和256MB的Nand Flash存儲器，底板外設接口也極其豐富，包括常用的RGMII網(wǎng)口、USB接口、RS485、CAN-FD、SPI、GPADC
2025-11-28 13:34:09
EMMC 16GB；
MT41K512M16HA-125:A DDR3 8Gb；
H26M52103FMRA EMMC 16GB；
PC28F256P30BFE NOR 256MB
2025-11-27 15:58:19
性能指標中，大扭矩輸出技術無疑是其“力量源泉”，讓舵機能夠輕松應對各種高負載挑戰(zhàn)，展現(xiàn)出令人驚嘆的實力。 高性能電機：扭矩提升的基石 要實現(xiàn)大扭矩輸出，高性能電機是關鍵的第一步。電機就像是舵機的“心臟”，為整個
2025-11-21 15:16:021085 在存儲技術快速演進的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉移矩磁阻隨機存取存儲器）的新型非易失存儲器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過“自旋電流”技術實現(xiàn)了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術的代表。
2025-11-20 14:04:35248 在嵌入式存儲應用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關注。作為磁性隨機存儲器技術的代表，Everspin磁性隨機存儲器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41146 Banana Pi 香蕉派BPI - R4 Pro 聯(lián)發(fā)科MT7988A Wi-Fi 7開源路由器主板公開發(fā)售。支持4GB/8GB DDR4內存，板載8GB eMMC、256MB SPI
2025-11-18 16:12:291429 
在需要高速數(shù)據(jù)讀寫與高可靠性的現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，傳統(tǒng)存儲技術往往面臨寫入速度慢、耐久性有限等挑戰(zhàn)。Everspin公司推出的MR25H256系列MRAM芯片，以其獨特的磁阻存儲技術，為工業(yè)控制、汽車
2025-11-13 11:23:46210 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR3 SDRAM參考設計手冊.pdf》資料免費下載
2025-11-05 17:04:01
4 英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲芯片，基于最新的JEDEC xSPI標準與獨有的STT-MRAM技術構建，這款串行接口MRAM存儲芯片可全面替代傳統(tǒng)SRAM
2025-11-05 15:31:48285 在當今對數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎設施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨特的技術優(yōu)勢，成為眾多高性能存儲解決方案中的亮點。
2025-11-05 14:34:28280 日前，中國船舶第七〇四研究所成功承接4船套地中海航運（MSC）液化天然氣（LNG）雙燃料動力大型客滾船大扭矩傳感器供貨合同。這是我國自主研發(fā)的高精度船用測量儀器首次應用于出口高端船型上，一舉打破國外
2025-11-04 18:06:541670 
mask
Enabled
Input clock period
100MHz
Chip Select pin
Enabled
DDR讀時序介紹
DDR3讀時序如下圖，由于傳遞地址到取出數(shù)據(jù)
2025-10-28 07:24:01
“ ?本文將詳細介紹 DDR5、LPDDR5 的技術細節(jié)以及 Layout 的規(guī)范要求。然后比較 CAMM2 模組與 SODIMM 的差別。? ” ?? 本文將介紹什么是 DDR5，DDR5 和之前
2025-10-27 19:28:167364 
在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器，以高達35
2025-10-24 16:36:03532 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實現(xiàn)了高速、可靠與長壽命的統(tǒng)一，是存儲技術的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44411 作為磁阻存儲器領域的重要分支，SOT-MRAM因其獨特的寫入機制與結構設計，正成為高性能MRAM研發(fā)的熱點方向。該技術利用具有強自旋軌道耦合效應的材料層，通過自旋軌道力矩驅動磁性隧道結中納米磁體的確定性翻轉，從而實現(xiàn)高效、可控的數(shù)據(jù)寫入與擦除操作。
2025-10-24 14:46:24338 MX25L25645GM2I-08G是旺宏電子推出的256Mb大容量SPI NOR Flash存儲芯片，工作電壓2.7V–3.6V，支持最高133MHz時鐘頻率與芯片內執(zhí)行(XIP)，具有工業(yè)級溫度
2025-10-24 09:55:00429 
7屆自旋存儲與計算學術研討會產(chǎn)業(yè)論壇暨第3屆自旋芯片產(chǎn)業(yè)論壇，在杭州市北京航空航天大學國際校園順利舉辦。
2025-10-23 11:13:41673 DDR控制協(xié)議
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進行讀寫操作所需要的時序，繼而實現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內存儲資源
2025-10-21 14:30:16
由于e203內部DTCM空間較小，所以本隊針對DDR200T開發(fā)板進行針對e203的DDR3存儲器擴展。
論壇中所給出的e203擴展DDR的方法大致分為兩種，一種是直接將DDR存儲器的接口使用ICB
2025-10-21 12:43:40
蜂鳥DDR200T中DDR3的ip配置案列，提供DDR3引腳配置。具體參數(shù)可更具項目實際更改。
這里選用的axi接口
在賽靈思的IP配置中沒有MT41K28M6JT-125K內存的信息，因此選用
2025-10-21 11:19:08
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進行讀寫操作所需要的時序，繼而實現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內存儲資源難以實現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 10:40:28
DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲器DDR3 SDRAM進行讀寫操作所需要的時序，繼而實現(xiàn)對片外存儲器的讀寫訪問。由攝像頭采集得到的圖像數(shù)據(jù)通常數(shù)據(jù)量較大，使用片內存儲資源難以實現(xiàn)大量圖像數(shù)據(jù)
2025-10-21 08:43:39
愛普科技256Mb PSRAM（如APS256XXN-OBR-BG）為WiSUN無線模塊提供高速數(shù)據(jù)緩存與臨時存儲解決方案，其166MHz速率、1.8V低功耗及小尺寸封裝顯著提升模塊在智能電網(wǎng)、工業(yè)自動化中的多任務處理能力和穩(wěn)定性。
2025-10-14 09:25:00265 
MXIC旺宏電子MX25L25645GM2I-08G NOR Flash以256Mb容量、104MHz Octa SPI接口及-40℃~105℃車規(guī)級可靠性，為智能車燈控制系統(tǒng)提供高速數(shù)據(jù)存儲與固件執(zhí)行支持，確保自適應光形調節(jié)的微秒級響應與長期運行穩(wěn)定性。
2025-10-11 09:45:00322 DDR是硬件設計的重要一環(huán)，作為一名硬件工程師除了對DDR基礎和原理要有了解外，最重要的也就是對DDR控制器的掌握。本文章從DDR外部管腳的角度進行描述，學習DDR的關鍵設計要注意和了解的部分。
2025-10-10 09:15:242074 
NT5CB256M8GN-cg，回收H5TQ4G83AFRPBC，回收NT5CB256M16BP-di，回收K4B2G1646E-BCH9，
回收MT48LC16M16A2P75D，回收HY5PS1G831C。電子回收，回收電子元件?；厥?b class="flag-6" style="color: red">DDR，回收DDR2，回收DDR3（新舊/拆機/帶板均可）
2025-10-09 14:15:34
的Kintex UltraScale+開發(fā)板采用核心板+底板結構，核心板提供KU3P/KU5P兩種型號，配備2GB DDR4、256Mb QSPI Flash等資源，通過240P高速連接器與底板連接。底板集成了千兆以太網(wǎng)、QSFP28、MIPI、FMC、PCIe等豐富接口，并內置USB-JTAG調試器
2025-09-26 10:46:19782 
內存，256MB存儲，裸機開發(fā)、Linux開發(fā)、QT開發(fā)、LVGL開發(fā)、快速啟動順暢支持！官方售價到手僅49.9元，性價比極高！RK3506性能評估Linux開發(fā)學習RK35
2025-09-11 16:26:473123 
TPS7H3301-SP 支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 的 DDR VTT 端接應用。TPS7H3301-SP VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應允許在讀/寫條件下提供非常穩(wěn)定的電源。在
2025-09-09 14:45:15719 
該TPS7H3302支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 的 DDR VTT 端接應用。TPS7H3302 VTT 穩(wěn)壓器的快速瞬態(tài)響應允許在讀/寫條件下提供非常穩(wěn)定的電源
2025-09-09 13:48:37756 
TRS605是一款緊湊型軸對軸旋轉扭矩傳感器，能夠為高速應用場景提供高精度、可重復的順時針和逆時針扭矩測量。配備內置編碼器，具備集轉速與扭矩測量于一體的高效功能，無需額外使用外部編碼器。10種量程
2025-09-03 15:54:57769 MA35D1_LQFP216將 DDR的大小從 128MB 更改為 256/512MB無法在 NuMaker-IOT-MA35D1 EVB 板上運行
2025-09-03 07:27:26
×Cortex-A7@1.5GHz+1×Cortex-M0@200MHz異構架構，可選NAND版本：256MB+256MB/512MB+512MB，EMMC版本：512MB+8GB，是一款低功耗、低延時、顯示
2025-08-27 11:54:06
/TypeC/DC-007B）、1GB DDR3L內存、256Mb QSPI Flash，集成千兆以太網(wǎng)、USB2.0、SD卡等接口，支持JTAG/QSPI/SD三種啟動模式。射頻部分包含巴倫/功放/開關電路，配備0.5ppm高精度時鐘，預留GPS模塊和40P擴展接口。
2025-08-27 10:18:481116 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《st25dx-mb原理圖資料.pdf》資料免費下載
2025-08-25 15:43:190 詳細了解硬件信息，包括#DDR 顆粒的型號、容量、速率、數(shù)據(jù)寬度等參數(shù)，以及原理圖中DDR顆粒與處理器的連接方式、引腳定義等 。這些信息是進行準確配置的基礎，直接影響到內存的性能和穩(wěn)定性。
2025-08-13 09:25:053551 
P24C256H是I2C兼容的串行EEPROM（電可擦除可編程存儲器）設備。它包含一個256Kbits （32Kbytes）的內存陣列，每頁64bytes。
2025-08-08 17:05:231815 
：全志T113-i（雙核Cortex-A7@1.2GHz + 玄鐵C906 RISC-V@1GHz）
內存 ：256MB DDR3（板載）
存儲 ：256MB SPI NAND Flash + TF卡
2025-08-05 19:59:12
本文緊接著前一個文檔《AD設計DDR3時等長設計技巧-數(shù)據(jù)線等長 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號線等長設計，因為地址線、控制信號線有分支，SOC有可能帶有2片DDR或者更多，我們叫做T型分支
2025-07-29 16:14:512 ? ? ? 本文講述了使用Altium designer設計SOC和DDR等高速PCB時候，如何設計信號線等長。DDR信號線分成兩大部分。一是數(shù)據(jù)線部分，二是地址線、控制信號線部分。本文著重詳細
2025-07-28 16:33:124 /INT16混合運算，最大算力為0.5TOPs 3 默認支持5寸顯示屏，最大分辨率支持1280*800 三、 擴展接口 l 256MB DDR3L l 8GBEMMC l 音頻CodecCPU內置聲卡
2025-07-14 10:22:13386 
：
Window11 PDS2022.2-SP6.4
芯片型號：
PG2L50H-484
2.實驗原理
開發(fā)板集成 1 顆 4Gbit（512MB）DDR3 芯片,型號為 MT41K256M16。DDR3
2025-07-10 10:46:48
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，TrendForce報告顯示，6月初，DDR4和DDR5芯片在現(xiàn)貨市場上的價格已基本持平，有些DDR4芯片的價格甚至高于DDR5芯片，呈現(xiàn)“價格倒掛”現(xiàn)象。DDR4 16Gb
2025-06-27 00:27:004539 在線訓練平臺。SoC： SG2002（1GHz C906+700MHz C906 + 256MB DDR + 1TOPS NPU），2.3寸552x368 MIPI觸摸屏，標配 1/3
2025-06-25 14:25:12
DDR內存占據(jù)主導地位。全球DDR內存市場正經(jīng)歷一場前所未有的價格風暴。由于原廠加速退出DDR3/DDR4市場，轉向DDR5和HBM（高帶寬內存）生產(chǎn)，DDR3和DDR4市場呈現(xiàn)供不應求、供需失衡、漲勢延續(xù)的局面。未來，DDR5滲透率將呈現(xiàn)快速提升，市場份額增長的趨勢。
2025-06-25 11:21:152011 
研NPU，可以達到企業(yè)級?關級別數(shù)據(jù)轉發(fā)處理能?。板載:512MB DDR3內存1 x 2.5G ??和 5 x 千兆??128 MB SPI NAND 和 16 MB SPI NOR flash
2025-06-24 23:51:16
本文詳細介紹如何使用ST-LINK/V2和USB轉TTL串口板為STM32單片機下載程序，包括STM32啟動模式、JTAG與SWD接口對比、驅動安裝及官方軟件STM32ST-LINKUtility和FlashLoaderDemonstrator的操作流程。
2025-06-20 17:26:112388 
FUTEK 旋轉扭矩傳感器（或動態(tài)扭矩傳感器）常用在旋轉軸、發(fā)動機或固定電機上進行扭矩測量。傳感器需要連接到軸上直線旋轉，扭矩傳感器配有滑環(huán)，可在旋轉時傳輸扭矩信號（非接觸式傳感器）。
2025-06-18 16:42:32908 導軌固定螺栓的扭矩標準不是一個固定值，它會受到多種因素的影響，包括螺栓的直徑、材質以及具體的導軌類型和安裝要求等。
2025-05-19 17:49:33722 
、低功耗設計，還具備低延時和高實時性的特點。核心板提供RK3506B/RK3506J、商業(yè)級/工業(yè)級、512MB/256MB LPDDR3L、8GB eMMC/256MB NAND等多個型號供選擇
2025-05-16 17:20:40
×Cortex-A7@1.5GHz+1×Cortex-M0@200MHz異構架構，可選256MB+256MB/512MB+512MB配置。
核心板僅42mmx72mm，配套底板僅100mmx70mm。底板板載USB接口
2025-05-15 15:27:33
下面是調用的DDR3模塊的，模塊的倒數(shù)第二行是，模塊的時鐘輸入，時鐘源來自PLL產(chǎn)生的系統(tǒng)時鐘的倍頻。
2025-05-03 10:21:001339 
LP2996-N 和 LP2996A 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 標準 DDR-SDRAM 終止規(guī)范。該器件還支持 DDR2，而 LP2996A 支持 DDR3 和 DDR3
2025-04-29 18:11:05834 
終端供電。這 該器件還支持 DDR3 VTT 端接，VDDQ 電壓為 1.5 V（典型值）。此外，TPS51100 包括集成的睡眠狀態(tài)控制、在 S3 中將 VTT 置于 Hi-Z（暫停到 RAM）和軟
2025-04-29 17:15:20774 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉
2025-04-29 16:38:021031 
在高速PCB設計中，DDR模塊是絕對繞不過去的一關。無論你用的是DDR、DDR2還是DDR3，只要設計不規(guī)范，后果就是——信號反射、時序混亂、系統(tǒng)頻繁死機。
2025-04-29 13:51:032491 
僅為 20 μF。該TPS51200支持遠程感應功能以及 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-29 09:59:251345 
只需要 20 μF 的最小輸出電容。TPS51200-Q1 器件支持遠程感應功能以及 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-28 16:21:07852 
TPS59116 為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 內存提供完整的電源 系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉電流跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩沖低噪聲基準集成在一起
2025-04-28 13:54:45814 
TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ），具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO （VTT） 和緩沖低噪聲基準 （VTTREF）。
2025-04-28 10:58:44657 
TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、 和 LPDDR3 內存系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 1A 灌電流/拉電流集成在一起 跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩
2025-04-27 13:35:32741 
TPS51716為 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 提供完整的電源 以最低的總成本和最小空間實現(xiàn)內存系統(tǒng)。它集成了一個同步降壓 具有 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO
2025-04-27 11:36:05763 
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標準 DDR-SDRAM 和 DDR2 內存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT
2025-04-27 09:40:04874 
LP2996A 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 規(guī)范 DDR-SDRAM 終止。該器件還支持 DDR2、DDR3 和 DDR3L VTT 總線端接，帶 V~DDQ~最小為 1.35V
2025-04-26 15:02:50746 
TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器 （VDDQ） 與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT） 和緩
2025-04-26 11:12:30681 
只需要最小輸出 電容為 20 μF。TPS51200-EP 支持遙感功能和所有功率要求 用于 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端。
2025-04-26 10:26:351335 
的最小輸出電容。該器件支持遠程感應功能以及 DDR、DDR2、DDR3 以及低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。
2025-04-25 10:07:151053 
介紹了一種電機聯(lián)軸控制的旋轉機械結構。振動模態(tài)分析是電機優(yōu)化設計的重要步驟,本文利用ANSYS有限元軟件對定轉子模態(tài)模型進行了詳細的計算和分析,得到了其模態(tài)固有頻率和振型。仿真結果對振動實驗和定轉子
2025-04-24 21:07:12
扭矩傳感器相較于傳統(tǒng)的扭矩測量方法具有諸多顯著優(yōu)勢，并且其應用領域也相當廣泛。 一、扭矩傳感器的優(yōu)勢 1. 高精度：現(xiàn)代扭矩傳感器采用先進的材料和制造工藝，能夠將測量誤差控制在極小的范圍內，滿足了如
2025-04-17 16:25:171122 DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533930 
2025年4月3日?——全球硬件品牌技嘉科技今日宣布,其旗艦級超頻主板Z890 AORUS TACHYON ICE(鈦雕)通過采用XPG 龍耀 D500G DDR5內存及液氮(LN2)散熱技術,成功
2025-04-03 17:52:45805 從最初作為一個基于慈善的項目起步，RaspberryPi已經(jīng)發(fā)展成為全球最知名的迷你計算機之一。第一代RaspberryPi配備了一個單核CPU和僅256MB的RAM，而今其規(guī)格已經(jīng)取得了長足的進步
2025-03-25 09:41:59764 
燦芯半導體（上海）股份有限公司（燦芯股份，688691）宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協(xié)議兼容性，支持DDR3
2025-03-21 16:20:03984 主驅電機是電動汽車核心的部件之一，主要作用是產(chǎn)生驅動扭矩或制動扭矩，驅動車輛前進并進行動能回收。扭矩估算算法也成為主驅電機扭矩安全的重點。目前常用的扭矩估算算法有三種，分別是：電流法、功率法和查表法。本文將就這三種算法進行展開講解。
2025-03-17 16:26:451091 
I3C 控制器角色轉移如何實現(xiàn)
2025-03-14 10:08:50
、EMAC、SMHC、UART、RGB、LVDS、MIPI DSI、USB、ADC等其他工控領域常用接口。
2、多種內存/存儲組合
T113-i核心板一共有三種配置，分別是：256M DDR3+256
2025-03-13 15:37:03
比爾公司 (ST?BER ANTRIEBSTECHNIKGmbH&Co.KG)決定開發(fā)出 新的三種不同尺寸的伺服電機，在2.8到31牛頓米 的扭矩值有4個不同長度的版本。受益于其創(chuàng)新的電
2025-03-12 16:58:47
：NT5CC256M16EP-EKI DDR3(L) 4Gb SDRAM CL-TRCD-TRP｛13-13-13｝
手冊要求 933MHz Clock但是STM32MP13x 最高給 DDRC 頻率
2025-03-11 07:11:03
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，日前，萊迪思宣布在FPGA設計上前瞻性的布局，使其能夠結合MRAM技術，推出了包括Certus-NX、CertusPro-NX和Avant等多款創(chuàng)新產(chǎn)品。這些FPGA器件采用
2025-03-08 00:10:001803 DDR內存控制器是一個高度集成的組件，支持多種DDR內存類型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過精心設計的架構來優(yōu)化內存訪問效率。
2025-03-05 13:47:403573 
HJR系列帶力控旋轉關節(jié)模組? 專為人形機器人應用研發(fā)，提供定制化服務? 集諧波減速器、電機、抱閘、編碼器、驅動器、扭矩傳感器于一體? 創(chuàng)新的諧波減速器結構，讓關節(jié)模組整體輕量化程度進一步提升
2025-02-21 14:59:52
，DDR5內存已成為市場主流，并逐步取代DDR4內存。值得注意的是，消費級平臺已不再支持DDR4，這使得DDR4內存開始加速向DDR3目前所占據(jù)的利基市場轉移。 若三大內存原廠真的決定停產(chǎn)DDR3和DDR4，這無疑將對內存市場產(chǎn)生深遠影響。一方面，這將促使現(xiàn)有DDR3和DDR4內存庫存
2025-02-19 11:11:513465 本文研究了二維材料PdSe?與石墨烯組成的范德華異質結構中的自旋動力學。PdSe?因其獨特的五邊形晶格結構，能夠誘導石墨烯中各向異性的自旋軌道耦合（SOC），從而在室溫下實現(xiàn)自旋壽命的十倍調制。研究
2025-02-17 11:08:381212 
問題并非來自旋轉部件，沒有車速、轉速關聯(lián)現(xiàn)象，又當如何呢？其實，使用“傳遞路徑法”亦可快速且精準定位故障根源！2月13日，本周四晚8點，保時捷中心技術經(jīng)理，擁有16年
2025-02-12 11:33:23513 
自旋測試多功能克爾顯微鏡以自主設計的光路結構及奧林巴斯、索萊博光電元件為基礎制造；用于磁性材料/自旋電子器件的磁疇成像和動力學研究。
2025-02-10 14:32:35667 
LCMXO3LF-4300C-5BG256C 產(chǎn)品概述LCMXO3LF-4300C-5BG256C 是由 Lattice Semiconductor 生產(chǎn)的一款高性能低功耗 FPGA
2025-02-09 10:20:18
最后一期我們主要介紹智多晶DDR Controller使用時的注意事項。
2025-01-24 11:14:141479 
本期主要介紹智多晶DDR Controller的常見應用領域、內部結構、各模塊功能、配置界面、配置參數(shù)等內容。
2025-01-23 10:29:541268 
TPS51200以前在DDR硬件電路設計過程中，關于DDR的電源設計部分存在著不合理的部分，下面簡單介紹一下DDR的電源： DDR的電源可以分為三類：
（1）主電源VDD和VDDQ，
主電源的要求
2025-01-21 06:02:11
在運放和ADC芯片的數(shù)據(jù)手冊中經(jīng)?？吹絫rack-and-hold，誰能詳細介紹一下track-and-hold？
2025-01-20 09:10:12
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